JPH0284730A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH0284730A JPH0284730A JP31121587A JP31121587A JPH0284730A JP H0284730 A JPH0284730 A JP H0284730A JP 31121587 A JP31121587 A JP 31121587A JP 31121587 A JP31121587 A JP 31121587A JP H0284730 A JPH0284730 A JP H0284730A
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Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は高周波トランジスタのような微細電極配線を有
する半導体装置の製造方法に関するものである。
する半導体装置の製造方法に関するものである。
第2図は従来技術により形成された高周波トランジスタ
を示したもので、第2図+8)〜(d)はケミカルエツ
チングによる電極形成方法を示す。
を示したもので、第2図+8)〜(d)はケミカルエツ
チングによる電極形成方法を示す。
第2図(alにおいて、1はN形エピタキシアル層、2
はN形エピタキシアル層1上に形成された酸化膜、3は
N形エピタキシアル層1とは反対の不純物を拡散したベ
ース接合領域、4はBVc、。耐圧を高めるためにベー
ス接合領域3を形成する時、同時に拡散により形成した
ガードリング、5はベース接合領域3とは反対の不純物
を拡散したエミッタ接合領域、6はベースオーミックコ
ンタクト孔、7はエミッタオーミックコンタクト孔、6
1゜71は電極とベースオーミックコンタクト孔6゜エ
ミッタオーミンクコンタクト孔7の接触抵抗を小さくす
るために形成された白金シリサイド層、8は主電極配線
形成用金属9とコンタクト孔6゜7との密着力を向上さ
せるために形成されたバリアメタルで通常Ti−W等が
使用される。62はベース電極、72はエミッタ電極、
9は主電極金属62.72をメッキにより形成するため
に必要な主電極配線形成用金属で一般に主電極金属62
゜72と同種の金属が使用され、通常金が使用される。
はN形エピタキシアル層1上に形成された酸化膜、3は
N形エピタキシアル層1とは反対の不純物を拡散したベ
ース接合領域、4はBVc、。耐圧を高めるためにベー
ス接合領域3を形成する時、同時に拡散により形成した
ガードリング、5はベース接合領域3とは反対の不純物
を拡散したエミッタ接合領域、6はベースオーミックコ
ンタクト孔、7はエミッタオーミックコンタクト孔、6
1゜71は電極とベースオーミックコンタクト孔6゜エ
ミッタオーミンクコンタクト孔7の接触抵抗を小さくす
るために形成された白金シリサイド層、8は主電極配線
形成用金属9とコンタクト孔6゜7との密着力を向上さ
せるために形成されたバリアメタルで通常Ti−W等が
使用される。62はベース電極、72はエミッタ電極、
9は主電極金属62.72をメッキにより形成するため
に必要な主電極配線形成用金属で一般に主電極金属62
゜72と同種の金属が使用され、通常金が使用される。
次いで、10は主電極金属62.72をメッキによ桑形
成するのに必要なホトレジストで一般に0FPR(東京
応化社製、商品名)のようなポジティブホトレジストが
使用される。ホトレジスト膜10が形成された後、電解
メッキにより主電極金属であるベース電極62.エミッ
タ電極72が形成される。
成するのに必要なホトレジストで一般に0FPR(東京
応化社製、商品名)のようなポジティブホトレジストが
使用される。ホトレジスト膜10が形成された後、電解
メッキにより主電極金属であるベース電極62.エミッ
タ電極72が形成される。
第2図(b)は主電極金属62.72を形成した後不必
要となったホトレジスト膜10を除去した状態を示して
いる。
要となったホトレジスト膜10を除去した状態を示して
いる。
第2図(C)は第2図(b)のA部を拡大した図で、主
電極金属であるベース電極62をマスクとして主電極配
線形成用金属9をケミカルエツチングした状態を示し、
この場合サイドエッチ11を生ずる。
電極金属であるベース電極62をマスクとして主電極配
線形成用金属9をケミカルエツチングした状態を示し、
この場合サイドエッチ11を生ずる。
次いで、第2図(d)は主電極配線形成用金属9をマス
クにしてバリアメタル8をケミカルエツチングによりエ
ツチングした状態を示す。このようにケミカルエツチン
グで行った場合はサイドエツチングが大きく、コンタク
トパターンとの接触面積が小さいために電極の剥離を生
ずるか、または接触抵抗が大きいためにE3vtmrの
バラツキの原因となる。
クにしてバリアメタル8をケミカルエツチングによりエ
