JPH028757A - プローブ装置 - Google Patents
プローブ装置Info
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- JPH028757A JPH028757A JP16024388A JP16024388A JPH028757A JP H028757 A JPH028757 A JP H028757A JP 16024388 A JP16024388 A JP 16024388A JP 16024388 A JP16024388 A JP 16024388A JP H028757 A JPH028757 A JP H028757A
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- 239000000523 sample Substances 0.000 title claims abstract description 111
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims abstract description 77
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 33
- 238000012360 testing method Methods 0.000 claims abstract description 16
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 9
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 abstract description 17
- 230000004075 alteration Effects 0.000 abstract 4
- 230000007723 transport mechanism Effects 0.000 description 11
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
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- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
- Measuring Leads Or Probes (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[発明の目的]
(産業上の利用分野)
本発明は、プローブ装置に関する。
(従来の技術)
プローブ装置は、半導体製造工程において、半導体ウェ
ハ上に形成された半導体デノくイスの試験Al1定に利
用される。
ハ上に形成された半導体デノくイスの試験Al1定に利
用される。
すなわち、プローブ装置は、真空チャ・ツク等により試
料台上に半導体ウエノ)を吸着保持し、この試料台を駆
動して半導体ウエノ1に形成された各半導体デバイスの
電極パッドにプローブカードの探針を接触させる。そし
て、テスタによりプリセ・ソトされたテストプログラム
に従い上記の半導体デバイスの電気的特性を測定する。
料台上に半導体ウエノ)を吸着保持し、この試料台を駆
動して半導体ウエノ1に形成された各半導体デバイスの
電極パッドにプローブカードの探針を接触させる。そし
て、テスタによりプリセ・ソトされたテストプログラム
に従い上記の半導体デバイスの電気的特性を測定する。
このようなプローブ装置において、4−1定品種を変更
する場合、半導体デバイスの電極ノく・ンドの位置等が
変わる場合には、プローブカードの交換およびプローブ
カードの探針の位置合せを行う必要があり、また、プロ
ーブカードの探針を半導体デバイスの電照バッドに接触
させるための試料台の駆動パターンも変わるため、この
試料台の駆動制御を行うためのプローブパラメータも変
更する必要がある。さらに、測定品種によってテスタか
ら供給する検査信号およびテスタで測定すべき項目等が
変わるため、テスタのテストパラメータも変更する必要
がある。
する場合、半導体デバイスの電極ノく・ンドの位置等が
変わる場合には、プローブカードの交換およびプローブ
カードの探針の位置合せを行う必要があり、また、プロ
