JPH0279442A - キャリアテープ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明はＴ　Ａ　Ｂ　（Ｔａｐｅ　Ａｕｔｏｍａｔｅ
ｄ　Ｂｏｎｄｉｎｇ）方式におけるキャリアテープに関
するものである。

〔従来の技術〕

第３図は従来のキャリアテープを示す上面図であり、図
において、１はポリイミド系樹脂、ポリエステル、ガラ
スエポキシ等よ３り成るテープ基材、２はキャリアテー
プを各工程において定ピッチ送り及び位置決めするため
のスプロケットホール、３は半導体素子（図示せず）を
収めるため、及びインナーリードを突出させるためのセ
ンターデバイス孔、４はこの位置にてアウターリードを
切断し、キャリアテープより半導体素子を取り出すため
のアウターリード孔、５はテープ基材１上に形成された
リード配線、５ａは半導体素子上の突起電極（図示せず
）と接着するためのインナーリード、５ｂは基板あるい
はフレーム等と接着するためのアウターリード、５Ｃは
テスト時に使用するテストパッド、５ｄはリード配線５
全体を電気めっきする時に用いるめっき引き出し線、５
ｅはめっきする時に電極として使用され、かつ各めっき
引き出し線５ｄを集中させるためのめっき集中電極、５
ｆは各めっき集中電極５ｅを電気的に接続するための共
通電極である。

第４図は従来のキャリアテープの他の例を示し、１〜５
ｅは上記と同一のもの、６はめっき集中電極５ｅを切り
落とすためのカット孔である。

次に動作について説明する。

スプロケットホール２及びセンターデバイス孔３、アウ
ターリード孔４、カット孔６等が明けられたテープ基材
１上に接着材（図示せず）を接着し、あるいはテープ基
材１上にめっき等でＣｕＭを形成する。但し後者の場合
、センターデバイス孔３等は、写真製版、化学処理工程
を経て形成される。次にＣｕ　Ｆｆｉを写真製版及びＣ
ｕのエツチングにより所定のパターンに形成する。次に
Ｃｕよりなるリード配線５上に無電解Ｓｎめっきを行う
か、あるいはＮｉ、Ａｕ、はんだ等を電気めっきする。

後者の電気めっきの場合は、図に示すようにめっき引き
出し線５ｄ及びめっき電極５ｅが必要である。次に半導
体素子をキャリアテープのインナーリード５ａと接着し
た後、良否判定のためのテストを行うために、第３図の
場合、めっき集中電極５ｅのまわりの点線の部分を打ち
抜き、また第４図の場合、カット孔６内のメツキ電極５
θを切り落とすことによって、全てめっき引き出し線５
ｄ及びめっき集中電極５ｅによって電気的につながって
いたテストパッド５Ｃを独立させることによって半導体
素子のテストを可能とする。

〔発明が解決しようとする課題〕

従来のキャリアテープは以上の様に構成されているので
、めっき引き出し線を引く面積が必要であったり、カッ
ト孔（最低０．５ｆｌ巾、金型製作上）を設けたりする
ことが必要なために、多ビンの半導体素子を使用する場
合にはパターン設計が不可であったり、あるいはキャリ
アテープの巾を広げなければならず、装置の改造及び新
機購入等にコストが高くつくという問題があった。

この発明は、上記の様な問題点を解消するためになされ
たもので、多ビンのパターン設計を可能とし、装置の改
造を不要としながら、狭い範囲でめっき引き出し線の形
成、及びテストを可能とするための該めっき引き出し線
の削除を行うことのできるキャリアテープを得ることを
目的とする。

〔課題を解決するための手段〕

この発明に係るキャリアテープは、テストパッドとめっ
き電極の間のめっき引き出し線のパターンをＹＡＧレー
ザー等のレーザー光によって溶融・除去する方法、ある
いはサンドブラスト法により除去する方法、あるいは極
薄回転切刃または極薄切刃によって切り離す方法等によ
って、各テストバンドを電気的に独立させたものである
。

〔作用〕

この発明においては、キャリアテープはレーザー光の照
射あるいはサンドブラスト法、あるいは極薄回転切刃ま
たは極薄切刃によりめっき引き出し線を除去するから、
キャリアテープ上での半導体素子のテストを可能にでき
るとともに、狭い範囲でめっき引き出し線の形成、及び
削除が可能であり、多ピンのパターン設計が可能となる
。

