JPH10213539A - 半導体デバイス製造装置におけるウェーハ近傍微粒子の検出装置 - Google Patents

半導体デバイス製造装置におけるウェーハ近傍微粒子の検出装置

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JPH10213539A
JPH10213539A JP9303565A JP30356597A JPH10213539A JP H10213539 A JPH10213539 A JP H10213539A JP 9303565 A JP9303565 A JP 9303565A JP 30356597 A JP30356597 A JP 30356597A JP H10213539 A JPH10213539 A JP H10213539A
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light
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particle
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JP9303565A
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Michael P Bonon
ピー．ボニン ミシェル
Donald J Holve
ジェイ．ホルヴ ドナルド
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Insitec Inc
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    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N15/00—Investigating characteristics of particles; Investigating permeability, pore-volume or surface-area of porous materials
    • G01N15/02—Investigating particle size or size distribution
    • G01N15/0205—Investigating particle size or size distribution by optical means

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Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【課題】半導体製造において、ウェーハ近傍における微
粒子の存在をレーザ光の散乱により確実に検出し、製造
装置の清浄化作業実施の時期の決定への情報とする。 【解決方法】半導体デバイス製造プロセス進行中にウェ
ーハ１０５のすぐ近傍の測定体積１１５をレーザビーム
１３０で走査する。この走査によって、上記進行中のプ
ロセスに支障を及ぼすことなく微粒子のリアルタイム計
数を行う。検出光はこのセンサの光検出部１５０へのア
クセスの利用可能性に応じて前方散乱光、側方散乱光ま
たは後方散乱光とすることができる。微粒子が走査され
る度ごとに散乱光強度がパルス状になる。走査速度は微
粒子の移動速度よりも大きいので、各微粒子は測定体積
中を浮遊する間に数回にわたって走査される。一つの微
粒子について生ずる一連のパルスを分析する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は微粒子センサに関
し、より詳しくいうと光による走査と散乱光の検出とを
利用した微粒子センサに関する。
【０００２】
【発明が解決しようとする課題】プラズマエッチング室
や蒸着室などの半導体製造装置の中の異物微粒子は半導
体ウェーハ表面に堆積して製造上の欠陥を誘発し製品の
良品率を低下させることがあり得る。したがって、これ
ら装置の中の異物微粒子を避けるために細心の注意が払
われている。にも拘わらず、一つのバッチの半導体デバ
イスを処理すると上記装置中に異物微粒子が生じ、それ
ら微粒子によって後続のバッチの半導体デバイスに欠陥
が誘発され得るので、それら装置の保守、すなわち清浄
化を定期的に行ってそれら異物微粒子を除去している。
欠陥品発生率が許容不可能な水準に達するのを防止する
ために必要なときだけ保守作業を行うことにすれば望ま
しい。保守作業が頻繁に必要である場合は、非稼働時間
が長くなり生産数量が低下する。
【０００３】保守作業の実施スケジュールは処理したバ
ッチ数に従って定め、同作業の実施間隔内の処理バッチ
数を固定し不良品発生率の許容最大値に対応させる。し
かし、この手法では、固定期間ごとの保守作業を清浄化
が必要となる前に実施する可能性があり、装置非稼働時
間が不必要に長くなる。また、保守作業の頻度が十分で
ないために不良品発生率が許容値を超えることもあり得
る。デバイス試験またはウェーハ表面検査で不良品発生
率の増加が検出されたときだけ保守作業を実施すること
もできる。しかし、その場合は、試験検査の結果が判明
する前に数バッチ分の高不良品率の製品が処理されてし
まう。上記装置のポンプ系における微粒子数が高くなっ
たときに保守作業を開始する手法もある。この手法の不
利な点はポンプ系の微粒子数とウェーハ表面での欠陥発
生率との間に相関がない場合もあり得ることである。そ
のために、保守作業の必要性の表示が不正確になる可能
性がある。
【０００４】改良された手法はプロセス進行中にウェー
ハ表面近傍の微粒子を検出する。この手法は反応室内部
の環境に対応可能で製造プロセスに悪影響を及ぼさない
微粒子センサを必要とする。この微粒子センサはウェー
ハのごく近傍で直径１マイクロメータ以下の微粒子を通
常プラズマの介在の下で検出する必要があり、ウェーハ
表面近傍の比較的大きい体積をサンプルしなければなら
ない。すなわち、ウェーハ表面全体にわたる異物微粒子
分布はプロセス進行中一様のままではなく、ウェーハ表
面近傍における異物微粒子分布は通常低いからである。
さらに、ユーザに使いやすくするために、センサは検出
微粒子の各々について粒度、速度、位置の情報を発生す
る必要がある。半導体製造中の異物微粒子原位置検出に
対するこれら要求すべてを満たす微粒子センサはこれま
でのところ市販されていない。
【０００５】
【課題を解決するための手段】この発明によると、プロ
セス進行中にウェーハのごく近傍の異物微粒子を検出す
る微粒子センサを提供できる。この微粒子センサはウェ
ーハのごく近傍の一定体積の空間をレーザビームで走査
し、そのビームが異物微粒子にあたって散乱した散乱光
を検出する。走査された空間と検出器実像との交線の形
成する測定体積の中の微粒子からの散乱光の一部の強度
をその検出器で計測する。次に、その強度を分析して、
光ビームのあたった微粒子の各々の物理的特徴を算定す
る。走査ビームを制御するとともに散乱光を検出する光
学系は迷光の抑止および阻止を最大にするように最適化
してある。この最適化は上記検出の出力信号の信号対雑
音比を許容可能な値にするために重要である。
【０００６】レーザビームの走査速度は上記測定体積の
中の微粒子の通常の速度に比べて高いので、通常の微粒
子は測定体積内にある間にいくつかの散乱光パルスを発
生させる。これら複数のパルスは単一パルス検出の場合
に比べて測定精度を高める。一つの微粒子からの一連の
散乱光パルスの分析によってその微粒子の直径、位置お
よび速度を算定できる。一つの微粒子についてのパルス
の各々の継続時間はその微粒子の動径座標を表す。走査
範囲の限界を基準としたそれらパルスのタイミングはそ
の微粒子の角座標を表す。これら動径情報および角度情
報を走査用反射鏡回転位置表示信号と組み合わせて上記
測定体積中の微粒子の位置を算定できる。走査平面と垂
直な軸の方向の微粒子速度は、一つの微粒子散乱事象を
構成するピーク値の集合から算定できる。これら散乱光
強度ピーク値は微粒子により散乱した走査ビームの（上
部、中間部および下部の）断面の強度に通常は比例す
る。したがって、強度ピーク値の変動が走査ビームの直
径を横切る方向の微粒子の動きと速度とを表す。走査平
面と垂直な方向の微粒子速度は散乱事象を構成する強度
ピーク値への最近似値から算定する。この最近似値は通
常は走査ビームの動径方向強度分布のガウス分布特性で
ある。ある分布に合致させると、個々の測定における光