ーブカードの探針を半導体デバイスの電照バッドに接触
させるための試料台の駆動パターンも変わるため、この
試料台の駆動制御を行うためのプローブパラメータも変
更する必要がある。さらに、測定品種によってテスタか
ら供給する検査信号およびテスタで測定すべき項目等が
変わるため、テスタのテストパラメータも変更する必要
がある。
従来のプローブ装置では、上述のようなプローブカード
の交換、プローブカードの探針の位置合せ、プローブパ
ラメータの変更およびテスタのテストパラメータの変更
等は、オペレータ操作により行う必要がある。
の交換、プローブカードの探針の位置合せ、プローブパ
ラメータの変更およびテスタのテストパラメータの変更
等は、オペレータ操作により行う必要がある。
(発明が解決しようとする課題)
しかしながら近年は、使用システムごとに専用化したデ
バイス(ASIC:application spec
irlcntegratedclrculL)を使用す
る傾向にあり、半導体デバイスの製造は、多品種少量生
産となる傾向にある。このため、上述の従来のプローブ
装置では、測定品種が変わるたびに、オペレータにより
プローブカードの交換、プローブカードの探針の位置合
せ、プローブパラメータの変更およびテスタのテストパ
ラメータの変更等を行う必要があり、11p1定効率が
悪化するという問題があった。
バイス(ASIC:application spec
irlcntegratedclrculL)を使用す
る傾向にあり、半導体デバイスの製造は、多品種少量生
産となる傾向にある。このため、上述の従来のプローブ
装置では、測定品種が変わるたびに、オペレータにより
プローブカードの交換、プローブカードの探針の位置合
せ、プローブパラメータの変更およびテスタのテストパ
ラメータの変更等を行う必要があり、11p1定効率が
悪化するという問題があった。
そこで、プローブカードのウェハの品種に対応した交換
を自動的に実行するアイデアは、本発明者によって発表
されている。しかし、これらの自動操作は、ウェハカセ
ットおよびロット単位で実行されており、1ウエハ毎に
自動的に対応することは記載していない。
を自動的に実行するアイデアは、本発明者によって発表
されている。しかし、これらの自動操作は、ウェハカセ
ットおよびロット単位で実行されており、1ウエハ毎に
自動的に対応することは記載していない。
本発明は、かかる従来の事情に対処してなされたもので
、測定品種を自動的に認識し、品種に応じてプローブカ
ード、テストプログラムを自動的に交換することにより
、多品種のウェハが格納されている場合にも全て自動化
が可能となり、従来に比べてn1定効率を向上させるこ
とができ、生産性の向」−を図ることのできるプローブ
装置を提供しようとするものである。
、測定品種を自動的に認識し、品種に応じてプローブカ
ード、テストプログラムを自動的に交換することにより
、多品種のウェハが格納されている場合にも全て自動化
が可能となり、従来に比べてn1定効率を向上させるこ
とができ、生産性の向」−を図ることのできるプローブ
装置を提供しようとするものである。
[発明の構成]
(課題を解決するための手段)
すなわち本発明は、ウェハに形成された半導体デバイス
の電極パッドにプローブカードの探針を次々と接触させ
、テスタにより検査を行うプローブ装置において、ウェ
ハ収容部内に収容された前記ウェハを順次試料台にロー
ドする手段と、この手段によって前記試料台にロードさ
れる前記ウェハの品種を認識する手段と、この手段によ
って認識されたウェハ品種によって測定位置に所定の前
記プローブカードを配置する手段と、この手段によって
測定位置に配置された前記プローブカードの探針先端位
置を認識して被測定ウェハのアライメントを行う手段と
、前記ウェハの品種に対応したテスタのテストパラメー
タおよび前記試料台の駆動制御を行うためのプローブパ
ラメータを変更する手段とを備えたことを特徴とする。
の電極パッドにプローブカードの探針を次々と接触させ
、テスタにより検査を行うプローブ装置において、ウェ
ハ収容部内に収容された前記ウェハを順次試料台にロー
ドする手段と、この手段によって前記試料台にロードさ
れる前記ウェハの品種を認識する手段と、この手段によ
って認識されたウェハ品種によって測定位置に所定の前
記プローブカードを配置する手段と、この手段によって
