JPH0294577A - 発光素子用気相エピタキシャルウェハ - Google Patents
発光素子用気相エピタキシャルウェハInfo
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- JPH0294577A JPH0294577A JP63246157A JP24615788A JPH0294577A JP H0294577 A JPH0294577 A JP H0294577A JP 63246157 A JP63246157 A JP 63246157A JP 24615788 A JP24615788 A JP 24615788A JP H0294577 A JPH0294577 A JP H0294577A
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- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 title claims description 10
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims abstract description 30
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 26
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 13
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 13
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 10
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 9
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 claims description 6
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 claims description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 abstract description 21
- 239000007789 gas Substances 0.000 abstract description 8
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 3
- 239000008188 pellet Substances 0.000 abstract description 3
- 238000004904 shortening Methods 0.000 abstract 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 54
- 238000000034 method Methods 0.000 description 9
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 8
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000003708 ampul Substances 0.000 description 6
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 3
- 238000005453 pelletization Methods 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- AXAZMDOAUQTMOW-UHFFFAOYSA-N dimethylzinc Chemical compound C[Zn]C AXAZMDOAUQTMOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 238000010581 sealed tube method Methods 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の目的］
（産業上の利用分野）
本発明は、気相成長法によって得られる化合物半導体の
エピタキシャルウェハに関するもので、本発明ウェハは
特に発光ダイオードに使用されるものである。
エピタキシャルウェハに関するもので、本発明ウェハは
特に発光ダイオードに使用されるものである。
（従来技術）
黄色、橙色、赤色の可視ＬＥＤには、第１族及び第Ｖ族
の化合物半導体の気相エピタキシャルウェハが使用され
る。 従来公知のウェハは、特公昭６０−５７２１４号
公報に開示されている。 例えば、Ｇａ Ａｓ Ｐの気
相エピタキシャルウェハは、まず第３図（ａ ）の素子
断面図に示すように、Ｇａ ＰやＧａ Ａｓの基板１上
に、気相エピタキシャル成長によって、Ｇａ Ａｓ Ｐ
混晶比変化層２、Ｇａ Ａｓ Ｐ混晶比一定のＮ型層３
、及びＧａ Ａｓ Ｐ混晶比一定かつ窒素がドープされ
たＮ型Ｎ４がその順序に形成される。 そしてＰＮ接合
は、第３図（ｂ ）のように、上記の気相エピタキシャ
ル終了後、封管法あるいは開管法によって、Ｐ型不純物
、例えばｚｎ （亜鉛）等を、窒素がド−ブされたＮ
型層４中に表面Ｓから拡散して形成される。 そのＰ型
拡ｐ１１．層５の厚さ、つまりはＰ型拡散層側の窒素ド
ープ領域の厚さが少なくとも５μｍとすることが示され
ている。 その結果、従来の気相エピタキシャルウェハ
は、第３図（ｂ）のように、基板１、Ｎ型の混晶比変化
層２、混晶比一定のＮ型層３、混晶比一定の窒素ドープ
Ｎ型層４、混晶比一定の窒素ドープＰ型拡散Ｎ５が積層
された構成となる。
の化合物半導体の気相エピタキシャルウェハが使用され
る。 従来公知のウェハは、特公昭６０−５７２１４号
公報に開示されている。 例えば、Ｇａ Ａｓ Ｐの気
相エピタキシャルウェハは、まず第３図（ａ ）の素子
断面図に示すように、Ｇａ ＰやＧａ Ａｓの基板１上
に、気相エピタキシャル成長によって、Ｇａ Ａｓ Ｐ
混晶比変化層２、Ｇａ Ａｓ Ｐ混晶比一定のＮ型層３
、及びＧａ Ａｓ Ｐ混晶比一定かつ窒素がドープされ
たＮ型Ｎ４がその順序に形成される。 そしてＰＮ接合
は、第３図（ｂ ）のように、上記の気相エピタキシャ
ル終了後、封管法あるいは開管法によって、Ｐ型不純物
、例えばｚｎ （亜鉛）等を、窒素がド−ブされたＮ
型層４中に表面Ｓから拡散して形成される。 そのＰ型
拡ｐ１１．層５の厚さ、つまりはＰ型拡散層側の窒素ド
ープ領域の厚さが少なくとも５μｍとすることが示され
ている。 その結果、従来の気相エピタキシャルウェハ
は、第３図（ｂ）のように、基板１、Ｎ型の混晶比変化
層２、混晶比一定のＮ型層３、混晶比一定の窒素ドープ
Ｎ型層４、混晶比一定の窒素ドープＰ型拡散Ｎ５が積層
された構成となる。
上記従来の化合物半導体の気相エピタキシャルウェハは
、より一層の発光効率の向上と特性の改善が求められて
いる。
、より一層の発光効率の向上と特性の改善が求められて
いる。
さらに、例えばエピタキシャルウェハにＰＮ接合を形成
するにあたっては、まず、エピタキシャルウェハを石英
アンプル内に設置して、石英アンプル内を高真空（２〜
４ ｘ１０″６Ｔｏｒｒ ）にした後、その石英アンプ
ルの真空引き口を封じる作業を行わなければならない、
次にエピタキシャルウェハが封入された石英アンプル
を高温に保たれた炉内に徐々に挿入する作業を行わなけ
ればならない。
するにあたっては、まず、エピタキシャルウェハを石英
アンプル内に設置して、石英アンプル内を高真空（２〜
４ ｘ１０″６Ｔｏｒｒ ）にした後、その石英アンプ
ルの真空引き口を封じる作業を行わなければならない、
次にエピタキシャルウェハが封入された石英アンプル
を高温に保たれた炉内に徐々に挿入する作業を行わなけ
ればならない。