雑音および電子雑音の影響を減らすことができる。
【０００７】一つの実施例では、微粒子センサに走査器
と検出器と信号処理装置とを備える。走査器は測定体積
を横切って光ビームで走査するものであり、ビームを発
生して反応室内の測定体積に導くレーザおよび走査用反
射鏡を備える。検出器は散乱光を集光し、測定体積から
特定方向に散乱した光の強度を表す信号を発生する。こ
の検出器は後方散乱光、側方散乱光、または前方散乱光
を検出するように配置する。
【０００８】所望の散乱光を背景光から分離するため
に、この検出器は測定体積からの光を光検出器開口経由
で集束する光学系を備える。測定体積の外部からの光は
この開口経由では鮮明には集束されず、所望の散乱光に
比べて強度が低い。走査ビームの光の波長を選択できる
帯域フィルタで所望信号に対する背景光信号のレベルを
さらに低下させる。走査ビームの非散乱光成分をビーム
ダンプで吸収して、走査ビーム光波長の背景光を高める
可能性のある迷光反射をさらに抑えることもできる。
【０００９】この粒子センサを半導体製造装置の一部と
して組み入れる際には多様な構成を採用することができ
る。例えば、一つ以上の検出器を反応室の互いに異なる
位置に取り付けて後方散乱光、側方散乱光または前方散
乱光を検出するように構成することができ、また反射鏡
やそれ以外の光学素子を用いて走査器近傍配置の検出器
で前方散乱光を検出するように走査ビームを反射させる
こともできる。
【００１０】検出器からの信号の濾波および分析により
検出微粒子の粒度、位置および速度を算定する。欠陥品
発生の原因となる異物微粒子の検出と測定によって、不
良品発生率を高精度でリアルタイムで算定でき、半導体
製造装置の保守管理の効率を高めることができる。微粒
子センサからの情報、とくに欠陥品発生の原因を成す微
粒子のウェーハに対する位置の情報は、ウェーハ上の欠
陥検出のための後続の表面走査の標的決定に使うことが
できる。したがって、この微粒子センサによって製造プ
ロセスの初期段階における欠陥検出を改善できる。
【００１１】添付図面を参照した次の詳細な説明によっ
て、この発明はより明確に理解されよう。
【００１２】
【発明の実施の形態】この発明の一つの実施例による
と、微粒子センサはレーザビームでそのビームがプロセ
ス進行中の半導体製造装置内のウェーハ表面のごく近傍
を通過するように測定体積を走査する。この走査によっ
て、光ビームは製造プロセスに影響を及ぼすことなくウ
ェーハ表面のすぐ上の幅１cm以上の比較的大きい測定体
積をサンプルする。検出器はその測定体積からの後方散
乱光、側方散乱光、または前方散乱光を集光してその測
定体積内にある微粒子を検出する。集光のための結合構
造は半導体製造装置で利用可能な光学的アクセスでほぼ
定まる。走査ビームの光波長での光の強度を表す検出器
出力信号を背景雑音除去のために分析し、直径約0.15マ
イクロメータまでの個々の微粒子を計数する。測定体積
中で検出されたそれら微粒子の粒度、位置および速度も
算定できる。
【００１３】図１は反応室１１０とこの発明の一実施例
による微粒子センサとを備える半導体製造装置１００を
示す。この微粒子センサは反応室１１０内のウェーハ１
０５の表面近傍の測定体積１１５をレーザビーム１３０
で走査する光送出器１２０と、測定体積１１５内の微粒
子で散乱した光を集光する検出器１５０とを備える。こ
の発明の一つの側面によると、レーザビーム１３０によ
る走査が測定体積１１５を検出微粒子の粒度に比べて大
きくしている。より詳細に述べると、測定体積１１５の
大きさは、ビーム１３０の振れの範囲、ビーム１３０の
直径および検出器１５０の開口の大きさで定まる。この
発明のもう一つの側面によると、微粒子の計数は半導体
製造プロセスに何ら影響を及ぼすことなくウェーハ１０
５の近傍について行われる。すなわち、光送出器１２０
および検出器１５０が反応容器１１０の外壁にウェーハ
から離して取り付けられているからである。
【００１４】光送出器１２０内ではレーザ１２６がレー
ザビーム１３０を発生し、そのビーム１３０を走査用反
射鏡１２２が反応室１１０に向ける。このレーザビーム
１３０、すなわち走査ビーム１３０の波長は反応室１１
０内に発生する背景光との混同を最小限に抑えるように
選んだ特有の波長である。上記背景光の発生源には、プ
ラズマ利用プロセスに用いるプラズマや高温度プロセス
で生ずる熱に起因する発光（黒体放射）などがある。実
施例の実例を挙げると、レーザ１２６は例えば約４８０
ｎｍ乃至６７０ｎｍの範囲の短波長の高出力レーザダイ
オードまたは波長４８８ｎｍの空冷アルゴンイオンレー
ザで構成する。レーザ１２６からの光は対象微粒子の粒
度に応じてコリメータで平行光線にするかレンズで集束
して用いることもできる。
【００１５】この実施例において、レーザ１２６からの
レーザビームは集束レンズ１２４にまず導かれる。レン
ズ１２４の焦点距離は走査ビームを測定体積１１５の中
心近傍に集束するように選んである。この実施例では、
レンズ１２４は、ニューポートオプティカル（Newport
Optical）社製ＫＰＸ０９４型レンズ、すなわち直径２
５．１ｍｍで波長４８８ｎｍの光に対する焦点距離１０
０ｍｍのＭｇＦ2被膜付き平面−凸面レンズで構成し
た。さらに高精度の集束が必要な場合は色消しレンズを
用いることもできる。
【００１６】反射鏡１２２の振れにより測定体積１１５
を走査ビーム１３で往復走査する。反射鏡１２２駆動用
の電子回路の動作パラメータにより走査用反射鏡１２２
の振れの範囲を制御し、それによって測定体積１１５の
一つの方向における操作を制御する。実施例では、反射
鏡１２２は振れ角度最大値±１５゜で振動周波数４ＫＨ
ｚの共振走査反射鏡で構成してある。この反射鏡１２２
としては、ジェネラルスキャニング社（General Scanni
ng, Inc.）製ＣＲＳ４型対向回転式共振走査器にＧＳＩ
ＣＲＳドライバーボードを組み合わせたものが適して
いる。共振走査器よりも長い寿命を必要とする用途につ
いては回転走査器を用いることもできる。走査用反射鏡
１２２は、所望の走査角度範囲内に収まらない迷光の吸
収のために黒く塗ったアルミニウム板などの光吸収材料
で構成したバッフル１２１を通じて、レーザ光を測定体
積１１５に向ける。
【００１７】走査ビーム１３０は反応室１１０の壁の気
密封止光学窓１１２を通じて反応室１１０に入射する。
光送出器１２０の内部を反応室１１０と同じ環境にする
開口を窓１１２の代わりに用いることもできる。窓１１
２を開口で置換した実施例においては、光送出器１２０
を気密封止して反応室１１０内の所望のガスを保持し、
光送出器１２０内の部品を反応室１１０からの反応物へ
の露出に耐えられる材料で構成する。窓１１２を用いる
と送出器１２０内の部品は上記と同程度の耐用期間を有
する必要はないものの、この窓１１２によってビーム１
３０の光が散乱し反応室１１０の内部の背景光が増加す
る。背景光の増加は検出可能な微粒子の粒度の最小値を
大きくすることになり望ましくない。窓１１２のよる迷
光の発生を抑えるために開口を窓１１２の内側面または
その近傍に設けることができる。
【００１８】ビームダンプ１４０はとくに偏向を受ける
ことなく測定体積１１５を通過してきた光ビーム１３０
の光を吸収することによって背景光を抑える。ビームダ
ンプ１４０はビーム１３０の非散乱光成分の入射を受け
入れる開口と同非散乱光成分の吸収を最大にする内部結
合構成とを備える。しかし、ビームダンプ１４０の外側
の角度方向配置を最適化することは検出器１５０で集光
される迷光を最小に保つのに重要である。より詳細に述
べると、この外側の結合構成は光送出器１２０から反応
室１１０への入射光がビームダンプ１４０の外側で反射
して検出器１５０に直接に導かれることがないような構
成でなければならない。迷光の検出をさらに抑えるため
に、検出器１５０の集光光学系の視野にビームダンプ１
４０の開口が含まれないようにする。ビームダンプ１４
０は反応室１１０の内側に設けることもでき、また検出
対象の微粒子が比較的大きい場合や反応室１１０の外壁
からの反射光が検出器１５０に達する可能性が低い場合
などのように背景光が問題にならない場合は省略しても
よい。
【００１９】測定体積１１５内の微粒子にあたった走査
ビーム１３０の光の一部は散乱して散乱光強度測定用の
検出器１５０に達する。走査ビーム１３０に対する散乱
光のコヒーレント性は仮定しておらず、また必要でもな
い。検出器１５０には、反応室１１０の内部の環境から
