JP2000156361A - 半導体ウェハの洗浄方法 - Google Patents
半導体ウェハの洗浄方法Info
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- JP2000156361A JP2000156361A JP10330404A JP33040498A JP2000156361A JP 2000156361 A JP2000156361 A JP 2000156361A JP 10330404 A JP10330404 A JP 10330404A JP 33040498 A JP33040498 A JP 33040498A JP 2000156361 A JP2000156361 A JP 2000156361A
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Abstract
(57)【要約】
【構成】 半導体ウェハ１０の表面に純水２４をスピン
コートによってむらなく塗布し、高圧力を付与すること
によって純水２４を活性化させる。すると、ホール１２
内の空気が純水２４中に積極的に溶け込むようになり、
その結果、ホール１２の奥部にまで純水２４が注入さ
れ、そこに付着したパーティクルが溶融されて除去され
る。 【効果】 高アスペクト比のホール１２の内部を簡単な
工程で十分に洗浄できる。したがって、作業性を向上で
きる。
コートによってむらなく塗布し、高圧力を付与すること
によって純水２４を活性化させる。すると、ホール１２
内の空気が純水２４中に積極的に溶け込むようになり、
その結果、ホール１２の奥部にまで純水２４が注入さ
れ、そこに付着したパーティクルが溶融されて除去され
る。 【効果】 高アスペクト比のホール１２の内部を簡単な
工程で十分に洗浄できる。したがって、作業性を向上で
きる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は半導体ウェハの洗浄方
法に関し、特にたとえば高アスペクト比のホールを有す
る半導体ウェハの洗浄方法に関する。
法に関し、特にたとえば高アスペクト比のホールを有す
る半導体ウェハの洗浄方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】この種の半導体ウェハの洗浄方法の一例
が特開平３−９４４２８号〔Ｈ０１Ｌ２１／３０４〕に
開示されている。この従来技術は、半導体ウェハが浸漬
された洗浄液中に気泡を発生させ、この気泡の移動に伴
う対流を利用して半導体ウェハを洗浄するようにしたも
のである。
が特開平３−９４４２８号〔Ｈ０１Ｌ２１／３０４〕に
開示されている。この従来技術は、半導体ウェハが浸漬
された洗浄液中に気泡を発生させ、この気泡の移動に伴
う対流を利用して半導体ウェハを洗浄するようにしたも
のである。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来技術では、洗浄液
中に気体または媒溶液を溶かし込む工程や、気泡を発生
させるために洗浄槽内を減圧する工程を必要とするた
め、工程が煩雑であり、作業性が悪いという問題点があ
った。それゆえに、この発明の主たる目的は、作業性を
向上できる、半導体ウェハの洗浄方法を提供することで
ある。
中に気体または媒溶液を溶かし込む工程や、気泡を発生
させるために洗浄槽内を減圧する工程を必要とするた
め、工程が煩雑であり、作業性が悪いという問題点があ
った。それゆえに、この発明の主たる目的は、作業性を
向上できる、半導体ウェハの洗浄方法を提供することで
ある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】第１の発明は、高アスペ
クト比のホールを有する半導体ウェハの洗浄方法におい
て、半導体ウェハの表面にホールを覆うようにして純水
をスピンコートする工程、チャンバ内において純水に高
圧力を付与する工程、および半導体ウェハの表面に付着