測定位置に配置された前記プローブカードの探針先端位
置を認識して被測定ウェハのアライメントを行う手段と
、前記ウェハの品種に対応したテスタのテストパラメー
タおよび前記試料台の駆動制御を行うためのプローブパ
ラメータを変更する手段とを備えたことを特徴とする。
(作 用)
上記構成の本発明のプローブ装置では、alll定を行
うウェハの品種を認識し、品種の変更に伴なうプローブ
カードの交換、プローブカードの探針の位置合せ、プロ
ーブパラメータの変更およびテスタのテストパラメータ
の変更等ウェハ毎に自動的に行う。
うウェハの品種を認識し、品種の変更に伴なうプローブ
カードの交換、プローブカードの探針の位置合せ、プロ
ーブパラメータの変更およびテスタのテストパラメータ
の変更等ウェハ毎に自動的に行う。
しまたがって、測定品種変更時のオペレータ操作を削減
し、従来に比べてiiP+定効率定向率させることがで
き、生産性の向上を図ることができる。
し、従来に比べてiiP+定効率定向率させることがで
き、生産性の向上を図ることができる。
(実施例)
以下本発明のプローブ装置の実施例を図面を参照して説
明する。
明する。
プローブ装置1には、例えば真空チャック等により半導
体ウェハ2を吸着保持し、コントローラ3により駆動制
御され、x、y、zおよびθ方向へ移動可能に構成され
た試料台4が設けられている。また、この試料台4の上
方には、図示しない保持機構が配置されており、この保
持機構によりA11l定用のプローブカード5が試料台
4の上方に保持され、このプローブカード5は、メジャ
ーリングケーブル6を介してテスタ20に電気的に接続
されるよう構成されている。
体ウェハ2を吸着保持し、コントローラ3により駆動制
御され、x、y、zおよびθ方向へ移動可能に構成され
た試料台4が設けられている。また、この試料台4の上
方には、図示しない保持機構が配置されており、この保
持機構によりA11l定用のプローブカード5が試料台
4の上方に保持され、このプローブカード5は、メジャ
ーリングケーブル6を介してテスタ20に電気的に接続
されるよう構成されている。
また、上記試料台4の側方には、例えば搬送アームおよ
び位置′決め手段等からなるウェハ搬送機構7と、例え
ば、光学的読取り装置等からなるウェハ認識機構8が配
置されている。そして、ウエハ搬送機構7により、ウェ
ハ収容部9内に収容されたウェハカセット(図示せず)
内の半導体ウェハ2を、上記カセットと試料台4間でロ
ード・アンロードするとともに、ウェハ認識機構8によ
り、例えば試料台4上にロードされた半導体ウェハ2の
IDコードを光電的に読取ることにより半導体ウェハ2
の品種を認識可能に構成されている。
び位置′決め手段等からなるウェハ搬送機構7と、例え
ば、光学的読取り装置等からなるウェハ認識機構8が配
置されている。そして、ウエハ搬送機構7により、ウェ
ハ収容部9内に収容されたウェハカセット(図示せず)
内の半導体ウェハ2を、上記カセットと試料台4間でロ
ード・アンロードするとともに、ウェハ認識機構8によ
り、例えば試料台4上にロードされた半導体ウェハ2の
IDコードを光電的に読取ることにより半導体ウェハ2
の品種を認識可能に構成されている。
なお、上記ウェハ搬送機構7およびウェハ認識機構8は
、コントローラ3に接続されており、その動作を制御さ
れる。また、ウェハ認1機横8によって認識された半導
体ウェハ2の品種は、コントローラ3に入力される。そ
して、コントローラ3は、半導体ウェハ2の品種により
、試料台4の駆動制御を行うためのプローブパラメータ
の変更および後述のカード搬送機構10によるプローブ
カードらの交換を行うとともに、この品種に関する情報
をテスタ20に送り、テスタ20により測定品種に対応
するテストパラメータ(テストプログラム)を自動的に
ロードする。
、コントローラ3に接続されており、その動作を制御さ
れる。また、ウェハ認1機横8によって認識された半導
体ウェハ2の品種は、コントローラ3に入力される。そ
して、コントローラ3は、半導体ウェハ2の品種により
、試料台4の駆動制御を行うためのプローブパラメータ
の変更および後述のカード搬送機構10によるプローブ
カードらの交換を行うとともに、この品種に関する情報
をテスタ20に送り、テスタ20により測定品種に対応
するテストパラメータ(テストプログラム)を自動的に
ロードする。
プローブカード5は予め品種に対応して所定のスロット