さらに、Ｚｎ拡散終了後は、エピタキシャルウェハが封
入された石英アンプルを徐々に引き出す作業を行い、石
英アンプル内から拡散ウェハを取り出す作業を行う、
以上のような作業を行うと、拡散ウェハが次の工程に流
れるまでに膨大な時間（１０〜５０時間）が必要である
という欠点があった。
入された石英アンプルを徐々に引き出す作業を行い、石
英アンプル内から拡散ウェハを取り出す作業を行う、
以上のような作業を行うと、拡散ウェハが次の工程に流
れるまでに膨大な時間（１０〜５０時間）が必要である
という欠点があった。
またこのような作業が多くなるとウェハの割れも多くな
り、ペレットの収率が悪くなるという問題点もあった。
り、ペレットの収率が悪くなるという問題点もあった。
（発明が解決しようとする課題）
本発明の目的とするところは、従来技術より高い発光効
率が得られる化合物半導体エピタキシャルウェハを提供
することである。 また別の本発明の目的は、工程の短
縮とペレット収率の高い化合物半導体エピタキシャルウ
ェハを提供することである。
率が得られる化合物半導体エピタキシャルウェハを提供
することである。 また別の本発明の目的は、工程の短
縮とペレット収率の高い化合物半導体エピタキシャルウ
ェハを提供することである。
［発明の構成］
（課題を解決するための手段）
本発明のエピタキシャルウェハは、Ｇａ、ＡＪＩｎ 、
Ｐ、Ａｓに例示される周期率表第ＩＩＩ族及び第Ｖ族か
らなる化合物半導体エピタキシャルウェハであって、基
板と、Ｎ型エピタキシャル層と、アイソエレクトリック
トラップを形成する窒素がドープされたＮ型エピタキシ
ャル層における窒素ドープ領域と、アイソエレクトリッ
クトラップを形成する窒素がドープされたＰ型エピタキ
シャル層における厚さ５μｍ未満の窒素ドープ領域と、
Ｐ型エピタキシャル層とからなり、少なくともＰ型エピ
タキシャル層における窒素ドープ領域のＰ型不純物濃度
がほぼ一定であることを特徴とする。
Ｐ、Ａｓに例示される周期率表第ＩＩＩ族及び第Ｖ族か
らなる化合物半導体エピタキシャルウェハであって、基
板と、Ｎ型エピタキシャル層と、アイソエレクトリック
トラップを形成する窒素がドープされたＮ型エピタキシ
ャル層における窒素ドープ領域と、アイソエレクトリッ
クトラップを形成する窒素がドープされたＰ型エピタキ
シャル層における厚さ５μｍ未満の窒素ドープ領域と、
Ｐ型エピタキシャル層とからなり、少なくともＰ型エピ
タキシャル層における窒素ドープ領域のＰ型不純物濃度
がほぼ一定であることを特徴とする。
本発明のエピタキシャルウェハの製造法を、Ｇａ Ｐ基
板上のＧａ Ａｓ Ｐエピタキシャルウェハを例にとっ
た説明をすると、Ｇａ Ｐ基板上にＧａ Ａｓ Ｐ混晶
比変化層を成長させたのち、Ｎ型混晶比一定層を所定時
間成長させ、更にＮ型混晶比一定層を成長させつつ、発
光中心となる窒素をドーピングし、所定時間成長させる
。 つづいて先にドーピングしていたＮ型の不純物を停
止するとともに、Ｇａ Ａｓ Ｐの成長源であるＭＣＩ
ガス（金属ガリウムを輸送する）の停止あるいは混晶比
一定理成長中の２〜５％の範囲の量で供給しながら、反
応管内のＮ型不純物を排除する。 引き続いて、ＨＣＩ
ガスを元の流量に戻すと同時にＰ型不純物をドーピング
して、所定時間成長を行った時点で窒素のドーピングを
停止し、更にＰ型不純物をドーピングしつつＰ型混晶比
一定層を成長させる。 このようにして、本発明の構成
をもつＧａ Ａｓ Ｐエピタキシャルウェハを得ること
ができる。
板上のＧａ Ａｓ Ｐエピタキシャルウェハを例にとっ
た説明をすると、Ｇａ Ｐ基板上にＧａ Ａｓ Ｐ混晶
比変化層を成長させたのち、Ｎ型混晶比一定層を所定時
間成長させ、更にＮ型混晶比一定層を成長させつつ、発
光中心となる窒素をドーピングし、所定時間成長させる
。 つづいて先にドーピングしていたＮ型の不純物を停
止するとともに、Ｇａ Ａｓ Ｐの成長源であるＭＣＩ
ガス（金属ガリウムを輸送する）の停止あるいは混晶比
一定理成長中の２〜５％の範囲の量で供給しながら、反
応管内のＮ型不純物を排除する。 引き続いて、ＨＣＩ
