JPH0292926U - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0292926U JPH0292926U JP185589U JP185589U JPH0292926U JP H0292926 U JPH0292926 U JP H0292926U JP 185589 U JP185589 U JP 185589U JP 185589 U JP185589 U JP 185589U JP H0292926 U JPH0292926 U JP H0292926U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- guard ring
- ring region
- junction
- semiconductor device
- ohmic contact
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 1
Landscapes
- Bipolar Transistors (AREA)
Description
第１図は本考案を説明する為の平面図、第２図
は第１図のＡＡ線断面図、第３図は従来例を説明
する為の平面図、第４図は第３図のＢＢ線断面図
である。
は第１図のＡＡ線断面図、第３図は従来例を説明
する為の平面図、第４図は第３図のＢＢ線断面図
である。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 (1) 一導電型半導体基板の表面に少なくとも１
つのＰＮ接合を有し、このＰＮ接合を囲むように
して一導電型のガードリング領域が形成され、且
つ前記ガードリング領域とオーミツク接触し前記
基板表面の絶縁膜上を前記ＰＮ接合に向つて延在
するシールド電極とを具備する半導体装置におい
て、 前記シールド電極は極く一部で前記ガードリン
グ領域とオーミツク接触することを特徴とする半
導体装置。 (2) 前記ＰＮ接合を複数個有しＰＮＰ型のトラ
ンジスタを構成することを特徴とする請求項第１
項に記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP185589U JPH0292926U (ja) | 1989-01-11 | 1989-01-11 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP185589U JPH0292926U (ja) | 1989-01-11 | 1989-01-11 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0292926U true JPH0292926U (ja) | 1990-07-24 |
Family
ID=31202107
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP185589U Pending JPH0292926U (ja) | 1989-01-11 | 1989-01-11 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0292926U (ja) |
-
1989
- 1989-01-11 JP JP185589U patent/JPH0292926U/ja active Pending
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