JPH029499B2 - - Google Patents
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- JPH029499B2 JPH029499B2 JP58035608A JP3560883A JPH029499B2 JP H029499 B2 JPH029499 B2 JP H029499B2 JP 58035608 A JP58035608 A JP 58035608A JP 3560883 A JP3560883 A JP 3560883A JP H029499 B2 JPH029499 B2 JP H029499B2
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- electrode
- sensor
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14665—Imagers using a photoconductor layer
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
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- Facsimile Scanning Arrangements (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
＜技術分野＞
本発明は画像読取装置に係り、特に２次元にセ
ンサエレメントを配置し、光学的及び電気的にセ
ンサ面を走査する２次元画像読取装置に関する。
ンサエレメントを配置し、光学的及び電気的にセ
ンサ面を走査する２次元画像読取装置に関する。
＜従来技術＞
従来フアクシミリ等の装置に於いて、画像を読
出す装置としてMOS型イメージセンサ、CCDセ
ンサ、密着型イメージセンサ等が提案されてい
る。MOS型イメージセンサは入射光像を光電変
換素子で電気信号に変換し、MOS ICで切り換え
走査する装置で、またCCDセンサは光によつて
光電変換部に生じた電荷を電荷結合素子（CCD）
を用いて転送する装置である。
出す装置としてMOS型イメージセンサ、CCDセ
ンサ、密着型イメージセンサ等が提案されてい
る。MOS型イメージセンサは入射光像を光電変
換素子で電気信号に変換し、MOS ICで切り換え
走査する装置で、またCCDセンサは光によつて
光電変換部に生じた電荷を電荷結合素子（CCD）
を用いて転送する装置である。
このMOS型イメージセンサ或いはCCDセンサ
は、単結晶基板をベースにしてこの基板にICの
技術を用いて作成する為、広い面積のセンサを製
造することは性能的にもコスト的にも不利にな
る。従つて、一般には光学レンズを用い、原稿を
センサ上に縮小結像させ使用している。しかしこ
の方法では、光学レンズを用いるため光路長が長
くなり、装置の小型化が困難になる。
は、単結晶基板をベースにしてこの基板にICの
技術を用いて作成する為、広い面積のセンサを製
造することは性能的にもコスト的にも不利にな
る。従つて、一般には光学レンズを用い、原稿を
センサ上に縮小結像させ使用している。しかしこ
の方法では、光学レンズを用いるため光路長が長
くなり、装置の小型化が困難になる。
上記のような縮小結像型のイメージセンサに対
し、装置を小型化する目的で原稿と同じ大きさの
センサを用い、オプテイカルフアイバーで原稿と
等倍の像を結像させる密着型イメージセンサが考
案されている。密着型イメージセンサは原稿と同
じ大きさの光電変換部が必要で、広い面積にわた
つて均一な膜の形成が要求される。
し、装置を小型化する目的で原稿と同じ大きさの
センサを用い、オプテイカルフアイバーで原稿と
等倍の像を結像させる密着型イメージセンサが考
案されている。密着型イメージセンサは原稿と同
じ大きさの光電変換部が必要で、広い面積にわた
つて均一な膜の形成が要求される。
現在密着型イメージセンサとしてはCdS光導電
層を島状に分割した１次元密着型イメージセンサ
が提案されているが、光導電層を分割して作製し
なければならず、また各光導電層に夫々電極を設
けねばならず、構造が複雑であり、更に読取り速
度は光導電層の光応答速度によつて制限される。
特にCdS等の光導電層は光応答速度に問題があ
