JPH0279044A - 基板の表面処理方法 - Google Patents
基板の表面処理方法Info
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- JPH0279044A JPH0279044A JP23121988A JP23121988A JPH0279044A JP H0279044 A JPH0279044 A JP H0279044A JP 23121988 A JP23121988 A JP 23121988A JP 23121988 A JP23121988 A JP 23121988A JP H0279044 A JPH0279044 A JP H0279044A
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Landscapes
- Laminated Bodies (AREA)
- Surface Treatment Of Glass (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は基板の表面処理方法で、例えば半導体集積回路
製造、におけるシリコンウェハーやコンパクトディスク
、レーザーディスク等のマスタリングに使用されるガラ
ス盤の表面処理方法に関するものである。
製造、におけるシリコンウェハーやコンパクトディスク
、レーザーディスク等のマスタリングに使用されるガラ
ス盤の表面処理方法に関するものである。
半導体集積回路(LSI)の製造においては、例えばシ
リコンウェハーに感光剤であるホトレジストを塗布し、
マスクを用いて露光、現像、エツチングを行ってパター
ニングし回路を形成する。
リコンウェハーに感光剤であるホトレジストを塗布し、
マスクを用いて露光、現像、エツチングを行ってパター
ニングし回路を形成する。
また、コンパクトディスク、レーザーディスク等のマス
タリングにおいては表面を研磨、洗浄したガラス盤にホ
トレジストを塗布し、信号で変調したレーザー光で記録
露光、現像して信号ビットを形成する。さらに導電性処
理を行ってニッケル電鋳を施して金属マスターを作り、
この電鋳を繰返してスタンパ−を製造する。
タリングにおいては表面を研磨、洗浄したガラス盤にホ
トレジストを塗布し、信号で変調したレーザー光で記録
露光、現像して信号ビットを形成する。さらに導電性処
理を行ってニッケル電鋳を施して金属マスターを作り、
この電鋳を繰返してスタンパ−を製造する。
上述のようなシリコンウェハーやガラス盤等の基板に直
接ホトレジストを塗布した場合、基板とホトレジスト膜
の接着力が弱く、現像やエツチングそして電鋳の工程で
しばしば基板とホトレジスト膜の剥離が生じた。そのた
め一般に基板とホトレジスト膜の接着を良くする目的で
、シランカップリング剤による基板表面処理(特公昭4
7−26043)が行われている。
接ホトレジストを塗布した場合、基板とホトレジスト膜
の接着力が弱く、現像やエツチングそして電鋳の工程で
しばしば基板とホトレジスト膜の剥離が生じた。そのた
め一般に基板とホトレジスト膜の接着を良くする目的で
、シランカップリング剤による基板表面処理(特公昭4
7−26043)が行われている。
このシランカップリング剤による処理方法としては、第
6図に示すスピンナーにより回転塗布を行う方法や第7
図に示す減圧容器の中でシラン力・7プリング剤の蒸気
浴処理を行う方法等がある。
6図に示すスピンナーにより回転塗布を行う方法や第7
図に示す減圧容器の中でシラン力・7プリング剤の蒸気
浴処理を行う方法等がある。
まず第6図に示すスピンナーによる方法を説明する。筺
体lは仕切板2によって上、下の部屋に分かれている。
体lは仕切板2によって上、下の部屋に分かれている。
上部の部屋は塗布室3で、仕切板2の略中央部の孔4よ
りモータ5の回転軸6が突出し、該回転軸6に回転台7
が取り付けられ、その上に基板8を!!置している。モ
ータ5は下部の部屋9にあって、筺体lに固定している
。塗布室3には回転台7の中心部から外周まで回転する
塗布アームIOがあって、該塗布アーム10の先端にノ
ズル1)を配設し、筺体1の外部より塗布アームlOに
接続する管12でシランカップリング剤を含有する溶液
を供給し、ノズル1)より基板8に滴下する。
りモータ5の回転軸6が突出し、該回転軸6に回転台7
が取り付けられ、その上に基板8を!!置している。モ
ータ5は下部の部屋9にあって、筺体lに固定している