ガスを元の流量に戻すと同時にＰ型不純物をドーピング
して、所定時間成長を行った時点で窒素のドーピングを
停止し、更にＰ型不純物をドーピングしつつＰ型混晶比
一定層を成長させる。 このようにして、本発明の構成
をもつＧａ Ａｓ Ｐエピタキシャルウェハを得ること
ができる。
（作用）
第２図に本発明ウェハと従来ウェハの不純物プロファイ
ルを比較して示す。
ルを比較して示す。
同図にみるとおり、本発明ウェハのＰ型エピタキシャル
層における窒素ドープ領域は、Ｐ型エピタキシャル層よ
りも薄く５μｍ未満であって表面近傍には存在せず、ま
たＰ型エピタキシャル層におけるＰ型不純物濃度はＰＮ
接合近傍と表面とほぼ一定濃度にエピタキシャル成長さ
れる。 一方、従来ウェハにおいては、窒素ドープ領域
がＰ型エピタキシャル層の全域にわたり、また拡散によ
つて表面のＰ型不純物濃度がＰＮ接合近傍のそれより高
くなっている。 従って本発明ウェハは、表面近傍の窒
素不純物と表面近傍の高濃度Ｐ型不純物による発光の吸
収がなくなるために、従来ウェハに比べて発光効率の向
上が図れる。
層における窒素ドープ領域は、Ｐ型エピタキシャル層よ
りも薄く５μｍ未満であって表面近傍には存在せず、ま
たＰ型エピタキシャル層におけるＰ型不純物濃度はＰＮ
接合近傍と表面とほぼ一定濃度にエピタキシャル成長さ
れる。 一方、従来ウェハにおいては、窒素ドープ領域
がＰ型エピタキシャル層の全域にわたり、また拡散によ
つて表面のＰ型不純物濃度がＰＮ接合近傍のそれより高
くなっている。 従って本発明ウェハは、表面近傍の窒
素不純物と表面近傍の高濃度Ｐ型不純物による発光の吸
収がなくなるために、従来ウェハに比べて発光効率の向
上が図れる。
また本発明ウェハのプロファイルは、Ｎ型層もＰ型層も
エピタキシャル成長によって形成されるから、ＰＮ接合
において不純物濃度の変化が急峻であり、従来ウェハの
ような高抵抗層が存在しないため、順方向電圧（ＶＦ）
の特性が改善される。
エピタキシャル成長によって形成されるから、ＰＮ接合
において不純物濃度の変化が急峻であり、従来ウェハの
ような高抵抗層が存在しないため、順方向電圧（ＶＦ）
の特性が改善される。
さらに、従来ウェハのように封管・拡散工程を必要とし
ないので、工程の簡略化と歩留りの向上に寄与できる。
ないので、工程の簡略化と歩留りの向上に寄与できる。
（実施例）
第１図の本発明ウェハの一実施例を以下のように製造し
た。
た。
Ｇａ Ａｓ Ｐ気相成長実験に用いた反応管は、内径１
００１１′Ｉφで長さが１２００ｒａｎの石英管であり
、気相成長温度はＧａソース部が９５０℃、基板設置部
が８７０℃となるようにした。
００１１′Ｉφで長さが１２００ｒａｎの石英管であり
、気相成長温度はＧａソース部が９５０℃、基板設置部
が８７０℃となるようにした。
基板１１にはＧａ Ｐウェハを用い、キャリヤガスとな
るＨ２を１５００ｃｃ／１ｌｉｎ 、 Ｇａを輸送する
１００％ＨＣＩガスを３０ｃｃ／ｌｉｎ 、 Ｈ２で１
０％に希釈されたＰＨ３を３００ ＣＣ／ｌｉｎ 、同
じくＨ２で２０ｐｐＩｌに希釈されたＨ２Ｓを７０ｃｃ
／ｎｉｎ流して、まず基板と同じ成長層を得るために３
０分間成長させた。
るＨ２を１５００ｃｃ／１ｌｉｎ 、 Ｇａを輸送する
１００％ＨＣＩガスを３０ｃｃ／ｌｉｎ 、 Ｈ２で１
０％に希釈されたＰＨ３を３００ ＣＣ／ｌｉｎ 、同
じくＨ２で２０ｐｐＩｌに希釈されたＨ２Ｓを７０ｃｃ
／ｎｉｎ流して、まず基板と同じ成長層を得るために３
０分間成長させた。
次に連続して、ＨＣｌを５ｃｃ ／ｎｉｎの割合で１５
０ ｃｃ／ｍｉｎに増加させ、ＨＣＩの増加と同時にＰ
Ｈ，を７０分間で３００ｃｃ ／１ａｉｎから２５５
ｃｃ／ｍａｎに減少させ、ＰＨ，の減少とともにＨ２で
１０％に希釈されたＡｓ Ｈ３を同じ＜７０分間でＯｃ
ｃ ／ｎ＋ｎから４５ＣＣ／ｍｉｎに増加させて混晶比
変化層１２の成長を行った。
０ ｃｃ／ｍｉｎに増加させ、ＨＣＩの増加と同時にＰ
Ｈ，を７０分間で３００ｃｃ ／１ａｉｎから２５５
ｃｃ／ｍａｎに減少させ、ＰＨ，の減少とともにＨ２で
