JPH0292684A - 光学記録媒体 - Google Patents

光学記録媒体

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JPH0292684A
JPH0292684A JP63244577A JP24457788A JPH0292684A JP H0292684 A JPH0292684 A JP H0292684A JP 63244577 A JP63244577 A JP 63244577A JP 24457788 A JP24457788 A JP 24457788A JP H0292684 A JPH0292684 A JP H0292684A
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JP
Japan
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compound
recording medium
formulas
optical recording
azaazulene
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JP63244577A
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English (en)
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Chieko Mihara
知恵子 三原
Takeshi Santo
剛 三東
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Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
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Publication date
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    • B41M—PRINTING, DUPLICATING, MARKING, OR COPYING PROCESSES; COLOUR PRINTING
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、レーザ光特に半導体レーザによる古き込み記
録に適した光学的記録媒体に関し、詳しくは光ディスク
および光カート技術に用いつる新規な光学的記録媒体に
関するものである。
［従来の技術］ 一般に、光ディスクおよび光カートは、基板の上に設け
た薄い記録層に形成された光学的に検出可能な小さな（
例えば、約ＩＩＬ）ピットをらせん状又は円形のトラッ
ク形態にして高密度情報を記憶することがてきる。
この様なディスクに情報を書込むには、レーザ感応層（
記録層）の表面に集束したレーザを走査し、このレーザ
光線か照射された表面のみにピットを形成し、このピッ
トをらせん状、円形または直線状トラ・ンクの形態で形
成する。レーザ感応層（記録層）は、レーザ・エネルギ
ーを吸収して光学的に検出可能なピットを形成てきる。
例えば、ヒートモート記録方式ては、レーザ感応層（記
録層）は熟エネルギーを吸収し、その個所に蒸発又は融
解により小さな凹部（ピット）を形成できる。また、別
のヒートモート記録方式ては、照射されたレーザ・エネ