。塗布室3には回転台7の中心部から外周まで回転する
塗布アームIOがあって、該塗布アーム10の先端にノ
ズル1)を配設し、筺体1の外部より塗布アームlOに
接続する管12でシランカップリング剤を含有する溶液
を供給し、ノズル1)より基板8に滴下する。
以上のような構成におけるスピンナーはモータ5を駆動
して回転台7を回転させ、ノズル1)より基板8に溶液
を滴下して、基板上に溶液を塗り広げる。そして、回転
台7の回転速度と溶液の粘度によって一定の塗布膜を形
成しながら自然乾燥し・、シラン処理を行う。
して回転台7を回転させ、ノズル1)より基板8に溶液
を滴下して、基板上に溶液を塗り広げる。そして、回転
台7の回転速度と溶液の粘度によって一定の塗布膜を形
成しながら自然乾燥し・、シラン処理を行う。
また他の処理方法として、第7図に示す蒸気浴処理方法
がある。図において、真空タンク13は金網14によっ
て部屋を上下に分けている。下部の部屋には、シランカ
ップリング剤を含有する溶液を入れた容器15が台16
に載置している。そして容器15の底面部をヒータ17
によって加熱し、溶液を蒸発しやすくしている。真空タ
ンク13の上部の部屋には複数の基板8を載置する棚1
8があって、基板8どうしが接触しないように間隔を有
して載置している。そして真空タンクエ3の側面より、
接続管19を介して真空ポンプ20と接続し、真空タン
ク13内を減圧できるようになっている。
がある。図において、真空タンク13は金網14によっ
て部屋を上下に分けている。下部の部屋には、シランカ
ップリング剤を含有する溶液を入れた容器15が台16
に載置している。そして容器15の底面部をヒータ17
によって加熱し、溶液を蒸発しやすくしている。真空タ
ンク13の上部の部屋には複数の基板8を載置する棚1
8があって、基板8どうしが接触しないように間隔を有
して載置している。そして真空タンクエ3の側面より、
接続管19を介して真空ポンプ20と接続し、真空タン
ク13内を減圧できるようになっている。
このような装置において、真空タンク13内を減圧し、
さらにシランカップリング剤を含有する溶液をヒータ1
7によって加熱することによって、タンク内を溶液の蒸
気で充満させることができる。
さらにシランカップリング剤を含有する溶液をヒータ1
7によって加熱することによって、タンク内を溶液の蒸
気で充満させることができる。
このことによって棚18に載置した基板8を蒸気浴する
ことができ、シラン処理が行える。
ことができ、シラン処理が行える。
これらの方法に用いるシランカップリング剤としては、
有機クロロシラン、アルキルシラン、ヘキサメチルジシ
ラザン等がある。例えばヘキサメチルジシラザンについ
て、その作用効果を述べると、下記−数式に示すように
、ガラス表面(a)のOH基とへキサメチルジシラザン
(b)が反応してシロキサン結合となり、表面にメチル
基−CHz (C)が生ずるため疎水性となり、ホト
レジストとの接着が強固なものとなる。
有機クロロシラン、アルキルシラン、ヘキサメチルジシ
ラザン等がある。例えばヘキサメチルジシラザンについ
て、その作用効果を述べると、下記−数式に示すように
、ガラス表面(a)のOH基とへキサメチルジシラザン
(b)が反応してシロキサン結合となり、表面にメチル
基−CHz (C)が生ずるため疎水性となり、ホト
レジストとの接着が強固なものとなる。
(a) (b)
(c)
〔発明が解決しようとする課題〕
しかしながらスピンナーによる塗布では処理後の基板表
面にしばしば微小異物の付着が見られることがある。こ
れは顕微鏡観察の結果、微小水滴であることが判明した
。これらの発生原因としては、基板処理後の乾燥の段階
でシランカップリング剤の溶剤が蒸発する時の気化熱の
ために基板が冷却され、基板周辺の大気中の水分が凝縮
して基板表面に付着するものと考えられる。
面にしばしば微小異物の付着が見られることがある。こ
れは顕微鏡観察の結果、微小水滴であることが判明した
。これらの発生原因としては、基板処理後の乾燥の段階
でシランカップリング剤の溶剤が蒸発する時の気化熱の
ために基板が冷却され、基板周辺の大気中の水分が凝縮
して基板表面に付着するものと考えられる。
また、減圧容器中でのシランカフプリング剤蒸気浴処理
の場合は、基板表面を均一に処理することが難しく、安
定性に欠ける。この原因は明らかでないが、処理後減圧
容器に大気を導入した時基板表面に吸着している未反応
のシランカップリング剤が大気中の水分と反応して悪影