した純水を除去する工程を備えることを特徴とする、半
導体ウェハの洗浄方法である。
クト比のホールを有する半導体ウェハの洗浄方法におい
て、半導体ウェハの表面にホールを覆うようにして純水
をスピンコートする工程、チャンバ内において純水に高
圧力を付与する工程、および半導体ウェハの表面に付着
した純水を除去する工程を備えることを特徴とする、半
導体ウェハの洗浄方法である。
【０００５】第２の発明は、高アスペクト比のホールを
有する半導体ウェハの洗浄方法において、半導体ウェハ
を純水中に浸漬する工程、純水に高圧力を付与するとと
もに超音波を付与する工程、および半導体ウェハに付着
した純水を除去する工程を備えることを特徴とする、半
導体ウェハの洗浄方法である。
有する半導体ウェハの洗浄方法において、半導体ウェハ
を純水中に浸漬する工程、純水に高圧力を付与するとと
もに超音波を付与する工程、および半導体ウェハに付着
した純水を除去する工程を備えることを特徴とする、半
導体ウェハの洗浄方法である。
【０００６】
【作用】第１の発明では、スピンコートによって半導体
ウェハの表面に純水をむらなく塗布し、高圧力を付与す
ることによって純水を活性化させる。すると、ホール内
の空気が純水中に積極的に溶け込むようになる。その結
果、ホールの奥部にまで純水が注入され、そこに付着し
たパーティクルが溶融されて除去される。
ウェハの表面に純水をむらなく塗布し、高圧力を付与す
ることによって純水を活性化させる。すると、ホール内
の空気が純水中に積極的に溶け込むようになる。その結
果、ホールの奥部にまで純水が注入され、そこに付着し
たパーティクルが溶融されて除去される。
【０００７】第２の発明では、半導体ウェハを純水中に
浸漬し、高圧力を付与するとともに超音波を付与するこ
とによって、純水を活性化させる。
浸漬し、高圧力を付与するとともに超音波を付与するこ
とによって、純水を活性化させる。
【０００８】
【発明の効果】この発明によれば、従来のような気体ま
たは媒溶液を加える工程や気泡を発生させるために洗浄
槽内を減圧する工程は不要であり、ホールの奥部を簡単
に洗浄できる。この発明の上述の目的，その他の目的，
特徴および利点は、図面を参照して行う以下の実施例の
詳細な説明から一層明らかとなろう。
たは媒溶液を加える工程や気泡を発生させるために洗浄
槽内を減圧する工程は不要であり、ホールの奥部を簡単
に洗浄できる。この発明の上述の目的，その他の目的，
特徴および利点は、図面を参照して行う以下の実施例の
詳細な説明から一層明らかとなろう。
【０００９】
【実施例】図１に示すこの実施例の半導体ウェハの洗浄
方法は、ＬＳＩまたはＶＬＳＩ等のような半導体装置の
製造工程において、図２に示すような半導体ウェハ１０
を洗浄するためのものである。半導体ウェハ１０は、シ
リコン基板の上に積層された絶縁層および配線層等を含
み、半導体ウェハ１０の表面には、図２（Ｂ）に示すよ
うに、高アスペクト比のホール１２が形成されている。
そのため、この実施例の洗浄方法では、ホール１２の奥
部に付着したパーティクル（異物）１４を効率よく除去
することを主たる目的とする。以下には、図１に従っ
て、この実施例の洗浄方法を説明する。
方法は、ＬＳＩまたはＶＬＳＩ等のような半導体装置の
製造工程において、図２に示すような半導体ウェハ１０
を洗浄するためのものである。半導体ウェハ１０は、シ
リコン基板の上に積層された絶縁層および配線層等を含
み、半導体ウェハ１０の表面には、図２（Ｂ）に示すよ
うに、高アスペクト比のホール１２が形成されている。
そのため、この実施例の洗浄方法では、ホール１２の奥
部に付着したパーティクル（異物）１４を効率よく除去
することを主たる目的とする。以下には、図１に従っ
て、この実施例の洗浄方法を説明する。
【００１０】この実施例の洗浄方法では、図１（Ａ）に
示すようなスピン塗布装置１６と、図１（Ｂ）および
（Ｃ）に示すような洗浄装置１８とが用いられる。スピ