ツチングした状態を示す。このようにケミカルエツチン
グで行った場合はサイドエツチングが大きく、コンタク
トパターンとの接触面積が小さいために電極の剥離を生
ずるか、または接触抵抗が大きいためにE3vtmrの
バラツキの原因となる。
このような問題を解決するために、サイドエッチの少な
い異方性エツチング(ドライエツチング)によりエツチ
ングをした場合を第2図(e)〜(h)に示す。図にお
いて、第2図(al〜(dlと同一符号は同一部分を示
し、81はバリアメタルの薄膜、91は主電極配線形成
用金属の薄膜、12は主電極配線形成用金属のテープ状
になったものである。
い異方性エツチング(ドライエツチング)によりエツチ
ングをした場合を第2図(e)〜(h)に示す。図にお
いて、第2図(al〜(dlと同一符号は同一部分を示
し、81はバリアメタルの薄膜、91は主電極配線形成
用金属の薄膜、12は主電極配線形成用金属のテープ状
になったものである。
第2図+11)は異方性エツチングにより主電極配線形
成用金属9をエツチングした状態を示し、酸化膜段差部
に主電極配線形成用金属の薄膜91が残る。これは第2
図(f)に示すように異方性エツチングにより一定量の
金属がエツチングされるためで、ついでバリアメタル8
をケミカルエツチングによりエツチングするのであるが
、酸化膜段差部に残った主電極配線形成用金属91の膜
厚が薄いことと、その幅が酸化膜段差部と同じ幅で狭い
ことにより、第2図(g)に示すようにバリアメタル8
のケミカルエツチングでサイドニッチ11を生じ、第2
図(hlに示すように酸化膜段差部に残っている金属の
薄膜91が剥離し、テープ状12となってウェハ上を移
動し、ベース・エミッタ間の短絡の原因となる。
成用金属9をエツチングした状態を示し、酸化膜段差部
に主電極配線形成用金属の薄膜91が残る。これは第2
図(f)に示すように異方性エツチングにより一定量の
金属がエツチングされるためで、ついでバリアメタル8
をケミカルエツチングによりエツチングするのであるが
、酸化膜段差部に残った主電極配線形成用金属91の膜
厚が薄いことと、その幅が酸化膜段差部と同じ幅で狭い
ことにより、第2図(g)に示すようにバリアメタル8
のケミカルエツチングでサイドニッチ11を生じ、第2
図(hlに示すように酸化膜段差部に残っている金属の
薄膜91が剥離し、テープ状12となってウェハ上を移
動し、ベース・エミッタ間の短絡の原因となる。
従来の技術で説明したように、高周波トランジスタのよ
うな微細電極配線をケミカルエツチングで加工すると、
第2図(C)のように主電極配線形成用金属9がサイド
エッチされ、金属9をマスクにしてバリアメタルをエツ
チングすると、第2図(d)に示すようにオーミックコ
ンタクト孔の幅より狭く形成され、BV!1Fのバラツ
キや、電極剥離の原因となる。
うな微細電極配線をケミカルエツチングで加工すると、
第2図(C)のように主電極配線形成用金属9がサイド
エッチされ、金属9をマスクにしてバリアメタルをエツ
チングすると、第2図(d)に示すようにオーミックコ
ンタクト孔の幅より狭く形成され、BV!1Fのバラツ
キや、電極剥離の原因となる。
また第2図(e)〜(h)に示すように、電極のサイド
エッチを防ぐために異方性のドライエツチング(スパッ
タエツチング等)で形成するときに、酸化膜段差部に金
属の薄膜91が残り、つづいてバリアメタル8をケミカ
ルエツチングするときに該バリアメタル8がサイドエツ
チングされ、ることにより、金属の薄膜91が剥離して
移動し、電極配線にかぶさり、エミッタ・ベース短絡の
原因となる等の問題点があった。
エッチを防ぐために異方性のドライエツチング(スパッ
タエツチング等)で形成するときに、酸化膜段差部に金
属の薄膜91が残り、つづいてバリアメタル8をケミカ
ルエツチングするときに該バリアメタル8がサイドエツ
チングされ、ることにより、金属の薄膜91が剥離して
移動し、電極配線にかぶさり、エミッタ・ベース短絡の
原因となる等の問題点があった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、微細電極のサイドエッチが少なく、電極の剥
離あるいはBVEIIFの増大やバラツキがなく、また
酸化膜段差部に電極金属が残ることもない、高精度の電
極形成が可能な半導体装置の製造方法を提供することを
目的とする。
たもので、微細電極のサイドエッチが少なく、電極の剥
離あるいはBVEIIFの増大やバラツキがなく、また
酸化膜段差部に電極金属が残ることもない、高精度の電
極形成が可能な半導体装置の製造方法を提供することを
目的とする。
〔問題点を解決するための手段〕
この発明に係る半導体装置の製造方法は、主電極金属の
電解メッキ終了後、メッキに必要なホトレジスト膜を除
去し、新たに微細配線領域のみをホトレジスト膜で被覆
し、酸化膜段差部や微細配線パターン以外の部分をケミ