響を及ぼすものと考えられる。
の場合は、基板表面を均一に処理することが難しく、安
定性に欠ける。この原因は明らかでないが、処理後減圧
容器に大気を導入した時基板表面に吸着している未反応
のシランカップリング剤が大気中の水分と反応して悪影
響を及ぼすものと考えられる。
そのため本発明による手段としては、シランカップリン
グ剤を含有する溶液に浸漬し、浸漬後基板の表面が乾燥
する前にフレオンまたはイソプロピルアルコールの蒸気
浴によって、基板の表面処理を行うことを特徴としたも
のである。そして上述の基板としては、シリコンウェハ
ーやガラス盤を用い、また上述のシランカフプリング剤
を含有する溶液の溶剤としては、キシレンやセロソルブ
アセテートまたは、イソプロピルアルコールとしたもの
である。
グ剤を含有する溶液に浸漬し、浸漬後基板の表面が乾燥
する前にフレオンまたはイソプロピルアルコールの蒸気
浴によって、基板の表面処理を行うことを特徴としたも
のである。そして上述の基板としては、シリコンウェハ
ーやガラス盤を用い、また上述のシランカフプリング剤
を含有する溶液の溶剤としては、キシレンやセロソルブ
アセテートまたは、イソプロピルアルコールとしたもの
である。
したがって本発明によれば、基板をシランカップリング
剤溶液中に浸漬することにより、基板表面は前記−数式
に示した反応によるシラン処理が行われている。次に基
板を溶液から引上げ、基板表面が溶液にぬれた状態のま
ま、フレオンやイソプロピルアルコールの蒸気浴に入れ
ると、フレオンやイソプロピルアルコールの蒸気が基板
表面で凝縮して液体となって基板表面上を流れ落ち、基
板表面のシランカフブリング剤溶液を洗い流す。
剤溶液中に浸漬することにより、基板表面は前記−数式
に示した反応によるシラン処理が行われている。次に基
板を溶液から引上げ、基板表面が溶液にぬれた状態のま
ま、フレオンやイソプロピルアルコールの蒸気浴に入れ
ると、フレオンやイソプロピルアルコールの蒸気が基板
表面で凝縮して液体となって基板表面上を流れ落ち、基
板表面のシランカフブリング剤溶液を洗い流す。
と同時に基板の温度が上昇し、周囲の蒸気の温度と等し
くなり基板表面の乾燥が行われるものである。
くなり基板表面の乾燥が行われるものである。
第1図、第2図に本発明による基板の表面処理方法を実
施するための処理槽や蒸気浴槽の詳細図を示し構成を説
明する。
施するための処理槽や蒸気浴槽の詳細図を示し構成を説
明する。
第1図はシラン処理を行うためのシラン処理槽21を示
す。図においてシラン処理槽21は、処理タンク22と
貯蔵タンク23を有し、連結パイプ24と供給ポンプ2
5やフィルター26をもつ供給パイプ27で構成されて
いる。
す。図においてシラン処理槽21は、処理タンク22と
貯蔵タンク23を有し、連結パイプ24と供給ポンプ2
5やフィルター26をもつ供給パイプ27で構成されて
いる。
処理タンク22はその内部に溶液槽28があって、その
底部には、前記供給バイブ27や超音波振動子29を配
設している。また処理タンク22の上部には、大気中の
水分が槽内に入るのを防ぐため、乾燥した空気によるエ
アーカーテンを形成するための空気流入口30及び整流
板31がある。
底部には、前記供給バイブ27や超音波振動子29を配
設している。また処理タンク22の上部には、大気中の
水分が槽内に入るのを防ぐため、乾燥した空気によるエ
アーカーテンを形成するための空気流入口30及び整流
板31がある。
そしてその整流板31の下部に、溶液の蒸発飛散を防止
するための冷却水による冷却装置32を配設している。
するための冷却水による冷却装置32を配設している。
また貯蔵タンク23にも溶液を冷却するための冷却水に
よる冷却装置33を有している。
よる冷却装置33を有している。
このような構成のシラン処理槽21において、貯蔵タン
ク23内の溶液は温度調整され、供給ポンプ25によっ
てフィルター26を通過し供給バイブ27を通って溶液
槽28に供給される。そして溢れた溶液は、処理タンク
22の底部に接続された連結パイプ24を通って貯蔵タ
ンク23に流入する。流入した溶液は、再度フィルター
26を通過して循環している。
ク23内の溶液は温度調整され、供給ポンプ25によっ
てフィルター26を通過し供給バイブ27を通って溶液
槽28に供給される。そして溢れた溶液は、処理タンク
22の底部に接続された連結パイプ24を通って貯蔵タ
ンク23に流入する。流入した溶液は、再度フィルター