〔実施例〕

以下、この発明の一実施例を図について説明する。

第１図はこの発明の一実施例によるキャリアテープにお
いてレーザー光を照射する位置を示す斜視図、第２図は
レーザー光照射後のリード配線を示す上面図である。第
１図において、１はポリイミド系樹脂、ポリエステル、
ガラスエポキシ等より成るテープ基材、２はキャリアテ
ープを各工程において定ピッチ送り、及び位置決めする
ためのスプロケットホール、３は半導体素子（図示せず
）を収めるため、及びインナーリードを突出させるため
のセンターデバイス孔、４はこの位置にてアウターリー
ドを切断し、キャリアテープより半導体素子を取り出す
ためのアウターリード孔、５はテープ基材１上に形成さ
れたリード配線、５ａは半導体素子上の突起電極（図示
せず）と接着するためのインナーリード、５ｂは基板あ
るいはフレーム等と接着するためのアウターリード、５
ｃはテスト時に使用するテストパッド、５ｄはリード配
ｖＡ５全体を電気めっきする時に用いるめっき引き出し
線、５ｅはめっきする時に電極として使用され、かつ各
めっき引き出し線５ｄを集中させるためのめっき集中電
極、５ｆは各めっき集中電極５ｅを電気的に接続するた
めの共通電極である。

７はレーザー光照射口、８はＹＡＧレーザー等のレーザ
ー光である。

次に動作について説明する。

リード配線５のめっき工程までは従来の技術と同一なの
で省略する。

次いでキャリアテープをレーザー装置に載置し、レーザ
ー光照射ロアをＸ、Ｙテーブルによって移動させ、例え
ば第１図のＡ、　Ｂ、　Ｃ，Ｄの順にめっき引き出し線
５ｄを除去していく、なおキャリアテープの方にＸ、Ｙ
テーブルを設は移動させても良い。その結果、第２図に
示す様に各テストパッド５Ｃが電気的に独立することに
なる。

また、レーザー光８のスポットサイズは、安定してめっ
き引き出し１５ｄを除去するためには、線巾と等しくあ
れば良い。ここで写真製版技術のレベルからめっき引き
出し線５ｄの巾は７５μｍが限界であるため、レーザー
光８のスポットサイズも７５μｍであれば可能である。

よってめっき引き出し線５ｄ及びめっき電極５ｅのとっ
ていた巾を従来の５分の１にすることができ、これによ
って半導体素子の大きさの拡大化（約１．２倍まで）及
びリード配線５のパターン設計範囲の拡大によりピン数
の増大が可能（従来比１．４倍）となった、また、レー
ザー光の照射位置は、装置にプログラムすることによっ
て決定されるので、どの様なキャリアテープでもめっき
引き出し線５ｄの除去が可能である。

なお本発明ではサンドブラスト法を用いることもでき、
この場合、めっき引き出し線５ｄの占める面積は従来の
２分の１になる。

さらに本発明では半導体素子用ウェハの切断用切刃の様
な極薄回転切刃あるいは極薄切刃を用いてめっき引き出
し線を切り離すようにしてもよい。

この場合、切りしろは６０μｍから１００μｍあれば充
分であり、レーザ光による除去と同様な効果が得られる
。

〔発明の効果〕

以上の様に、この発明によれば、キャリアテープのめっ
き引き出し線をレーザー光、あるいはサンドブラスト法
、極薄回転切刃または極薄切刃により除去するようにし
たので、パターン設計範囲の拡大、狭いテープ巾での多
ビン化、電気めっきの可能化が得られ、これによりキャ
リアテープの低コスト化、パッケージの小型化、信鯨性
の向上を達成できる効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明の一実施例によるキャリアテープ上の
めっき引き出し線をレーザー光により溶融・除去する様
子を示す斜視図、第２図はめっき引き出し線を除去した
後のキャリアテープを示す上面図、第３図及び第４図は
従来のキャリアテープを示す上面図である。 １はテープ基材、５はリード配線、５ｃはテストバンド
、５ｄはめっき引き出し線、５ｅはめっき集中電極、６
はカット孔、７はレーザー光照射口、８はレーザー光で
ある。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）ＴＡＢ方式のキャリアテープにおいて、リード配
   線は、該リード配線の電気めっきを可能とするめっき引
   き出し線をテストパッドとめっき電極との間に有し、 該めっき引き出し線をレーザ光の照射、又はサンドブラ
   スト法によって除去、あるいは極薄回転切刃または極薄
   切刃により切り離すことによりキャリアテープ上での半
   導体素子の良否の判定を可能としたことを特徴とするキ
   ャリアテープ。