ルギーの吸収により、その個所に光学的に検出０［能な
濃度差を有するピットな形成てきる。
この光ディスクおよび光カートに記録された情報は、レ
ーザ光をトラックに沿って走査し、ピットか形成された
部分とピットか形成されていない部分の光学的変化を読
み増ることによって検出される。例えば、レーザ光かト
ラックに沿って走査され、ディスクにより反射されたエ
ネルギーかフォトディテクターによってモニターされる
。ピットトか形成されている部分は、レーザ光の反射は
低くなりフォトディテクターの出力（よ低下する。
方、ピットか形成されていない部分は、レーザ光は充分
に反射されフォトディテクターの出力は大きくなる。
この様な光ディスクおよび光カートに用いる光学的記録
媒体として、これまてアルミニウム蒸着膜などの金属薄
膜、ビスマス薄膜、酸化テルル薄膜やカルコゲナイド系
非晶質ガラス膜などの無機物質を主に用いたものか提案
されている。これらの薄膜は、一般に３５０〜８００ｎ
ｍ付近の波長光で感応性であるとともに、レーザ光に対
する反射率か高いため、レーザ光の利用率が低い等の欠
点かある。
この様なことから、近年比較的長波長（例えば、７８０
ｎｓ以上）の光エネルギーで光学的な物性変化可能な有
機薄膜の研究がなされている。この様な有＊　６１膜は
、例えば発振波長か７８０ｎｓ又は８３０　ｎ臘付近の
半導体レーザによりピットを形成てきる点で有効なもの
である。
しかし、一般に長波長側に吸収特性をもつ有機化合物は
、熱に対して不安定な問題がある。
例えば、光学記録媒体の取扱いは必ずしも空調設備の整
ったオフィスでのみ使用されるわけてはなく、運送倉庫
ての保管、ドライブ装置の機内昇温等を考慮する必要か
あり高温における安定性により優れた媒体か望まれてい
る。特に、光学記録媒体か光カートである場合はカート
としての厚み及び強度の点て中空構造（エアーサントイ
・ンチ構造）を取ることは困難で、記録層上に直接接着
剤て対向基板を貼合せる貼合せ構造となる。その際に用
いる接着剤としては記録層の書き込み感度゛を落さず作
業性に優れるホットメルト系の接着剤が有効である。し
かし、ホットメルト系の接着剤ては貼合わせ時に短時間
ではあるか１００℃位になる為、記録層はより耐熱性に
優れたものが望まれている。さらに、光カードは個人で
の持ち運びによる取扱いとなる場合か多く、粗雑に扱わ
れる可能性か高い為、耐熱性を始めとする環境安定性に
優れたものが望まれている。
［発明が解決しようとする課題］ 本発明は、この様な現状に鑑みてなされたものてあり、
その目的は、長波長側に吸収帯をもつ有機薄膜からなる
記録層を有する光学記録媒体を提供することにある。
本発明の別の目的は、高温高湿の環境条件下においても
より安定性の向上した色素薄膜からなる記録層を有する
光学記録媒体を提供することにある。
本発明の別の目的は感度および記録に伴う光学特性の変
化を向上させた光学記録媒体を提供することにある、 本発明の別の目的は塗工法による製造か可能な光学記録
媒体を提供することにある。
［課題を解決するための手段］および［作用］即ち、本
発明は、下記一般式［ＩＩ、［ＩＩ］。
［ｍｌ、［１７１または［Ｖ］で表わされるアザアズレ
ニウム塩化合物を一種または二種以上含有する記録層を
有することを特徴とする光学記録媒体である。
一般式［ＩＩ 一般式［ＩＩ　］ 一般式［Ｖ］ 一般式［ｍｌ ■ （但し、一般式［Ｉ］〜［Ｖ］において、ＡはＸθ 一般式［ＩＶ］ を表わす。Ｒ１”’−Ｒ２？は水素原子、ハロゲン原子
又は１価の有機残基を表わし、又はＲＩ６とＲ８７゜Ｒ
