JPH028369A

JPH028369A - 真空処理装置

Info

Publication number: JPH028369A
Application number: JP2037788A
Authority: JP
Inventors: Tsutomu Tsukada; 勉塚田; Hideo Uchikawa; 内川　英雄; Atsumi Tanaka; 田中　敦巳; Junichi Shimizu; 潤一清水; Etsuo Wani; 和仁　悦夫; Hideki Takahashi; 高橋　秀輝
Original assignee: Anelva Corp
Current assignee: Canon Anelva Corp
Priority date: 1988-01-29
Filing date: 1988-01-29
Publication date: 1990-01-11
Anticipated expiration: 2012-07-02
Also published as: JP2626782B2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】（産業上の利用分野）本発明は、真空中で基板の表面処理を行うための真空処
理装置に関する。

（従来の技術）この種の真空処理装置としてプラズマを用いた装置が周
知であり、とりわけ半導体素子製造行程では、反応性ガ
スプラズマを利用したドライエツチング装置が広く普及
している。特に処理室を複数有したマルチチャンバード
ライエツチング装置は、それぞれの処理室で異なった反
応性ガスによるエツチングが可能であるため、特にアル
ミニウム合金摸のドライエツチング装置として使われ始
めている。

これらのマルチチャンバードライエツチング装置の代表
例として第４図及び第５図に示す装置が知られている。

第４図に示す装置は、基板搬入用力セラ）４ａ及び３つ
の処理室１ａ、ｌｂ、ｌｃ並びに基板搬出用力セラ）４
ｂを直列に並べて構成しており、それらは互いにバルブ
２ａ、２ｂ、２ｃ、２ｄで仕切られている。

上記のような構成において、基板３をセットした基板搬
入用のカセッ）４ａは、大気中に置かれており、バルブ
２ａを開閉して基板を一枚毎処理室１ａに搬送する。そ
して、処理室ｌａ内で所定の真空処理を行った後、順次
各バルブを介して処理学１ｂ、１ｃへ基板３を搬送しな
がら所定の真空処理を行い、こららの真空処理終了後、
処理済みの基板３を、基板搬出用のカセッ）４ｂに収納
搬出するようしている。

次に、第５図に示す装置は、３個の処理室１ａ、１ｂ、
１ｃ及び基板搬入搬出兼用カセット４を収納した真空予
備室６が真空搬送室５を取り囲むように放射状に配置さ
れ、各処理室１ａ〜１ｃ及び真空予備室６と真空搬送室
５との間は、バルブ２ａ、　　２ｂ、　　２ｃ、２ｄを
介在させ、各処理室１ａ〜１ｃ及び真空予備室６と真空
搬送室５とを互いに気密にできるようにしている。そし
て、当該真空予備室６は、バルブ２ａによって真空搬送
室５や処理室１ａ〜１ｃを大気に開放することなく、独
立に大気にすることができる。

上記のような構成において、真空予備室６におけるカセ
ット４の搬入搬出口であるバルブ２ｅを開き、基板３を
装填したカセット４を真空予備室６内に置いた後、上記
バルブ２ｅを閉じ、真空予備室６を真空に排気する。次
に、バルブ２ａを開き、真空搬送室５内の搬送機構（図
示していない）により基板を任意の処理室１ａ若しくは
１ｂ又はＩＣに搬送し、基板３が移送された任意の処理
室バルブ２ｂ若しくは２Ｃ又は２ｄを閉じ、所定の真空
処理を行う。

そして、真空処理終了後、再び真空搬送室５を経由し、
他の処理室、へ基板を搬送した後、真空処理を行なう。

このような操作を所望の真空処理に応じて−乃至複数回
行った後、再び基板３を基板搬入搬出兼用カセット４に
収納することにより、真空処理を終了させる。全ての基
板の真空処理の終了後、バルブ２ａを閉じ、真空予備室
６を大気とし、カセット４を取り出すようにしている。