り、１次元イメージセンサとしてかなり制限を受
ける。
層を島状に分割した１次元密着型イメージセンサ
が提案されているが、光導電層を分割して作製し
なければならず、また各光導電層に夫々電極を設
けねばならず、構造が複雑であり、更に読取り速
度は光導電層の光応答速度によつて制限される。
特にCdS等の光導電層は光応答速度に問題があ
り、１次元イメージセンサとしてかなり制限を受
ける。
更にアモルフアスシリコン等を利用して連続し
た帯状の光導電体を用いた密着型センサも提案さ
れているが、このような１次元センサを用いて２
次元画像を読取ろうとすれば、センサを繰返して
使用しなければならず、そのために同じセンサ部
分をある周期で電圧印加し、信号の読取りを行な
うため、“明”“暗”の照度変化に対する電流
の変化、即ち立ち上がり立ち下がり特性が直接信
号に影響を及ぼす。そのために上記１次元センサ
では１ラインを走査する時間を応答速度より大き
くとる必要があり、２次元原稿の読取時間が長く
なつてイメージセンサとして実用化するには問題
があつた。
た帯状の光導電体を用いた密着型センサも提案さ
れているが、このような１次元センサを用いて２
次元画像を読取ろうとすれば、センサを繰返して
使用しなければならず、そのために同じセンサ部
分をある周期で電圧印加し、信号の読取りを行な
うため、“明”“暗”の照度変化に対する電流
の変化、即ち立ち上がり立ち下がり特性が直接信
号に影響を及ぼす。そのために上記１次元センサ
では１ラインを走査する時間を応答速度より大き
くとる必要があり、２次元原稿の読取時間が長く
なつてイメージセンサとして実用化するには問題
があつた。
＜発明の目的＞
本発明は上記従来のイメージセンサがもつ問題
点に鑑みてなされたもので、新規な構造からなる
イメージセンサを用いて、光学的及び電気的にセ
ンサ面を走査して電極からの引き出し端子数の軽
減をはかつた２次元画像読取装置を提供するもの
で、密着型イメージセンサとしてだけではなく通
常の光学系を用いた２次元イメージセンサとして
も利用することができる読取装置である。
点に鑑みてなされたもので、新規な構造からなる
イメージセンサを用いて、光学的及び電気的にセ
ンサ面を走査して電極からの引き出し端子数の軽
減をはかつた２次元画像読取装置を提供するもの
で、密着型イメージセンサとしてだけではなく通
常の光学系を用いた２次元イメージセンサとして
も利用することができる読取装置である。
＜実施例＞
第１図は本発明による一実施例の画像読取装置
におけるセンサ１の構造を示す斜視図である。セ
ンサ１は、少なくとも読取るべき２次元画像面と
同程度の面積をもつたガラス等の絶縁板を基板２
とし、該基板２の一方の表面にAl等を蒸着して
形成したストライプ状Ｘ電極３が一定のピツチで
平行に設けられている。各Ｘ電極３の幅及びピツ
チはセンサ１の解像度に影響するが、後述する所
望膜厚の光導電層が示す光出力特性が許す範囲で
細かいことが望ましい。Ｘ電極３が形成された基
板２上には重ねて光導電層４が形成されている。
該光導電層４は樹脂中に主としてCdSからなる光
導電体粉末を混合分散させてなり、基板２上を被
つて２次元読取り平面全域に均質な膜厚に形成さ
れている。光導電層４上に更にＹ電極５が、上記
Ｘ電極３と直交する方向にほぼ同程度のピツチで
形成されている。該Ｙ電極５は画像の読取りを可
能にするため透明電極材料によつて作成されてい
る。尚、基板２を透明絶縁材料で形成し、Ｘ電極
３を透明電極材料とする場合には基板２側を画像
入力側とし、Ｙ電極５はAl等の金属膜や多結晶
シリコン等が作成することもできる。
におけるセンサ１の構造を示す斜視図である。セ
ンサ１は、少なくとも読取るべき２次元画像面と
同程度の面積をもつたガラス等の絶縁板を基板２
とし、該基板２の一方の表面にAl等を蒸着して
形成したストライプ状Ｘ電極３が一定のピツチで
平行に設けられている。各Ｘ電極３の幅及びピツ
チはセンサ１の解像度に影響するが、後述する所
望膜厚の光導電層が示す光出力特性が許す範囲で
細かいことが望ましい。Ｘ電極３が形成された基
板２上には重ねて光導電層４が形成されている。
該光導電層４は樹脂中に主としてCdSからなる光
導電体粉末を混合分散させてなり、基板２上を被
つて２次元読取り平面全域に均質な膜厚に形成さ
れている。光導電層４上に更にＹ電極５が、上記
Ｘ電極３と直交する方向にほぼ同程度のピツチで
