JPH02696A - 液晶組成物およびそれを使用した液晶素子 - Google Patents

液晶組成物およびそれを使用した液晶素子

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JPH02696A
JPH02696A JP988889A JP988889A JPH02696A JP H02696 A JPH02696 A JP H02696A JP 988889 A JP988889 A JP 988889A JP 988889 A JP988889 A JP 988889A JP H02696 A JPH02696 A JP H02696A
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formulas
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liquid crystal
chemical
chemical formulas
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JP988889A
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Gouji Toga
門叶　剛司
Masahiro Terada
匡宏 寺田
Masataka Yamashita
眞孝 山下
Yoshimasa Mori
省誠 森
Takashi Iwaki
孝志 岩城
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Original Assignee
Canon Inc
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、新規な液晶組成物およびそれを使用した液晶
素子に関し、さらに詳しくは電界に対する応答特性が改
善された新規な液晶組成物、およびそれを使用した液晶
表示素子や液晶−光シヤツター等に利用される液晶素子
に関するものである。
［従来の技術］ 従来より、液晶は電気光学素子として種々の分野で応用
されている。現在実用化されている液晶素子はほとんど
が、例えばエム　シャット（Ｍ。
５ｃｈａｄｔ）とダブリュ　ヘルフリッヒ（Ｗ、Ｉ（ｅ
ｌｆｒｉｃｈ）著“アプライド　フィジックス　レター
ズ（“Ａｐｐｌｉｅｄ　　Ｐｈｙｇｉｃｓ　　Ｌｅｔｔ
ｅｒｓ　　″　）　　Ｖｏ、１８．　　Ｎｏ、４（１９
７１，２，１５）Ｐ、１２７〜１２８　　の　“Ｖｏｌ
ｔａｇｅ　　ＤｅｐｅｎｄｅｎｔＯｐｔｉｃａｌ　　Ａ
ｃｔｉｖｉｔｙ　　ｏｆ　　ａ　　Ｔｗｉｓｔｅｄ　　
Ｎｅｍａｔｉｃ　　１ｉｑｕｉｄＣｒｙｓｔａｌ”に示
されたＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ　Ｎｅｍａｔｉｃ）型の液
晶を用いたものである。
これらは、液晶の誘電的配列効果に基づいておリ、液晶
分子の誘電異方性のために平均分子軸方向が、加えられ
た電場により特定の方向に向く効果を利用している。こ
れらの素子の光学的な応答速度の限界はミリ秒であると
いわれ、多くの応用のためには遅すぎる。一方、大型平
面デイスプレィへの応用では、価格、生産性などを考え
合わせると、単純マトリクス方式による駆動か最も有力
である。単純マトリクス方式においては、走査電極群と
信号電極群をマトリクス状に構成した電極構成が採用さ
れ、その駆動のためには、走査電極群に順次周期的にア
ドレス信号を選択印加し、信号電極群には所定の情報信
号をアドレス信号と同期させて並列的に選択印加する時
分割駆動方式か採用されている。
しかし、この様な駆動方式の素子に前述したＴＮ型の液
晶を採用すると、走査電極が選択され、信号電極が選択
されない領域、或いは走査電極か選択されず、信号電極
が選択される領域（所謂“半選択点″）にも有限に電界
がかかってしまう。
選択点にかかる電圧と、半選択点にかかる電圧の差が充
分に大きく、液晶分子を電界に垂直に配列させるのに要
する電圧閾値がこの中間の電圧値に設定されるならば、
表示素子は正常に動作するわけであるか、走査線数（Ｎ
）を増加して行った場合、画面全体（ｌフレーム）を走
査する間に一つの選択点に有効な電界がかかつている時
間（ｄｕｔｙ比）がｌ／Ｎの割合で減少してしまう。
このために、くり返し走査を行なった場合の選択点と非
選択点にかかる実効値としての電圧差は、走査線数か増
えれば増える程小さくなり、結果的には画像コントラス
トの低下やクロストークか避は難い欠点となっている。
この様な現象は、双安定性を有さない液晶（電極面に対