に格納し、コントローラ3の品種指定に従い、該当する
プローブカード5を所定の位置にセットする。又は、プ
ローブカード5上のコードを光学的に読みとり、コント
ローラ3により認識して該当するプローブカード5を自
動的にセットする。
に格納し、コントローラ3の品種指定に従い、該当する
プローブカード5を所定の位置にセットする。又は、プ
ローブカード5上のコードを光学的に読みとり、コント
ローラ3により認識して該当するプローブカード5を自
動的にセットする。
上記カード搬送機構10は、例えば搬送アームおよび位
置決め手段等からなり、カード収容部11内に収容され
たプローブカード5を試料台4上方に配置された前述の
保持機構にロード・アンロード可能に構成されている。
置決め手段等からなり、カード収容部11内に収容され
たプローブカード5を試料台4上方に配置された前述の
保持機構にロード・アンロード可能に構成されている。
さらに、上記試料台4の近傍には、画像認識機構12が
配置されている。この画像認識機構12は、例えばダミ
ーウェハ等により半導体ウェハ2の半導体デバイスの電
極パッドに形成されたプローブカードらの探針5aの針
跡を検出可能に構成されている。そして、この情報は、
コントロラ3に送られ、コントローラ3によって試料台
4の位置が自動補正できるように構成されている。
配置されている。この画像認識機構12は、例えばダミ
ーウェハ等により半導体ウェハ2の半導体デバイスの電
極パッドに形成されたプローブカードらの探針5aの針
跡を検出可能に構成されている。そして、この情報は、
コントロラ3に送られ、コントローラ3によって試料台
4の位置が自動補正できるように構成されている。
上記構成のこの実施例のプローブ装置は、コントローラ
3により次のように制御される。
3により次のように制御される。
すなわち、第2図のフローチャートにも示すように、ま
ずコントローラ3は、ウェハ搬送機構7を駆動してウェ
ハ収容部9内に収容されたウェハカセット内から半導体
ウェハ2を取り出しくa)、ウェハ認識機構8のIDリ
ーダ下にロードする(b)。
ずコントローラ3は、ウェハ搬送機構7を駆動してウェ
ハ収容部9内に収容されたウェハカセット内から半導体
ウェハ2を取り出しくa)、ウェハ認識機構8のIDリ
ーダ下にロードする(b)。
次に、ウェハ認識機構8によって、半導体ウェハ2のI
Dコードを読み取り、ウェハ品種コードを認識する(c
)。
Dコードを読み取り、ウェハ品種コードを認識する(c
)。
そして、上記認識結果から、半導体ウェハ2の品種が新
品種であるか否かを判断しくd)、コントローラ3内の
リストに登録されていない新品種である場合は、イニシ
ャル操作が必要である旨の表示を行う(e)。
品種であるか否かを判断しくd)、コントローラ3内の
リストに登録されていない新品種である場合は、イニシ
ャル操作が必要である旨の表示を行う(e)。
一方、上記判断の結果、既に登録されている品種の場合
には、コントローラ3内に登録されているプローブパラ
メータのロードを自動的に行う(f)。
には、コントローラ3内に登録されているプローブパラ
メータのロードを自動的に行う(f)。
この後、上記ウェハ品種により、プローブカド5の交換
が必要であるか否かを判断しくg)、交換が必要でない
場合は、次のステップ(h)〜(j)を行わずにステッ
プ(k)に移行する。
が必要であるか否かを判断しくg)、交換が必要でない
場合は、次のステップ(h)〜(j)を行わずにステッ
プ(k)に移行する。
一方、上記判断の結果、プローブカード5の交換が必要
である場合は、カード搬送機構10により試料台4上方
に配置されたプローブカード5石カード収容部11内に
収容された所定のプローブカード5に交換しくh)、前
述のようにダミーウェハを試料台4上にロードして試料
台4を2方向に駆動制御することにより、ダミーウェハ
表面に針跡をト1け、更に画像認識機構12により針跡
を検出することによりプローブカード5の位置認識を行
い(i)、カードθの自動補正を行う(j>。
である場合は、カード搬送機構10により試料台4上方
に配置されたプローブカード5石カード収容部11内に
収容された所定のプローブカード5に交換しくh)、前
述のようにダミーウェハを試料台4上にロードして試料
台4を2方向に駆動制御することにより、ダミーウェハ