（発明が解決しようとする問題点）しかしながら、前記第４図に示す装置では、処理室ｌａ
内が、基板３を搬送する度に大気に晒されるため、大気
中の水分等の残留ガスが、処理室壁面に吸着して再現性
の良い真空処理を行うことが難しい。更に、各処理室が
直接連結しているため、各処理室で使用したガスの残留
成分が互いに隣り合った処理室に流れ込み易く、処理特
性が悪化する場合がある。更に、処理後の基板は、大気
中で保管され、カセット４に装填された全ての基板の処
理が終了するまで、真空処理された基板が大気に晒され
るため、例えばアルミニウム合金膜のエツチング時には
、多量のコロ−ジョンが発生する場合があった。

次に前記第５図に示す装置では、基板は真空中に保管さ
れ、カセットの交換時に予備真空室のみ大気開放すれば
良いため、処理後の残留ガスによる汚染が少なく、また
アルミニウム合金エツチング時のコロ−ジョンの発生も
少ない。

しかしながら、真空予備室が一室しかないため、カセッ
トにセットされた全ての基板の真空処理が終り、カセッ
トを交換する間、真空処理ができないため、生産性が大
幅に低下する。特に微細加工をする上で重要となる基板
上に発生する微少なゴミは、真空予備室を大気にしたり
、真空に排気する時に多量に発生する。このゴミを減少
させるためには、真空に排気する時間や、大気にする時
間を充分長くする必要があるが、このような過程を第５
図に示す装置で行うと、生産性が大幅に低下してしまう
。

更に、上記両装置とも基板３は、処理面が上を向いてい
るため、搬送中及び真空処理中に基板面で多量のゴミが
発生しており、微細加工の要求に合致するものではなか
った。

（本発明の目的）本発明は、上記問題点を解決するためになされたもので
あり、その目的は、基板の処理面に発生するゴミの発生
を抑制するとともに、真空処理の生産性を向上させ、更
にアフターコロ−ジョンを発生させず、再現性の良い真
空処理を行うことのできる装置を提供することにある。

（問題点を解決するための手段）本発明は、上記目的を達成するために次のように構成さ
れている。すなわち、第１の手段として、バルブにより
気密にすることができる予備真空室と、真空搬送室と、
複数の処理室とを備え、予備真空室内の基板を真空搬送
室を経由して任意の処理室へ搬送し、該基板を該処理室
で真空処理した後、再び該真空搬送室を経由して他の任
意の処理室へ搬送し、該基板を該処理室で真空処理した
後、再び該真空搬送室を経由し予備真空室へ戻し、真空
処理する真空処理装置において、各々独立に大気開放、
真空排気できる機構を備えた予備真空室を少なくとも２
個設け、該各々の予備真空室内には、鉛直に設置した複
数枚の基板を収納したカセットを備え、該基板を真空中
で予備真空室と真空搬送室との間で往復移送する搬送機
構を備えるとともに、該真空搬送室へ搬送された基板を
前記カセットから順次該真空処理室へ搬送する一方、該
真空処理室で真空処理した処理済基板を前記カセットに
引き渡す移送機構を備えたことを特徴としている。

更に、第２の手段として、バルブにより気密にすること
ができる予備真空室と、真空搬送室と、複数の処理室と
を備え、予備真空室内の基板を真空搬送室を経由して任
意の処理室へ搬送し、該基板を該処理室で真空処理した
後、再び該真空搬送室を経由して他の任意の処理室へ搬
送し、該基板を該処理室で真空処理した後、再び該真空
搬送室を経由し予備真空室へ戻し、真空処理する真空処
理装置において、各々独立に大気開放、真空排気できる
機構を備えた予備真空室を少なくとも２個設け、該各々
の予備真空室内には、鉛直に設置した複数枚の基板を収
納したカセットを備え、該基板を真空中で予備真空室と
真空搬送室との間で往復移送する搬送機構を備えるとと
もに、該真空搬送室へ搬送された基板を前記カセットか
ら順次該真空処理室へ搬送する一方、該真空処理室で真
空処理した処理済基板を前記カセットに引き渡す移送機
構を備え、該真空予備室の大気側に、カセットに収納し
た基板を１００℃以上に加熱可能な少なくとも一つの加
熱炉を設置し、かつ該真空予備室よりカセットを取り出
し、カセットを該加熱炉へ移動する機構を備えたことを
特徴としている。

