JPH0278936A - 表面検査装置 - Google Patents

表面検査装置

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JPH0278936A
JPH0278936A JP23137288A JP23137288A JPH0278936A JP H0278936 A JPH0278936 A JP H0278936A JP 23137288 A JP23137288 A JP 23137288A JP 23137288 A JP23137288 A JP 23137288A JP H0278936 A JPH0278936 A JP H0278936A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 「産業上の利用分野」 本発明は、物体表面の做少な塵等を、光錯乱によって検
出する表面検査装置にf系わり、特に、半導体製造にお
けるウェーハ表面の塵、欠陥等を、定量的に検出するた
めの検査装置に好適であり、検出ダイナミックレンジ福
の広い表面検査装置に関するものである。
「従来の技術」 近年、半導体デバイスの高集積化に伴い、回路パターン
幅はますます@辛田化され、サブミクロン時代を迎えて
いる9この様な半導体製造プロセスでは、プロセス中に
発生する塵が製品の分留りを低下させる要因となってい
た。そこで、ウェーハ表面上に付着した塵を検出して、
プロセスラインの塵管理を行っていた。この鏡面ウェー
ハ上に付着している塵等を検出する方法には、ウェーへ
上の聾に光を照射し、その散乱光を検出することにより
、塵の大きさ、数、位置等を定量的に検出する方法が採
用されている。この散乱光による聾検出装置には、第5
図に示す様に、レーザ光をウェーハ100上で走査し、
塵等による散乱光を光電子増倍管200で受光する探に
構成されている9なお、鴎の形成はイ;規則形天て′あ
るため、散乱光があI′)ゆる方向に出力されるので、
オアティカルフフイベや方1kIJ而鏡或はrへ分球を
介して集光する方法が採用されている、これらの装置は
、比較的大きな爬(φ0.2μ口1程度)に対して十分
な検出性能を備え、非線形回路を利用する等により、t
*出部のダイナミックレンジ幅を10程度f!:実現し
ていた。
r発明が解決しようとする5題」 しかしながら、最近の半導体製造技街の向上から、半導
体のNターン幅が益々侠くなる傾向にあり、土竜の歩留
まりを向上させるために、更に做少な塵の検出が必要に
なってきた、このため、φ0.1〜l/1m程度の昨を
検出するには、第6図に示す探に、l(〕5程度の検出
ダイナミ・Iクレソンが必要となる ところが、検出ダ
イナミ・ツクレンジを広域にするために、検出感度を高
くすると、比較的大きい塵等による出力信号が飽和して
しまうという問題点があった。そして、大きい塵等に合
わせて感度を決定すると、倣少な塵等による検出信号は
ノイズ成分により消されてしまうという問題点があった
。この問題点を解決するために、例えば光源に81日光
とP旧光の2本のレーザ発振装置を用意し、更に、散乱
光の検出にビーム分光器と2個の検出素子を用いて計測
する装置が提案された。即ち、小さい塵等に対しては5
llii光の散乱光を使用し、大きい塵等に対してはP
AN光の散乱光を使用して検出する方法が用いるもので
ある。
しかしながら、この装置は、光学系が極めて複雑となる
上、2本のレーザビームを1点に合わせることが極めて
困難であるという問題があり、実用性に乏しいものであ
った、また、構造が複雑であるため、メインテナンスが
容易に行えず、コストの高い装置となるという問題点が
あった。
「課題を解決するための手段」 本発明は上記課題に鑑み案出されたもので、光源と、こ
の光源からの光を集光させて被検査物に照射するための
照射光学系と、該照射光学系から照射された照射光によ
り、上記被検査物から生じる散乱光を検出するための検
出光学系と、該検出光学系で検出した光を授受するため
の検出感度の異なる少なくとも2以上の受光素子と、上
記2以上の受光素子の出力から上記被検査物上の直、欠
陥等を判別するための判別手段とから構成されている、
特に、上記検出光学系は、少なくとも複数の光ファイバ
を備えており、この光ファイバは受光素子の数に分離さ
れており、上記受光素子に対して光が導かれる構成にす
ることもできる。