カルエツチングによりエツチングする工程と、微細配線
パターンを保護したホトレジスト膜を除去し、微細配線
にサイドエッチの少ない異方性のドライエツチングを施
すことにより電極を形成する工程とからなるものである
。
電解メッキ終了後、メッキに必要なホトレジスト膜を除
去し、新たに微細配線領域のみをホトレジスト膜で被覆
し、酸化膜段差部や微細配線パターン以外の部分をケミ
カルエツチングによりエツチングする工程と、微細配線
パターンを保護したホトレジスト膜を除去し、微細配線
にサイドエッチの少ない異方性のドライエツチングを施
すことにより電極を形成する工程とからなるものである
。
この発明における半導体装置の製造方法では、微細電極
領域をホトレジ8ト膜で被覆し、微細パターン以外の部
分を等方性のケミカルエツチングによりエツチングする
ことにより酸化膜段差部に電極金属が残るのを防止でき
、微細電極領域を被覆したホトレジスト膜を除去し、微
細電極領域にサイドエッチの少ない異方性のドライエツ
チングを施すことにより微細電極のサイドエッチを防止
できる。
領域をホトレジ8ト膜で被覆し、微細パターン以外の部
分を等方性のケミカルエツチングによりエツチングする
ことにより酸化膜段差部に電極金属が残るのを防止でき
、微細電極領域を被覆したホトレジスト膜を除去し、微
細電極領域にサイドエッチの少ない異方性のドライエツ
チングを施すことにより微細電極のサイドエッチを防止
できる。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。
第1図は本発明の一実施例による半導体装置の製造方法
を示す図である。第1図(alにおいて、lはN形エピ
タキシアル層、2はN形エピタキシアル層1上に形成さ
れた酸化膜、3はN形エピタキシアル層lとは反対の不
純物を拡散したベース接合領域、4はBVct。耐圧を
高めるためにベース接合領域3を形成するときに同時に
拡、散により形成したガードリング、5はベース接合領
域3とは反対の不純物を拡散したエミッタ接合領域、6
はベースオーミックコンタクト孔、7はエミッタオーミ
ンクコンタクト孔、61.71はバリアメタル8とベー
スオーミックコンタクト孔6.エミッタオーミンクコン
タクト孔7との接触抵抗を小さくするために形成された
白金シリサイド層、8は主電極配線形成用金属9とコン
タクト孔6.7との密着力を向上させるために形成され
たバリアメタルで、通常Ti−Wなどが使用される。9
は主電極金属62.72をメッキにより形成するために
必要な主電極配線形成用金属で、一般に主電極金属62
.72と同種の金属が使用される0次いで、10は主電
極金属62.72をメッキにより形成するのに必要なホ
トレジスト膜で、一般に0FPRのようなポジティブレ
ジストが使用される。
を示す図である。第1図(alにおいて、lはN形エピ
タキシアル層、2はN形エピタキシアル層1上に形成さ
れた酸化膜、3はN形エピタキシアル層lとは反対の不
純物を拡散したベース接合領域、4はBVct。耐圧を
高めるためにベース接合領域3を形成するときに同時に
拡、散により形成したガードリング、5はベース接合領
域3とは反対の不純物を拡散したエミッタ接合領域、6
はベースオーミックコンタクト孔、7はエミッタオーミ
ンクコンタクト孔、61.71はバリアメタル8とベー
スオーミックコンタクト孔6.エミッタオーミンクコン
タクト孔7との接触抵抗を小さくするために形成された
白金シリサイド層、8は主電極配線形成用金属9とコン
タクト孔6.7との密着力を向上させるために形成され
たバリアメタルで、通常Ti−Wなどが使用される。9
は主電極金属62.72をメッキにより形成するために
必要な主電極配線形成用金属で、一般に主電極金属62
.72と同種の金属が使用される0次いで、10は主電
極金属62.72をメッキにより形成するのに必要なホ
トレジスト膜で、一般に0FPRのようなポジティブレ
ジストが使用される。
ホトレジスト膜lOが形成された後、電解メッキにより
主電極金属であるベース電極62.エミッタ電極72が
形成される。
主電極金属であるベース電極62.エミッタ電極72が
形成される。
第1図(blは主電極金属62.72を形成したのち、
不要となったホトレジスト膜10を除去した状態を示す
。
不要となったホトレジスト膜10を除去した状態を示す
。
ここで、次に主電極金属62.72を電解メッキにより
形成するのに使用した主電極配線形成用金属9をエツチ
ングするのであるが、従来のように、ケミカルエツチン
グのような等方性のエツチング液でエツチングした場合
、サイドエツチングによる主電極金属62.72の剥離
や、BV□。
形成するのに使用した主電極配線形成用金属9をエツチ
ングするのであるが、従来のように、ケミカルエツチン
グのような等方性のエツチング液でエツチングした場合