１ｌ− ＝１２− （作用）上記構成から成る本発明において、基板の真空処理に際
し、予備真空室と真空搬送室と処理室間相互の基板の出
し入れ及び搬送動作は次のように行われる。

２つの予備真空室と、真空搬送室と、処理室の全系を、
各室を隔離するバルブを開いた状態で真空に排気する。

次に、一方の予備真空室と真空搬送室とを隔離するバル
ブを閉じ、該予備真空室にＮ２、空気等を導入し、大気
開放とする。そして、予備真空室の蓋を開け、基板を鉛
直に収納したカセットを予備真空室内に設置する。続い
て、予備真空室の蓋を閉じ、真空に排気し、バルブを開
け、カセットを真空中で真空搬送室へ移送し、第１移送
機構である搬送チャック及び第２移送機構であるロボッ
トアームにより、カセット内の基板を、−枚毎、処理面
を下に向けて真空処理室の電極周囲に設けた基板保持リ
ング上に搬送し、該基板を基板保持リング上に載置する
。

次に基板保持リングを電極に密着させてから電極を下降
させ、処理室を真空搬送室から隔離し、処理室へ反応性
ガスを流し、処理室に設けた他の排気系により排気しな
がら真空処理を行う。

真空処理終了後、再び電極を上昇させ、処理室を真空搬
送室と同一真空とし・、基板を他の処理室へ搬送すると
同時に、他の基板をカセットから取り出し、先に基板を
処理した処理室へ搬送する。

上記操作を一度乃至数度繰り返し、真空処理が終了した
後、基板をロボットアーム及び搬送チャックを介して処
理済基板をカセットに鉛直に回収し、真空処理を終させ
る。

上記真空処理の最中に、他の予備真空室と真空搬送室と
を隔離するバルブをを閉じ、他の予備真空室を大気に開
放し、基板をセットした他のカセットを、該予備真空室
に設置し、真空に排気しておく。先の真空処理中の基板
が収納されたカセット内の基板の真空処理が終了した時
点で速やかにカセットを入れ代え、他のカセットに入っ
た基板の真空処理を開始する。それと同時に、真空処理
が終了した基板を回収したカセットは、先の予備真空室
に移送され、真空搬送室とはバルブで隔離した状態で予
備真空室を大気に開放し、処理済基板を取り出す。予備
真空室を大気開放してカセットを交換する操作は、以上
述べたように、真空処理を行いながら実行できるため、
生産性の大幅な向上が期待できるばかりでなく、Ｎ２や
空気等の導入、排気の時間を長時間行えるため、ゴミの
発生を抑えた真空処理の実現が可能となる。

さらに、処理済基板の収納されたカセットを加熱炉に入
れ、所定温度で一定時間の加熱処理を行うようにしてい
るので、殆ど完全にアフターコロ−ジョンを抑制できる
。

（実施例）以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明する。なお
、従来技術と同一の構成部材については、同一符号を使
用して説明する。

第１図は、本発明の第１実施例の平面図を示している。

これによると、３つの処理室１ａ、ｌｂ、１ｃは、真空
搬送室５の下部に配置され、当該真空搬送室５には、バ
ルブ２ａによって隔離できる真空子１ｉ室６ａと、バル
ブ２ｂによって隔離できる真空予備室６ｂが取り付けら
れている。また、真空搬送室５内部には、カセッ）４ａ
及び４ｂを搬送させる搬送機構７と、カセッ）４ａ、４
ｂに鉛直にセットされた基板３をチャッキングし、９０
°回転させて水平に保持し、基板３が下方に向くように
してから、軸芯９′を支点に水平方向に回動し、基板３
を中継位置８まて搬送する搬送チャック９と、中継位置
８まで搬送された基板を、更に処理室１ａ〜ＩＣに搬送
するために２つのチャック部１０ａ′、１０ｂを備えた
回動可能なロボットアーム１０が設置されている。