「作用」 以上の様に構成された本発明は、照射光学系が、光源か
らの光を集光し、被検査物に対して照射させる。検出光
学系が、被検査物から生じた散乱光を検出し、検出感度
の異なる少なくとも2個の受光素子が、検出光学系で検
出した散乱光を受光する。そして判別手段が、受光素子
の出力から被検査物上の塵を判別することができる。特
に複数の光ファイバにより、散乱光を検出することもで
き。
光ファイバを受光素子の数に分離し、散乱光を、それぞ
れの受光素子に導くことができる。
「実施例」 本発明の一実施例を図面に基いて説明する。第1図は1
本実施例の構成を示すもので、表面検査装置本体1は、
レーザ光発生手段21と光ファイバ31と第1の受光素
子4と第2の受光素子5とからなっている。この表面検
査装置本体1には、   ゛被検査物であるウェーハl
Oが載置されている。
レーザ光発生手段21は光源に相当するものであり、本
実施例ではアルゴンイオンレーザが採用されている。光
ファイバ31は検出光学系3を形成するもので、ウェー
ハlO上の塵による散乱光を受光素子3.4に導くため
のものである。この光ファイバ31は、先端部が2つに
分離されており2個の受光素子に散乱光を導くことがで
きる。第1の受光素子4は、粒径の小さい塵に対応する
受光素子であり、検出感度の比較的高い受光素子が採用
されている。第2の受光素子5は、粒径の大きい塵に対
応する受光素子であり、検出感度の比較的低い受光素子
が採用されている。第1.2の受光素子4.5は光電子
増@IF()オトマル)を採用することができるが、池
の受光素子であってらよい、即ち、レーザ光を受光でき
るものであれば尾りる。この様に構成された本実施例は
、レーザ発生子V9.21により発生したレーザ光を、
つ工−ハ10に照射すると、ウェーハ10上で正反射光
が生しる。この際、ウェーハ10上に廐がけ着している
と、散乱光が発生する。この散乱光を光ファイバ31が
、第1,2の受光素子4.5に導く様になっている。そ
して第2図に示す様に、粒径が0.2ミクロン(μm)
程度までの小さい昨に対しては、第1の受光素子4が計
測し、粒径が0.2ミクロン(μm)程度以上の大きい
塵に対しては、第2の受光素子5が計測する探になって
いる9即ち、第1の受光素子4と第2の受光素子5との
R域を重ね合わせることにより、広域なダイナミックレ
ンジを確保することができる。
次に第3図に基いて、本実施例の光学系の概要を説明す
る。本実施例の光学系は、照射光学系2と検出−光学系
3とから構成されている。 照射光学系2は、レーザ光
発生手段(アルゴンイオンレーザ)21と、ビームエキ
スパンダ22と、第1のミラー231と第2のミラー2
32と、ポリゴンミラー24と、Fθレンズ25とから
なっている。レーザ光発生手段21は、高輝度の照射と
行うための光源であり、アルゴンイオンレーザのみなら
ず、He −N eレーザやレーザダイオード等を採用
することができる2レ一ザ光発生手段21で発生しなレ
ーザ光は、ビームエキスパンダ22で集光され、第1、
第2のミラー231,232を介してポリゴンミラー2
4に送られる、ポリゴンミラー24は、一定の速度で回
転しており、Fθレンズ25との組合せにより、被測定
ウェーへ10上でレーザ光を一定速度で走査することが
できる。この様に構成された本実施例では、約10ミク
ロン(μtn )程度のビームスポットを走査させるこ
とができる。
検出光学系3は、光ファイバ31とからなっており、入
射された散乱光を2つに分離する様に構成されている。
この光ファイバ31の分離端には、第1の受光素子4と
第2の受光素子5とが接続されている。
この第1の受光素子4は、第2図に示す様に、粒径が0
.2ミクロン(μm)以下の塵の測定用であり、第2の
受光素子5は、粒径が0.2ミクロン(μm)以上の聾
の測定用である。ダイナミックレンジ福を拡大するため
に、検出感度の異なる2個の受光素子を採用している9 次に第4図に基いて1本実施例の演算処理システムを説
明する。判別手段8は、第1、第2の受光素子4.5か
らの出力信号により、ウェーハ10上の塵を判別するた
めのものである。この判別手段8は、プリアンプ81と
、加算器82と、A、/’ [)コンバータ94と、コ
ンパレータ83と、バ・ソファメモリ84と、データ処
理回路85と、メインメモリ86と、CPU87とから
構成されている。プリアンプ81は、第1.2の受光素