光学素子（レンズ１５１および１５２、帯域フィルタ１
５３および開口１５４）を保護するために気密封止した
窪み型光学窓１１４を備える。反応室１１０の窓が適切
な位置に配置してある場合は検出器１５０のための別の
窓は不要である。レンズ１５１および１５２は窓１１４
を通じて検出器１５０に入射する光を集束する。より詳
細に述べると、測定体積１１５からの光は開口１５４経
由で光検出器１５８に明確に集束される。反応室１１０
のプラズマの発生する背景光、またはビーム１３０から
測定体積１１５の外側に散乱した背景光も光学窓１１４
を通過するが、光検出器１５８に集束される背景光はほ
とんどない。したがって、そのような背景光の強度は測
定体積１１５で散乱した光の強度に比べて小さい。
【００２０】レンズ１５１および１５２の直径は窓１１
４の直径に合致するように選び、これらレンズの焦点距
離は検出器１５０から測定体積１１５までの距離および
検出器１５０内で利用可能なスペースにしたがってほぼ
定める。実施例では、レンズ１５１は焦点距離２５０mm
で直径３８．１ｍｍのＭｇＦ2被膜付き色消しレンズニ
ューポートオプティカル社製ＰＡＣ０７９型レンズで構
成し、レンズ１５２では焦点距離７６．２ｍｍで直径３
８．１ｍｍのニューポートオプティカル社製ＰＡＣ０７
０型レンズで構成する。
【００２１】これらレンズ１５１および１５２の間には
帯域フィルタ１５３が配置してあり、走査ビーム１３０
特有の波長以外の波長の光を除去することによって背景
光をさらに減らす。走査ビーム１３０の光波長４８８ｎ
ｍの実施例ではフィルタ１５３はオメガオプティカル製
の４８８ＢＰ５型干渉フィルタで構成し、４８８ｎｍ±
３ｎｍの範囲の波長の光を阻止する。背景光レベルが低
い場合はフィルタ１５３の帯域幅を７ｎｍ以上に大きく
できる。帯域幅を７ｎｍまで大きくすると、所望波長に
おける入射光の約５０％まで光透過が増加する。
【００２２】開口１５４は測定体積１１５の大きさを制
御する。実施例では開口１５４は約３ｍｍ幅のスリット
である。これ以外の寸法および形状の開口を用いて測定
体積を大きくしたり小さくしたりすることができる。
【００２３】浜松ホトニクス社製Ｒ５６００Ｕ型光電子
増倍管など慣用の光電子増倍管で構成できる光検出器１
５８は集光した光の強度を表すアナログ信号を発生し、
その信号を信号処理装置１７０に供給する。この信号処
理装置１７０は約１ＭＨｚ以上および１００Ｈｚ以下の
周波数の電子雑音を除去する帯域フィルタを備える。ま
た、信号処理装置１７０は散乱事象を特定し、アナログ
信号の形で受けた散乱光検出出力のパルスのピーク値、
パルス幅およびパルスのタイミングを表すディジタル信
号をコンピュータ１８０に供給する。コンピュータ１８
０はＩＢＭ互換の４８６以上のコンピュータで構成さ
れ、信号処置装置１７０からの情報を分析し測定体積１
１５内の微粒子の粒度、位置および速度を算定するコン
ピュータプログラムを実行する。上記以外の分析につい
てはさらに後述する。
【００２４】図１の実施例においては、光送出器１２０
および検出器１５０を反応室１１０の外壁に直接に取り
付けた支持フレーム１１１に搭載してある。光送出器１
２０および検出器１５０が互いに隣接して配置されてい
るので、検出器１５０は測定体積１１５内でほぼ後方散
乱した光を集光する。検出器１５０は、測定体積１１５
からの側方散乱光または前方散乱光を検出するように反
応室１１０の上記以外の外壁に送出器１２０とは離して
取り付けることもできる。また、送出器１２０一つあた
り二つ以上の検出器１５０を設けて多点計測を行うこと
もできる。
【００２５】図２はもう一つの製造装置２００を示し、
この装置においては光送出器１２０の近傍に取り付けた
検出器１５０で測定体積２１５からの前方散乱光（散乱
角約５゜乃至１０゜）を計測する。製造装置２００の構
成要素のうち図１を参照して上に述べたものと同一のも
のは図１と同じ符号で示し、説明は省略する。
【００２６】製造装置２００と製造装置１００との主な
相違点は反応室１１０の内部に反射鏡２７０を追加した
ことである。反射鏡２７０は検出器１５０の焦点範囲内
にある測定体積２１５に向けて走査ビームを反射させ
る。レンズ１２４および１５１の焦点距離は図１の測定
体積１１５とは異なる位置の図２の測定体積２１５を収
めるように調節してあり、検出器１５０はその光軸が測
定体積２１５を通るように図１とは異なる角度で取り付
けてある。
【００２７】図２に示した結合構成の利点は、反射して
きた走査ビーム２３０との間で比較的小さい角度を成す
散乱光２３５を検出器１５０で集光することである。散
乱角の小さい前方散乱光は後方散乱光よりも信号対雑音
比が通常高い。すなわち、いかなる波長においても直径
０．２ｎｍ乃至１０ｎｍの微粒子については前方散乱光
の強度のほうが後方散乱光の強度よりも１桁以上大きい
からである。ビームダンプ２４０は、それを用いる場合
は非散乱光の方向にしたがって配置を変更し、図１のビ
ームダンプ１４０と同じ要件を満たす内側表面および外
側表面を備えたもので構成する。製造装置２００におけ
る微粒子センサの結合構成では強度レベルの高い前方散
乱光を用いているのでビームダンプは不要となる場合も
ある。
【００２８】光検出器１５８は集光された走査ビームの
波長の光の強度を表すアナログ信号を発生する。反応室
１１０内の背景光のために、このアナログ信号には変動
の比較的小さい背景雑音ＤＣ成分が加わる。測定体積２
１５を微粒子が通過するとき、その微粒子と走査ビーム
１３０との間の相互作用によってその背景雑音ＤＣ成分
以上の一連のパルスが発生する。信号処理装置１７０内
の帯域フィルタがそのアナログ信号から前記背景雑音Ｄ
Ｃ成分を除去する。
【００２９】図３、図４および図５は光検出器１５８か
らのアナログ信号を濾波して得られた例示信号３００、
４００および５００をそれぞれ示す。信号３００、４０
０および５００は製造プロセスが進行中でない反応室内
の直径０．８ｎｍの微粒子による後方散乱光の特性を示
す。この０．８ｎｍの微粒子からのパルスの各々につい
ての信号対雑音比（ＳＮＲ）はかなり高い。このＳＮＲ
は、より低い強度レベルの散乱光を生じ検出出力信号レ
ベルも低いより小さい微粒子については小さい値とな
る。また、反応室内のプロセスは光レベルでの雑音およ
び電子回路レベルでの雑音を大きくし、より小さな微粒
子の検出をより困難にする可能性がある。
【００３０】測定体積１１５からの散乱光は走査ビーム
１３０が検出可能な微粒子を照射する度ごとにパルスを
発生させる。実施例では測定体積１１５における走査ビ
ーム１３０の走査速度は通常の微粒子の速度よりもずっ
と大きく、したがって微粒子が測定体積１１５内を通過
する期間にその微粒子は走査ビーム１３０によって２回
以上照射される。したがって、測定体積１１５を通過中
の通常の微粒子は、複数回照射およびそれに伴う複数パ
ルスを含む散乱事象の原因となる。図３の信号３００は
通常の単一微粒子散乱事象の一部に関する信号を図解し
ている。単一微粒子散乱事象のこの特徴により誤りの微
粒子計数を減らすかまたは解消する。すなわち、複数回
パルス出力の特徴を呈しない散乱事象は計数対象から除
外できるからである。
【００３１】パルス相互間の時間間隔が走査範囲限界に
対する微粒子の角度方向位置を表す。微粒子が走査範囲
の一方の端部にある場合は、走査ビーム１３０がその微
粒子の照射から最寄りの走査限界に達しそこに戻るまで
の所要時間がその微粒子の照射から遠いほうの走査限界
に達しそこに戻るまでの所要時間よりも短くなる。この
ように、測定体積１１５の端部近傍にある微粒子は間隔
の狭いパルス対を生ずる。図４は測定体積１１５の一方
の端部に比較的近い微粒子について発生した信号４００
を示す。微粒子が測定体積１１５の中心にある場合はパ
ルスの間隔は等しくなる。したがって、走査方向沿いの
微粒子の位置はパルス相互間の時間間隔から算定でき
る。理論的には、走査方向沿いの微粒子の速度も互いに
引き続くパルス対の間の間隔の変動幅から算定できる。
しかし、それら間隔の変動幅は走査ビーム１３０の直径
を走査速度で割った値のオーダーになるので、測定は難
しい。
【００３２】上記パルスの各々は走査ビーム１３０の散
乱光の強度および微粒子の散乱特性に特有の波形を有す
る。上記実施例では走査ビーム１３０の断面強度分布は
ガウス分布であり、したがって各微粒子による散乱光成
分の強度もガウス分布を示す。微粒子が測定体積１１５
に入り、通過し、そこから出るに伴って、その微粒子に
ついての一連のパルスのピーク値もビーム断面内の強度