ン塗布装置１６は、半導体ウェハ１０を支持するターン
テーブル２０およびこれを回転するためのモータ２２を
含み、ターンテーブル２０の上方には、半導体ウェハ１
０の表面に純水２４を滴下するためのノズル２６が配置
される。一方、洗浄装置１８は、密封されたチャンバ２
８を含み、チャンバ２８にはガスを供給するための供給
口３０および排出するための排出口３２が形成され、供
給口３０には供給管３４が接続され、排出口３２には排
出管３６が接続される。そして、供給管３４には加圧装
置３８が設けられ、排出管３６には減圧装置４０が設け
られる。
示すようなスピン塗布装置１６と、図１（Ｂ）および
（Ｃ）に示すような洗浄装置１８とが用いられる。スピ
ン塗布装置１６は、半導体ウェハ１０を支持するターン
テーブル２０およびこれを回転するためのモータ２２を
含み、ターンテーブル２０の上方には、半導体ウェハ１
０の表面に純水２４を滴下するためのノズル２６が配置
される。一方、洗浄装置１８は、密封されたチャンバ２
８を含み、チャンバ２８にはガスを供給するための供給
口３０および排出するための排出口３２が形成され、供
給口３０には供給管３４が接続され、排出口３２には排
出管３６が接続される。そして、供給管３４には加圧装
置３８が設けられ、排出管３６には減圧装置４０が設け
られる。
【００１１】スピン塗布装置１６および洗浄装置１８を
用いて半導体ウェハ１０を洗浄する際には、まず、図１
（Ａ）に示すように、スピン塗布装置１６のターンテー
ブル２０上に半導体ウェハ１０をホール１２が形成され
た面が上になるようにして載置する。そして、モータ２
２を駆動してターンテーブル２０を所定の回転数で回転
させるとともにノズル２６から純水２４を滴下させる。
このスピン塗布工程（図１（Ａ））では、主として半導
体ウェハ１０の上面に付着したパーティクル１４が除去
され、かつ、次工程の準備として、半導体ウェハ１０の
表面全体に純水２４が満遍なく塗布される。なお、モー
タ２２の回転数，純水２４の滴下量，ノズル２６と半導
体ウェハ１０との距離および洗浄時間等は、半導体ウェ
ハ１０に作り込まれた素子が破壊されないように配慮し
て設定され、たとえば、モータ２２の回転数１０００rp
m 、純水２４の滴下量１０cc、ノズル２６と半導体ウェ
ハ１０との距離１０mm、洗浄時間１min 程度に設定され
る。
用いて半導体ウェハ１０を洗浄する際には、まず、図１
（Ａ）に示すように、スピン塗布装置１６のターンテー
ブル２０上に半導体ウェハ１０をホール１２が形成され
た面が上になるようにして載置する。そして、モータ２
２を駆動してターンテーブル２０を所定の回転数で回転
させるとともにノズル２６から純水２４を滴下させる。
このスピン塗布工程（図１（Ａ））では、主として半導
体ウェハ１０の上面に付着したパーティクル１４が除去
され、かつ、次工程の準備として、半導体ウェハ１０の
表面全体に純水２４が満遍なく塗布される。なお、モー
タ２２の回転数，純水２４の滴下量，ノズル２６と半導
体ウェハ１０との距離および洗浄時間等は、半導体ウェ
ハ１０に作り込まれた素子が破壊されないように配慮し
て設定され、たとえば、モータ２２の回転数１０００rp
m 、純水２４の滴下量１０cc、ノズル２６と半導体ウェ
ハ１０との距離１０mm、洗浄時間１min 程度に設定され
る。
【００１２】続く図１（Ｂ）に示す工程では、純水２４
が塗布された半導体ウェハ１０をチャンバ２８内に収容
し、開閉部を完全に封止する。そして、加圧装置３８に
よってチャンバ２８内にガス（Ａｒ等）を供給して内部
圧力を上昇させる。すると、半導体ウェハ１０の表面に
塗布された純水２４が活性化され、この純水２４がホー
ル１２の内部に溜まった空気を積極的に溶かし込む。そ
の結果として、純水２４がホール１２の奥部にまで入り
込み、ホール１２の奥部に付着したパーティクル１４が
溶融されて除去される。なお、この工程におけるチャン
バ２８内の圧力は、純水２４の表面張力に打ち勝つ程度
の大きさであることが望ましく、具体的には、１０atm