なお、当該チャック部の数は、処理室の数又は処理速度
等に応じて増減可能で、必ずしも上記のように２つに限
定されない。

次に上記の構成部材相互間の動作を説明する。

バルブ２ａ及び２ｂを開け、バルブ２ｃ、２ｄを閉じた
状態で、真空搬送室５に備えた図示していない真空ポン
プ（例、クライオポンプ、ターボ分子ポンプ等）で、真
空搬送室５、真空予備室６ａ、６ｂ及び処理室５を１Ｏ
−５Ｔｏｒｒ台以下の高真空に排気する。

次に、バルブ２ａを閉じ、真空予備室６ａにＮ２や空気
等を導入することによって大気圧にし、バルブ２Ｃを開
け、基板３をセラ！・シたカセット４ａを、基板３の処
理面が鉛直になるように真空予備室６ａ内にセットする
。そして、バルブ２Ｃを閉じ、真空予備室６ａを真空に
排気した後バルブ２ａを開ける。この状態でカセット４
ａをカセット搬送機構７により真空搬送室５内に搬送す
る。

次に、基板リフト（図示していない）により基板３をカ
セッ）４ａ上に持ち上げ、この状態で搬送チャック９が
基板３をチャッキングする。次に基板３を保持した搬送
チャック９は、基板の処理面が下方を向くように基板を
９０°回転する。この状態で搬送チャック９が軸ｇ　９
　）を支点に回動して基板３を中継位置８まで搬送し、
チャッキングを解除し、中継位置８に基板を載置する。

そうすると搬送チャック９は、再び軸芯９′を支点とし
て回動してカセッ）４ａの上部位置に帰還する。

そして、カセッ）４ａに対して９０６回転し、カセット
４ａに鉛直にセットされた次の処理すべき基板をチャッ
キングする態勢に入る。

一方、基板の中継位置８に載置され残された基板は、回
動可能なロボットアーム１０により処理室１ａに運ばれ
る。処理室１ａに運ばれた基板３は所定の真空処理が行
われた後、再びロボットアーム１０で処理室１ｂに運ば
れ、次の真空処理が行われる。

基板３がロボットアーム１０により処理室１ｂに運ばれ
たとき、処理室１ａには、次の未処理の基板が搬送され
、真空処理が施される。更に、処理室１ｂで真空処理さ
れた基板は、ロボットアームにより処理室ＩＣに運ばれ
、次の真空処理が施される。

以上の真空処理が連続的に施された後、処理後の基板は
、再びロボットアーム１０て中継位置８に運ばれる。更
に、処理後の基板は搬送チャック９により基板リフト（
図示していない）に受は渡され、カセッ）４ａに戻され
、一連の真空処理が終了する。

一方、カセッ）４ａにセットされた基板の真空処理中に
、バルブ２ｂを閉じ、真空予備室６ｂにＮ２や空気等を
導入広大気圧とした後、バルブ２ｄを開け、基板をセッ
トしたカセット４ｂを真空予備室６ｂ内にセットする。

次に、真空予備室６ｂを真空に排気駅バルブ２ｂを開け
、真空予備室６ｂ内を真空搬送室５と同程度の高真空と
しておく。そして、カセット４ａにセットされた未処理
基板が全て真空搬送室５へ運び込まれた、後、処理済基
板が１枚カセット４ａに戻されると、カセット４ａが真
空予備室６ａに移動するとともに、カセツ）４ｂが真空
搬送室５に移動し、カセッ）４ｂにセットされた基板が
真空搬送室５に運ばれる。

次に、再びカセッ）４ｂが真空予備室６ｂに移動し、カ
セッ）４ａが真空搬送室に運ばれ、処理済の基板がカセ
ット４ａに収納される。

この操作を繰り返し、カセッ）４ａにセットされていた
全ての基板が処理され、全てカセット４ａに回収された
後、カセッ）４ｂにセットされた基板を処理中にカセッ
）４ａが、真空予備室６ａに移動する。そして、バルブ
２ａを閉し、真空予備室６ａにＮ２又は空気を導入して
大気圧とした後、バルブ２ｃを開け、カセッ）４ａを搬
出した後、カセッ）４ａから処理済基板を取り出す。

このように予備真空室が２室から構成されているため、
１つのカセット内の基板を処理している間に、他のカセ
ットを一方の予備真空室から取り出すことができるため
、基板の真空処理能力を低下させることなく、カセット
の交換が可能である。