形成されている。該Ｙ電極５は画像の読取りを可
能にするため透明電極材料によつて作成されてい
る。尚、基板２を透明絶縁材料で形成し、Ｘ電極
３を透明電極材料とする場合には基板２側を画像
入力側とし、Ｙ電極５はAl等の金属膜や多結晶
シリコン等が作成することもできる。
本実施例の場合Al膜からなるＸ電極３側は単
にストライプ状の導体が形成されているだけで、
相互の間には特別には配線されない。
にストライプ状の導体が形成されているだけで、
相互の間には特別には配線されない。
一方透明電極のＹ電極５側は、ｎ本からなるＹ
電極群の内少なく共１本、例えば第１番目のY1
電極を、画像読取り動作時にＸ電極群から１本の
Xi電極を選択するための電極とし、残りのY2〜
Yo電極を、マトリツク状にセンサエレメントを
配置したイメージセンサを構成するための電極と
する。従つてＸ電極を選択するためのY1電極に
は、１本のＸ電極の幅に相当する領域を点灯する
スイツチング用光源６（発光ダイオード等）が相
対向させて配置され、Y1電極自身は負荷抵抗７
を介して電源８の一端に接続されている。またセ
ンサエレメントを形成する残りのY2〜Yo電極は
夫々走査のためのスイツチング素子９2〜９oを介
して共通に上記電源８の他方の端子に接続されて
いる。Y2〜Yo電極面に画像情報を導くために、
Y2〜Yo電極に相対向させてオプテイカルフアイ
バアレイ１０が設けられている。該オプテイカル
フアイバアレイ１０は上記スイツチング用光源６
と一体に同一Ｘ電極に対向するように一直線状に
形成されている。上記スイツチング素子９2〜９o
は走査回路１１から与えられる信号によつて順次
切換えられ、オプテイカルフアイバアレイ１０が
一つのＸ電極に対向している期間にスイツチング
素子９2〜９oが一巡する速さで切換えられる。こ
の時Ｙ電極のうち電源に接続されていない端子は
スイツチング素子を介してアースに接続される。
図中OUT端子はＹ電極から読取り出力出号を導
出する端子である。
電極群の内少なく共１本、例えば第１番目のY1
電極を、画像読取り動作時にＸ電極群から１本の
Xi電極を選択するための電極とし、残りのY2〜
Yo電極を、マトリツク状にセンサエレメントを
配置したイメージセンサを構成するための電極と
する。従つてＸ電極を選択するためのY1電極に
は、１本のＸ電極の幅に相当する領域を点灯する
スイツチング用光源６（発光ダイオード等）が相
対向させて配置され、Y1電極自身は負荷抵抗７
を介して電源８の一端に接続されている。またセ
ンサエレメントを形成する残りのY2〜Yo電極は
夫々走査のためのスイツチング素子９2〜９oを介
して共通に上記電源８の他方の端子に接続されて
いる。Y2〜Yo電極面に画像情報を導くために、
Y2〜Yo電極に相対向させてオプテイカルフアイ
バアレイ１０が設けられている。該オプテイカル
フアイバアレイ１０は上記スイツチング用光源６
と一体に同一Ｘ電極に対向するように一直線状に
形成されている。上記スイツチング素子９2〜９o
は走査回路１１から与えられる信号によつて順次
切換えられ、オプテイカルフアイバアレイ１０が
一つのＸ電極に対向している期間にスイツチング
素子９2〜９oが一巡する速さで切換えられる。こ
の時Ｙ電極のうち電源に接続されていない端子は
スイツチング素子を介してアースに接続される。
図中OUT端子はＹ電極から読取り出力出号を導
出する端子である。
第２図は上記イメージセンサ１と光学系との関
係を示す配置図で、センサ１に対向するスイツチ
ング用光源６と一体になつたオプテイカルフアイ
バアレイ１０には、原稿１２からの反射光が画像
情報として入射され、原稿１２面を照明するため
の光源１３が設けられている。上記イメージセン
サ１はほぼ原稿１２を読取り得る２次元の領域を
備えているため、原稿１２とセンサ１に対して光
学系１０が読取り領域を走査すべく所定速度で駆
動機構１４により送り動作される。尚光学系１０
を固定してイメージセンサ１側を移動させてもよ
い。
係を示す配置図で、センサ１に対向するスイツチ
ング用光源６と一体になつたオプテイカルフアイ
バアレイ１０には、原稿１２からの反射光が画像
情報として入射され、原稿１２面を照明するため
の光源１３が設けられている。上記イメージセン
サ１はほぼ原稿１２を読取り得る２次元の領域を
備えているため、原稿１２とセンサ１に対して光
学系１０が読取り領域を走査すべく所定速度で駆