し、液晶分子か水平に配向しているのが安定状態であり
、電界が有効に印加されている間のみ垂直に配向する）
を時間的蓄積効果を利用して駆動する（即ち、繰り返し
走査する）ときに生ずる本質的には避は難い問題点であ
る。
この点を改良するために、電圧平均化法、２周波駆動法
や、多重マトリクス法等が既に提案されているが、いず
れの方法でも不充分であり、表示製子の大画面化や高密
度化は走査線数が充分に増やせない２とによって頭打ち
になっているのが現状である。
この様な従来型の液晶素子の欠点を改善するものとして
、双安定性を有する液晶素子の使用か、クラーク（（：
Ｉａｒｋ）およびラガウェル（Ｌａｇｅｒｗａｌｌ）に
より提案されている（特開昭５６−１０７２１６号公報
、米国特許第４３６７９２４号明細書等）。
双安定性液晶としては、一般にカイラルスメクティック
Ｃ相（Ｓａｃ”相）又はＨ相（Ｓ■Ｈ８相）を有する強
誘電性液晶が用いられる。
この強誘電性液晶は電界に対して第１の光学的安定状態
と第２の光学的安定状態からなる双安定状態を有し、従
って前述のＴＮ型の液晶で用いられた光学変調素子とは
異なり、例えば一方の電界ベクトルに対して第１の光学
的安定状態に液晶が配向し、他方の電界ベクトルに対し
ては第２の光学的安定状態に液晶が配向されている。ま
た、この型の液晶は、加えられる電界に応答して、上記
２つの安定状態のいずれかを取り、かつ、電界の印加の
ないときはその状態を維持する性質（双安定性）を有す
る。
以上の様な双安定性を有する特徴に加えて、強誘電性液
晶は高速応答性であるという優れた特徴を持つ。それは
強誘電性液晶の持つ自発分極と印加電場が直接作用して
配向状態の転移を誘起するためであり、誘電率異方性と
電場の作用による応答速度より３〜４オーダー速い。
この様に強誘電性液晶はきわめて優れた特性を潜在的に
有しており、この様な性質を利用することにより上述し
た従来のＴＮ型素子の問題点の多くに対して、かなり本
質的な改善か得られる。特に、高速光学光シャッターや
高密度、大画面デイスプレィへの応用が期待される。こ
のため強誘電性を持つ液晶材料に関しては広く研究がな
されているか、現在までに開発された強誘電性液晶材料
は、低温作動特性、高速応答性等を含めて液晶素子に用
いる十分な特性を備えているとは言い難い。
応答時間でと自発分極の大きさＰｓおよび粘度ηの間に
は、下記の式［Ａ］ η　　　　　　　　　　　　［Ａ］ ””Ｐｓ−Ｅ （たたし、Ｅは印加電界である） の関係か存在する。したかって応答速度を速くするには
、 （ア）自発分極の大きさＰｓを大きくする（イ）粘度η
を小さくする （つ）印加電界Ｅを大きくする 方法がある。しかじ印加電界は、ＩＣ等で駆動するため
上限があり、出来るだけ低い方か望ましい。
よつて、実際には粘度ηを小さくするか、自発分極の大
きさＰｓの値を大きくする必要かある。
−旧市に自発分極の大きい強誘電性カイラルスメクチッ
ク液晶化合物においては、自発分極のもたらすセルの内
部電界も大きく、双安定状態をとり得る素子構成への制
約が多くなる傾向にある。
又、いたずらに自発分極を大きくしても、それにつれて
粘度も大きくなる傾向にあり、結果的には応答速度はあ
まり速くならないことか考えられる。
また、実際のデイスプレィとしての使用温度範囲か、例
えば５〜４０°Ｃ程度とした場合、応答速度の変化か一
般に２０倍程もあり、駆動電圧及び周波数による調部の
限界を越えているのか現状である。
以上述べたように、強誘電性液晶素子を実用化するため
には、粘度が低く高速応答性を有し、かつ応答速度の温
度依存性の小さな強誘電性カイラルスメクチック液晶組
成物か要求される。
［発明が解決しようとする課題］ 本発明の目的は１強誘電性液晶素子を実用できるように
するために、応答速度か速く、シかもその応答速度の温
度依存性が軽減された液晶組成物、特に強誘電性カイラ
ルスメクチック液晶組成物、および該液晶組成物を使用
する液晶素子を提供することにある。
［課題を解決するための手段］および［作用］即ち、本
発明の第一の発明は、 下記−旧式［Ｉ］ Ｒ，−（Ｅ）−ＣＨｔＯ−Ａ−Ｒｚ　　　　　［Ｉ　］
（式中、Ｒ１は置換基を有していてもよい炭素原子ｆｉ
１〜１６のアルキル基、Ｒ２は置換基を有していてもよ
い炭素原子数ｌへ１６のアルキル基、アルコキシ基、ア
ルコキシカルボニル基、アシルオキシ基、アルコキシカ
ルボニルオキシ基のいずれかを示し、Ａは置換基を有し
ていてもよい で表わされる液晶性化合物を少なくとも１種類含有する
ことを特徴とする液晶組成物、特に強誘電性カイラルス
メクチック液晶組成物に係わる。但し、前記−旧式［１
］において、Ｒ１は置換基を有していてもよい炭素原子
