JPH029168A - 完全密着型光センサー - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野コ 本発明はファクシミリ等において原稿の読取りに使用さ
れる完全密着型の等倍光センサーに関する。

［従来技術］ レンズ系を用いない完全密着型の等倍光センサーの例と
して第１図（ａ）及び（ｂ）　（（ａ）は断面図、（ｂ
）は平面図で、１は透明基板、２は採光窓３を有する遮
光膜兼下部電極、４は５ｉｎ２透明絶縁膜、５は光電変
換層、６は上部電極、７は原稿、８はブロック間遮光膜
で、上部透明電極は省略。〕で示すものが知られている
。この種の完全密着型光センサーでは透明基板１側から
採光窓３を通って入射した光は原稿７面で反射され、光
電変換部、即ちセンサ一部Ａ上の受光部に達し、ここで
反射光はその照度に応じて電気信号に変換され、ついで
この信号電荷は容量部Ｂに一時的に蓄えられるが、第１
図（ｂ）からも明らかなように、受光部（大きさは通常
１００μｍ２）は採光窓１個（大きさは通常９０μｍ２
）当り副走査方向の片側即ち１カ所しかないので、大き
な信号出力が得られず、このためＳ／Ｎは１８〜２５ｄ
ｂ　　程度で、濃度階調性の読取りは困難であった。ま
たブロック間遮光膜は下部電極の更に下に絶縁膜を介し
て形成したり、或いは上部電極形成後、絶縁膜を介して
形成する等、上部電極とは別途に形成するため、光セン
サーの製造工程が複雑化して歩留まりが悪い上、コスト
アップになるという点もあった。

［発明が解決しようとする課題］ 本発明の目的は従来技術における以上のような欠点を解
決し、信号出力を増大せしめて濃度階調性の読取りを可
能にすると共に、製造工程を簡略化して歩留まりの向上
及びコストダウンを計った完全密着型光センサーを提供
することである。

［発明の構成・動作］ 本発明の光センサーは透明基板上に採光窓を有する遮光
膜と下部電極と光電変換層と透明絶縁膜と上部電極とを
有する各センサーブロックをブロック間遮光膜で連結し
た構造を有する完全密着型光センサーにおいて、光電変
換部上の受光部を採光窓の副主査方向の両側に設けると
共に、ブロック間遮光膜を上部電極と兼用したことを特
徴とするものである。

以下、本発明の実施例を第２〜４図によって説明する。

第２図（ａ）及び（ｂ）は夫々容量部Ｂが１個の場合の
本発明光センサーの一例の概略断面図及び平面図である
。また第３図は容量部Ｂが２個の場合の本発明光センサ
ーの他の一例の概略断面図である。両光センサーともセ
ンサ一部Ａ上の受光部は採光窓３の副主査方向（第４図
参照。

Ｃは受光部）の両側に存在する。このため採光窓３から
の入射光による信号量は従来の約２倍となる。例えば８
ビット／ｍの光センサーの場合、従来のように受光部が
１カ所のものでは信号量は０．６〜０８８ｖであるが、
本発明のように受光部が２カ所のものでは１．２〜１．
５ｖに上昇する。

またこのためＳ／Ｎは約３０〜３５ｄＢと大＋ｌ］に向
上する。ここで受光部の大きさは８ドツト／Ｉ葎の読取
り密度の場合、第４図においてｄ、ｅは各々り０−１１
０μｍ、　　ｃは３〜ＩＯμｍ、　　ａは９０−１５０
μｍで且つｂはｂ／ａとして１７３〜２／３が良好な結
果を与える。これらの範囲以外であると、Ｓ／Ｎが低下
する傾向がある。また読取り密度が１６ドツト／ｍ又は
２４ドツト／Ｉｌ！１１のように高い場合はｂ／ａ比を
除き、前記値にほぼ逆比例させて寸法製法めることがで
きる。この場合ｂ／ａ比は前記と同じである。

本発明の光センサーを作るには例えば第２図の光センサ
ーの場合は透明基板１上にＴｉ、　Ｃｒ。

ＡＱ等の蒸着膜を形成し、ついでフォトリソエツチング
により採光窓３を設けることにより遮光膜兼下部電極２
を形成する。ついでその上にプラズマＣｖＤ法等により
ａ−３ｉ（アモルファスＳＬ）、ＣｄＳ、　Ｓｓ等の光
電変換層５を形成し、更にその上に、図では省略したが
、ＩＴＯ１Ｉｎ２０．、ＳｎＯ，等の上部透明電極を形
成し、その上にＳｉｎ、の透明絶縁膜４を形成し、最後
に上部電極（個別電極）兼ブロック間遮光膜６，８とし
てＴｉ、　Ｃｒ、　ＡＱ等の蒸着膜を形成すればよい。

なお下部電極は遮光膜とは別個にＳｉＯ□層と共に多層
構造にしてもよいし、また上部電極も同様な多層構造に
してもよい。

以上の実施例ではサンドインチ型光センサーにおいて、
下部電極は各光電変換素子の共通電極となっているが、
いくつかの素子をまとめてセンサーブロックとして駆動
させる場合、本発明の上部電極（個別電極）兼ブロック
間遮光膜はこれらセンサーブロック間の光もれを防止す
ることができる。またこの上部電極は下部電極が素子個
々に分離され、従って素子間全てに光もれがある場合に
も適用できる。なお本発明の上部電極は上方から直接光
照射した場合も、ブロック間の遮光と同時にセンサ一部
の遮光も可能である。

［発明の作用・効果コ 本発明による効果は次の通りである。

１）上部個別’、１！極がブロック間遮光膜を兼用して
いるので、特別にこの遮光膜を形成する工程は不要とな
り、光センサーの製造工程が簡略化される。

２）受光部が２カ所となり、信号量が従来型に比へて２
倍に増大したので、Ｓ／Ｎも３０〜３５ｄＢと大＋ｌＪ
に向上し、このため濃度階調性読取りが可能な光センサ
ーとして利用できる。

４゜ ３）　センサービットを１６〜３２ビット／冊としても
、信号量が大きいため、実装及び回路設計が容易である
。

【図面の簡単な説明】

第１図（ａ）及び（ｂ）は夫々従来の完全密着型光セン
サーの一例の概略断面図及び平面図、第２図（ａ）及び
（ｂ）は夫々本発明完全密着型光センサーの一例の概略
断面図及び平面図、第３図は同じく本発明センサーの他
の例の概略断面図、第４図は本発明センサーの採光窓及
び受光部の大きさを決めるための説明図である。 １・・透明基板　　２・・・遮光膜兼下部電極３・・・
採　光　窓　　　４・・・透明絶縁膜５・・光電変換層
　　　６・・・上部電極７・・・原　稿　　　　　８・
・・ブロック間遮光膜Ａ・・・センサ一部　　　Ｂ・・
・容　量　部Ｃ・受光部

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １、透明基板上に採光窓を有する遮光膜と下部電極と光
   電変換層と透明絶縁膜と上部電極とを有する各センサー
   ブロックをブロック間遮光膜で連結した構造を有する完
   全密着型光センサーにおいて、光電変換部上の受光部を
   採光窓の副主査方向の両側に設けると共に、ブロック間
   遮光膜を上部電極と兼用したことを特徴とする完全密着
   型光センサー。