程度に設定される。また、加圧時間は１min 程度、加圧
温度は室温程度に設定される。
が塗布された半導体ウェハ１０をチャンバ２８内に収容
し、開閉部を完全に封止する。そして、加圧装置３８に
よってチャンバ２８内にガス（Ａｒ等）を供給して内部
圧力を上昇させる。すると、半導体ウェハ１０の表面に
塗布された純水２４が活性化され、この純水２４がホー
ル１２の内部に溜まった空気を積極的に溶かし込む。そ
の結果として、純水２４がホール１２の奥部にまで入り
込み、ホール１２の奥部に付着したパーティクル１４が
溶融されて除去される。なお、この工程におけるチャン
バ２８内の圧力は、純水２４の表面張力に打ち勝つ程度
の大きさであることが望ましく、具体的には、１０atm
程度に設定される。また、加圧時間は１min 程度、加圧
温度は室温程度に設定される。
【００１３】次の図１（Ｃ）に示す工程では、減圧装置
４０によってチャンバ２８内を減圧（５０torr程度）
し、半導体ウェハ１０の表面に付着した純水２４を蒸発
させて除去する。そして、純水２４を完全に除去するの
に十分な時間が経過した後、チャンバ２８から半導体ウ
ェハ１０を取り出す。この実施例によれば、スピン塗布
工程と加圧洗浄工程とによって、半導体ウェハ１０の表
面（ホール１２の内面を含む。）に付着したパーティク
ル１４を簡単に除去できる。また、スピン塗布工程にお
いては、半導体ウェハ１０の表面に純水２４を満遍なく
塗布することができ、塗布むらが生じないので、半導体
ウェハ１０の全面を均質に洗浄できる。
４０によってチャンバ２８内を減圧（５０torr程度）
し、半導体ウェハ１０の表面に付着した純水２４を蒸発
させて除去する。そして、純水２４を完全に除去するの
に十分な時間が経過した後、チャンバ２８から半導体ウ
ェハ１０を取り出す。この実施例によれば、スピン塗布
工程と加圧洗浄工程とによって、半導体ウェハ１０の表
面（ホール１２の内面を含む。）に付着したパーティク
ル１４を簡単に除去できる。また、スピン塗布工程にお
いては、半導体ウェハ１０の表面に純水２４を満遍なく
塗布することができ、塗布むらが生じないので、半導体
ウェハ１０の全面を均質に洗浄できる。
【００１４】図３に示す他の実施例の半導体ウェハの洗
浄方法では、図３（Ａ）に示すような洗浄装置４２と、
図３（Ｂ）に示すような乾燥装置４４とが用いられる。
洗浄装置４２は、密封されたチャンバ４６を含み、チャ
ンバ４６の上部にはガスを供給するための供給口４８が
形成され、供給口４８には供給管５０が接続され、供給
管５０には加圧装置５２が設けられる。また、チャンバ
４６の底部には超音波発生装置５４が設けられる。一
方、乾燥装置４４は、密封されたチャンバ５６を含み、
チャンバ５６にはガスを排出するための排気口５８が形
成される。そして、排気口５８には排気管６０が接続さ
れ、排気管６０には減圧装置６２が設けられる。
浄方法では、図３（Ａ）に示すような洗浄装置４２と、
図３（Ｂ）に示すような乾燥装置４４とが用いられる。
洗浄装置４２は、密封されたチャンバ４６を含み、チャ
ンバ４６の上部にはガスを供給するための供給口４８が
形成され、供給口４８には供給管５０が接続され、供給
管５０には加圧装置５２が設けられる。また、チャンバ
４６の底部には超音波発生装置５４が設けられる。一
方、乾燥装置４４は、密封されたチャンバ５６を含み、
チャンバ５６にはガスを排出するための排気口５８が形
成される。そして、排気口５８には排気管６０が接続さ
れ、排気管６０には減圧装置６２が設けられる。
【００１５】洗浄装置４２および乾燥装置４４を用いて
半導体ウェハ１０を洗浄する際には、まず、図３（Ａ）
に示すように、洗浄装置４２のチャンバ４６内に純水２
４を満たし、この純水２４に半導体ウェハ１０を浸漬す
る。そして、開閉部分を完全に封止した後、加圧装置５
２によってチャンバ４６内にガス（Ａｒ等）を供給し、
チャンバ４６の内部圧力を上昇させる。また、超音波発