26を通過して循環している。
続いて蒸気浴槽について説明する。
第2図はフレオンを用いた蒸気浴槽34の構成を示す。
貯蔵タンク35から供給ポンプ36.フィルター37を
通過して処理槽38の底部の溶液槽39に供給バイブ4
0が連結し、フレオン液が供給されている。前記溶液槽
39に供給されたフレオン液は、溢れ出て処理槽38の
底部に連結されたパイプ41に導かれて水洗器42に入
る。また処理槽38の上部には、冷却水による冷却装置
4Sがあって、この冷却装置43によって蒸発している
フレオンが冷却凝縮し液化する。液化したフレオン液は
冷却装置下部にある補間に集められ、パイプ44を通っ
て水洗器42に入る。また処理基板を処理槽38に挿入
したときにも、フレオン蒸気が凝縮液化し流下するが、
それらも溶液槽39の上方にある桶45に集められ、パ
イプ46を遣って水洗器42に入る。水洗器42は、底
部近くに設けられた純水供給口47からフレオン液中に
純水を放出し、フレオン液中の水溶性物質を取り込みな
がら水洗器42の上部排水パイプ48より純水を排出す
る。
通過して処理槽38の底部の溶液槽39に供給バイブ4
0が連結し、フレオン液が供給されている。前記溶液槽
39に供給されたフレオン液は、溢れ出て処理槽38の
底部に連結されたパイプ41に導かれて水洗器42に入
る。また処理槽38の上部には、冷却水による冷却装置
4Sがあって、この冷却装置43によって蒸発している
フレオンが冷却凝縮し液化する。液化したフレオン液は
冷却装置下部にある補間に集められ、パイプ44を通っ
て水洗器42に入る。また処理基板を処理槽38に挿入
したときにも、フレオン蒸気が凝縮液化し流下するが、
それらも溶液槽39の上方にある桶45に集められ、パ
イプ46を遣って水洗器42に入る。水洗器42は、底
部近くに設けられた純水供給口47からフレオン液中に
純水を放出し、フレオン液中の水溶性物質を取り込みな
がら水洗器42の上部排水パイプ48より純水を排出す
る。
このようにして不純物が除去されたフレオン液は、貯蔵
タンク35に集められ、供給ポンプ36によって溶液槽
39に送り出される。そして溶液槽39の内部にある加
熱器49によって、フレオン液は加熱され、蒸発が促進
されて蒸気浴に適した環境を形成している。
タンク35に集められ、供給ポンプ36によって溶液槽
39に送り出される。そして溶液槽39の内部にある加
熱器49によって、フレオン液は加熱され、蒸発が促進
されて蒸気浴に適した環境を形成している。
向上記フレオンは、沸点が47C°と低いので、比較的
低い温度で乾燥できる。また比熱も小さく発火性がない
ので蒸気浴剤として使いやすい長所を有している。また
前記フレオンに代えてイソプロピルアルコール(以下I
PAと呼ぶ)を使ってもよい。rPAはフレオンより沸
点が高く発火性があるので取扱いは難しいが、親水性が
高いので基板表面に水分が付着していても除去できる特
徴を有している。以上のような構成の処理槽2工や蒸気
浴槽34を用いて、まず基板を処理槽21の処理タンク
22に浸漬して表面処理を行う。続いて表面が溶液にぬ
れた状態のまま、蒸気浴槽34に入れる。蒸気浴槽34
内では、挿入した基板の表面に接するフレオン蒸気が凝
縮して液化し、基板表面を洗浄しながら流下する。この
ようにして基板表面を洗浄しながら基板は周囲の環境温
度に近づくとともに、フレオン蒸気の液化が止まり、乾
燥状態になって基板のシラン処理が終了する。
低い温度で乾燥できる。また比熱も小さく発火性がない
ので蒸気浴剤として使いやすい長所を有している。また
前記フレオンに代えてイソプロピルアルコール(以下I
PAと呼ぶ)を使ってもよい。rPAはフレオンより沸
点が高く発火性があるので取扱いは難しいが、親水性が
高いので基板表面に水分が付着していても除去できる特
徴を有している。以上のような構成の処理槽2工や蒸気
浴槽34を用いて、まず基板を処理槽21の処理タンク
22に浸漬して表面処理を行う。続いて表面が溶液にぬ
れた状態のまま、蒸気浴槽34に入れる。蒸気浴槽34
内では、挿入した基板の表面に接するフレオン蒸気が凝
縮して液化し、基板表面を洗浄しながら流下する。この
ようにして基板表面を洗浄しながら基板は周囲の環境温
度に近づくとともに、フレオン蒸気の液化が止まり、乾
燥状態になって基板のシラン処理が終了する。
以上の工程によって終了した基板の表面は、処理工程中
に大気に接しないので大気中の水分による処理むらが発
生しなくなる。また処理後の基板表面は疎水性となるの