そればかりてな゛く、真空予備室へのＮ２又は空気等の
導入時間、排気時間を真空予備室内のゴミが舞い上がら
ない程度長くしても、処理能力にはほとんど影響がない
。

さらに基板は、真空予備室内では、処理面を水平面に対
して鉛直に、また真空搬送室内では、処理面を下方に向
けて搬送するため、処理面へのゴミの付着がきわめて少
ない真空処理が可能である。

次に、第２図は、第１図のＡ−Ａ線断面図である。真空
搬送室５の下部には処理室１ａ及びＩＣが配置されてい
る。一方の処理室１ａは、平行平板型リアクティブエツ
チング処理が可能な処理室である。当該処理室ｌａ内に
は、シールド１１と絶縁物１２で囲まれたカソード１３
と、当該カソード１３に対向して接地電位のアノード１
４が平行して設けられている。基板３は、基板保持リン
グ１５ａにより上記カソード１３面に固定されている。

また、処理室１ａの周囲には、回転磁界発生装置１６が
取り付けられている。

また他方の処理室１ｃは、プラズマ発生室１７と、ハロ
ゲン赤外線ランプで構成された基板加熱機構１８を備え
たプラズマ処理室である。

次に本図を用い、Ａ１合金膜のドライエツチングを行う
場合について詳細に説明する。

処理室１ａに基板を搬送するときは、シールド１１、絶
縁物１２、基板載置台であるカソード１３の外側に設け
たバルブ２ｅが基板搬送室５内を上昇し、基板保持リン
グ１５ａの位置がロボットアーム１０の高さ位置まで上
昇し、第１図に示した中継位置８から受は渡された基板
を保持したロボットアーム１０が回動して基板保持リン
グ１５ａ上に当該基板を搬送する。

次に、基板保持リング１５ａが上昇し、基板３をカソー
ド１３の下面に密着させる。この密着させた状態でバル
ブ２ｅを下降させ、処理室１ａを真空搬送室５から隔離
する。処理室１ａを真空搬送室５から隔離すると、アノ
ード１４に連結されたガス導入管１９より塩素原子を含
む反応性ガスを導入する。この反応性ガスは、排気導管
２０ａを通して当該排気導管に直結されたターボ分子ポ
ンプ（図示していない）により排気されながら、処理室
１ａは反応性ガスで所定の圧力に保持される。

次に、処理室１ａの外側に設けた回転磁界発生装置１６
に交流電圧を印加し、カソード１３面に対して平行な回
転磁界を発生させる。そして、カソード１６に、１３．
５６ＭＨｚの高周波電圧を印加すると、磁場によりプラ
ズマ密度の増加した反応性ガスプラズマが生じ、Ａ１合
金のエツチングが進行する。特に、磁場によりプラズマ
密度が増加したエツチングにより、Ａｔ−Ｃｕ合金のＣ
Ｕ残査を効果的に除去できる。

エツチングが終了すると、反応性ガスの導入を止め、処
理室１ａを真空に排気した後、ターボ分子ポンプ直前の
バルブ（図示していない）を閉じ、バルブ２ｅを上昇さ
せ、基板保持リング１５ａを下降させ、ロボットアーム
１０により、基板を回収する。

次に、このロボットアーム１０を回動屈伸させることに
より１、処理室ＩＣの基板保持リング１５ｂに基板を載
置する。そして、基板保持リング１５ｂを上昇させ、基
板加熱台２１に基板を保持する。この状態でバルブ２ｆ
を下降させ、バルブ２ｆのフランジ部の下端外側部２ｇ
を真空搬送室５の下側部５ａに圧接するようにすること
により、処理室ＩＣを真空搬送室５から隔離する。