数２〜８のアルキル基がより好ましく、またＲ２は置換
基を有していてもよい炭素原子数４〜１４のアルキル基
が好ましく、より好ましくは”ｒＲＺ原子数６〜１２の
アルキル基が良い。
さらに、第二の発明は、前記液晶組成物を使用すること
を特徴とする液晶素子、具体的には、前記液晶組成物を
一対の電極基板間に配置してなる強誘電性液晶素子に係
わる。
本発明者等は、以上の液晶組成物およびそれを使用した
液晶素子を用いることにより、高速応答性、応答速度の
温度依存性の軽減等の諸特性の改良かなされ、良好な表
示特性か得られることを見い出したものである。
以下１本発明の詳細な説明する。
前記−旧式［Ｉ］で表わされる液晶性化合物の具体的な
４］造式の例を以下に示す。
Ｃ，１１，、舎Ｃ１１□０（）（沢ＯＣ，２１１２５Ｃ
５１１□＋ＣＩ＋２叶◎（トｏｃ、、８．９（Ｉ３） Ｃ，Ｈ，３８ｃＨ□０（）（沢０→ＣＨ□÷−〇ｓＨ＋
：＋υ υ Ｎ Ｃ，Ｈ，舎Ｃ１１２０３０Ｃ＋　ＯＨ２１υ ＣｘＩＩｔ＋ＣＨｔＯ＋　ａＨ、ｔ ｃ　３ｕ、−／、う［Ｘ＝）−ＣＨ，０−（（＝＝シ〕
ｘ−−１ぐ■〆〉−Ｃ−２Ｈ２Ｓ次に本発明て用いる液
晶性化合物の代表的な合成例を下記に示す。
合成例１（前記例示化合物Ｎｏ、　４の合成）（■）　
トランス−４−ｎ−プロピルシクロヘキサンカルボン酸
クロライドｌＯｇ　（５：１．６■諷ｏｉｌ）をエタノ
ール３ｈｊ＋にとかし、これに少量のトリエチルアミン
を加え室温て１０時間攪拌した。反応混合物を氷水１０
０ｍｆｌに注入し、６Ｎ塩酸水溶液を加え酸性側とした
後、イソプロピルエーテルにより抽出した。有機層を洗
液が中性となるまで水洗を繰り返した後、硫酸マグネシ
ウムにより乾燥した。溶媒留去後、シリカゲルカラムク
ロマトグラフィーにより精製し、トランス−４−ｎ−プ
ロピルシクロヘキサンカルボン酸エチルエステル９．９
ｇを得た。
１）　　水素化アルミニウムリチウム０．７３ｇ（１９
，１ｍｍｏｊ’）を乾燥エーテル３０ｔＩ！に添加し、
１時間加熱還流した。氷水浴中で１０℃程度まで冷却し
た後、乾燥エーテル３０ｆｆ１２に溶かしたトランス−
４−ｎ−プロピルシクロヘキサンカルボン酸エチルエス
テル５　ｇ　（２５，５ｍｍｏｆ’）を徐々に滴下した
。滴下終了後、室温で１時間攪拌し、さらに１時間加熱
還流させた。これを酢酸エチル、　６Ｎ塩酸水溶液で処
理した後、氷水２００■Ｐに注入した。
イソプロピルエーテルにより抽出した後、有機相を水、
水酸化ナトリウム水＃液、木て順次洗浄し、硫酸マグネ
シウムにより乾燥した。溶媒留去後、シリカゲルカラム
クロマトクラフィーにより精製し、トランス−４−ｎ−
プロピルシクロヘキシルメタノール３．５ｇを得た。
（ｍ）　トランス−４−ｎ−プロとルシクロ＼キシルメ
タノール３．４ｇ　（２２，４ｍｍｏｆ’）をピリジン
２０ＩＩｊ！に溶かした。これにピリジン２０ｔＩ！に
溶かしたｐ−トルエンスルホン酸クロライド５．３ｇを
氷水浴中て５℃以下に冷却しながら滴下した。室温で１
０時間攪拌した後、氷水２００ｓｊ）に注入した。６Ｎ
塩酸水溶液により酸性側とした後、イソプロピルエーテ
ルで抽出した。有機相を洗液か中性となるまで水洗を繰
り返した後、硫酸マグネシウムにより乾燥した。これを
溶媒留去して、トランス−４−１−プロピルシクロヘキ
シルメチル−ｐ−トルエンスルホネートを得た。
（ＩＶ）　　ジメチルホルムアミド４０ｔｓｌに５−デ
シル−２−（４’−ヒドロキシフェニル）ピリミジン６
．３ｇ（２０、２ｍｍｏｊ’）を溶かした。これに８５
％水酸化カリウム１．５ｇを加え、＋００’Ｃで１時間
攪拌した。これにトランス−４−ｎ−プロピルシクロヘ
キシルメチル−ｐ−トルエンスルホネート６．９ｇを加
え、さらにＩｏｏｏＣて４時間攪拌した。反応終了後、
これを氷水２００ｍＩ！に注入し、ベンゼンて抽出した
。有機相を水洗した後、硫酸マグネシウムにより乾燥し
た。溶媒留去後、シリカゲルカラムクロマトグラフィー
により精製し、これをさらにエタノール／酢酸エチル混
合溶媒から再結晶して、前記例示化合物Ｎｏ、　４を得
た。
Ｉｎ　　（ａｍ伺） ２９２０．２８／１０，１６０８，１５８４，１４２８
，１２５８゜１１５４、　８００ 相転移温度（”Ｃ） （Ｓｍ２はＳ＋ｓＡ、　Ｓａｃ以外のスメクチック相、
未同定）合成例２（前記例示化合物Ｎｏ、　１２の合成
）（Ａが−Ｃの−ｉ　　山かアルコキシカルボニル基の
場合） （１）　　合成例１（Ｉ）、（ＩＩ）と同様に合成した
トランス−４−ｎ−プロピルシクロヘキシルメタノール
４．０ｇ　（２６，３ｍｍｏｊｌ’）をピリジン２５１
２に溶かした。これにピリジン２５＋ｓｉ’に溶かした
ｐ−ｔ−ルエンスルホン酸クロライド６．０ｇを氷水浴