のガウス分布に従う。図３では個々のパルスのガウス分
布形状を表すには時間軸上の精細度が不十分であるが、
信号３００の中のパルスのピーク値にガウス分布３１０
が合致することが示されている。
【００３３】信号処理装置１７０は各パルスを検出し、
各パルスについて振幅ピーク値を算定し、各パルスのパ
ルス幅を算定し、散乱事象の終了を特定する。図６は信
号処理装置１７０の一例のブロック図を示す。信号処理
装置１７０内の弁別器６３０の弁別閾値は信号分析のた
めに光検出器１５８からのアナログ信号の背景雑音成分
レベル以上の値に設定してある。弁別器６３０はアナロ
グ信号が予め設定可能なレベルを超えたときパルスとし
て検出するレベル−トリガデバイスである、弁別器６３
０は、上記パルスを検出すると、コンピュータインタフ
ェース６７０、ピーク検出器６４０および事象検出論理
回路６２０への信号を発生する。コンピュータインタフ
ェース６７０は各パルスの検出ごとにコンピュータ１８
０に割込み信号を送り、コンピュータ１８０はそれら割
込みの各々をパルス発生時間として認識する。一つの散
乱事象で検出された第１のピークに対応する割込みの時
点で、信号処理装置インタフェースカードのクロックが
スタートする。新たなピーク値の検出の度ごとにそのク
ロックから時間が読み取られてコンピュータ１８０に伝
達される。信号処理装置１７０からコンピュータ１８０
への割込みはシステム内の他のデータ処理よりも優先的
に処理し、散乱事象を確実に捕捉するようにする。
【００３４】上記パルスの各々について、信号処理装置
１７０はそのパルスの振幅ピーク値、パルス幅および発
生時の走査ビーム１３０の動きの向きを表す情報をコン
ピュータ１８０に供給する。パルス振幅ピーク値を算定
するために、弁別器６３０はアナログ信号ピーク電圧値
の検出および保持を行うピーク値検出器６４０を活性化
する。Ａ−Ｄ変換器６５０は上記ピーク電圧値をディジ
タル値に変換しそのディジタル値をコンピュータインタ
フェース６７０がコンピュータ１８０に送る。アナログ
信号のピーク値検出器は周知であり種々のメーカーから
市販されている。
【００３５】各パルスのパルス幅を算定するために、ピ
ーク値検出器６４０に結合したパルス波形分析器６６０
でパルス電圧ピーク値の８０％および６０％の時点を各
パルスの後縁で特定する。パルス波形分析器６６０はそ
れら時点で時間−振幅変換器６８０を起動および停止さ
せ、変換器６８０からの電圧ＴＯＦが上記パルス電圧ピ
ーク値の８０％の時点と６０％の時点との間の時間長に
比例するようにする。電圧ＴＯＦは微粒子が走査ビーム
１３０の中にある「飛行時間」にも比例する。すなわ
ち、走査ビーム１３０の断面内強度のガウス分布の上記
８０％の点と６０％の点との間を横切る時間と、走査ビ
ーム１３０で微粒子を走査し終えるに必要な合計時間と
の割合は一定であるからである。Ａ−Ｄ変換器６５０は
電圧ＴＯＦをディジタル値に変換し、そのディジタル値
をコンピュータインタフェース６７０がコンピュータ１
８０に供給する。
【００３６】弁別器６３０、ピーク値検出器６４０、パ
ルス分析器６６０、時間−電圧変換器６８０、Ａ−Ｄ変
換器６５０、およびコンピュータインタフェース６７０
の機能は本願出願人インサイテック社から市販されてい
るＰＣＳＶ型単一微粒子計数信号処理装置で達成でき
る。信号処理装置１７０は走査ビーム１３０の走査方向
の特定も行い、一つの微粒子散乱事象関連の一連のパル
スの終わりを特定する。実施例では光送出器１２０用の
駆動電子回路６１０は方形波信号を発生し、その方形波
のレベルで反射鏡１２２および走査ビームの動きの向き
を表すようにする、この方形波信号に応答して、Ａ−Ｄ
変換器６５０およびコンピュータインタフェース６７０
はパルス検出時の方形波のレベルを表すビットをコンピ
ュータ１８０に供給する。事象検出論理回路６２０は弁
別器６３０および駆動用電子回路６１０に接続され、散
乱事象の終了を特定する。弁別器６３０が駆動用電子回
路６１０からの方形波信号の半分の期間内にパルスを検
出しなかった場合は事象検出論理回路６２０がコンピュ
ータインタフェース６７０経由で事象終了信号ＥＯＥを
コンピュータ１８０に送る。
【００３７】この事象終了信号のあとに割込みがない場
合は、コンピュータ１８０は散乱事象中の全パルスから
の情報を処理して、その散乱事象の原因となった微粒子
の動径方向位置、角度方向位置、動径方向速度成分、走
査平面と垂直な方向の速度成分を算定する。また、コン
ピュータ１８０は上記「飛行時間」データに基づきその
微粒子の走査反射鏡１２２に対する動径方向位置を算定
する。振幅ピーク値最大値を呈するパルスについては、
走査ビーム１３０の中心部がその微粒子を横切ったので
あり、走査ビーム１３０を基準にしてみると、複数の微
粒子が走査ビームの断面直径を横切って動いたのであ
る。したがって、微粒子に対する走査ビーム１３０の速
度は微粒子の速度に比べて大きいので相対速度は動径方
向距離（すなわちその微粒子と走査用反射鏡１２２の回
転軸との間の距離）とその回転軸のまわりの走査ビーム
１３０の角速度との積にほぼ等しい。したがって、その
微粒子までの動径距離は走査ビーム１３０の幅を上記飛
行時間および走査ビーム１３０の角速度で割った値から
算定する。その微粒子の動径方向速度は二つのパルスの
動径方向位置の変動をパルス間時間差で割った値から算
定する。
【００３８】コンピュータ１８０は走査器の走査状態と
パルス間の間隔とから微粒子の角度方向（円周方向）位
置を算定する。より詳しく述べると、測定体積１１５の
端部からの角度方向距離は走査ビーム１３０の角速度と
パルス相互間の時間間隔の半分との積に等しい。角度方
向距離の算定のための基準端点は走査器駆動用電子回路
６１０の出力から判定される走査の向きで定める。
【００３９】検出された微粒子の角度方向および動径方
向位置はその微粒子に起因する欠陥を含み得るウェーハ
１０５上の点を特定する。この発明の一つの側面による
と、その微粒子について特定された点は、ウェーハ１０
５の表面走査の際に試験のためにとくに標的にすること
ができる。これによって製造工程中の欠陥の早期検出の
可能性が向上する。
【００４０】微粒子の大きさおよび走査平面と垂直な方
向の速度を算定するために、コンピュータ１８０は個々
のパルスのピーク値をガウス分布に合致させる。図３、
図４および図５は信号３００、４００および５００それ
ぞれについてのガウス分布合致値３１０、４１０および
５１０を示す。ガウス分布合致値の最大値は微粒子直径
と散乱光強度とを関連づけた較正ずみ応答関数を用いて
微粒子直径に対しマップに描くことができる。より詳細
にいうと、周知のミー散乱理論により微粒子粒度と散乱
光強度との間の関係を特定できる。散乱光強度と微粒子
粒度との上記関係の説明は、例えば、ディー．ジェイ．
ホルヴ著「原位置測定のための微粒子の光学的粒度計測
−第１部（Optical Particle Sizing for in situ meas
urements- Part 1）」、Applied Optics 誌１８（１
０）：１６３２（１９７９）、ディー．ジェイ．ホルヴ
著「原位置測定のための微粒子の光学的粒度計測−第２
部」、Applied Optics 誌１８（１０）：１６４６（１
９７９）、およびジー．ミー．著Ann. d. Physik 誌、
３０（４）３７７（１９０８）所載論文に記載されてい
る。散乱光強度と微粒子粒度との間の理論的関係は、
（１）入力の相対的強度、（２）光散乱の幾何学的特
徴、（３）レーザ出力光の波長、および（４）微粒子の
屈折率に主として左右される。特定システムごとに、光
散乱発生の幾何学的特徴とレーザ出力光波長とは一定で
ある。既知直径の微粒子を用いた較正によって、理論値
関連の微粒子粒度と光強度正規化値とを既知直径の微粒
子についてのガウス分布合致値の実測値にシフトさせ、
または合致させる。
【００４１】微粒子センサの正しい較正は設定した走査
ビームの光強度に依存する。しかし、ビーム光強度実効
値は前回の清掃以後の窓の汚れのために変動し得る。そ
の変動をモニタするために一つ以上のビーム光検出ダイ
オードの出力を各測定の開始時に読み取る。ビーム光検
出ダイオード（または光検出器）は光送出器１２０内で
窓１１２からの散乱光を検出できるように走査ビーム１
３０近傍に配置するか前方散乱光検出型の構成の場合は
未散乱光の経路に配置する。このビーム光検出ダイオー
ドの検出する光の量は窓の汚れによって変動する。より
詳細にいうと、光送出器１２０内のビーム光検出ダイオ