１？とＲ１ａ＋　　Ｒ１１１とＬ９＋　　１１１９とＲ
２０＊　　ｆ１２ａとＲ２３＋　　Ｒ２３とＲ２４＋　
Ｒ２’ｓとＲ２６およびＲ２６とＲｏの組合せのうち少
なくとも１つの組合せで置換又は未置換の縮合環を形成
してもよい、Ｙは置換又は未置換の５ｔ１環もしくは６
員環を形成する２価の炭化水素基を示す、Ｉｌは１．２
又は３、ｍは０又は１、ｎはＯ又はｔ、ｐはｌ又は２．
ｑはｌ又は２の整数を示す、ｘｏはアニオン残基を示す
、） 以下、本発明の詳細な説明する。
本発明の光学記録媒体は、電磁放射線を吸収して熱作用
を受け、かかる熱作用によって光学変化を生じる萌記一
般式日」〜［Ｖ］て示されるアザアズレニウム塩化合物
を含有する薄膜からなる記録層を有することに特徴かあ
る。
一般式［Ｉｌ　〜［Ｖ］におイテ、　　Ｒ＋　〜Ｒ２ｔ
は水素原子、ハロゲン原子（フッ素原子、塩素原子、臭
素原子、沃素原子）又は１価の有機残基な表わす。
１価の有機残基としては、広範なものから選択すること
かできるか、特にアルキル基（メチル。
エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、ｔ
−ブチル、ｎ−アミル、ｎ−ヘキシル、ｎ−オクチル、
２−エチルヘキシル、ｔ−オクチルなど）、アルコキシ
基（メトキシ、エトキシ、プロポキシ、ブトキシなど）
１Ｍ換もしくは未置換のアリール基（フェニル、トリル
、キシリル、エチルフェニル、メトキシフェニル、エト
キシフェニル、クロロフェニル、ニトロフェニル、ジメ
チルアミノフェニル、α−ナフチル、β−ナフチルなど
）、置換もしくは未置換の複素環基（ピリジル、キノリ
ル、カルバゾリル、フリル、チエニル、ピラゾリルなど
）置換もしくは未置換のアラルキル基（ベンジル、２−
フェニルエチル、２−フェニル−１−メチルエチル、ブ
ロモベンジル、２−ブロモフェニルエチル、メチルベン
ジル、メトキシベンジル、ニトロベンジル）、アシル基
（アセチル、プロピオニル、ブチリル、バレリル、ベン
ゾイル、トリオイル、ナフトイル、フタロイル、フロイ
ルなど）、置換もしくは未置換アミノ基（アミノ、ジメ
チルアミノ、ジエチルアミノ、ジプロピルアミノ、アセ
チルアミノ、ベンゾイルアミノなど）、５！ｉ換もしく
は未置換スチリル基（スチリル、ジメチルアミノスチリ
ル、ジエチルアミノスチリル、ジプロピルアミノスチリ
ル。
メチルスチリル、エトキシスチリル、メチルスチリルな
ど）、ニトロ基、ヒドロキシ基、メルカプト基、チオ−
エーテル基、カルボキシル基、カルボン酸エステル、カ
ルボン酸アミド、シアノ基又は置換もしくは未置換アリ
ールアゾ基（フェニルアゾ、α−ナフチルアゾ、β−ナ
フチルアゾ、ジメチルアミノフェニルアゾ、クロロフェ
ニルアゾ、ニトロフェニルアゾ、メトキシフェニルアゾ
、トリルアゾなど）を挙げることができる。
また、　　１１１６とＲ１？＋　　Ｒ１７とＲ１１１＋
　　ＲＩＪＩとｎ１９＋　　１１１９とＲ２，、Ｒ２□
とｋ　Ｆ＜２３とＲ２４ｔ　ＬｓとＲ２１ｉ　およびＲ
２ＧとＲ２？の組合せのうら少なくとも１つの組合せで
置換又は未置換の縮合環を形成してもよい、縮合環とし
ては、５員、６０．または７負環の縮合環であり、芳香
族環（ベンゼン、ナフタレン、クロロベンゼン、ブロモ
ベンゼン、メチルベンゼン、エチルベンゼン、メトキシ
ベンゼン、エトキシベンゼンなど）、複素環（フラン環
、ベンゾフラン環、ピロール環、チオフェン環、ピリジ
ン環、キノリン環、チアゾール環など）、脂肪族環（ジ