中で５℃以下に冷却しながら滴下した。室温で１２時間
攪拌した後、氷水２００■Ｐに注入した。６Ｎ塩酸水溶
液により酸性側とした後、イソプロピルエーテルて抽出
した。有機相を洗液が中性となるまて水洗を繰り返した
後、硫酸マグネシウムにより乾燥した。これを溶媒留去
してトランス−４−ｎ−プロピルシクロヘキシルメチル
−ｐ−トルエンスルホネートな得た。
＜　ＩＩ　）　　ジメチルホルムアミド７０＋＊βに４
−デシルオキシカルボニル−４′−ヒドロキシビフェニ
ル９．３ｇ（２６，：ｌｎｍｏｊりを溶かした。これに
８５％水酸化カリウム２．１ｇを加え、１００°Ｃで１
時間３０分攪拌した。これにトランス−４−ｎ−プロピ
ルシクロヘキシルメチル−ｐ−トルエンスルホネート７
．４ｇを加え、さらに１００°Ｃて５時間攪拌した。こ
れを氷水２００ｍｆに注入し、ベンゼンで抽出した。有
機相を水洗した後、硫酸マグネシウムにより乾燥した。
溶媒留去後、シリカゲルカラムクロマトグラフィーによ
り精製し、さらにエタノール／酢酸エチル混合溶媒から
再結晶して前記例示化合物Ｎｏ、　１２を得た。
Ｉｎ　　（ａｍ−’） ２９２０．２８４０，１７１０．　　＋６０４．　１２
８８，１１９８゜１１１０．８３０．　７７２ 相転移温度（°Ｃ） １１　Ｕ　、　Ｕ １４１１　、　′Ｊ （Ｓｍ２はＳｍＡ、　Ｓａｃ以外のスメクチック相、未
同定）以上代表的な液晶性化合物の合成法について述べ
たが、一般式［ＩＩで示される他の液晶性化合物も、一
般にパラ置換シクロヘキシルメタノールなトシル化もし
くはハロゲン化した後、アルカリ存在下で、それぞれ対
応するフェノール類と反応させることにより容易に合成
することか出来る。
次に、その主な合成経路を下記に示す。
Ｒ、−（Ｅ）−ＣＨ□ＯＨ＋　　Ｒ、−（Ｅ）−ＣＩｔ
　。Ｘ（ｘ；　−３Ｏ：ｌへΦトＣＩ＋３　、　ハ０ゲ
ン）Ｒ，−（Ｅ）−ＣＩ１２Ｘ　　＋　　＋＋ｏ＄Ｒ２
（ただし、−ＧＤ−〇〇−はＡを示し、Ａ、　Ｒ，、Ｒ
２はいずれも前記定義の通りである。） 本発明の液晶組成物は前記一般式［ＩＩで示される液晶
性化合物１種以上と他の強誘電性液晶化合物１挿具１−
１あるいは他の強誘電性液晶組成物とを適ちな１１．１
合て混合することにより得ることがてきる。また、本発
明による液晶組成物は、強誘電性液晶Ｍｌ成物、特に強
誘電性カイラルスメクチック液晶組成物か好ましい。
ＪＬ体的には、前記−旧式［■］て示される液晶性化合
物１種以上と、下記−旧式［ｒｌ］て示される液晶性化
合物１種以上とを有する液晶組成物は、応答速度の温度
依存性か小さい液晶組成物をＩＩ多るのに有効に１動く
。
（式中、Ｒ３は直鎖状の）Ｒ素原子数１〜１６のアルキ
ル基、１７４は直鎖状の炭素原子数１〜１２のアルキル
但し、−旧式［ＩＴ］において、Ｒ３は直鎖状の炭素原
子数４〜Ｉ２のアルキル基がより好ましく、Ｒ４は直鎖
状の炭素原子数２−８のアルキル基かより好ましい。
また、前記−旧式［ＩＩで表わされる液晶性化合物の少
なくとも１種と、前記−旧式［１１］で示される液晶性
化合物の１種以上と、以下の一般式［ｍ］、［ｌＶ］お
よび［Ｖ］のうちの少なくともいずれか１種以上の液晶
性化合物とを有する液晶組ｒ＆物は、応答速度の温度依
存性を軽減させたまま、さらに低温作動特性を改善させ
ることがてきる。
かから選ばれたものを示す。） （式中、Ｒ５及びＲ６は直鎖状の炭素原子数ｌ〜１４の
アルキル基を示す。） イ（］］シ一般式式Ｉ［ＩＩ、［１７１において、Ｒ５
及びＲ６は直鎖状の炭素原子数４〜１２のアルキル基か
より好ましい。
一般°式［ＩＩ　］て示される例示化合物（式中、Ｒ７
は直鎖状の炭素原子数１〜１４のアルキル基、Ｒ８は直
鎖状の炭素原子数ｌ〜１４のアルキル基を示す。） 但し、−旧式［Ｖ］において、Ｒ７は直鎖状の炭素原子
数６〜１０のアルキル基かより好ましく、１１８は直鎖
状の炭素原子数２〜８のアルキル基かより好ましい。
本発明に用いる前記−旧式［１１］　、ｔｍｌ　、［ｒ
ｖ］及び［Ｖ］て示される液晶性化合物として下記に示
す化合物か使用できる。
（２−：ｌ） υ （２−１ｔ） υ υ υ υ 前記−旧式 ［ＴＩ　］ で示される液晶性化合物は、 特開昭６３−２２［］４２ 号公報。
特開昭６３−１２２６５１号公 報または特開昭６２−２７７３０６号公報等に記載され
ている方法により合成することかてきる。
一般式［Ｉ１１］ て示される例示化合物 （：ｌ−１） （：１−６） （］−７） 一般式［ＩＶ］ て示される例示化合物 υ υ υ ・服代［Ｖ］ て示される例示化合物 （５−１：１） υ （Ｓ−ｔＳ） 前記−服代［Ｖ］ で示される液晶性化合物は、 特開昭６２−１：１８４５４号公報に記載されている方