生装置５４を駆動してチャンバ４６内の純水２４に振動
を与える。すると、半導体ウェハ１０の表面にある純水
２４が活性化され、この純水２４がホール１２の内部に
溜まった空気を積極的に溶かし込む。その結果として、
純水２４がホール１２の奥部にまで入り込み、ホール１
２の奥部に付着したパーティクル１４が溶融されて除去
される。なお、この工程におけるチャンバ４６内の圧力
は、純水２４の表面張力に打ち勝つ程度の大きさである
ことが望ましく、具体的には、１０atm 程度に設定され
る。また、加圧時間は１min 程度、加圧温度は室温程度
に設定される。
半導体ウェハ１０を洗浄する際には、まず、図３（Ａ）
に示すように、洗浄装置４２のチャンバ４６内に純水２
４を満たし、この純水２４に半導体ウェハ１０を浸漬す
る。そして、開閉部分を完全に封止した後、加圧装置５
２によってチャンバ４６内にガス（Ａｒ等）を供給し、
チャンバ４６の内部圧力を上昇させる。また、超音波発
生装置５４を駆動してチャンバ４６内の純水２４に振動
を与える。すると、半導体ウェハ１０の表面にある純水
２４が活性化され、この純水２４がホール１２の内部に
溜まった空気を積極的に溶かし込む。その結果として、
純水２４がホール１２の奥部にまで入り込み、ホール１
２の奥部に付着したパーティクル１４が溶融されて除去
される。なお、この工程におけるチャンバ４６内の圧力
は、純水２４の表面張力に打ち勝つ程度の大きさである
ことが望ましく、具体的には、１０atm 程度に設定され
る。また、加圧時間は１min 程度、加圧温度は室温程度
に設定される。
【００１６】洗浄装置４２によって半導体ウェハ１０を
洗浄した後は、図３（Ｂ）に示す工程において、半導体
ウェハ１０に付着した純水２４を除去する。すなわち、
チャンバ５６内に純水２４が付着した半導体ウェハ１０
を収容し、減圧装置６２によってチャンバ５６内を減圧
（５０torr程度）し、それによって、半導体ウェハ１０
に付着した純水２４を蒸発させて除去する。
洗浄した後は、図３（Ｂ）に示す工程において、半導体
ウェハ１０に付着した純水２４を除去する。すなわち、
チャンバ５６内に純水２４が付着した半導体ウェハ１０
を収容し、減圧装置６２によってチャンバ５６内を減圧
（５０torr程度）し、それによって、半導体ウェハ１０
に付着した純水２４を蒸発させて除去する。
【００１７】この実施例によれば、洗浄工程と乾燥工程
とによって、半導体ウェハ１０の表面（ホール１２の内
面を含む。）に付着したパーティクル１４を簡単に除去
できる。また、半導体ウェハ１０の全体をチャンバ４６
に満たされた純水２４に浸漬するようにしているので、
複数の半導体ウェハ１０を同時に洗浄することができ
る。
とによって、半導体ウェハ１０の表面（ホール１２の内
面を含む。）に付着したパーティクル１４を簡単に除去
できる。また、半導体ウェハ１０の全体をチャンバ４６
に満たされた純水２４に浸漬するようにしているので、
複数の半導体ウェハ１０を同時に洗浄することができ
る。
【００１８】なお、上述のそれぞれの実施例では、チャ
ンバ２８または５６の内部を減圧することによって半導
体ウェハ１０に付着した純水２４を除去するようにして
いるが、これに代えて、またはこれと併せて、チャンバ
２８または５６の内部をヒータで加熱してもよい。
ンバ２８または５６の内部を減圧することによって半導
体ウェハ１０に付着した純水２４を除去するようにして
いるが、これに代えて、またはこれと併せて、チャンバ
２８または５６の内部をヒータで加熱してもよい。
【図１】この発明の一実施例を示す工程図である。
【図２】半導体ウェハを示す図解図である。
【図３】他の実施例を示す工程図である。
【符号の説明】 １０ …半導体ウェハ １２ …ホール １４ …パーティクル １６ …スピンコート装置 １８，４２ …洗浄装置 ２０ …ターンテーブル ２４ …純水 ２６ …ノズル ２８，４６，５６ …チャンバ ４４ …乾燥装置 ５４ …超音波発生装置
Claims (5)