メチレン、トリメチレン、テトラメチレンなど）か挙げ
られる。
Ｙは、置換又は未置換の５員環もしくは６員環を形成す
る２価の炭化水素基（−Ｃ［２−Ｃ１１２−ＣＩｌ、　
　Ｃ１１３ 示し、これらの５員環または６員環は、ベンゼン環、ナ
フタレン環などと縮合されていてもよい。
また１式中のアニオン残２＆Ｘ０は、塩素イオン、臭素
イオン、ヨウ素イオン、過塩素酸塩イオン、硝酸塩イオ
ン、ベンゼンスルホン酸塩イオン、ｐ−トルエンスルホ
ン酸塩イオン、メチル硫酸塩イオン、エチル硫酸塩イオ
ン、プロピル硫酸塩イオン、テトラフルオロホウ酸塩イ
オン、テトラフェニルホウ醜塩イオン、ヘキサフルオロ
リン酸塩イオン、ベンゼンスルフィン酸塩イオン、酢酸
塩イオン、トリフルオロ酢酸塩イオン、プロピオン酢酸
塩イオン、安息香酸塩イオン、シュウ酸塩イオン、コハ
ク酸塩イオン、マロン酸塩イオン、オレイン醜塩イオン
、ステアリン酸塩イオン、クエン酸塩イオン、−木素二
リン酸塩イオン、二水素−リン酸塩イオン、ペンタクロ
ロスズ耐塩イオン、クロロスルホン酸塩イオン、フルオ
ロスルホン酸塩イオン、トリフルオロメタンスルホン酸
塩イオン、ヘキサフルオロヒ醜塩イオン、ヘキサフルオ
ロアンチモン酸塩イオン、七すツデン酸塩イオン、タン
グステン酸塩イオン、チタン酸塩イオン、ジルコン酸塩
イオンなどの陰イオンを示す。
ｅは１．２又は３、ｍはＯ又は１．ｎは０又はｔ、ｐは
ｌ又は２、ｑはｌ又は２の整数である。
以下１本発明て用いられるアザアズレニウム塩化合物の
具体例を下記に列挙するが、これらに制限されるものて
はない。
前記一般式［Ｉ］で表わされる化合物の例［Ｉ　］−（
１） ｃｆ！ｏ４゜ Ｉ　１−（２） し１■コ ［ ■ ］−（４） ［Ｉ　］−（６） Ｂ　Ｆ　４Ｆ＞ ［ ■ ］−（５） ］−（７） ［ ■ ］−（８） ［ ■ ］−（９） ［ 工 ］−（１０） ［ ［ １１１−（：１） ＦＳＯ，−ＳｂＦ。
ＣＦ３５Ｏ：１０ ｎ目１ ［ １、］−（１１） 前記一般式 ［ ］ ％式％］（１） ［ ］（４） ［ で表わされる化合物の例 前記一般式［Ｉｎ］ て表わされる化合物の例 ［ＩＩＩ　］−（１） ｐ ｃｐｏ、ｅ Ｃ１（３ ［Ｉ１１］−（２） ［ｍ　］−（５） 前記一般式［ＩＶｉ で表わされる化合物の例 ［ＩＶ　］−（１） （Ｉ　ｌ；　Ｉｔ　：＋ υＬ；１１：１ ［１１１］ ［ｍｌ−（４） ［ＩＶｉ ［ＩＶｉ−（３） ［Ｉ］−（４） ［Ｖ　］−（２） ［Ｖ　］−（３） 前記一般式［Ｖ］で表わされる化合物の例［Ｖ　］−（
１） ［Ｖ　］−（４） 前記一般式［１Ｆ〜［ｍ］で表わされる化合物は、シャ
ナル　オフ　ザ　ケミカル　ソサイエティ（Ｊｏｕｎａ
ｌ　　ｏｆ　ｔｈｅ　Ｃｈｅｍｉｃａｌ　５ｏｃｉｅｔ
ｙ　）　　。
３５９１〜３５９２頁（１９６１年）に記載されている
合成方法と同様に、アザアズレン化合物またはアザアズ
レン化合物誘導体と、中間銅を形成する例えばマロンジ
アルデヒド類又はグルタコンジアルデヒド類、２−クロ
ロ−１−ホルミル−３−ヒドロキシメチレンシクロヘキ
センイソホロンの様なヒドロキシ化合物、ジヒドロキシ
化合物、カルボニル化合物、ジアミノ化合物あるいはト
リメトキシ化合物等を強酸存在下で反応させることによ
って合成することができる。
あるいは、前記一般式［ＩＶ］および［Ｖ］で表わされ
る化合物は、アンゲハンテ　ケミ−（Ａｎｇｅｗａｎｄ
ｔｅ　Ｃｈｅｍｉｅ）　　７８巻、　　Ｎｏ、２１１．
　９３７頁（１９６６年）に記載されている様に、アザ
アズレン化合物またはアザアズレン化合物誘導体と、ス