、サイドエツチングによる主電極金属62.72の剥離
や、BV□。
のバラツキが大きくなるという欠点がある。またドライ
エツチングような異方性のエツチングによりエツチング
した場合においても、酸化膜段差部にメタルが残るとい
う欠点がある。
エツチングような異方性のエツチングによりエツチング
した場合においても、酸化膜段差部にメタルが残るとい
う欠点がある。
そこで、本発明はこのような欠点を補うために以下の方
法を用いた。
法を用いた。
即ち、第1図(C1に示すように微細配線の主電極金属
62.72をホトレジスト膜10により被覆し、第1図
(dlに示すように主電極金属以外の部分をケミカルエ
ツチングによりエツチングする。次に主電極金属62.
72を被覆したホトレジスト膜10を除去し、主電極金
属部をサイ、ドエッチの少ない異方性のエツチング(ド
ライエツチング)によりエツチングする0次に第1図(
e)に示すように不要となったホトレジスト10をOM
Rストリッパ(東京応化社製、商品名)により除去し、
主電極配線形成用金属9をドライエツチングによりエツ
チングし、バリアメタル8をケミカルエツチングにより
エツチングし、高周波トランジスタの微細電極配線を形
成する。
62.72をホトレジスト膜10により被覆し、第1図
(dlに示すように主電極金属以外の部分をケミカルエ
ツチングによりエツチングする。次に主電極金属62.
72を被覆したホトレジスト膜10を除去し、主電極金
属部をサイ、ドエッチの少ない異方性のエツチング(ド
ライエツチング)によりエツチングする0次に第1図(
e)に示すように不要となったホトレジスト10をOM
Rストリッパ(東京応化社製、商品名)により除去し、
主電極配線形成用金属9をドライエツチングによりエツ
チングし、バリアメタル8をケミカルエツチングにより
エツチングし、高周波トランジスタの微細電極配線を形
成する。
以上、本発明の一実施例による高周波トランジスタの製
造方法について説明したが、一般に微細電極配線の形成
はサイドエツチングの少ない異方性のドライエツチング
で行うが、従来の技術で説明したように異方性エツチン
グにより電極を加工した場合は、酸化膜段差部に電極金
属が残り、後工程の処理で酸化膜段差部に残った電極金
属が剥離し、Bv、。がショートする問題が発生し、足
留まりの低下や、信頼性劣化の大きな原因となる。
造方法について説明したが、一般に微細電極配線の形成
はサイドエツチングの少ない異方性のドライエツチング
で行うが、従来の技術で説明したように異方性エツチン
グにより電極を加工した場合は、酸化膜段差部に電極金
属が残り、後工程の処理で酸化膜段差部に残った電極金
属が剥離し、Bv、。がショートする問題が発生し、足
留まりの低下や、信頼性劣化の大きな原因となる。
また、等方性のケミカルエツチングで加工した場合は主
電極金属を電解メッキにより形成するのに必要な金属が
サイドエッチされ、それをマスクにバリアメタルをエツ
チングするために、バリアメタルとオーミックコンタク
ト孔との接触面積が非常に小さく、主電極金属の剥離や
、オーミックコンタクト孔との接触面積が小さいことに
よって接触抵抗が大きくなり、BV!IFの増大やバラ
ツキにより高周波特性や信顛性劣化の大きな原因となっ
ていたが、本発明による方法は、以上のように異方性エ
ツチングと等方性エツチングの両方の特徴を利用した方
法であるため、従来の欠点を改善できる高周波トランジ
スタのような微細電極を有する半導体装置の製造が可能
である。
電極金属を電解メッキにより形成するのに必要な金属が
サイドエッチされ、それをマスクにバリアメタルをエツ
チングするために、バリアメタルとオーミックコンタク
ト孔との接触面積が非常に小さく、主電極金属の剥離や
、オーミックコンタクト孔との接触面積が小さいことに
よって接触抵抗が大きくなり、BV!IFの増大やバラ
ツキにより高周波特性や信顛性劣化の大きな原因となっ
ていたが、本発明による方法は、以上のように異方性エ
ツチングと等方性エツチングの両方の特徴を利用した方
法であるため、従来の欠点を改善できる高周波トランジ
スタのような微細電極を有する半導体装置の製造が可能
である。
なお、本実施例は高周波トランジスタについて説明した
が、本発明は集積回路などあらゆる半導体装置に応用で
きるものである。
が、本発明は集積回路などあらゆる半導体装置に応用で
きるものである。
以上のように、本発明に係る半導体装置の製造方法によ
れば、微細電極を有する部分は異方性のドライエツチン
グにより、微細電極以外の部分は等方性のケミカルエツ
チングによりエツチングするため、微細電極のサイドエ
ッチが少、なく、電極の#IJlあるいはBVzmyの
増大やバラツキがなく、また酸化膜段差部に電極金属が
残ることもない、高精度の電極形成ができる効果がある
。
れば、微細電極を有する部分は異方性のドライエツチン
グにより、微細電極以外の部分は等方性のケミカルエツ