法により得ることかできる。
さらに、本発明者等の実験によれば、前記−服代［Ｉ］
で示される液晶性化合物の少なくとも１種と、 現れる。
ところで、本発明の液晶組成物には、前述の液晶組成物
に、さらに他の液晶性化合物を添加してもよく、例えば
下記の化合物を挙げることかてきる。
υ のうち少なくとも１種の液晶性化合物とを有する液晶組
成物は、低温作動特性の改善に有効であることかわかっ
た。
また、前記−服代［Ｌ］て示される液晶性化合物の少な
くとも１種と、前記−服代［Ｖ］て示される液晶性化合
物とを有する液晶組成物も低温作動特性の４片に有効で
あることかわかった。中でも、−服代［Ｖ］て示される
液晶性化合物群より）；シ素原子数の異なる少なくとも
３種以上の化合物を一般式［Ｉ］て示される液晶性化合
物とともに含有させると、より低温作動特性の改善か顕
著に（ｌＯ） （Ｉ４） （Ｉ８） （２Ｇ） （＋００） （＋０７） （＋０８） （ＩＩ＋） （＋１９） （＋２０） （＋２２） Ｃρ Ｃρ （１１：ｌ） （＋１４） （＋２９） （＋：１０） （１：１１） （１：１２） （＋３３） （１：１４） （＋４１） （＋４２） （＋４５） Ｆ （＋３６） （＋４７） （＋５５） （＋５７） （＋５８） （＋６６） （＋６７） （＋６８） （＋６９） （＋７０） （１６：１） 本発明における一般式［ＩＩて示される液晶性化合物と
上述の一般式［Ｉ］以外て示される他の強誘電性液晶性
化合物あるいは強誘電性液晶組成物（以下、強誘電性液
晶材料と略す）との配合割合は、他の強誘電性液晶材料
１００重量部当り、服代［ＩＩで示される液晶性化合物
を１〜５０１１重ｊｔ部、好ましくは１〜２００重量部
とすることか望ましい。
また、■一般式［ＩＩ及び−服代［ＩＩ　］て示される
液晶性化合物を有する液晶組成物、或いは■一般式［Ｉ
Ｉ及び のうち少なくとも１種を有する液晶組成物と、■又はく
め以外の別の強誘電性液晶材料との配合割合は、別の強
誘電性液晶材料１００重量部当り、■又は■を５〜５０
０重量部、好ましくは５〜３００重量部とすることか望
ましい。
さらに、■と一般式［１１１］〜［Ｖ］のうちいずれか
を有する液晶組成物（■）、或いは■−一般式Ｉ］で示
される液晶性化合物及び−旧式［Ｖ］で示される液晶性
化合物のうち３種以上を有する液晶組成物と、■又は■
以外のその他の強誘電性液晶材料との配合割合は、その
他の強誘電性液晶材料１００重量部当り、■又は■を５
〜８００重量部、好ましくは１０〜４００重量部とする
ことか望ましい。
さらに、本発明による強誘電性液晶素子における強誘電
性液晶層は、先に示したようにして作製した強誘電性液
晶組成物を真空中、等方性液体温度まで加熱し、素子セ
ル中に封入し、徐々に冷却して液晶層を形成させ常圧に
もどすことが好ましい。
第１図は強誘電性液晶素子の構成の説明のために、本発
明の強誘電性液晶層を有する液晶素子の一例を示す断面
概略図である。
第１図において、符号１は強誘電性液晶層、２はガラス
基板、３は透明電極、４は絶縁性配向制御層、５はスペ
ーサー、６はリード線、７は電源、８は偏光板、９は光
源を示している。
２枚のガラス基板２には、それぞれＩｎ２Ｏ，。
５１１０２あるいはＩＴＯ（インジウム　チン　オキサ
イド；　Ｉｎｄｉｕｍ　Ｔｉｎ　０ｘｉｄｅ）等の薄膜
から成る透明電極３か被覆されている。その上にポリイ
ミドの様な高分子の薄膜をガーゼやアセテート植毛布等
てラビンクして、液晶をラビング方向に並べる絶縁性配
向制御層４が形成されている。また、絶縁物質として、
例えばシリコン窒化物、水素を含有するシリコン炭化物
、シリコン酸化物、硼素窒化物、水素を含有する硼素窒
化物、セリウム酸化物、アルミニウム醜化物、ジルコニ
ウム醜化物、チタン酸化物やフッ化マグネシウムなどの
無機物質絶縁層を形成し、その上にポリビニルアルコー
ル、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエステルイミ
ド、ポリパラキシレン、ポリエステル、ポリカーボネー
ト、ポリビニルアセタール、ポリ塩化ビニル、ポリ酢酸
ビニル、ポリアミド、ポリスチレン、セルロース樹脂、
メラミン樹脂、ユリャ樹脂、アクリル樹脂やフォトレジ
スト樹脂などの有機絶縁物質を配向制御層として、２層
て絶縁性配向制御層４か形成されていてもよく、また無
機物質絶縁性配向制御層あるいは有機物質絶縁性配向制
御層単層であっても良い。この絶縁性配向制御層か無機
系ならば黒着法なとて形成でき、有機系ならば有機絶縁
物質を溶解させた溶液、またはその前駆体溶液（溶剤に
０．１〜２０重量％、好ましくは０．２〜１０重量％）