排気導管２０ｂに接続された処理室１ａとは別に設けた
ターボ分子ポンプにより真空に排気しながら基板加熱機
構１８により、基板を２００℃以上に加熱する。次に、
プラズマ発生室１７に連結したガス導入管（図示してい
ない）より０２カスを導入し、排気導管２０ｂより排気
しながら、高周波電極２２に高周波を印加し、０２ガス
プラズマを発生させ、プラズマによって生じた０２ラジ
カルを基板に吹き付け、アルミエツチングを行フた基板
上にアルミエツチングのマスクとして残っているフォト
レジストをプラズマ剥離する。このプラズマ剥離による
後処理によってアルミニウム合金膜エツチングで問題と
なるアフターコロ−ジョンを抑制することが可能である
。

プラズマ剥離終了後、ガス導入を止め、処理室１ｃを真
空に排気後、バルブ２ｆを上昇し、基板保持リング１５
ｂを下降させ、ロボットアーム１０により基板を回収す
る。

以上の処理を行った後、処理済基板を第１図において説
明したように、中継位置８で搬送チャック９により処理
済基板をチャッキングしながら力セットに回収する。ア
ルミニウム合金のエツチングの場合、高真空に排気され
た真空搬送室５を通してアルミニウム合金膜をエツチン
グするため、残留ガスの影響のない非常に優れた再現性
でエツチング処理が可能である。

また、エツチング室と、後処理室が、真空搬送室５を通
して分離されているため、非常に効果的なコロ−ジョン
の抑制が可能となる。

更に、基板の処理表面が下方に向けて搬送されるととも
に、真空処理が行われるため、多数枚エツチング処理し
たとき、アノード１４に付着する反応生成物が大きなゴ
ミとなりで基板上に落下し、エツチング処理の欠陥とな
ることを防ぐことができ、エツチング処理室のクリーニ
ング頻度を低減させることができる。

以上、第１図及び第２図に示した実施例にかかる装置に
よれは、ゴミの発生が少なく、効果的にコロ−ジョンの
抑制処理がなされたアルミニウム合金膜のエツチングを
高い生産性で行うことが可能である。

次に、第３図は、他発明の実施例を示したものであり、
アルミニウム合金膜のエツチング後のコロ−ジョンの発
生を完全に抑制した装置である。

なお、真空予備室から基板を鉛直にセットしたカセット
を真空搬送室に搬送し、処理室で基板の真空処理を行う
点については、前記実施例と同一構成で行うので、それ
については説明を省略する。

また、前記実施例と同一の構成部材については同一の符
号をもって説明する。

当該装置は、３つの処理室１ａ、ｌｂ、ＩＣを配置した
真空搬送室５には、２つの真空予備室６ａ、６ｂが連結
されている。そして、これらの真空予備室６ａ、６ｂの
バルブ２ｃ、２ｄの前面には、カセット４ａの移動スペ
ース２４を設け、当該移動スペース２４内には、上記バ
ルブの前面に真空予備室６　ａｓ　　６　ｂからカセッ
ト取出し機構２３ａ、２３ｂを設けている。更に、カセ
ット設置位置２５ａ、２５ｂから加熱炉２６の前面まで
搬送するカセットロボット２７を設け、更に、処理済基
板の入ったカセット４ａを加熱炉２６に搬送するための
搬送機構２日を設けている。

以下には、当該装置の動作を説明する。

カセットストッカ（図示していない）にセットされた未
処理基板をセットしたカセットをロボット２７が搬送し
、カセット設置位置２５ａにセットし、同時に真空予備
室６ａの真空を破り、大気圧とした後、バルブ２ｃを開
け、カセット取り出し機構２３ａによりカセッ）４ａを
真空予備室６ａに搬送する。

そして、バルブ２ｃを閉じ、真空予備室６ａを真空に排
気する。真空排気完了後、基板の真空処理の間に、カセ
ットストッカ（図示していない）から次の未処理基板の
入ったカセッ）４ａをカセットロボット２７が取り出し
、カセット設置位置２５ｂにセットする。

同様の手順により、カセット４ｂを真空予備室６ｂにセ
ットする。真空予備室６ａ内のカセットの未処理基板の
真空処理が終了した後、再び真空予備室６ａを大気とし
、処理済基板の入ったカセッ）４ａをカセット設置位置
２５ａに取り出す。