１０％に希釈されたＡｓ Ｈ３を同じ＜７０分間でＯｃ
ｃ ／ｎ＋ｎから４５ＣＣ／ｍｉｎに増加させて混晶比
変化層１２の成長を行った。
さ、らに連続して混晶比一定のＮ型エピタキシャル層１
３を３０分間成長させた後、１００％Ｎ Ｈ、ガスを１
５０ ＣＣ／１ｉｎ流して窒素ドーピングを１５分間行
い、Ｎ型エピタキシャル層における窒素ドープ領域１４
を形成した。
３を３０分間成長させた後、１００％Ｎ Ｈ、ガスを１
５０ ＣＣ／１ｉｎ流して窒素ドーピングを１５分間行
い、Ｎ型エピタキシャル層における窒素ドープ領域１４
を形成した。
この時点でＨＣＩのみを５ ｃｃ／ｎｉｎになるまで減
少させて、Ｈ２Ｓガスを停止させた。 ５分後にＨＣｌ
を元の流量（１５０ｃｃ／ｎｉｎ ）に戻し、Ｈ２で１
００１）ｌ）ｌに希釈したジメチル亜鉛［Ｚｎ （Ｃ
Ｈ３）２］を２０ｃｃ／ｌｉｎ流して混晶比一定のＰ型
エピタキシャル層における窒素ドープ領域１５を１５分
間成長させ。
少させて、Ｈ２Ｓガスを停止させた。 ５分後にＨＣｌ
を元の流量（１５０ｃｃ／ｎｉｎ ）に戻し、Ｈ２で１
００１）ｌ）ｌに希釈したジメチル亜鉛［Ｚｎ （Ｃ
Ｈ３）２］を２０ｃｃ／ｌｉｎ流して混晶比一定のＰ型
エピタキシャル層における窒素ドープ領域１５を１５分
間成長させ。
その時点でＮＨ，ガスを停止し、さらに１５分間の成長
を行って、Ｐ型エピタキシャル層１６を成長させた。
を行って、Ｐ型エピタキシャル層１６を成長させた。
得られたＧａ Ａｓ Ｐエピタキシャルウェハの構造は
、第１図に示すようにＰＮ接合が施されており、ＰＮ接
合両側には発光中心となる窒素がドープされた領域１４
．’１５が形成されている。
、第１図に示すようにＰＮ接合が施されており、ＰＮ接
合両側には発光中心となる窒素がドープされた領域１４
．’１５が形成されている。
以上の方法で５０ツトの気相成長を行って、Ｐ型エピタ
キシャル層側に４．５μｍ厚の窒素ドープ領域をもつ本
実施例エピタキシャルウェハを得、そのウェハからＬＥ
Ｄを作成したところ、この実施例からのすべてのＬＥＤ
の発光効率は、従来ウェハからのものに比べて３〜５％
高いことが確認された。 またキャリヤ濃度プロファイ
ルを調べたところ、本発明ウェハは少なくとも窒素ドー
プ領域においてＰ型不純物濃度が一定であり、またＰＮ
接合において急峻に変化するが、従来ウェハは拡散法に
よりＰＮ接合を形成するため表面不純物濃度が高く、ま
たＰＮ接合近傍でＮ型不純物とＰ型不純物が混在してい
るため高抵抗層が出来ていることが確認された。 そし
てこの実施例の順方向電圧（ＶＦ）は従来ウェハよりも
ほぼ１０％改善された。
キシャル層側に４．５μｍ厚の窒素ドープ領域をもつ本
実施例エピタキシャルウェハを得、そのウェハからＬＥ
Ｄを作成したところ、この実施例からのすべてのＬＥＤ
の発光効率は、従来ウェハからのものに比べて３〜５％
高いことが確認された。 またキャリヤ濃度プロファイ
ルを調べたところ、本発明ウェハは少なくとも窒素ドー
プ領域においてＰ型不純物濃度が一定であり、またＰＮ
接合において急峻に変化するが、従来ウェハは拡散法に
よりＰＮ接合を形成するため表面不純物濃度が高く、ま
たＰＮ接合近傍でＮ型不純物とＰ型不純物が混在してい
るため高抵抗層が出来ていることが確認された。 そし
てこの実施例の順方向電圧（ＶＦ）は従来ウェハよりも
ほぼ１０％改善された。
またＧａ Ａｓ Ｐエピタキシャルウェハ内のＰＮ接合
近傍に窒素をドープする範囲はＮ側で３〜１５μｍで、
Ｐ側で滲み出し程度から５μｍ未満がよく、それより多
くても少なくても良い結果は得られなかった。 なお上
記実施例のＧａ Ｐ基板上のＧａ Ａｓ Ｐエピタキシ
ャルウェハのほか、ＧａＰ基板上のＧａ Ｐエピタキシ
ャルウェハについても同様な結果が確認されているが、
本発明はそのほかの化合物半導体の気相エピタキシャル
ウェハにおいても適用できることは当然である。
近傍に窒素をドープする範囲はＮ側で３〜１５μｍで、
Ｐ側で滲み出し程度から５μｍ未満がよく、それより多
くても少なくても良い結果は得られなかった。 なお上