を用いて、スピンナー塗布法、浸漬塗布法、スクリーン
印刷法、スプレー塗布法、ロール塗布法等で塗布し、所
定の硬化条件下（例えば加熱下）で硬化させ形成させる
ことかてきる。
絶縁性配向制御層４の層厚は通常５０人〜１７ｔｕ＋、
好ましくは１００人〜３０００人、さらに好ましくは１
００人〜１０００人か適している。
この２枚のガラス基板２はスペーサー５によって任意の
間隔に保たれている。例えば、所定の直径を持つシリカ
ビーズ、アルミナビーズをスペーサーとしてガラス基板
２枚で挟持し、周囲をシール材１例えばエポキシ系接着
材を用いて密封する方法かある。その他、スペーサーと
して高分子フィルムやガラスファイバーを使用しても良
い。
この２枚のガラス基板の間に強誘電性液晶が封入されて
いる。
強誘電性液晶か封入された強誘電性液晶層１は、一般に
は０．５〜２０ル■、好ましくは１〜５ルｌである。
透明電極３からはリード線によって外部の電源７に接続
されている。
またガラス基板２の外側には偏光板８か貼り合わせであ
る。
第１図は透過型なのて光源９を備えている。
第２図は１強話電性液晶子の動作説明のために、セルの
例を模式的に描いたものである。２］ａと２１ｂは、そ
れぞれｌ　ｎ　２０　）　、　Ｓ　ｎ　０２あるいはＩ
ＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ−Ｔｉｎ　０ｘｉｄｅ）ｉの薄膜か
らなる透明電極て被覆された基板（ガラス板）てあり、
その間に液晶分子層２２がガラス面に垂直になるよう配
向したＳａｃ”相又はＳ＋ｓｌｌ”相の液晶か封入され
ている。太線て示した線２３か液晶分子を表わしており
、この液晶分子２３はその分子に直交した方向に双極子
モーメント（ｐｔ　）　２４を有している。基板２１ａ
と２１ｂ上の電極ｆｉｌｌに一一定の閾値以上の電圧を
印加すると、液晶分子２３のらせん構造かほどけ、双極
子モーメント（Ｐ工）２４がすべて電界方向に向くよう
、液晶分子２３は配向方向を変えることができる。液晶
分子２３は、細長い形状を有しており、その長袖方向と
短軸方向で屈折率異方性を示し、従って例えばガラス面
の上下に互いにクロスニコルの偏光子を置けば、電圧印
加極性によって光学特性が変わる液晶光学変調素子とな
ることは、容易に理解される。
本発明における光学変調素子て好ましく用いられる液晶
セルは、その厚さを充分に薄く（例えば１０Ｐ以下）す
ることかてきる。このように液晶層が薄くなるにしたが
い、第３図に示すように電界を印加していない状態でも
液晶分子のらせん構造かほどけ、その双極子モーメント
Ｐａまたはｐｂは上向き（：］４ａ）又は下向き（：１
４ｂ）のどちらかの状態をとる。このようなセルに、第
３図に示す如く一定の閾値以上の極性の異なる電界Ｅａ
又はＥ　ｂ？ニア１！圧印加手段３１ａと３１ｂにより
付与すると、双極子モーメントは、電界Ｅａ又はＥｂの
電界ベクトルに対応して上向き３４ａ又は下向き３４ｂ
と向きを変え、それに応じて液晶分子は、第１の安定状
態３３ａかあるいは第２の安定状態３３ｂの何れか一方
に配向する。
このような強誘電性液晶素子を光学変調素子として用い
ることの利点は、先にも述べたか２つある。
その第１は、応答速度か極めて速いことであり、第２は
液晶分子の配向が双安定性を有することである。第２の
点を、例えば第３図によって更に説明すると、電界Ｅａ
を印加すると液晶分子は第１の安定状７ｑ：１３ａに配
向するか、この状態は電界を切っても安定である。又、
逆向きの電界Ｅｂを印加すると、液晶分子は第２の安定
状態３３ｂに配向して、その分子の向きを変えるか、や
はり電界を切ってもこの状態に留っている。又、与える
電界ＥａあるいはＥｂか一定の閾値を越えない限り、そ
れぞれ前の配向状態にやはり維持されている。
［実施例］ 以下、実施例により本発明について更に詳細に説明する
か、本発明はこれらの実施例に限定されるものてはない
。
実施例１ 前記例示強誘電性液晶性化合物を下記の重量部で混合し
て液晶組成物Ａを得た。
例示化合物Ｎｏ、　　　　　　重量部 （：１−１）　　　　　　　　　５６ （４−１）　　　　　　　　　＋４ （２−４）　　　　　　　　　　７．５（２−５）　　
　　　　　　　ｚｚ、ｓ以下に液晶組成物Ａの相転移温
度（’Ｃ）を示す。
相転移温度（℃） 次に、この液晶組Ｊ＆、物Ａに対して合成例１，２てと
りあげた例示化合物４．１２を ｆｆｉ贋部 液晶組成物Ａ　　　　　　９０ 例示化合物Ｎｏ、　４　　　　　　６．７例示化合物Ｎ
ｏ、１２　　　　　　３．３の割合て混合し、液晶組成
物Ｂを得た。この液晶組成物Ｂの相転移温度（°Ｃ）は
以下の通ってあった。
相転移温度（°Ｃ） 次に、２枚の（］、７＋ａｍ厚のガラス板を用意し、そ