で基板表面の変質劣化を低減できる。
に大気に接しないので大気中の水分による処理むらが発
生しなくなる。また処理後の基板表面は疎水性となるの
で基板表面の変質劣化を低減できる。
尚、他の実施例として、基板の表面研磨後それらの洗浄
工程のあとに、本発明による基板の表面処理方法の工程
付加して一連の工程としてもよい。
工程のあとに、本発明による基板の表面処理方法の工程
付加して一連の工程としてもよい。
第3図には、他の一実施例を示す洗浄及び表面処理工程
の構成図を示す。図において一連の超音波洗浄処理、即
ち、洗浄槽51.温水槽52.純水槽53.IPA槽5
4.55.56.フレオン又はIPA蒸気槽34を経て
洗浄乾燥した基板を、シラン処理槽21にてシラン処理
を行い、フレオン蒸気浴槽34で洗浄と乾燥を行う。こ
の工程ではシラン処理槽にIPAが混入しないため、シ
ラン処理液の劣化が無く好ましい方法であるが、処理工
程が長くなる欠点がある。
の構成図を示す。図において一連の超音波洗浄処理、即
ち、洗浄槽51.温水槽52.純水槽53.IPA槽5
4.55.56.フレオン又はIPA蒸気槽34を経て
洗浄乾燥した基板を、シラン処理槽21にてシラン処理
を行い、フレオン蒸気浴槽34で洗浄と乾燥を行う。こ
の工程ではシラン処理槽にIPAが混入しないため、シ
ラン処理液の劣化が無く好ましい方法であるが、処理工
程が長くなる欠点がある。
更に他の実施例としては、第4図に示すように研磨した
基板を洗浄槽51で研摩剤を洗い落とし、次に温水槽5
2で洗剤を洗い流し、さらに純水槽53で洗浄する。そ
してIPA槽54,55で水置換を行い、次のキシレン
槽58でIPAをキシレンと置換した後、シラン処理槽
21で基板表面のシラン処理を行い、フレオン蒸気槽3
4で洗浄と乾燥を行う。この工程を用いればIPAによ
ってシラン処理槽21内のシラン処理液を汚染すること
がない。
基板を洗浄槽51で研摩剤を洗い落とし、次に温水槽5
2で洗剤を洗い流し、さらに純水槽53で洗浄する。そ
してIPA槽54,55で水置換を行い、次のキシレン
槽58でIPAをキシレンと置換した後、シラン処理槽
21で基板表面のシラン処理を行い、フレオン蒸気槽3
4で洗浄と乾燥を行う。この工程を用いればIPAによ
ってシラン処理槽21内のシラン処理液を汚染すること
がない。
さらに他の実施例としては、第5図に示すように表面を
研磨した基板を洗剤槽51で洗剤を用いて基板に付着し
ている研磨剤等の汚れを除却し、次に温水槽52で洗剤
をすすぎ洗いを行い、次に室温の純水槽53で洗浄する
。そして次にIPA槽4.5で水置換を行った後、シラ
ン処理槽9にて表面処理を行い、フレオン蒸気槽7で洗
浄と乾燥行う。この方法はシラン処理槽にIPAが混入
しシラン処理液を劣化させる欠点はあるが、洗浄とシラ
ン処理が同時に行え簡便である。
研磨した基板を洗剤槽51で洗剤を用いて基板に付着し
ている研磨剤等の汚れを除却し、次に温水槽52で洗剤
をすすぎ洗いを行い、次に室温の純水槽53で洗浄する
。そして次にIPA槽4.5で水置換を行った後、シラ
ン処理槽9にて表面処理を行い、フレオン蒸気槽7で洗
浄と乾燥行う。この方法はシラン処理槽にIPAが混入
しシラン処理液を劣化させる欠点はあるが、洗浄とシラ
ン処理が同時に行え簡便である。
以上本発明の方法で表面処理を行うことによって、極め
て清浄な処理面が得られる。またホトレジストの接着強
度も充分なものが得られる。さらに本発明の処理を行う
ことによって、基板表面が疎水性となるため、大気中の
水分による基板表面の変質、劣化を低減することができ
、経時変化の少ない良好な表面を維持することができる
。
て清浄な処理面が得られる。またホトレジストの接着強
度も充分なものが得られる。さらに本発明の処理を行う
ことによって、基板表面が疎水性となるため、大気中の
水分による基板表面の変質、劣化を低減することができ
、経時変化の少ない良好な表面を維持することができる
。
第1図、第2図は本発明によるシラン処理を実施するた
めのシラン処理槽、蒸気浴槽の詳細な説明図、第3図、
第4図、第5図は他の実施例を示す概略構成図、第6図
、第7図は従来方法によるシラン処理を説明する処理装
置の説明図である。
めのシラン処理槽、蒸気浴槽の詳細な説明図、第3図、
第4図、第5図は他の実施例を示す概略構成図、第6図
、第7図は従来方法によるシラン処理を説明する処理装
置の説明図である。
Claims (6)
- (1)シランカップリング剤を含有する溶液に浸漬し、