ードの出力は増加し、非散乱光の光路にある光検出ダイ
オードの出力は窓１１２の汚れが進むにつれて減少す
る。これらビーム光検出ダイオードの出力とビーム光強
度との関係は実験的に算定する。ビーム光検出ダイオー
ドの出力に基づいて、コンピュータ１８０はレーザ１２
６基準値から変動したか否かを算定する。一つの実施例
では、コンピュータ１８０はレーザ１２６からのレーザ
光出力電力や光電子増倍管１５８の励起電圧を制御し、
光強度実効値の変動を補っている。
【００４２】ガウス分布合致値上で最大値の１３％（１
／ｅ2）の点の間の間隔は走査平面と垂直な軸の方向沿
いに走査ビーム１３０のくびれ目直径に等しい距離だけ
微粒子が動くための所要時間である（くびれ目直径は強
度最大値の約１３％（１／ｅ2）までビーム光強度が低
下する点の直径である）。コンピュータ１８０は１／ｅ
2ビーム直径をその時間で割って走査平面と垂直な方向
の微粒子の速度の成分を算定する。図５は測定体積１１
５を図３および図４にそれぞれ示した信号３００および
４００の原因微粒子よりも速い速度で横切った微粒子に
起因する幅狭のガウス分布合致値５１０を有する信号５
００を示す。
【００４３】特定の実施例を参照してこの発明を上に述
べてきたが、この説明はこの発明の応用の一つの例にす
ぎず、限定と解釈すべきではない。上述の説明は単一の
走査ビームの利用を前提としているが複数の走査ビーム
と複数の光検出器とを共通の走査器および単一の信号処
理装置について多重化して用いることもできる。この発
明の諸特徴の上記以外の多様な適合化と変形とを添付の
請求の範囲記載の本発明の範囲から逸脱することなく実
施できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の一つの実施例による原位置微粒子セ
ンサの概略図。
【図２】この発明のもう一つの実施例による原位置微粒
子センサの概略図。
【図３】図１および図２に示したような微粒子センサの
測定体積の中を通過する微粒子の形成する通常の散乱光
の強度の時間変化を示すグラフ。
【図４】図１および図２に示したような微粒子センサの
測定体積の中を通過する微粒子の形成する通常の散乱光
の強度の時間変化を示すグラフ。
【図５】図１および図２に示したような微粒子センサの
測定体積の中を通過する微粒子の形成する通常の散乱光
の強度の時間変化を示すグラフ。
【図６】図１または図２の微粒子センサのための電子回
路のブロック図。
【符号の説明】
１００，２００ 半導体製造装置 １１０ 反応室 １０５ ウェーハ １２０ 光送出器 １２６ レーザ １２２ 走査用反射鏡 １３０ 走査ビーム １１５，２１５ 測定体積 １５１，１５２ 集束レンズ １５８ 光検出器 １４０，２４０ ビームダンプ １７０ 信号処理装置 １８０ コンピュータ ２７０ 反射鏡
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成９年１２月２日
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】全図
【補正方法】変更
【補正内容】
【図３】
【図４】
【図１】
【図２】
【図５】
【図６】

Claims (34)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】測定体積を横切って照射する光ビームを送
    出する光送出器と、 光検出器と前記測定体積からの散乱光を集光してその光
    を前記光検出器に向ける光学系とを含み、その光検出器
    に向けられた光の強度を表す信号をその光検出器が発生
    するように構成した検出器と、 前記光検出器からの信号を分析するように相互接続さ
    れ、前記光検出器からの信号の中のパルスを検出するパ
    ルス検出器と、微粒子に対応しその微粒子が前記測定体
    積の中を動く間の前記ビームによる複数回の照射に伴う
    前記微粒子による散乱光に起因する一連のパルスを特定
    する事象検出器とを含む信号処理手段とを含む微粒子セ
    ンサ。
  2. 【請求項２】前記光学系が前記光検出器への光を通過さ
    せる開口を区画する絞りと、前記測定体積からの光を前
    記開口に集束するレンズ系とを含む請求項１記載の微粒
    子センサ。
  3. 【請求項３】前記レンズ系が前記測定体積内に第１の焦
    点を有する第１のレンズと、前記開口内に第２の焦点を
    有する第２のレンズとを含む請求項２記載の微粒子セン
    サ。
  4. 【請求項４】前記光学系が前記ビームと等しい波長の光
    を通過させる帯域フィルタをさらに含む請求項２記載の
    微粒子センサ。
  5. 【請求項５】前記測定体積内を散乱することなく横切る
    前記走査ビームからの光を吸収するように配置したビー
    ムダンプをさらに含む請求項１記載の微粒子センサ。
  6. 【請求項６】前記ビームダンプが前記走査ビームからの
    光を前記光学系に向けて直接に反射させることがない外
    面を備える請求項５記載の微粒子センサ。
  7. 【請求項７】前記ビームダンプの開口が前記光学系の視
    野の外側にある請求項５記載の微粒子センサ。
  8. 【請求項８】前記光学系が前記ビームと等しい波長の光
    を通過させる帯域フィルタを含む請求項１記載の微粒子
    センサ。
  9. 【請求項９】前記光送出器が前記ビームを発生するレー
    ザと、そのビームを前記測定体積に向けて反射するよう
    に配置し可動的に取り付けた走査用反射鏡とを含み、そ
    の走査用反射鏡の動きによって前記測定体積を横切って
    前記ビームで照射するように構成した請求項１記載の微
    粒子センサ。
  10. 【請求項１０】前記走査用反射鏡が共振走査用反射鏡を
    含む請求項９記載の微粒子センサ。
  11. 【請求項１１】前記走査用反射鏡が回転反射鏡を含む請
    求項９記載の微粒子センサ。
  12. 【請求項１２】前記光送出器が前記測定体積の中の一つ
    の点とそれ自身との間の光路長と等しい焦点距離を有す
    る集束レンズをさらに含む請求項９記載の微粒子セン
    サ。
  13. 【請求項１３】測定体積を横切って光ビームで照射する
    光送出器であって、その光ビームの動きを制御する駆動
    回路を含む光送出器と、 光検出器と前記測定体積からの散乱光を集光してその光
    を前記光検出器に向ける光学系とを含む検出器であっ
    て、前記光検出器によりその光検出器に向けられた光の
    強度を表す信号を生ずるように構成した検出器と、 前記光検出器からの信号を分析するように相互接続した
    信号処理手段であって、前記検出器に接続され前記光検
    出器からの信号のうち閾値レベル以上の信号に応答して
    その信号の中のパルスを検出する弁別器と、前記弁別器
    および前記駆動回路に接続され前記測定体積中の微粒子
    に起因する一連のパルスの終了を検出する事象検出論理
    回路とを含む信号処理手段とを含む微粒子検出器。
  14. 【請求項１４】前記信号処理手段が前記微粒子に起因す
    る一連のパルスを特徴づける情報から微粒子の大きさを
    特定するのに適合したコンピュータをさらに含む請求項
    １３記載の微粒子検出器。
  15. 【請求項１５】前記コンピュータが前記一連のパルスを
    特徴づける前記情報をさらに処理して前記光送出器に対
    する前記微粒子の動径方向位置および角度方向位置を算
    定する請求項１４記載の微粒子検出器。
  16. 【請求項１６】前記コンピュータが前記一連のパルスの
    ピーク値を前記ビームの強度の分布特性、すなわちその
    ピーク値が前記微粒子の大きさを表す分布特性に合致さ
    せることによって算定する請求項１４記載の微粒子検出
    器。
  17. 【請求項１７】前記測定体積が製造中のデバイスのごく
    近傍にある請求項１記載の微粒子センサ。
  18. 【請求項１８】反応室と、 その反応室の内部で製造中のデバイスのごく近傍の測定
    体積を横切って光ビームで照射する光送出器と、 光検出器と前記測定体積からの散乱光を前記光検出器に
    向ける光学系とを含み、その光検出器によって入射光強
    度表示信号を生ずる検出器と、 前記検出器からの信号を分析するように接続された信号
    処理装置とを含む半導体デバイス製造装置。