クワリック酸又はクロコン酸と適当な溶媒中で反応させ
ることによって容易に得ることができる。
本発明の光学記録媒体は、第１図に示す様に、基板ｌの
上に前記一般式［Ｉ］〜［Ｖ］で示されるアザアズレニ
ウム塩化合物を含有する記録層２を設けることにより形
成することかできる。
基板ｌとしては、ポリカーボネート、ポリエステル、ア
クリル樹脂、ポリオレフィン樹脂、フェノール樹脂、エ
ポキシ樹脂、ポリアミド、ポリイミドなどのプラスチッ
ク、ガラスあるいは金属類などを用いることかできる。
記録層２の形成にあたって、前記一般式［Ｉ］〜［Ｖ］
で示されるアザアズレニウム塩化合物を１種または２種
以−Ｌ組合せて用いることがてき。
さらに他の染料、例えば、前記一般式［Ｉ］〜［Ｖ］の
化合物以外のアザアズレン系、ポリメチン系、アズレン
系、ビリリウム系、スクアリウム系、クロコニウム系、
トリフェニルメタン系、キサンチン系、アントラキノン
系、シアニン系、フタロシアニン系、ジオキサジン系、
テトラヒドロコリン系、トリフエッチアジン系、フェナ
ンスレン系、アミニウム塩・ジイモニウム塩基、金属キ
レート錯体系染料など、あるいは金属および金属化合物
など１例えばＡｌ、　Ｔｅ、　ｌｌｉ、　Ｓｎ、　Ｉｎ
、　Ｓｅ。
Ｓｈｏ、　ＴｅＯ□、　Ａｓ、　Ｃｄなど、あるいは紫
外線吸収剤などと混合分散あるいは積層してもよい。
記録層２は塗布法あるいは蒸着法等の種々の方法により
基板ｌ上に形成される。塗布法を用いる場合には、アザ
アズレニウム塩化合物を有機溶媒中に溶解あるいは分散
した溶液を基板ｌ上に塗布することによって形成するこ
とかてきる。また必要に応して成膜性および塗膜安定性
を考慮してバインターを記録層中に混合して成膜するこ
ともてきる。
塗布の際に使用てきる有機溶媒は、前述のアザアズレニ
ウム塩化合物を分散状！島とするか、或いは溶解状態と
するかによって異なるか、一般にはアルコール系、ケト
ン系、アミド系、エーテル系、エステル系、脂肪族ハロ
ゲン化炭化水素系、芳香族系、脂肪族炭化水素系などの
溶媒を用いることがてきる。
また、バインダーとしては、例えばニトロセルロース、
エチルセルロース、ポリスチレン、ポリビニルピロリド
ン、ポリメチルメタクリレート。
ポリアミドなどが挙げられる。また、必要により、ワッ
クス、高級脂肪酸、アミド類（例えば、オレイルアミド
）を添加剤として用いる。
以上のバインダーにジオクチルフタレート、ジツチルフ
タレート、トリクレジルフォスフェート笠の可塑剤、鉱
油、植物油等の油剤、更にアルキルベンゼンスルホン酸
ソーダ、ポリオキシエチレンアルキルフェニルエーテル
等の分散剤及びその他の添加剤を適宜混合させ記録層の
成膜性、塗膜安定性を高めることかてきる。
塗膜は、浸漬コーティング法、スプレーコーティング法
、スピンナーコーティング法、ビートコーティング法、
マイヤーバーコーティング法。
フレートコーティング法、ローラーコーチインク法、グ
ラビアコーティング法などのコーティング法を用いて行
うことがてきる。
記録層２中のアザアズレニウム塩化合物の含有￥は通常
４０〜１００重量％、好ましくは５０〜１００重量％が
９ましい。４０重量％未満では記録層の十分な光吸収性
と再生レーザー光に対して十分な光反射率を得ることか
できない。
また、記録層２の膜厚は１００人〜２０終１、好ましく
は２００人〜ｌｐｍが適当である。なお、記録レーザー
光に対して十分な光反射性を有する薄膜を安定に形成で
き得るならば可能な限り薄いほうかよい。
さらに、本発明の光学記録媒体は、第２図に示すように