チングによりエツチングするため、微細電極のサイドエ
ッチが少、なく、電極の#IJlあるいはBVzmyの
増大やバラツキがなく、また酸化膜段差部に電極金属が
残ることもない、高精度の電極形成ができる効果がある
。
第1図(a)〜(e)は本発明の一実施例による半導体
装置の製造方法の途中の工程を示す断面図、第2図(a
)、 (b)は従来の半導体装置の製造方法の途中の工
程を示す断面図、第2図(C)〜(hlは従来の半導体
装置の製造方法の電極形成における不具合を説明するた
めの断面図である。 図において、lはN形エピタキシアル層、2は酸化膜、
3はベース接合領域、4はガードリング5はエミッタ接
合領域、6はベースオーミックコンタクト孔、61.7
1は白金シリサイド層、62はベース電極、72はエミ
ッタ電極、8はバリアメタル、9は主電極配線形成用金
属、91は主電極配線形成用金属の薄膜、10はホトレ
ジスト、11はサイドエッチ、12はテープ状になった
主電極配線形成用金属である。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
装置の製造方法の途中の工程を示す断面図、第2図(a
)、 (b)は従来の半導体装置の製造方法の途中の工
程を示す断面図、第2図(C)〜(hlは従来の半導体
装置の製造方法の電極形成における不具合を説明するた
めの断面図である。 図において、lはN形エピタキシアル層、2は酸化膜、
3はベース接合領域、4はガードリング5はエミッタ接
合領域、6はベースオーミックコンタクト孔、61.7
1は白金シリサイド層、62はベース電極、72はエミ
ッタ電極、8はバリアメタル、9は主電極配線形成用金
属、91は主電極配線形成用金属の薄膜、10はホトレ
ジスト、11はサイドエッチ、12はテープ状になった
主電極配線形成用金属である。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
Claims (1)
- (1)微細電極配線を有する半導体装置の製造方法にお
いて、 主電極金属の電極配線を電極配線形成用金属を用いてメ
ッキにより形成し、上記電極配線部をホトレジスト膜で
被覆し、該電極配線部以外の上記電極配線形成用金属を
ケミカルエッチングによりエッチングする工程と、 上記電極配線部上に被覆したホトレジスト膜を除去し、
上記電極配線をマスクとして上記電極配線形成用金属を
異方性のドライエッチングでエッチングして微細電極配
線を形成する工程とから成ることを特徴とする半導体装
置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP31121587A JPH0284730A (ja) | 1987-12-09 | 1987-12-09 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP31121587A JPH0284730A (ja) | 1987-12-09 | 1987-12-09 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0284730A true JPH0284730A (ja) | 1990-03-26 |
Family
ID=18014486
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP31121587A Pending JPH0284730A (ja) | 1987-12-09 | 1987-12-09 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0284730A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5727416A (en) * | 1994-05-26 | 1998-03-17 | Schuler Pressen Gmbh & Co. | Transfer device in a metal-forming machine, particularly a transfer press |
-
1987
- 1987-12-09 JP JP31121587A patent/JPH0284730A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5727416A (en) * | 1994-05-26 | 1998-03-17 | Schuler Pressen Gmbh & Co. | Transfer device in a metal-forming machine, particularly a transfer press |
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