  19. 【請求項１９】前記反応室が前記光検出器からの光を通
    過させる開口を有し、その開口を通じて前記光送出器の
    内部が前記反応室の内部の環境に露出している請求項１
    ８記載の半導体デバイス製造装置。
  20. 【請求項２０】前記検出器の中の前記光学系が前記測定
    体積からの後方散乱光を前記光検出器に向けるように配
    置されている請求項１８記載の半導体デバイス製造装
    置。
  21. 【請求項２１】前記検出器の中の前記光学系が前記測定
    体積からの側方散乱光を前記光検出器に向けるように配
    置されている請求項１８記載の半導体デバイス製造装
    置。
  22. 【請求項２２】前記検出器の中の前記光学系が前記測定
    体積からの前方散乱光を前記光検出器に向けるように配
    置されている請求項１８記載の半導体デバイス製造装
    置。
  23. 【請求項２３】反射鏡をさらに含み、前記検出器が前記
    光送出器の近傍に取り付けられており、前記反射鏡が前
    記光送出器からの光を前記測定体積に向けて反射させる
    ように配置されている請求項２２記載の半導体デバイス
    製造装置。
  24. 【請求項２４】前記光送出器が 前記ビームを発生するレーザと、 前記ビームを集束するように配置された集束レンズと、 前記ビームを前記測定体積に向けて反射させるように配
    置された振動反射鏡とを含む請求項１８記載の半導体デ
    バイス製造装置。
  25. 【請求項２５】被加工物の加工の進行中にその被加工物
    の近傍の測定体積を光ビームで走査する過程と、 前記測定体積からの散乱光を検出する過程と、 前記測定体積の中の微粒子を特定するように前記散乱光
    の強度の変化を分析する過程とを含む製造方法。
  26. 【請求項２６】前記散乱光の強度の変化を分析する過程
    が 前記強度の中のパルスを前記強度の中の背景雑音から弁
    別する過程と、 前記測定体積の中の微粒子による散乱光に対応する一連
    のパルスを特定する過程と、 前記一連のパルスから前記微粒子の大きさを算定する過
    程とを含む請求項２５記載の製造方法。
  27. 【請求項２７】前記微粒子の大きさを算定する過程が前
    記ビームの断面内強度分布関連の分布を前記一連のパル
    スのピーク値に合致させることと、前記ピーク値への分
    布合致値から前記微粒子の大きさを算定することとを含
    む請求項２６記載の製造方法。
  28. 【請求項２８】前記分布合致値の幅から前記微粒子の速
    度成分を算定することをさらに含む請求項２７記載の製
    造方法。
  29. 【請求項２９】前記散乱光の強度の変化を分析する過程
    が 前記強度の中のパルスを前記強度の中の背景雑音から弁
    別する過程と、 前記ビームによる第１の方向の走査の際に前記測定体積
    の中の微粒子で散乱した光に対応する第１のパルスを特
    定する過程と、 前記ビームによる第２の方向の走査の際に前記測定体積
    の中の微粒子で散乱した光に対応する第２のパルスを特
    定する過程と、 前記第１および第２のパルスの時間間隔から前記微粒子
    の円周方向位置を算定する過程とを含む請求項２５記載
    の製造方法。
  30. 【請求項３０】前記散乱光の強度の変化を分析する過程
    が 前記強度の中のパルスを前記強度の中の背景雑音から弁
    別する過程と、 前記パルスの少なくとも一部の時間長を計測する過程
    と、 前記パルスの時間長と前記ビームの角速度とから前記微
    粒子の動径方向位置を算定する過程とを含む請求項２５
    記載の製造方法。
  31. 【請求項３１】微粒子の堆積を受ける前記被加工物の表
    面上の領域を特定するように前記散乱光の強度を分析す
    る過程と、 前記被加工物の表面上の前記領域を欠陥検出のために走
    査する過程とをさらに含む請求項２５記載の製造方法。
  32. 【請求項３２】前記被加工物が半導体ウェーハである請
    求項２５記載の製造方法。
  33. 【請求項３３】前記信号処理手段が前記一連のパルス対
    応の前記微粒子の速度を算定する手段をさらに含む請求
    項１記載の微粒子センサ。
  34. 【請求項３４】前記信号処理手段が前記一連のパルス対
    応の前記微粒子の大きさを算定する手段をさらに含む請
    求項１記載の微粒子センサ。
JP9303565A 1996-10-21 1997-10-17 半導体デバイス製造装置におけるウェーハ近傍微粒子の検出装置 Pending JPH10213539A (ja)

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Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6576559B2 (en) 1998-03-04 2003-06-10 Hitachi, Ltd. Semiconductor manufacturing methods, plasma processing methods and plasma processing apparatuses
US6613588B2 (en) 1999-03-02 2003-09-02 Hitachi, Ltd. Floating particle inspection method and its apparatus and a semiconductor device processing apparatus
US6712928B2 (en) 2000-08-07 2004-03-30 Hitachi, Ltd. Method and its apparatus for detecting floating particles in a plasma processing chamber and an apparatus for processing a semiconductor device
US6778272B2 (en) 1999-03-02 2004-08-17 Renesas Technology Corp. Method of processing a semiconductor device
JP2006153745A (ja) * 2004-11-30 2006-06-15 Tokyo Electron Ltd パーティクル検出方法及びパーティクル検出プログラム
JP2006208254A (ja) * 2005-01-31 2006-08-10 Amano Corp 粉塵濃度検出装置
US7175875B2 (en) 2002-02-15 2007-02-13 Hitachi, Ltd. Method and apparatus for plasma processing
JP2007529878A (ja) * 2004-03-18 2007-10-25 アクセリス テクノロジーズ インコーポレーテッド 回転ディスク型イオン注入装置のインサイチュー監視
US7355143B1 (en) 1999-01-11 2008-04-08 Hitachi, Ltd. Circuit board production method and its apparatus
JP2008122395A (ja) * 2001-09-07 2008-05-29 Inficon Inc Ｉｎ−Ｓｉｔｕ走査ビームの粒子モニタのための信号処理方法
JP2009526229A (ja) * 2006-02-08 2009-07-16 ラム リサーチ コーポレーション チャンバ粒子検出システム
JP2010236920A (ja) * 2009-03-30 2010-10-21 Jasco Corp 微粒子測定装置
KR101537550B1 (ko) * 2014-07-29 2015-07-20 에스피티씨주식회사 검측지점이 가변되는 실시간 교정용 먼지분석기
JP2016224034A (ja) * 2015-04-22 2016-12-28 ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツングＲｏｂｅｒｔ Ｂｏｓｃｈ Ｇｍｂｈ 粒子センサ装置