、記録層２上に記録及び再生レーザー光に対して透明な
保護層３を設けることかてきる。
該保護層３は、基板ｌ側から光を照射する場合は不透明
ても差支えない。
また、第３図に示すように、基板ｌと記録層２の間に下
引層４を設けても良い。
また、第４図に示す様に、保護層３及び下引層４を共に
用いることも可能である。
下引き層は（ａ）接着性の向上、（ｂ）水またはガスな
どのバリヤー、（Ｃ）記録層の保存安定性の向上、（ｄ
）反射率の向上、（ｅ）溶剤からの基板の保護および（
「）プレグルーブの形成などを目的として設けられる。
（ａ）の目的に対しては高分子材料、例えばアイオノマ
ー樹脂、ポリアミド系樹脂、ビニル系樹脂、天然高分子
、シリコーン、液状ゴムなどの種々の材料もしくはシラ
ンカップリング剤なとの種々の物質を用いることがてき
、（ｂ）、（ｃ）の目的に対しては上記高分子材料以外
に無機化合物１例えばＳｉｎ□、　Ｍｇｌ”２．　ｓｉ
ｏ、　Ｔｉｏ２．　ＺｎＯ、ＴｉＮ、　ＳｉＮなど、金
属または半金属、例えばｚｌｌ。
Ｃｕ、　Ｓ、　Ｎｉ、　Ｃｒ、　Ｇｅ、　Ｓｅ、　Ｃｄ
、八ｇ、　Ａｉ）なと′を用し＼ることかできる。（ｄ
）の目的に対しては金属、例えばＡｌ、　Ａｇなと、ま
たは金属光沢を有する有機薄膜、例えばシアニン染料、
メチン染料などを用いることかできる。そして（ｅ）、
　ｍのｎ的に対しては紫外線硬化樹脂、熱硬化性樹脂、
熱可塑性樹脂などを用いることができる。下引き層の膜
厚は５０人〜１００ｇ重、好ましくは２００人〜３０μ
−が適当である。
また、保護層は、キズ、ホコリ、汚れなどからの保護お
よび記録層の保存安定性の向上および反射率の向上を目
的として設けられ、その材料としては下引き層と同じ材
料を使用することかできる。保護層の膜厚は１００Å以
上、好ましくは１０００Å以上が適当である。
この際、下引き層および／または保護層中には本発明の
一般式［Ｉ］〜［Ｖ］のアザアズレニウム塩化合物が含
有されていてもよい、また、下引き層または保！！層に
は安定剤１分散剤、難燃剤、滑剤、帯電防止剤、界面活
性剤、可塑剤などが含有されていてもよい。
さらに１本発明による光学記録媒体の別の構成としては
、第１図から第４図に示した同一構成の２枚の記録媒体
（場合によりその１枚を基板のみとして）を用い記録Ｍ
２を内側にｆｉ！Ｍして密封したいわゆるエアーサンド
イッチ構造にしてもよいし、保護層３を介して接着した
いわゆる密着構造（貼り合せ構造）にしてもよい。
本発明の光学記録媒体は、ヘリウムーネ°オンレーザ（
発振波長６：１３ｎｍ）などのガスレーザの照射によっ
て記録することも可能であるが、好ましくは７５０ｎ−
以上の波長を有するレーザ、特にガリウムーアルミニウ
ムーヒ素半導体レーザ（発振波長８３０ｎｍ）などの近
赤外あるいは赤外領域に発振波長を有するレーザ光線の
照射によって記録する方法が適している。また、読み出
しのためには、前述のレーザ光線を用いることかできる
。この際、占込みと読み出しを同一波長のレーザで行な
うことができ、また異なる波長のレーザで行なうことも
できる。
［実施例］ 以下、本発明を実施例に従って詳細に説明するか、これ
らに限定されるものではない。
実施例１ 直５１３ｈ−φ、厚さ１．２ｓ＋ａのインジェクション
成形によりプレグルーブを設けたポリカーボネートＣ以
下、ＰＣと略記する）基板上に、＃Ｊ記アザアズレニウ
ム塩化合物Ｎｏ、　［Ｉ　］−（１）のアザアズレニウ
ム塩化合物３重量部をジアセトンアルコール９７重量部
に溶解させた液をスピナーコーティング法により塗布し
