JPH0294441A - 半田バンプの形成装置 - Google Patents
半田バンプの形成装置Info
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- JPH0294441A JPH0294441A JP24407888A JP24407888A JPH0294441A JP H0294441 A JPH0294441 A JP H0294441A JP 24407888 A JP24407888 A JP 24407888A JP 24407888 A JP24407888 A JP 24407888A JP H0294441 A JPH0294441 A JP H0294441A
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- solder
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- semiconductor element
- forming
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- Pending
Links
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Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置の製造方法において、バンプ電極を
形成する装置及びバンプ形成用ツールヘッドに関するも
のである。
形成する装置及びバンプ形成用ツールヘッドに関するも
のである。
従来、ＴＡＢ実装に用いられる半導体装置の導出端子部
分（ＡＩパッド）には、特開昭６１−２２５８３９号「
バンプ電極の形成方法」及び特開昭６１−２８９６５０
号［半導体装置の半田バンプ形成方法］等の公報に記載
のようにめつぎ法あるいはスパッタ法等により、Ａ！パ
ッド上に導電性金属を被着しその上にバンプを形成して
いる。
分（ＡＩパッド）には、特開昭６１−２２５８３９号「
バンプ電極の形成方法」及び特開昭６１−２８９６５０
号［半導体装置の半田バンプ形成方法］等の公報に記載
のようにめつぎ法あるいはスパッタ法等により、Ａ！パ
ッド上に導電性金属を被着しその上にバンプを形成して
いる。
（発明が解決しようとする課題）
上記従来技術は、現在では一般的な半導体菰首製造にお
いて、はぼ完成品といってよい前工程終了後、あらたに
めっき法あるいはスパッタ法を用いて、半導体基板上に
設けられたアルミパッド電極の上に導電性金属を被着し
たのら、余分な被着金属を写真食刻法で除去し、しかる
後に直接半田に浸漬したり、半田めっきでバンプを形成
している。このため、複雑で厄介なめつき工程おるいは
スバツタ工程が増え、コストが高くなる問題がある。
いて、はぼ完成品といってよい前工程終了後、あらたに
めっき法あるいはスパッタ法を用いて、半導体基板上に
設けられたアルミパッド電極の上に導電性金属を被着し
たのら、余分な被着金属を写真食刻法で除去し、しかる
後に直接半田に浸漬したり、半田めっきでバンプを形成
している。このため、複雑で厄介なめつき工程おるいは
スバツタ工程が増え、コストが高くなる問題がある。
本発明の目的は、これらの問題点を解消さけ、半田バン
プを廉価に形成する装置を提供することにある。
プを廉価に形成する装置を提供することにある。
上記目的は、吸引装置で半導体素子表面のへ１パツド電
極上には／νだを供給し、次いで、該ツールヘッドに超
音波を印加させながら加熱して、はんだを溶融されるこ
とにより達成される。
極上には／νだを供給し、次いで、該ツールヘッドに超
音波を印加させながら加熱して、はんだを溶融されるこ
とにより達成される。
本発明は直接、Ａ１パッド電極の上に、所定量のはんだ
を吸引装置で供給した後、超音波振動子に超音波を印加
しつつ、はんだを加熱溶融させ、Ａはんだ接合を行わせ
、バンプを形成するものである。そうすれば、複雑なめ
っき工程、写真食刻工程あるいはスバツタ工程が必要な
く、バンプ形成工程か簡略され、低コストＴＡＢが可能
となる。
を吸引装置で供給した後、超音波振動子に超音波を印加
しつつ、はんだを加熱溶融させ、Ａはんだ接合を行わせ
、バンプを形成するものである。そうすれば、複雑なめ
っき工程、写真食刻工程あるいはスバツタ工程が必要な
く、バンプ形成工程か簡略され、低コストＴＡＢが可能
となる。
以下本発明を図面を用いて説明する。第１図は本発明に
よるはんだバンプ形成装置を説明する実施例の説明図で
あり、第２図は実施例の補足説明図である。第１図にお
いて、１は供給用はんだ８を吸引する先端部に焼結ダイ
ヤモンドがロウ付けされた吸引部２と供給はんた８を溶
融させるためのヒータ４と溶融したはんだ８に超音波を
印加させるための超音波振動子３が一体化された、バン
プ形成用ツールヘッドである。半導体素子１０は、各軸
用ステージ１４上に供給用はんだ８を貯留しておるはん
だ貯留箱９と並行して設置されている。
よるはんだバンプ形成装置を説明する実施例の説明図で
あり、第２図は実施例の補足説明図である。第１図にお
いて、１は供給用はんだ８を吸引する先端部に焼結ダイ
ヤモンドがロウ付けされた吸引部２と供給はんた８を溶
融させるためのヒータ４と溶融したはんだ８に超音波を
印加させるための超音波振動子３が一体化された、バン
プ形成用ツールヘッドである。半導体素子１０は、各軸
用ステージ１４上に供給用はんだ８を貯留しておるはん
だ貯留箱９と並行して設置されている。
ステージ１４は、Ｙ軸駆動用エアシリンダ１５及びステ
ージ１２と、Ｘ軸駆動用エアシリンダ１６及びステート
Ｂとで駆動ができる。このように構成されたバンプ形成
用ツールヘッド及びＸ、Ｙ、７１４１ステージを用いて
、まず、ステージ１４の上に、半導体素子１０をエアチ
ャックで移動設置する。そしてエアシリンダ１７を駆動
させ、供給用はんだ貯留箱９にバンプ形成用ツールヘッ
ド１を接近させ、脹ら装置５を稼動させ、ツールヘッド
先端にはんだを吸引させる。その後、吸引されたはんだ
か、半導体素子表面のＡ１電極部１９と対向するように
、Ｘ、Ｙｌｌｌのステージ１２．１３を駆動移動させる
。この状態でざらにステージ１４をエアシリンダ１７で