表面に針跡をト1け、更に画像認識機構12により針跡
を検出することによりプローブカード5の位置認識を行
い(i)、カードθの自動補正を行う(j>。
次に、ウェハ搬送機構7により、測定を行う半導体ウェ
ハ2を試料台4上に配置する(k)。
ハ2を試料台4上に配置する(k)。
この後、試料台4の位置を調節することにより、ウェハ
のθの自動補正を行い())、次に登録されている補正
データに従いウェハのX−Yの自動補正を行う(m)。
のθの自動補正を行い())、次に登録されている補正
データに従いウェハのX−Yの自動補正を行う(m)。
しかる後、試料台4を駆動して、半導体ウエハ2に形成
された半導体デバイスの電極パッドと、プローブカード
5の探針5aとを接触させ、電極パッドに針跡を形成し
、この針跡を画像認識機構12によって検出することに
より、上記探針5aが電極パッド上に正確にあたってい
るか判断しくn)、探針5aが電極パッド上に正確にあ
たっていない場合は、上記ステップ(β)〜(m)を繰
返して行う。
された半導体デバイスの電極パッドと、プローブカード
5の探針5aとを接触させ、電極パッドに針跡を形成し
、この針跡を画像認識機構12によって検出することに
より、上記探針5aが電極パッド上に正確にあたってい
るか判断しくn)、探針5aが電極パッド上に正確にあ
たっていない場合は、上記ステップ(β)〜(m)を繰
返して行う。
一方、探針5aが電極パッド上に正確にあたっている場
合は、テスタ20へ品種コードを送信してテスタ20の
テストパラメータをll−1定品種に応じた所定のテス
トパラメータに変更しくO)、プローブを開始する(p
)。
合は、テスタ20へ品種コードを送信してテスタ20の
テストパラメータをll−1定品種に応じた所定のテス
トパラメータに変更しくO)、プローブを開始する(p
)。
そして、−枚の半導体ウェハ2のプローブが終了すると
(q)、ウェハ搬送機構7により試料台4上の半導体ウ
ェハ2をアンロードしく「)、全てのウェハの測定が終
了した事を判断しくS)、測定が終了した場合は、動作
を終了し、次のカセットのウェハテストのスタートを待
機する(1)。
(q)、ウェハ搬送機構7により試料台4上の半導体ウ
ェハ2をアンロードしく「)、全てのウェハの測定が終
了した事を判断しくS)、測定が終了した場合は、動作
を終了し、次のカセットのウェハテストのスタートを待
機する(1)。
また、全てのウェハのA−1定が終了していない場合は
、上記ステップ(a)からの動作を繰り返し、次の半導
体ウェハ2の測定を行う。
、上記ステップ(a)からの動作を繰り返し、次の半導
体ウェハ2の測定を行う。
すなわち、この実施例のプローブ装置1によれば、従来
品種変更に伴って行われていたプローブカード5の交換
、探針5aの位置合せ、プローブパラメータの変更およ
びテスタ20のテストパラメータの変更等を全てのウェ
ハについて自動的に行うよう構成したので、オペレータ
操作を削減し、aFI定効率を大幅に向上させることが
できる。
品種変更に伴って行われていたプローブカード5の交換
、探針5aの位置合せ、プローブパラメータの変更およ
びテスタ20のテストパラメータの変更等を全てのウェ
ハについて自動的に行うよう構成したので、オペレータ
操作を削減し、aFI定効率を大幅に向上させることが
できる。
なお、上記実施例では、ウェハ認識機構8により半導体
ウェハ2上のIDコードを読み取るよう構成したが、例
えばICカード、その他の記録媒体を介してコントロー
ラ3に半導体ウェハ2の品種を認識させるよう構成して
もよい。
ウェハ2上のIDコードを読み取るよう構成したが、例
えばICカード、その他の記録媒体を介してコントロー
ラ3に半導体ウェハ2の品種を認識させるよう構成して
もよい。
[発明の効果]
上述のように、本発明のプローブ装置では、7111定
品種変更時のオペレータ操作を削減し、従来に比べて測
定効率を向上させることができ、生産性の向上を図るこ
とができる。
品種変更時のオペレータ操作を削減し、従来に比べて測
定効率を向上させることができ、生産性の向上を図るこ
とができる。
第1図は本発明の一実施例のプローブ装置の構成を示す
ブロック図、第2図は第1図のプローブ装置の動作を説
明するためのフローチャートである。 1・・・・・・プローブ装置、2・・・・・・半導体ウ
ェハ、3・・・・・・コントローラ、4・・・・・・試