記実施例のＧａ Ｐ基板上のＧａ Ａｓ Ｐエピタキシ
ャルウェハのほか、ＧａＰ基板上のＧａ Ｐエピタキシ
ャルウェハについても同様な結果が確認されているが、
本発明はそのほかの化合物半導体の気相エピタキシャル
ウェハにおいても適用できることは当然である。
［発明の効果］
本発明のエピタキシャルウェハは、従来ウェハに比べ、
■ Ｐ型エピタキシャル層側の窒素ドープ層が５μｍ未
満と従来のエピタキシャル層よりも薄く、窒素不純物に
よる発光の吸収が少なくなるために発光効率の向上がみ
られる。
満と従来のエピタキシャル層よりも薄く、窒素不純物に
よる発光の吸収が少なくなるために発光効率の向上がみ
られる。
■ 従来法のＰＮ接合では、Ｐ型不純物の拡散によって
、エピタキシャルウェハの表面のほうがＰＮ接合近傍よ
り不純物濃度が高いので、ＰＮ接合近傍で発光した光は
表面に近ずくにつれて吸収が多くなる。 しかし本発明
のエピタキシャルウェハは、ＰＮ接合近傍と表面の不純
物濃度が同じであるため、表面不純物による光の吸収が
より少なくなり、その結果発光効率の向上が得られる。
、エピタキシャルウェハの表面のほうがＰＮ接合近傍よ
り不純物濃度が高いので、ＰＮ接合近傍で発光した光は
表面に近ずくにつれて吸収が多くなる。 しかし本発明
のエピタキシャルウェハは、ＰＮ接合近傍と表面の不純
物濃度が同じであるため、表面不純物による光の吸収が
より少なくなり、その結果発光効率の向上が得られる。
■ 本発明のエピタキシャルウェハによれば、不純物濃
度が急峻であり、従来のエピタキシャルウェハのような
高抵抗層が存在しないために、順方向電圧（■「）の特
性が良くなる。
度が急峻であり、従来のエピタキシャルウェハのような
高抵抗層が存在しないために、順方向電圧（■「）の特
性が良くなる。
■ ＰＮ接合を形成するのに、従来は数十時間の工程（
封管・拡散）が必要であったが、本発明によれば３０分
で行えることから、ペレット化工程の簡略化及び製造単
価の低減に大きく貢献できる。
封管・拡散）が必要であったが、本発明によれば３０分
で行えることから、ペレット化工程の簡略化及び製造単
価の低減に大きく貢献できる。
■ 封管・拡散の工程がなくなるのでエピタキシャルウ
ェハの割れ率が減少し、ペレット化歩留りが５％程良く
なる。
ェハの割れ率が減少し、ペレット化歩留りが５％程良く
なる。
など数々の利点がある。
第１図は本発明気相エピタキシャルウェハの断面図、第
２図は本発明ウェハと従来ウェハの不純物濃度プロファ
イル図、第３図（ａ）及び（ｂ）は従来ウェハの製造工
程をウェハ断面で示す工程図である。 １１・・・基板、 １２・・・混晶比変化層、 １３・
・・Ｎ型エピタキシャル層、 １４・・・Ｎ型エピタキ
シャル層における窒素ドープ領域、 １５・・・Ｐ型エ
ピタキシャル層におけるる窒素ドープ領域、１６・・・
Ｐ型エピタキシャル層、 Ｓ・・・ウェハ表面。 第１図 不 第３図 第２図
２図は本発明ウェハと従来ウェハの不純物濃度プロファ
イル図、第３図（ａ）及び（ｂ）は従来ウェハの製造工
程をウェハ断面で示す工程図である。 １１・・・基板、 １２・・・混晶比変化層、 １３・
・・Ｎ型エピタキシャル層、 １４・・・Ｎ型エピタキ
シャル層における窒素ドープ領域、 １５・・・Ｐ型エ
ピタキシャル層におけるる窒素ドープ領域、１６・・・
Ｐ型エピタキシャル層、 Ｓ・・・ウェハ表面。 第１図 不 第３図 第２図
Claims (1)
- １ 周期率表第III族及び第Ｖ族からなる化合物半導体
のウェハであって、基板上にＮ型不純物が気相成長によ
りドープされたＮ型エピタキシャル層と、該Ｎ型エピタ
キシャル層の上にＰ型不純物が気相成長によりドープさ
れたＰ型エピタキシャル層とからなり、アイソエレクト
リックトラップを形成する窒素がＰＮ接合に関して前記
Ｎ型エピタキシャル層側及びＰ型エピタキシャル層側に
それぞれドープされているとともに、Ｐ型エピタキシャ
ル層側の窒素ドープ領域の厚さが５μｍ未満であり、か
つ少なくともＰ型エピタキシャル層における窒素ドープ