駆動し、所定のＡ１電極部１９にツールヘッド１に吸引
されているはんだを接着させ後、吸引部２の先端部に用
けられている加熱用ヒータ４に加熱装置７から電流を印
加し、はんだ８を溶融させるとともに超音波振動子３に
超音波発生装置６から超音波電力を所定時間印加する。
ージ１２と、Ｘ軸駆動用エアシリンダ１６及びステート
Ｂとで駆動ができる。このように構成されたバンプ形成
用ツールヘッド及びＸ、Ｙ、７１４１ステージを用いて
、まず、ステージ１４の上に、半導体素子１０をエアチ
ャックで移動設置する。そしてエアシリンダ１７を駆動
させ、供給用はんだ貯留箱９にバンプ形成用ツールヘッ
ド１を接近させ、脹ら装置５を稼動させ、ツールヘッド
先端にはんだを吸引させる。その後、吸引されたはんだ
か、半導体素子表面のＡ１電極部１９と対向するように
、Ｘ、Ｙｌｌｌのステージ１２．１３を駆動移動させる
。この状態でざらにステージ１４をエアシリンダ１７で
駆動し、所定のＡ１電極部１９にツールヘッド１に吸引
されているはんだを接着させ後、吸引部２の先端部に用
けられている加熱用ヒータ４に加熱装置７から電流を印
加し、はんだ８を溶融させるとともに超音波振動子３に
超音波発生装置６から超音波電力を所定時間印加する。
これにより、溶融はんだ中にキャビテーションが発生し
、すみやかにはんだとＡ１電極との接合か行われ第２図
に示すようにＡ１電（本部にはんだバンプが形成される
。
、すみやかにはんだとＡ１電極との接合か行われ第２図
に示すようにＡ１電（本部にはんだバンプが形成される
。
以上述べた如く、本発明によれば、半導体素子表面のＡ
Ｉ電極部にバンプ形成用の特別な金属をめっきあるいは
スパッタ法を用いて作る必要かなく、バンプ形成が簡単
にでき、ＴＡＢ用半導体素子のコス］・低減がはかられ
る。これにより低コストＴＡＢが可能になる。
Ｉ電極部にバンプ形成用の特別な金属をめっきあるいは
スパッタ法を用いて作る必要かなく、バンプ形成が簡単
にでき、ＴＡＢ用半導体素子のコス］・低減がはかられ
る。これにより低コストＴＡＢが可能になる。
第１図は本発明の一実施例のはんだバンプ形成装置の構
成図、第２図は本装置の効果を説明する補足説明図であ
る。 ・・・超音波（辰勤子、４・・・加熱用ヒータ、５・・
・吸引装置、６・・・超音波発生装置、７・・・ヒータ
電源、８・・・供給はんだ、９・・・供給用はんだ貯留
箱、１０・・・半導体素子、１２．１３．１４・・・ス
テージ、１５．１６．１７・・・ステージ駆動用エアシ
リンダ装置、１９・・・Ａ１電）へ部、２０・・・保護
膜、２１・・・はんだバンプ。 １・・・バンプ形成用ツールヘッド、２・・・吸引部、
３図面の浄書（内容に変更なしン 第 １ 図 第２ 閉 手 続 補 正 書 （方式） ％式％ 半田バンプの形成装置 補正をする者 １１件との関係
成図、第２図は本装置の効果を説明する補足説明図であ
る。 ・・・超音波（辰勤子、４・・・加熱用ヒータ、５・・
・吸引装置、６・・・超音波発生装置、７・・・ヒータ
電源、８・・・供給はんだ、９・・・供給用はんだ貯留
箱、１０・・・半導体素子、１２．１３．１４・・・ス
テージ、１５．１６．１７・・・ステージ駆動用エアシ
リンダ装置、１９・・・Ａ１電）へ部、２０・・・保護
膜、２１・・・はんだバンプ。 １・・・バンプ形成用ツールヘッド、２・・・吸引部、
３図面の浄書（内容に変更なしン 第 １ 図 第２ 閉 手 続 補 正 書 （方式） ％式％ 半田バンプの形成装置 補正をする者 １１件との関係
Claims (1)
- １、半導体素子表面に接続用のバンプを形成する装置に
おいて、供給用はんだを吸引する吸引手段とはんだを溶
解するための加熱手段とはんだに超音波を印加するため
の超音波振動子とを一体化したバンプ形成用のツールヘ
ッドと、前記ツールヘッドに半導体素子を接触させるた
めのＸ、Ｙ、Ｚ軸駆動手段とで装置を構成し、はんだに
超音波を印加させながら溶融させ、Ａｌパッドに直接は
んだバンプを形成することを特徴とするはんだパンプの
形成装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24407888A JPH0294441A (ja) | 1988-09-30 | 1988-09-30 | 半田バンプの形成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24407888A JPH0294441A (ja) | 1988-09-30 | 1988-09-30 | 半田バンプの形成装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0294441A true JPH0294441A (ja) | 1990-04-05 |
Family
ID=17113410
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24407888A Pending JPH0294441A (ja) | 1988-09-30 | 1988-09-30 | 半田バンプの形成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0294441A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0697721A3 (en) * | 1994-08-10 | 1996-07-10 | Ibm | Selective addition of a weld bowl to a matrix of said weld bowls |
-
1988
- 1988-09-30 JP JP24407888A patent/JPH0294441A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0697721A3 (en) * | 1994-08-10 | 1996-07-10 | Ibm | Selective addition of a weld bowl to a matrix of said weld bowls |
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