- 【請求項１】高アスペクト比のホールを有する半導体ウ
ェハの洗浄方法において、 前記半導体ウェハの表面に前記ホールを覆うようにして
純水をスピンコートする工程、 チャンバ内において前記純水に高圧力を付与する工程、
および前記半導体ウェハの表面に付着した前記純水を除
去する工程を備えることを特徴とする、半導体ウェハの
洗浄方法。 - 【請求項２】高アスペクト比のホールを有する半導体ウ
ェハの洗浄方法において、 前記半導体ウェハを純水中に浸漬する工程、 前記純水に高圧力を付与するとともに超音波を付与する
工程、および前記半導体ウェハに付着した前記純水を除
去する工程を備えることを特徴とする、半導体ウェハの
洗浄方法。 - 【請求項３】前記純水を除去する工程は減圧する工程を
含む、請求項１または２記載の半導体ウェハの洗浄方
法。 - 【請求項４】前記純水を除去する工程は加熱する工程を
含む、請求項１または２記載の半導体ウェハの洗浄方
法。 - 【請求項５】前記高圧力は前記純水の表面張力に打ち勝
つ圧力である、請求項１ないし４のいずれかに記載の半
導体ウェハの洗浄方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10330404A JP2000156361A (ja) | 1998-11-20 | 1998-11-20 | 半導体ウェハの洗浄方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10330404A JP2000156361A (ja) | 1998-11-20 | 1998-11-20 | 半導体ウェハの洗浄方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000156361A true JP2000156361A (ja) | 2000-06-06 |
Family
ID=18232233
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10330404A Withdrawn JP2000156361A (ja) | 1998-11-20 | 1998-11-20 | 半導体ウェハの洗浄方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000156361A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100501782B1 (ko) * | 2000-02-25 | 2005-07-18 | 엔이씨 엘씨디 테크놀로지스, 엘티디. | 코팅막 제거장치 |
| KR101430691B1 (ko) * | 2012-06-22 | 2014-08-18 | 에스브이에스 주식회사 | 반도체 비아홀의 기포제거장치 및 방법 |
| KR101520048B1 (ko) * | 2012-06-28 | 2015-05-13 | 에스브이에스 주식회사 | 반도체 웨이퍼 제조장치 |
-
1998
- 1998-11-20 JP JP10330404A patent/JP2000156361A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100501782B1 (ko) * | 2000-02-25 | 2005-07-18 | 엔이씨 엘씨디 테크놀로지스, 엘티디. | 코팅막 제거장치 |
| KR101430691B1 (ko) * | 2012-06-22 | 2014-08-18 | 에스브이에스 주식회사 | 반도체 비아홀의 기포제거장치 및 방법 |
| KR101520048B1 (ko) * | 2012-06-28 | 2015-05-13 | 에스브이에스 주식회사 | 반도체 웨이퍼 제조장치 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20060207 |