料台、5・・・・・・プローブカード、5a・・・・・
・探針、6・・・・・・メジャリングケーブル、7・・
・・・・ウェハ搬送機構、8・・・・・・ウェハ認識機
構、9・・・・・・ウェハ収容部、10・・・・・・カ
ード搬送機構、11・・・・・・カード収容部、12・
・・・・・画1象認識機構。 出願人 東京エレクトロン株式会社出願人
チル山梨株式会社
ブロック図、第2図は第1図のプローブ装置の動作を説
明するためのフローチャートである。 1・・・・・・プローブ装置、2・・・・・・半導体ウ
ェハ、3・・・・・・コントローラ、4・・・・・・試
料台、5・・・・・・プローブカード、5a・・・・・
・探針、6・・・・・・メジャリングケーブル、7・・
・・・・ウェハ搬送機構、8・・・・・・ウェハ認識機
構、9・・・・・・ウェハ収容部、10・・・・・・カ
ード搬送機構、11・・・・・・カード収容部、12・
・・・・・画1象認識機構。 出願人 東京エレクトロン株式会社出願人
チル山梨株式会社
Claims (1)
- (1)ウェハに形成された半導体デバイスの電極パッド
にプローブカードの探針を次々と接触させ、テスタによ
り検査を行うプローブ装置において、ウェハ収容部内に
収容された前記ウェハを順次試料台にロードする手段と
、この手段によって前記試料台にロードされる前記ウェ
ハの品種を認識する手段と、この手段によって認識され
たウェハ品種によって測定位置に所定の前記プローブカ
ードを配置する手段と、この手段によって測定位置に配
置された前記プローブカードの探針先端位置を認識して
被測定ウェハのアライメントを行う手段と、前記ウェハ
の品種に対応したテスタのテストパラメータおよび前記
試料台の駆動制御を行うためのプローブパラメータを変
更する手段とを備えたことを特徴とするプローブ装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63160243A JP2726899B2 (ja) | 1988-06-27 | 1988-06-27 | プローブ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63160243A JP2726899B2 (ja) | 1988-06-27 | 1988-06-27 | プローブ装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH028757A true JPH028757A (ja) | 1990-01-12 |
JP2726899B2 JP2726899B2 (ja) | 1998-03-11 |
Family
ID=15710798
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63160243A Expired - Lifetime JP2726899B2 (ja) | 1988-06-27 | 1988-06-27 | プローブ装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2726899B2 (ja) |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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JPS58196029A (ja) * | 1982-05-11 | 1983-11-15 | Nec Corp | プロ−ブカ−ド切替装置 |
JPS61154138A (ja) * | 1984-12-27 | 1986-07-12 | Toshiba Corp | プロ−バ装置駆動用プログラムの自動供給装置 |
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JPS6360542A (ja) * | 1986-09-01 | 1988-03-16 | Nippon Maikuronikusu:Kk | 半導体ウエハプロ−バ |
-
1988
- 1988-06-27 JP JP63160243A patent/JP2726899B2/ja not_active Expired - Lifetime
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