Families Citing this family (35)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6355570B1 (en) * 1998-03-04 2002-03-12 Hitachi, Ltd. Semiconductor manufacturing methods, plasma processing methods and plasma processing apparatuses
EP1008843A1 (en) * 1998-12-07 2000-06-14 Venturedyne Ltd. Particle sensor and related method offering improved particle discrimination
US6275742B1 (en) * 1999-04-16 2001-08-14 Berkeley Process Control, Inc. Wafer aligner system
DE19922919C2 (de) * 1999-05-19 2002-01-17 Infineon Technologies Ag Anlage zur Bearbeitung von Wafern
US6547458B1 (en) * 1999-11-24 2003-04-15 Axcelis Technologies, Inc. Optimized optical system design for endpoint detection
US6825437B2 (en) * 2001-01-17 2004-11-30 Hitachi, Ltd. Apparatus enabling particle detection utilizing wide view lens
US6696362B2 (en) * 2001-02-08 2004-02-24 Applied Materials Inc. Method for using an in situ particle sensor for monitoring particle performance in plasma deposition processes
CN100397557C (zh) * 2001-12-17 2008-06-25 赛博光学半导体公司 半导体晶片载体映射传感器
US6794671B2 (en) * 2002-07-17 2004-09-21 Particle Sizing Systems, Inc. Sensors and methods for high-sensitivity optical particle counting and sizing
KR100511816B1 (ko) * 2002-08-22 2005-09-02 가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼 반도체 제조 방법 및 플라즈마 처리 방법 및 그 장치
US6902647B2 (en) * 2002-08-29 2005-06-07 Asm International N.V. Method of processing substrates with integrated weighing steps
US7053783B2 (en) * 2002-12-18 2006-05-30 Biovigilant Systems, Inc. Pathogen detector system and method
JP4363860B2 (ja) * 2003-02-04 2009-11-11 株式会社日立ハイテクノロジーズ 真空処理装置の異物管理装置及び異物管理方法
US20050086024A1 (en) * 2003-09-19 2005-04-21 Cyberoptics Semiconductor Inc. Semiconductor wafer location sensing via non contact methods
US7464581B2 (en) * 2004-03-29 2008-12-16 Tokyo Electron Limited Vacuum apparatus including a particle monitoring unit, particle monitoring method and program, and window member for use in the particle monitoring
US20060154385A1 (en) * 2005-01-07 2006-07-13 Ravinder Aggarwal Fabrication pathway integrated metrology device
US7375362B2 (en) * 2005-01-13 2008-05-20 Wd Media, Inc. Method and apparatus for reducing or eliminating stray light in an optical test head
US7302148B2 (en) * 2005-01-13 2007-11-27 Komag, Inc. Test head for optically inspecting workpieces
GB0500687D0 (en) * 2005-01-14 2005-02-23 Unidata Europ Ltd Particulate detector
US7248975B2 (en) * 2005-09-20 2007-07-24 Tech Semiconductor Singapore Pte Ltd Real time monitoring of particulate contamination in a wafer processing chamber
US7740437B2 (en) * 2006-09-22 2010-06-22 Asm International N.V. Processing system with increased cassette storage capacity
KR100968352B1 (ko) * 2008-01-31 2010-07-08 정철우 수중 조명등 제어장치
FR2938649B1 (fr) * 2008-11-18 2012-03-30 Centre Nat Rech Scient Procede et systeme d'analyse de particules solides dans un milieu
US8294894B2 (en) * 2008-11-28 2012-10-23 Shimadzu Corporation Particle counter
US9678005B1 (en) * 2008-12-03 2017-06-13 Arizona Board Of Regents On Behalf Of The University Of Arizona Devices and methods for detection of microorganisms
US9562855B1 (en) 2009-12-03 2017-02-07 The Arizona Board Of Regents On Behalf Of The University Of Arizona Devices and methods for detection of microorganisms via MIE scattering
US20100136610A1 (en) * 2008-12-03 2010-06-03 Jeong-Yeol Yoon Methods And Microfluidic Devices For Single Cell Detection Of Escherichia Coli
US8472021B2 (en) 2010-04-09 2013-06-25 First Solar, Inc. Particle detector
JP5518598B2 (ja) * 2010-07-02 2014-06-11 東京エレクトロン株式会社 パーティクル分布解析支援方法及びその方法を実施するためのプログラムを記録した記録媒体
GB2494735B (en) * 2011-09-14 2017-10-25 Malvern Instr Ltd Apparatus for measuring particle-size distribution by light scattering
GB201506335D0 (en) * 2015-04-14 2015-05-27 Alphasense Ltd Optical particle counter
US10067070B2 (en) * 2015-11-06 2018-09-04 Applied Materials, Inc. Particle monitoring device