た後、乾燥して８００人の有ａ＃ＳＪ膜記録層を得た。
この様にして作成した光学記録媒体をターンテーブル上
に取り付け、ターンテーブルをモーターで１８００ｒｐ
−に回転させて、発振波長８］Ｏｎｓの半導体レーザな
用いて、基板側より記録層にスポットサイズ１．５ｐ−
φ、記録パワー６１宥、記録周波数３１１＋１ｚで情報
を書き込み、読み出しパワー０．８　鳳１１１で再生し
、その再生波形をスペクトル解析（スキャニングフィル
ター、バンド幅’１ＯＫｌｌｚ　）　Ｌ／てＣ／Ｎ比を
測定した。
次に、回じ記録媒体を、前記測定条件で記録した部分を
、繰り返し１０５回読み出し後のＣ／Ｎ比を測定した。
さらに、前記条件で作製した同一の記録媒体を６０℃、
９０％旧１の条件下に２０００時間放置して、環境保存
安定性試験を行なった後の透過率（８３０ｎｍ　測定）
およびＣ／Ｎ比を測定した。その結果を表１に示す。
表　　　１ 実施例２〜９ 実施例１で用いたアザアズレニウム塩化合物Ｎｏ、　［
Ｉ　１−（１）の化合物をＮｏ、　［１］−（２）−［
Ｉ　］−（９）、　　［１１１−（２）、　　［ＩＩ］
−（５）、　　［ｍｌ−（１）、　　［ＩＶ］−（２）
。
［ＩＶ］−（４）、　［Ｖ］−（２）　ニかえて、実施
例１と同様の方法で記録媒体を作製し、それぞれ実施例
２〜９の光学記録媒体を作製した。
上記実施例２〜９の光学記録媒体を実施例１と同様の方
法て測定した。その結果を表２に示す。
実施例１０．１１ 前記アザアズレニウム塩化合物Ｎｏ、　［Ｉ　１（１）
と　［Ｉ　］−（２）　、　　Ｎｏ、　［Ｉ　］−（２
）と　［１１１−（Ｓ）とをそれぞれｌ：１の重量比で
ジアセトンアルコールに混合し、実施例１と同様の方法
で塗布し、実施例１０．　ＩＩの光学記録媒体を作製し
た。
このようにして作製した実施例１０．１１の光学記録媒
体を実施例１と同様の方法で測定した。その結果を表２
に示す。
実施例１２および１３ 下記化合物Ｎｏ、［ＶＩ］および［■］と前記アザアズ
レニウム塩化合物Ｎｏ、　［Ｉ　］−（３）とをそれぞ
れｌ：２の重量比でジアセトンアルコールに混合し、実
施例１と同様の方法で塗布し、乾燥膜厚８５０人の有機
薄膜記録層を設け、それぞれ実施例＋２．　ｌ：ｌの光
学記録媒体を作製した。
この様にして作成した実施例１２．　ｌ：ｌの光学記録
媒体を実施例１と同様の方法で測定した。その結果を表
３に示す。
化合５ｆｓＮｏ、［ＶＩ］ 化合物ＮＯ８［■］ ＣＲＯ，。
比較例１ 実施例１２て用いた化合物Ｎｏ、　［Ｉ　］−（３）を
除いた以外は、実施例１２と同様の方法て光学記録媒体
を作製し、同様にΔ一定した。その結果を表３に併示す
る。
１；２１１Ｓ しＪ’Ｕ４” し２目１５ 実施例１４ 前記化合物Ｎｏ、　［Ｉ　１−（４）の化合物２重量部
とニトロセルロース樹脂（オーバレスラッカー、ダイセ
ル化学■製）１重量部をジアセトンアルコール９７重量
部に混合させた液をスピナー塗布法により、インジェク
ション成形によりプレグルーツを設けた直径　１：ｌＯ
＋ｍｍφ、厚さ１．２ｍｓのＰＣ基板上に塗布し、乾燥
膜厚１０００人の有機薄膜記録層を得た。
この様にして作成した光学記録媒体を実施例１と同様の
方法で測定した。その結果を表４に示す。
実施例１５〜１７ 実施例１４て用いた化合物Ｎｏ、　［Ｉ　１−（４）を
前記化合物Ｎｏ、　［ｌｌ−（８）、　［ｍ］−（５）
、　［Ｖ］−（１）にかえて、実施例１１１と同様の方
法て記録媒体を作製し、それぞれ実施例１５〜１７の光
学記録媒体を作製した。