れぞれのガラス板りにＩＴＯ膜を形成し、電圧印加゛１
［極を作成し、さらにこの上に５ｉｎ２を蒸着させ絶縁
層とした。ガラス板−ヒにシランカップリング剤〔信越
化学■製、ＫＢＭ−６０２）　０．２％イソプロピルア
ルコール溶液を回転数２０００ｒ、ｐ、ａ＋、のスピー
ドて１５秒間塗布し、表面処理を施した。この後１２０
℃にて２０分間加熱乾燥処理を施した。
さらに、表面処理を行なったＩＴＯ膜付きのガラス板上
にポリイミド樹脂前駆体（東し■製、　５ｐ−５１０）
　１．５％ジメチルアセトアミド溶液を回転数２０００
ｒ、ｐ、１１．のスピンナーで１５秒間塗布した。成：
り後、６０分間、３００°Ｃで加熱縮合焼成処理を施１
ノだ。この時の塗膜の膜厚は、約２５０人てあった。
この焼成後の被膜には、アセテート植毛布によるラビン
グ処理かなされ、その後イソプロピルアルコール液て洗
浄し、平均粒径２ｇｍのアルミナビーズな一方のガラス
板りに散布した後、それぞ１１のラビング処理軸か互い
に平行となる様にし、接着シール剤（チッソ■製、リク
ソンボンド）を用いてガラス板をはり合わせ、６０分間
１００°Ｃにて加熱乾燥しセルを作成した。このセルの
セル厚をベレック（＆粗板によって測定したところ、約
２座ｍてあった。
このセルに前記液晶組成物Ｂを等方性液体状態て注入し
、等吉相から５６Ｃ／ｈで２５℃まて徐冷することによ
り強誘電性液晶素子を作成した。
この強誘電性液晶素子を使って自発分極の大きさＰｓと
ピーク・トウ・ピーク電圧Ｖ　ｌ、ｐ＝　２０Ｖの電圧
印加により直交ニコル下ての光学的な応答（透過光１１
Ｙ変化Ｏ〜９０％）を検知して応答速度（以後、光学応
答速度という）を測定した。その結果を次に示す。
２５　°Ｃ３５℃ 応答速度（μ５ｅｃ）　　　２８０　　　１１０Ｐｓ　
　　（ｎＣ／ｃｍ２）　　　　２４．２　　　　　１５
．１また、２５°Ｃにおけるこの駆動時のコントラスト
は１２て明瞭なスイッチング動作か観察された。
比れ例１ 実施例１て混合した液晶組成物Ａをセル内に注入する以
外は、全〈実施例１と同様の方法て強誘電性液晶素子を
作成し、自発分極の大きさＰｓと光学応答速度を測定し
た。その結果を次に示す。
２５℃　　３５℃ 応答速度し５ｅｅ）　　　４３０　　　ｔＳＯＰｓ　　
（ｎＣ／ｃ１２）　　　３６．５　　２６．２実施例１
と比較例１より明らかな様に１本発明による液晶性化合
物を含有する強誘電性液晶素子の方か粘性か低下してお
り（前述の式［Ａ］より、２５°Ｃにおける粘度か約１
７２になっている）、自発分極の大きさのＩＩｎとは逆
に、低温における作動特性、高速応答性が改善され、か
つ応答速度の温度依存性が著しく軽減されている。
実施例２ 実施例１て用いた例示化合物Ｎｏ、　４．１２に代えて
下記の相転移を示す例示化合物Ｎｏ、５．１５を重量部
２．５．７．５の割合て混合して液晶組成物Ｃを得た。
相転移温度（°Ｃ） 例示化合物Ｎｏ、　５ 例示化合物Ｎｏ、　１５ この液晶組成物Ｃを用いたほかは実施例１と同様の方法
て強誘電性液晶素子を作成し、実施例１と同様の方法で
光学応答速度を測定し、スイッチング状態等を観察した
。この液晶素子内の均一配向性は良好であり、モノドメ
イン状態が得られた。
測定結果を次に示す。
２５℃　　　３５’Ｃ 応答速度（ｇｓｅｃ）　　　２９０　　　１２５Ｐｓ　
　（ｎｃ／ｃｍ２）　　２１５　　　１３．８また、２
５°Ｃにおけるこの駆動時のコントラストは１１て、明
瞭なスイッチング動作がｆｉｌｌ察され、電圧印加を止
めた際の双安定性も良好であった。
実施例３ 実施例１て用いた例示化合物Ｎｏ、　４．１２に代えて
下記の相転移を示す例示化合物Ｎｏ、　１４．３０を重
１部ｌ０９５の割合で混合して液晶組成物りを得た。
相転移温度（℃） 例示化合物Ｎｏ、　１４ 例示化合物Ｎｏ、　３０ この液晶組成物りを用いたほかは、実施例１と同様の方
法で強誘電性液晶素子を作成し、実施例１と同様の方法
で光学応答速度を測定し、スイッチング状態等を観察し
た。この液晶素子内の均一配向性は良好であり、モノド
メイン状態か得られた。
Δ１１１定結果を次に示す。
２５°Ｃ３５℃ 応答速度（ｐｓｅｃ）　　　２７０　　　　９５Ｐｓ　
　（ｎＣ／ｃｍ２）　　２４．８　　　１６．９また、
２５℃におけるこの駆動時のコントラストは１４て、明
瞭なスイッチン）り動作か観察され、電圧印加を止めた
際の双安定性も良好てあった、実施例４ 実施例１て用いた例示化合物Ｎｏ、見に代えて下記の相
転移を示す例示化合物Ｎｏ、　２７を３．３重量部混合
して液晶組ｒＲ，物Ｅを得た。
相転移温度（°Ｃ） 例示化合物Ｎｏ、　２７ この液晶組成物Ｅを用いたほかは実施例１と同様の方法