子4.5(フォトマル)からの出力信号を電気信号に変
換するものであり、その信号は加算器82で加算される
。コンパレータ83は、受光素子からの信号と、CPU
87からの信号のレベル比較を行うためのものである。
バッファメモリ84は、データを記憶するためのもので
ある、そして、データ処理回路85は、第1.2の受光
素子4.5からの信号により、ウェーハ上の邸を認識す
るためのものである。データ処理に先立ち、AD変換を
行う必要がある9本実施例では、ウェーハ10が載置さ
れたターンテーブルを回転させながらビーム走査を行い
、散乱光を検出し、その信号の大きさをコンパレータ8
3により予め設定されたスレ・ソショルドレベルで比較
を行い、A/D変換し、位置データと共にCPU87に
送出する。なお、この際、粒径が0.2ミクロン(tt
 m )以下の塵に対しては、第1の受光素子4が使用
され、粒径が0.2ミクロン(μm)以上の塵に対して
は、第2の受光素子5が使用される様に構成されている
、そしてCPU87は、表面検査装置本体1の演算処理
をつかさどるものである、メインメモリ86は、多数の
測定データを格納する際に必要なメモリである。DAコ
ンバータ88は、コンパレータ83にスレッショルドレ
ベルを設定するためのCPU87の信号をアナログ信号
に変換するものである2この判別手段8には、プリンタ
8つ、FDD (フロ・・ノビディスクドライブ)90
、CRT91、キーボード92が接続されている。プリ
ンタ89は、検査結果を印刷するものであり1発塵を防
止するためにユポ紙等を使用することが望ましい9FD
D99は、検査結果を記憶するための物であるが、クリ
ーンルームの集中管理を行っている場合には、データを
直接ホストコンピュータに送信することが望ましい。こ
の際、データ通信プロトコルには、R3−232C,5
EC3を採用することができる。CRT91は、検査結
果や測定条f’l−等のモニタを行うためのもので、C
RTのみならず、液晶デイスプレィやプラズマデイスプ
レィと用いることができる。キーボード92は、測定モ
ード、ウェーハサイズ、工・ソジカット鼠等を入力する
ためのものである。
なお、照射光学系2の光源には、アルゴンイオンレーザ
21が採用されており、このアルゴンイオンレーザ21
には、レーザ電源211が接続されている。また、レー
ザビームスポットを走査させるために、ポリゴンミラー
24を回転させるためのモータドライバ26が設けられ
ている。更に、ウェーへlOを載置させるためのターン
テーブルを回転させるためのモータ71が設けられてお
り。
モータドライバ73で駆動させる様になっている9また
。ウェーハ10を搬送させるためにモータ72を増設し
てもよい。これらのモータドライバ26.73は、シー
ケンサ74を介してCPU87によって制御される。
次に、本実施例の使用法について、説明する9まず、被
検査物であるウェーハ10をターンテーブル上の載置す
る。そして、CRT91を見ながら、測定条件をキーボ
ード92から入力する。そして、アルゴンイオンレーザ
21を駆動させる。
そして、CPtJ87がモータドライバ26を駆動させ
、ポリゴンミラー24を回転させる、このポリゴンミラ
ー24とFθレンズ25の組合せにより、ビームスポッ
トをウェーハlO上で走査させることができる。ウェー
ハ10面で正反射した光は、外部に逃がされ、ウェーハ
10上の塵によって発生した散乱光は、光ファイバ31
によって第1の受光手段4と第2の受光手段5に送られ
る、CPU87がモータドライバ73を駆動させ、ウェ
ーハ10が載置されたターンテーブルを回転させる。光
ファイバ31によって集光された散乱光は、第1、第2
の受光素子(フォトマル)4,5で電気信号に変換され
る。この際、比較的粒径の小さい應に対して(本実施例
では0,2ミクロン以下)は、第1の受光素子4が使用
され、比較的粒径の大きい塵に対して(本実施例では0
.2ミクロン以上)は、第2の受光素子5が使用される
様になっており、両者の受光素子による領域を接続する
ことにより、ダイナミックレンジ幅の広い表面検査装置
を提供することができる。第1.2の受光素子4.5に
は、塵の大きさに対応した出力電圧信号が生じ、プリア
ンプ81、加算器82、コンパレータ83、A 、/ 
D変換器94を介してバッファメモリ84に記憶される
。そして、データ処理回路が塵を認識し、その大きさに