動機構１４により送り動作される。尚光学系１０
を固定してイメージセンサ１側を移動させてもよ
い。
次に上記構造の２次元画像読取装置の動作を説
明する。駆動機構１４の送りによつてオプテイカ
ルフアイバアレイ１０がＸ電極群のXi電極に対向
する状態で、スイツチング用光源６が点灯するこ
とにより、Xi電極とY1電極に挾まれた光導電層
の部分５i-1が導通状態になる。同時にオプテイ
カルフアイバアレイ１０には原稿１２からの反射
光が入射されており、Xi電極に対向するY2〜Yo
電極部分に画像情報に対応する光信号が入力され
ている。この時Y1電極とY2電極の間の光導電層
に光が照射して、Y1とY2電極間が導通状態とな
らない用にY1電極とY2電極間を光遮断するか又
は、Y1電極とY2電極間の光導電層を除去する。
その状態でY2〜Yo電極に接続されたスイツチン
グ素子９2〜９oが走査回路１１からの信号により
順次一定期間オンになるため、オプテイカルフア
イバアレイ１０から光信号が入力されているYl電
極については、Yl電極下の光導電層部分５i-lが導
通状態になる。該光導電層部分５i-lは、スイツチ
ング用光源６によつて導通状態になつている上記
光導電層部分５i-1との間がXi電極によつて電気
的に結合され、電源８が印加されることから出力
端子OUTから電気回路が形成されて画像読取り
信号が出力される。スイツチング素子９2〜９oを
切換えることによりｉ番目のＸ電極上の画像を読
取ることができ、光学系の移動と共にＸ電極を順
次切換えて同様の動作を行わせることにより、画
像全体を読取つた信号を２次元センサ１の出力か
ら得ることができる。またスイツチング素子９2
〜９oを介してＹ電極のうち電源が印加されてい
る端子以外をアースに接続することでクロストー
ク電流を最小にできる。
明する。駆動機構１４の送りによつてオプテイカ
ルフアイバアレイ１０がＸ電極群のXi電極に対向
する状態で、スイツチング用光源６が点灯するこ
とにより、Xi電極とY1電極に挾まれた光導電層
の部分５i-1が導通状態になる。同時にオプテイ
カルフアイバアレイ１０には原稿１２からの反射
光が入射されており、Xi電極に対向するY2〜Yo
電極部分に画像情報に対応する光信号が入力され
ている。この時Y1電極とY2電極の間の光導電層
に光が照射して、Y1とY2電極間が導通状態とな
らない用にY1電極とY2電極間を光遮断するか又
は、Y1電極とY2電極間の光導電層を除去する。
その状態でY2〜Yo電極に接続されたスイツチン
グ素子９2〜９oが走査回路１１からの信号により
順次一定期間オンになるため、オプテイカルフア
イバアレイ１０から光信号が入力されているYl電
極については、Yl電極下の光導電層部分５i-lが導
通状態になる。該光導電層部分５i-lは、スイツチ
ング用光源６によつて導通状態になつている上記
光導電層部分５i-1との間がXi電極によつて電気
的に結合され、電源８が印加されることから出力
端子OUTから電気回路が形成されて画像読取り
信号が出力される。スイツチング素子９2〜９oを
切換えることによりｉ番目のＸ電極上の画像を読
取ることができ、光学系の移動と共にＸ電極を順
次切換えて同様の動作を行わせることにより、画
像全体を読取つた信号を２次元センサ１の出力か
ら得ることができる。またスイツチング素子９2
〜９oを介してＹ電極のうち電源が印加されてい
る端子以外をアースに接続することでクロストー
ク電流を最小にできる。
A4原稿サイズの読取りセンサとして８本／mm
の電極数を備えた２次元イメージセンサを作製
し、光学系移動速度を100mm／sec、Ｙ電極のスイ
ツチ周波数1.6MHzで読取り動作させた。この結
果A4原稿を約３秒（約1.2ｍsec／ライン）の時
間で十分なＳ／Ｎ比で読取ることができた。同じ
CdSを光導電層とした従来の１次元イメージセン
サでは、本実施例と同程度のＳ／Ｎ比を得るため
には50ｍsec／ライン以上の速度では困難であつ
た。
の電極数を備えた２次元イメージセンサを作製
し、光学系移動速度を100mm／sec、Ｙ電極のスイ
ツチ周波数1.6MHzで読取り動作させた。この結
果A4原稿を約３秒（約1.2ｍsec／ライン）の時
間で十分なＳ／Ｎ比で読取ることができた。同じ
CdSを光導電層とした従来の１次元イメージセン
サでは、本実施例と同程度のＳ／Ｎ比を得るため