浸漬後基板の表面が乾燥する前にフレオンまたはイソプ
ロピルアルコールの蒸気浴によって、基板の表面処理を
行うことを特徴とする基板の表面処理方法。 - (2)前記基板がシリコンウェハーであることを特徴と
する請求項(1)記載の基板の表面処理方法。 - (3)前記基板がガラス盤であることを特徴とする請求
項(1)記載の基板の表面処理方法。 - (4)前記溶液の溶剤がキシレンであることを特徴とす
る請求項(1)記載の基板の表面処理方法。 - (5)前記溶液の溶剤がセロソルブアセテートであるこ
とを特徴とする請求項(1)記載の基板の表面処理方法
。 - (6)前記溶液の溶剤がイソプロピルアルコールである
ことを特徴とする請求項(1)記載の基板の表面処理方
法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP23121988A JPH0279044A (ja) | 1988-09-14 | 1988-09-14 | 基板の表面処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP23121988A JPH0279044A (ja) | 1988-09-14 | 1988-09-14 | 基板の表面処理方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0279044A true JPH0279044A (ja) | 1990-03-19 |
Family
ID=16920189
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP23121988A Pending JPH0279044A (ja) | 1988-09-14 | 1988-09-14 | 基板の表面処理方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0279044A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007155913A (ja) * | 2005-12-01 | 2007-06-21 | Omron Corp | 光通信用ガラス部材の接合方法 |
JP2008035141A (ja) * | 2006-07-28 | 2008-02-14 | Kyocera Kinseki Corp | 圧電発振器 |
US7719742B2 (en) | 2005-03-07 | 2010-05-18 | Samsung Electronics Co., Ltd. | MEMS device package and method of manufacturing the same |
JP2011063760A (ja) * | 2009-09-18 | 2011-03-31 | Seiko Epson Corp | 基板接合方法 |
CN104810252A (zh) * | 2014-01-24 | 2015-07-29 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 底部抗反射涂层的涂布方法 |
-
1988
- 1988-09-14 JP JP23121988A patent/JPH0279044A/ja active Pending
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7719742B2 (en) | 2005-03-07 | 2010-05-18 | Samsung Electronics Co., Ltd. | MEMS device package and method of manufacturing the same |
JP2007155913A (ja) * | 2005-12-01 | 2007-06-21 | Omron Corp | 光通信用ガラス部材の接合方法 |
JP2008035141A (ja) * | 2006-07-28 | 2008-02-14 | Kyocera Kinseki Corp | 圧電発振器 |
JP2011063760A (ja) * | 2009-09-18 | 2011-03-31 | Seiko Epson Corp | 基板接合方法 |
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