領域のＰ型不純物濃度がほぼ一定であることを特徴とす
る気相エピタキシャルウェハ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63246157A JPH0294577A (ja) | 1988-09-30 | 1988-09-30 | 発光素子用気相エピタキシャルウェハ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63246157A JPH0294577A (ja) | 1988-09-30 | 1988-09-30 | 発光素子用気相エピタキシャルウェハ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0294577A true JPH0294577A (ja) | 1990-04-05 |
Family
ID=17144346
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63246157A Pending JPH0294577A (ja) | 1988-09-30 | 1988-09-30 | 発光素子用気相エピタキシャルウェハ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0294577A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0852402A1 (en) * | 1997-01-06 | 1998-07-08 | Shin-Etsu Handotai Company Limited | A GaAsP epitaxial wafer and a method for manufacturing it |
| US5856208A (en) * | 1995-06-06 | 1999-01-05 | Mitsubishi Chemical Corporation | Epitaxial wafer and its fabrication method |
| JP2009206283A (ja) * | 2008-02-27 | 2009-09-10 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | エピタキシャルウェーハの製造方法及びエピタキシャルウェーハ |
-
1988
- 1988-09-30 JP JP63246157A patent/JPH0294577A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5856208A (en) * | 1995-06-06 | 1999-01-05 | Mitsubishi Chemical Corporation | Epitaxial wafer and its fabrication method |
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| US6048397A (en) * | 1997-01-06 | 2000-04-11 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | GaAsP epitaxial wafer and a method for manufacturing it |
| JP2009206283A (ja) * | 2008-02-27 | 2009-09-10 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | エピタキシャルウェーハの製造方法及びエピタキシャルウェーハ |
| JP4572942B2 (ja) * | 2008-02-27 | 2010-11-04 | 信越半導体株式会社 | エピタキシャルウェーハの製造方法及びエピタキシャルウェーハ |
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