には50ｍsec／ライン以上の速度では困難であつ
た。
光導電層４はCdS、CdSeを用いた樹脂分散型
に限定されるものではなく、アモルフアスSi、ア
モルフアスSe、アモルフアスSe化合物、有機半
導体等を用いて構成したイメージセンサにおいて
も前記実施例と同様に良好な結果を得ることがで
きる。
に限定されるものではなく、アモルフアスSi、ア
モルフアスSe、アモルフアスSe化合物、有機半
導体等を用いて構成したイメージセンサにおいて
も前記実施例と同様に良好な結果を得ることがで
きる。
＜効果＞
以上本発明によれば、センサエレメントを２次
元に配置した画像読取装置において、光導電層を
挾むＸ及びＹ電極の一方の電極を光学的に他方を
電気的スイツチングすることによつて２次元セン
サ面全域を走査するため、信号を導出するための
配線を著く簡略にすることができ、また光学的ス
イツチングする手段は画像読取り信号を形成する
ための光導電層を利用して形成することができ、
画像読取り装置の構成を簡略にすることができ、
経済的にもすぐれた実益価値の大きい装置を得る
ことができる。
元に配置した画像読取装置において、光導電層を
挾むＸ及びＹ電極の一方の電極を光学的に他方を
電気的スイツチングすることによつて２次元セン
サ面全域を走査するため、信号を導出するための
配線を著く簡略にすることができ、また光学的ス
イツチングする手段は画像読取り信号を形成する
ための光導電層を利用して形成することができ、
画像読取り装置の構成を簡略にすることができ、
経済的にもすぐれた実益価値の大きい装置を得る
ことができる。
第１図は本発明による一実施例の要部斜視図、
第２図は同実施例の全体構成図である。 １：センサ、２：基板、３：Ｘ電極、４：光導
電層、５：Ｙ電極、６：スイツチング光源、９2
〜９o：スイツチング素子、１０：オプテイカル
フアイバアレイ、１１：走査回路、Y1：Ｘ電極
選択用Ｙ電極。
第２図は同実施例の全体構成図である。 １：センサ、２：基板、３：Ｘ電極、４：光導
電層、５：Ｙ電極、６：スイツチング光源、９2
〜９o：スイツチング素子、１０：オプテイカル
フアイバアレイ、１１：走査回路、Y1：Ｘ電極
選択用Ｙ電極。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 光導電層４と、 該光導電層４の一方の面に複数本の導体で互い
に平行に形成されたＸ電極X1〜Xnと、 上記光導電層４の他方の面に複数本の透明導体
で上記Ｘ電極X1〜Xnと直交する関係に形成され
た複数のＹ電極Y1〜Yoと、 上記Ｙ電極Y1〜Yoに沿つて相対的移動可能に
上記Ｙ電極Y1〜Yoの少なくとも１つの電極Y1に
対向させて設けられた上記Ｘ電極X1〜Xnを選択
するためのスイツチング用光源６と、 上記Ｙ電極Y1〜Yoの少なくとも１つの電極Y1
を除いた他のＹ電極Y2〜Yoの夫々に接続された
走査スイツチ９2〜９oと、 上記走査スイツチ９2〜９oと上記Ｙ電極Y1〜
Yoの少なくとも１つの電極Y1との間に接続され
た電源８と、 上記Ｙ電極Y1〜Yoに沿つて上記スイツチング
用光源６と共に相対移動可能に上記Ｙ電極Y1〜
Yoの少なくとも１つの電極Y1を除いた他のＹ電
極Y2〜Yoに対向して設けられた読取るべき画像
情報を上記Ｘ電極X1〜Xoに沿つてライン状に導
く光学系１０と、 を備え、 上記電源８の電位を上記Ｙ電極Y1〜Yoの少な
くとも１つの電極Y1及び上記スイツチング光源
６によつて選択された光導電層部分５i-1を介し
て上記Ｘ電極X1〜Xnの１つの電極Xiに供給して
Ｘ電極X1〜Xnを選択するようになしたことを特
徴とする２次元画像読取装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58035608A JPS59161176A (ja) | 1983-03-03 | 1983-03-03 | ２次元画像読取装置 |
| EP84300990A EP0119742B2 (en) | 1983-02-15 | 1984-02-15 | Two-dimensional image readout device |
| DE8484300990T DE3478779D1 (en) | 1983-02-15 | 1984-02-15 | Two-dimensional image readout device |