応じて識別記号を付するようになっている。更に、直の
位置も特定し、CPtJ87に送出する。この処理をリ
アルタイムに行い、データをメインメモリ86に記憶さ
せる。そして、メインメモリ86に記憶されたデータは
、極座漂データであるので、X−Y座環に変換し、CR
T91又はプリンタ89に出力する。なお、これらのデ
ータ処理は、ウェーハ10全体に行うが1周辺カット部
分を除いた領域の塵の数を、聾等の大きさに分類して計
数することもできる。なお、本実施例では、受光素子の
領域を2つに分離し、2IJの受光素子を採用したが、
3個以上の領域に分離し、3個以上の受光素子から構成
することもできる。
なお本実施例では、標準粒子による校正方法を採用して
いる9即ち、標準粒子を均一にけ着させたウェーハを用
意し、キャリブレーションを行うものである。粒子の散
乱による出力信号は、細いパルス波形となり、粒子の大
きさに対応した高さとなる、これらの波高値を用いてキ
ヤリブレーシヨンを行うことができる。
以上の様に構成された本実施例は、検出感度の異なる2
個の受光素子を採用し、検出頭域全本を分割して、それ
ぞれの受光素子が負担領域を検出し、各受光素子の出力
を合成するl1fflを有するので、測定のダイナミッ
クレンジ幅を広げることができるという効果がある。特
に、光源を2個使用する従来例の探に、光源の出力差、
照射方向の相違による影響がないという効果がある。更
に、非線形回路を使用する従来例に比較しても、ダイナ
ミックレンジ幅が広いという卓越した効果がある。
そして本発明は、ウェーへ10上の塵の検査装置だけで
なく、他の用途の検査装置に応用できることは言うまで
もない。
「効果」 以上の探に構成された本発明は、光源と、照射光学系と
、検出光学系と、該検出光学系で検出した光を授受する
ための検出感度の異なる少なくとも2以上の受光素子と
、上記2以上の受光素子の出力から上記被検査物上の塵
を判別するための判別手段とから構成されているので、
検出の全ダイナミックレンジ幅を分割し、それぞれの分
割領域を検出感度の異なる受光素子が測定し、それぞれ
の受光素子の出力信号を合成することができる。
従って、全体のダイナミックレンジ幅を広げることがで
きるという効果がある。特に、上記検出光学系は、少な
くとも複数の光ファイバを備えており、この光ファイバ
は受光素子の数に分離されており、上記受光素子に対し
て光が導かれる構成にすれば、部品点数が少なくメイン
テナンスの容易な表面検査装置を提供することができる
という効果がある。
【図面の簡単な説明】
図は本発明の一実施例を示すもので、第1図は本実施例
の構成を説明する図であり、第2図は粒子径と受光素子
の出力電圧の関係を示す図、第3図は本実施例の光学系
を説明する図、第4図は本実施例の構成を示すブロック
図、第5図は従来技術を示す図であり、第6図はダイナ
ミックレンジ幅を説明する図である9 1・・表面検査装置本体 2・・照射光学系 2トアルゴンイオンレーザ 24・・ポリゴンミラー 25・・Fθレンズ 3・・検出光学系 31・光ファイバ 4・・第1の受光素子 5・・第2の受光素子 8・・判別手段 特許出願人 東京光学機械株式会社 第1図 a+怪(赳m) 第2図 n + fl(、am)

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)光源と、この光源からの光を集光させて被検査物
    に照射するための照射光学系と、該照射光学系から照射
    された照射光により、上記被検査物から生じる散乱光を
    検出するための検出光学系と、該検出光学系で検出した
    光を授受するための検出感度の異なる少なくとも2以上
    の受光素子と、上記2以上の受光素子の出力から上記被
    検査物上の塵、欠陥等を判別するための判別手段とを有
    することを特徴とする表面検査装置。
  2. (2)上記検出光学系は、少なくとも複数の光ファイバ
    を備えており、この光ファイバは受光素子の数に分離さ
    れており、上記受光素子に対して光が導かれる構成を有
    する請求項1記載の表面検査装置。
JP63231372A 1988-09-14 1988-09-14 表面検査装置 Expired - Lifetime JP2821681B2 (ja)

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