次いで、ロボット２７がこのカセット４ａを取り上げ、
図示のように加熱炉２６の前面のカセット設置位置２５
ｃに搬送される。そして、加熱炉のバルブ２９を開け、
カセット搬送機構２８によりカセッ）４ａを加熱炉２６
に入れ、１５０℃で加熱処理を３０分行い、再び、搬送
機構２８でカセッ）４ａを取り出す。この間に真空予備
室６ａには新しい未処理基板の入ったカセットをセット
し、次のエツチング処理を行う。加熱炉２６より取り出
したカセット内の処理基板は、次工程へ運ばれ次の処理
を行う。

以上の装置により、はとんど完全にＡ１合金膜エツチン
グ後のアフターコロ−ジョンを抑制することが可能であ
る。更に、加熱炉と真空処理装置の間に処理基板をセッ
トしたカセットを純水に完全に浸すことのできる水洗槽
と水洗した基板を乾燥させる乾燥器を備えれば、更に完
全にアフターコロ−ジョンを抑制することが可能である
。

前記両実施例では、３つの処理室に基板が次々に搬送さ
れ真空処理を行う方式について説明したが、本発明はこ
のような方式に限定されることはなく、例えば、異なっ
た基板が互いに異なった処理室で真空処理される、いわ
ゆる並列処理方式であってもよい。また、各処理室は、
平行平板ＲＩＥやプラズマ処理装置に限定されることは
なく、例えば、アノードカップル型処理装置若しくはμ
波によるプラズマ発生装置又はＥＣＲを利用したエツチ
ング若しくは薄膜付着装置であってもよい。

さらに、紫外光を利用した紫外光によるフォトレジスト
硬化装置又はオゾン発生源からオゾンを導入しオゾン処
理する装置であってもよい。

また、特に回転磁界発生装置を備えている必要はなく、
処理室の数も前記のように３つに限定されることはなく
、少なくとも２つ以上であればよい。さらに、処理室で
使用されるガスも０２ガスや塩素ガス以外のフレオン系
ガスやＮ２ガス等を含む全てのガスが使用可能である。

さらに、第１及び第２実施例は、処理面を下にして真空
処理を行っているが、これは、本発明が最もその効果を
発揮する場合の例であって、必ずしもこれに限定される
ものではない。また、カセットは同一の真空予備室内を
往復したが、未処理基板をセットしたカセットが一方の
真空予備室から出て、処理済基板を収納したカセットを
、他方の真空予備室に収納することも可能である。

また、同一カセットから基板を取り出し、処理済基板を
回収したが、予め定められた別のカセットに回収しても
よい。さらに、加熱炉、水洗槽と真空処理装置の相対的
位置は、これに限定されることはない。また、加熱条件
も本実施例で示した条件に限定されない。

（発明の効果）本発明に係る請求項（１）〜（１３）によれば、基板の
処理面に発生するゴミの発生を抑制することができると
ともに、真空処理の生産性を向上させることができる。

更に、アルミニウム合金のエツチング等で、アフターコ
ロ−ジョンを発生させず、再現性の良い真空処理を行う
ことができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の実施例を示した真空処理装置の概略平
面図、第２図は第１図のＡ−Ａ線断面図、第３図は他の
発明の実施例を示した真空処理装置の概略平面図、第４
図及び第５図は従来の真空処理装置の概略図である。１・・・処理室、２・・・バルブ、３・・・基板、４・
・・カセット、５・・・真空搬送室、６・・・真空予備
室、７・・・カセット搬送機構、８・・・基板中継位置
、９・・・搬送チャック、１０・・・ロボットアーム、
２６・・・加熱炉。特許出願人　日電アネルバ株式会社代理人　　　弁理士　村上　健次