US10976674B2 (en) 2018-08-17 2021-04-13 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Method for detecting EUV pellicle rupture
US12002665B2 (en) * 2019-07-01 2024-06-04 Applied Materials, Inc. Real-time detection of particulate matter during deposition chamber manufacturing
CN114117595A (zh) * 2021-11-15 2022-03-01 中铁大桥勘测设计院集团有限公司 涂装面积的计算方法、装置、设备及可读存储介质

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3858851A (en) * 1973-07-05 1975-01-07 Prototron Ass Apparatus for providing a statistical count of particulate material in a fluid
GB8621426D0 (en) * 1986-09-05 1986-10-15 Health Lab Service Board Particle analysis
US4871251A (en) * 1987-04-27 1989-10-03 Preikschat F K Apparatus and method for particle analysis
JP2641220B2 (ja) * 1987-10-28 1997-08-13 興和株式会社 速度分布測定装置
US4827144A (en) * 1987-11-30 1989-05-02 Fuji Electric Co., Ltd. Particle detecting device with particle scanning
US4885473A (en) * 1988-04-29 1989-12-05 Shofner Engineering Associates, Inc. Method and apparatus for detecting particles in a fluid using a scanning beam
EP0359681B1 (en) * 1988-09-15 1995-11-08 The Board Of Trustees Of The University Of Arkansas Characterization of particles by modulated dynamic light scattering
JPH0643949B2 (ja) * 1988-10-03 1994-06-08 大塚電子株式会社 粒径測定装置
US5237454A (en) * 1989-09-07 1993-08-17 Blue Sky Research, Inc. Blackhole laser beam terminator
JP2899360B2 (ja) * 1990-05-21 1999-06-02 興和株式会社 流体中の粒子計測方法及びその装置
JPH0810188B2 (ja) * 1990-08-03 1996-01-31 株式会社日立製作所 粒子状物質分析装置及び分析方法並びに超純水製造装置、半導体製造装置、高純度気体製造装置
JPH0580497A (ja) * 1991-09-20 1993-04-02 Canon Inc 面状態検査装置
US5192870A (en) * 1992-01-14 1993-03-09 International Business Machines Corporation Optical submicron aerosol particle detector
US5255089A (en) * 1992-03-26 1993-10-19 International Business Machines Corporation Portable particle detector assembly

Cited By (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6576559B2 (en) 1998-03-04 2003-06-10 Hitachi, Ltd. Semiconductor manufacturing methods, plasma processing methods and plasma processing apparatuses
US7355143B1 (en) 1999-01-11 2008-04-08 Hitachi, Ltd. Circuit board production method and its apparatus
US6613588B2 (en) 1999-03-02 2003-09-02 Hitachi, Ltd. Floating particle inspection method and its apparatus and a semiconductor device processing apparatus
US6778272B2 (en) 1999-03-02 2004-08-17 Renesas Technology Corp. Method of processing a semiconductor device
US6712928B2 (en) 2000-08-07 2004-03-30 Hitachi, Ltd. Method and its apparatus for detecting floating particles in a plasma processing chamber and an apparatus for processing a semiconductor device
JP2008122395A (ja) * 2001-09-07 2008-05-29 Inficon Inc Ｉｎ−Ｓｉｔｕ走査ビームの粒子モニタのための信号処理方法
US7175875B2 (en) 2002-02-15 2007-02-13 Hitachi, Ltd. Method and apparatus for plasma processing
JP2007529878A (ja) * 2004-03-18 2007-10-25 アクセリス テクノロジーズ インコーポレーテッド 回転ディスク型イオン注入装置のインサイチュー監視
JP2006153745A (ja) * 2004-11-30 2006-06-15 Tokyo Electron Ltd パーティクル検出方法及びパーティクル検出プログラム
JP2006208254A (ja) * 2005-01-31 2006-08-10 Amano Corp 粉塵濃度検出装置
JP4599181B2 (ja) * 2005-01-31 2010-12-15 アマノ株式会社 粉塵濃度検出装置
JP2009526229A (ja) * 2006-02-08 2009-07-16 ラム リサーチ コーポレーション チャンバ粒子検出システム
JP2010236920A (ja) * 2009-03-30 2010-10-21 Jasco Corp 微粒子測定装置
KR101537550B1 (ko) * 2014-07-29 2015-07-20 에스피티씨주식회사 검측지점이 가변되는 실시간 교정용 먼지분석기
WO2016017849A1 (ko) * 2014-07-29 2016-02-04 에스피티씨주식회사 검측지점이 가변되는 실시간 교정용 먼지분석기
JP2016224034A (ja) * 2015-04-22 2016-12-28 ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツングＲｏｂｅｒｔ Ｂｏｓｃｈ Ｇｍｂｈ 粒子センサ装置

Also Published As

Publication number Publication date
US5943130A (en) 1999-08-24
EP0837315A3 (en) 2000-09-27
EP0837315A2 (en) 1998-04-22

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