上記実施例１５〜１７の光学記録媒体を実施例１と同様
の方法で測定した。その結果を表４に示す。
実施例１８ ウォーレットサイズの厚さ０．４ｓ＋ｓ　Ｐ　ＣＪ５板
トに、熱プレス法によりプレグルーブを設け、そのＬに
前記アザアズレニウム塩化合物Ｎｏ、［Ｉ］（２）の化
合物３重量部をジアセトンアルコール９７重量部に混合
させた液をバーコード法により塗ｊｌｊ　Ｌ／た後、乾
燥して１０００人の有機薄膜記録層を得た。さらに、そ
の上にエチレン−酢ビトライフィＪレムを介してウォー
レ・ントサイズの厚さ０．３−膳のＰＣ基板と、熱ロー
ル法により密着し、密着構造の光学記録媒体を作製した
。
この様にして作製した光学記録媒体なＸ−Ｙ方向に駆動
するステージ上に取り付け１発振波長８３０口１の半導
体レーザを用いて、厚さ０．４■のＰＣ基板側より、有
機薄膜記録層にスポットサイズ３．０終−φ、記記録パ
ワ−４ロ０ でＹ軸方向に情報を書き込み、読み出しパワー０、４■
Ｗて再生し，そのコントラスト比部の信号強度）を測定
した。
さらに、前記条件で作製した同一記録媒体を実施例１と
同様の条件の環境保存安定性試験を行ない、その後の透
過率およびコントラスト比を測定した。その結果を表５
に示す。
表　　５ また、塗工法による製造が可能て、熱に対する安定性の
良い、保存性に優れた再生劣化の少なＩ、ｚ光学記録媒
体を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
第１図乃至第４図は各々本発明の光学記録媒体の実施態
様を示す断面図である。 ｌ・・・基板 ２・・・記録層 ３・・・保護層 ４・・・下引層 ［発明の効果］ 以−Ｌ説明した様に、本発明の光学記録媒体によれば、
長波長側に吸収を有し、半導体レーザ等の長波長発振レ
ーザーを用いても高感度に記録か可能であり、良好なビ
ット形状の形成により、高いＣ／Ｎ比か得られる。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 下記一般式［ I ］、［II］、［III］、［IV］または［
    Ｖ］で表わされるアザアズレニウム塩化合物を一種また
    は二種以上含有する記録層を有することを特徴とする光
    学記録媒体。 一般式［ I ］▲数式、化学式、表等があります▼ 一般式［II］▲数式、化学式、表等があります▼ 一般式［III］▲数式、化学式、表等があります▼ 一般式［IV］▲数式、化学式、表等があります▼ 一般式［Ｖ］▲数式、化学式、表等があります▼ （但し、一般式［ I ］〜［Ｖ］において、Ａは▲数式
    、化学式、表等があります▼ Ａ＾１は、▲数式、化学式、表等があります▼ を表わす。Ｒ＿１〜Ｒ＿２＿７は水素原子、ハロゲン原
    子又は１価の有機残基を表わし、又はＲ＿１＿６とＲ＿
    １＿７、Ｒ＿１＿７とＲ＿１＿８、Ｒ＿１＿８とＲ＿１
    ＿９、Ｒ＿１＿９とＲ＿２＿０、Ｒ＿２＿２とＲ＿２＿
    ３、Ｒ＿２＿３とＲ＿２＿４、Ｒ＿２＿５とＲ＿２＿６
    およびＲ＿２＿６とＲ＿２＿７の組合せのうち少なくと
    も１つの組合せで置換又は未置換の縮合環を形成しても
    よい。Ｙは置換又は未置換の５員環もしくは６員環を形
    成する２価の炭化水素基を示す。ｌは１、２又は３、ｍ
    は０又は１、ｎは０又は１、ｐは１又は２、ｑは１又は
    ２の整数を示す。Ｘ＾■はアニオン残基を示す。）
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