Claims

【特許請求の範囲】

（１）バルブにより気密にすることができる予備真空室
と、真空搬送室と、複数の処理室とを備え、予備真空室
内の基板を真空搬送室を経由して任意の処理室へ搬送し
、該基板を該処理室で真空処理した後、再び該真空搬送
室を経由して他の任意の処理室へ搬送し、該基板を該処
理室で真空処理した後、再び該真空搬送室を経由し予備
真空室へ戻し、真空処理する真空処理装置において、各
々独立に大気開放、真空排気できる機構を備えた予備真
空室を少なくとも２個設け、該各々の予備真空室内には
、鉛直に設置した複数枚の基板を収納したカセットを備
え、該基板を真空中で予備真空室と真空搬送室との間で
往復移送する搬送機構を備えるとともに、該真空搬送室
へ搬送された基板を前記カセットから順次該真空処理室
へ搬送する一方、該真空処理室で真空処理した処理済基
板を前記カセットに引き渡す移送機構を備えたことを特
徴とする真空処理装置。
（２）移送機構が、真空搬送室内に設置された基板押上
手段によって押し上げられた基板を保持する基板保持手
段と、基板を保持した状態で９０℃回転させ基板を水平
にする基板回転手段から成り、水平方向に回動可能な第
１移送機構と、基板を保持する基板保持手段を備え、水
平方向に回動可能で、かつ屈伸するように構成した少な
くとも２つのアームから成る第２移送機構によって構成
され、所定の中継位置で第１及び第２移送機構相互間で
基板の受渡しをするようにしたことを特徴とする請求項
（１）記載の真空処理装置。
（３）水平にした基板の処理面を下向きにしていること
を特徴とする請求項（２）記載の真空処理装置。
（４）真空搬送室内を上下自在に移動し、真空搬送室と
処理室とを隔離する真空隔離手段を設けたことを特徴と
する請求項（１）記載の真空処理装置。
（５）真空隔離手段が真空搬送室の最下部の位置で処理
室と真空搬送室とを分離するバルブを備えていることを
特徴とする請求項（４）記載の真空処理装置。
（６）真空隔離手段が上下動自在な基板保持機構を備え
ていることを特徴とする請求項（４）又は（５）記載の
真空処理装置。
（７）少なくとも一つの真空隔離手段が基板加熱機構を
備えていることを特徴とする請求項（４）もしくは（５
）又は（６）記載の真空処理装置。
（８）真空搬送室と複数の処理室には、各々独立した真
空排気ポンプを備えていることを特徴とする請求項（１
）記載の真空処理装置。
（９）少なくとも一つの処理室が、基板を一枚毎処理可
能な平行平板電極を設置したプラズマ処理室であること
を特徴とする請求項（１）記載の真空処理装置。
（１０）プラズマ処理室の周囲に電極面と平行な面で回
転する回転磁界を発生させる機構を備えたことを特徴と
する請求項（９）記載の真空処理装置。
（１１）少なくとも一つの処理室が、プラズマ発生室を
備えたことを特徴とする請求項（１）記載の真空処理装
置。
（１２）バルブにより気密にすることができる予備真空
室と、真空搬送室と、複数の処理室とを備え、予備真空
室内の基板を真空搬送室を経由して任意の処理室へ搬送
し、該基板を該処理室で真空処理した後、再び該真空搬
送室を経由して他の任意の処理室へ搬送し、該基板を該
処理室で真空処理した後、再び該真空搬送室を経由し予
備真空室へ戻し、真空処理する真空処理装置において、
各々独立に大気開放、真空排気できる機構を備えた予備
真空室を少なくとも２個設け、該各々の予備真空室内に
は、鉛直に設置した複数枚の基板を収納したカセットを
備え、該基板を真空中で予備真空室と真空搬送室との間
で往復移送する搬送機構を備えるとともに、該真空搬送
室へ搬送された基板を前記カセットから順次該真空処理
室へ搬送する一方、該真空処理室で真空処理した処理済
基板を前記カセットに引き渡す移送機構を備え、該真空
予備室の大気側に、カセットに収納した基板を１００℃
以上に加熱可能な少なくとも一つの加熱炉を設置し、か
つ該真空予備室よりカセットを取り出し、カセットを該
加熱炉へ移動する機構を備えたことを特徴とする真空処
理装置。
（１３）カセットに収納した基板を水洗する水槽と、該
基板を１００℃以上に加熱可能な加熱炉を真空予備室の
大気側に設置するとともに、該真空予備室よりカセット
を取り出し、該カセットを該水槽を経由し、該加熱炉へ
移動させるカセット移動機構を備えたことを特徴とする
請求項（１２）記載の真空処理装置。