| US06/580,386 US4541015A (en) | 1983-02-15 | 1984-02-15 | Two-dimensional image readout device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58035608A JPS59161176A (ja) | 1983-03-03 | 1983-03-03 | ２次元画像読取装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59161176A JPS59161176A (ja) | 1984-09-11 |
| JPH029499B2 true JPH029499B2 (ja) | 1990-03-02 |
Family
ID=12446543
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58035608A Granted JPS59161176A (ja) | 1983-02-15 | 1983-03-03 | ２次元画像読取装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59161176A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0758458A (ja) * | 1993-08-17 | 1995-03-03 | Kokusai Electric Co Ltd | 電子機器用ソフトケース |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR200164315Y1 (ko) * | 1999-07-12 | 2000-02-15 | 주식회사인포웨이브코리아 | 자연광을이용한문자입력장치 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52134319A (en) * | 1976-05-06 | 1977-11-10 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | I/o system for video information |
| JPS53119619A (en) * | 1977-03-28 | 1978-10-19 | Fuji Xerox Co Ltd | Twoodimensional photoelectric converter |
| JPS57207475A (en) * | 1981-06-16 | 1982-12-20 | Nec Corp | Flat type picture input sensor |
-
1983
- 1983-03-03 JP JP58035608A patent/JPS59161176A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52134319A (en) * | 1976-05-06 | 1977-11-10 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | I/o system for video information |
| JPS53119619A (en) * | 1977-03-28 | 1978-10-19 | Fuji Xerox Co Ltd | Twoodimensional photoelectric converter |
| JPS57207475A (en) * | 1981-06-16 | 1982-12-20 | Nec Corp | Flat type picture input sensor |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0758458A (ja) * | 1993-08-17 | 1995-03-03 | Kokusai Electric Co Ltd | 電子機器用ソフトケース |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59161176A (ja) | 1984-09-11 |
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