て強誘電性液晶素子を作成し、実施例１と同様の方法で
光学応答速度を側足し、スイッチング状態等を観察した
。この液晶素子内の均一配向性は良好であり、モノドメ
イン状態か得られた。
測定結果を次に示す。
２５’Ｃ３５℃ 応答速度（ｐｓｅｃ）　　　２６５　　　１００Ｐｓ　
　（ｎＣ／ｃｍ”）　　２３．６　　　１４．２また、
２５℃におけるこの駆動時のコントラストは１１で、明
瞭なスイッチング動作か観察され、電圧印加を止めた際
の双安定性も良好であった。
実施例５ 実施例１て用いた例示化合物Ｎｏ、　４．１２に代えて
例示化合物Ｎｏ、　１４をＩＯ０重量部混して液晶組成
物Ｆを得た。
この液晶組成物Ｆを用いたほかは実施例１と同様の方法
で強誘電性液晶素子を作成し、実施例１と同様の方法で
光学応答速度を測定し、スイッチング状態等を観察した
。この液晶素子内の均一配向性は良好であり、モノドメ
イン状態か得られた。
測定結果を次に示す。
２５　０Ｃ３５℃ 応答速度（終５ｅｃ）　　　３００　　　１１５Ｐｓ　
　（ｎＣ／ｃｎ＋２）　　　２５．：Ｉ　　　　　１５
．１また、２５℃におけるこの駆動時のコントラストは
１３て、明瞭なスイッチング動作かｉＪ２察され、電圧
印加を止めた際の双安定性も良好であった。
実施例６ 実施例１て用いた例示化合＠Ｎｏ、　４　、１２に代え
て下記の相転移を示す例示化合物Ｎｏ、　１９．２１を
重７４部３．３．６．７の割合で混合して液晶組成物Ｇ
を得た。
相転移温度（°Ｃ） 例示化合物Ｎｏ、す 例示化合物Ｎｏ、吋 この液晶組成物Ｇを用いたほかは実施例１と同様の方法
て強誘電性液晶素子を作成し、実施ｈ１と同様の方法で
光学応答速度を測定し、スイッチング状態等を１１Ｊｌ
察した。この液晶素子内の均一配向性は良好であり、モ
ノドメイン状Ｉ凪か得られた。
測定結果を次に示す。
２５　℃　　　　　３５　°Ｃ 応答速度（ｇｓｅｃ）　　　２８０　　　１００Ｐｓ　
　　（ｎ（：／ｃ１１２）　　　　２：１．３　　　　
　１：１．５また、２５℃におけるこの駆動時のコント
ラストはｌ！て、明瞭なスイッチング動作か観察され、
電圧印加を止めた際の双安定性も良好てあった。
実施例７ 実施例１て用いた例示化合物Ｎｏ、　４　、１２に代え
て下記の相転移を示す例示化合物Ｎｏ、　３７を５重量
部混合して液晶組成物Ｈを得た。
相転移温度（”Ｃ） 例示化合物Ｎｏ、　３７ この液晶組成物Ｈを用いたほかは実施例１と同様の方法
て強誘電性液晶素子を作成し、実施例１と同様の方法て
光学応答速度を測定し、スイッチンク状ｙＥ等を！１１
！察した。この液晶素子内の均一配向性は良好てあり、
モノドメイン状態か得られた。
測定結果を次に示す。
２５　°０　　　　３５　℃ 応答速度（ＩＬｓｅｃ）　　　：１２０　　　１：１５
Ｐｓ　　（ｎｃ八：ｍ”）　　　　２４．９　　　　　
１４．１また、２５°Ｃにおけるこの駆動時のコントラ
ストは１２て、明瞭なスイッチング動作か観察され、電
圧印加を止めた際の双安定性も良好てあった。
実施例８ 実施例１て使用した液晶組成物Ａに代えて、前記例示強
誘電性液晶性化合物を下記の重量部で混合した液晶組成
物Ｉを用い、液晶組成物Ｊを作成Ｖ／だ。これを用いた
他は実施例１と同様の方法で強誘電性液晶素子を作成し
、実施例１と同様の方法で光学応答速度を測定した。
液晶組成物Ｉ 例示化合物Ｎｏ、　　　　　重量部 （５−：ｌ）　　　　　　　　５０ 結果を次に示す。
２５℃　　３５℃　　ｓｏ−’ｃ 応答速度（ル５ｅｃ）　　　６２０　　　　：１９０　
　　２００比較例２ 実施例８で混合した液晶組成物■をセル内に柱入する以
外は全〈実施例１と同様の方法で強誘電性液晶素子を作
成し、実施例１と同様の方法で光学応答速度を測定した
。
結果を次に示す。
２５℃　　３５°Ｃ５０℃ 応答速度（ｇｓｅｃ）　　　７：１０　　　５１０　　
　２３０実施例９ 実施例２て使用した実施例１の液晶組成物Ａに代えて、
実施例８て示した液晶組成物■を用い、液晶組成物Ｋを
作成した。これを用いた他は実施例１と同様の方法で強
誘電性液晶素子を作成し。
実施例１と同様の方法で光学応答速度を測定した。
結果を次に示す。
２５　℃　　　　３５　℃　　　　５０　℃応答速度し
５ｅｃ）　　　６４０　　　４０５　　　２１０実施例
１〜９と比較例１．２の結果より明らかな様に、本発明
に係わる骨格中にシクロヘキサン環を有する非光学活性
液晶性化合物を含有する液晶組成物Ｂ〜Ｈ及びＪ、には
、それらを含有しない液晶組成物Ａ、Ｉと比べ低温作動
特性が非常に改善され、応答速度の温度依存性が小さく
なっていることか認られる。
実施例１０ 前記例示強誘電性液晶性化合物を下記の重量部で混合し
、液晶組成物りを作成した。
例示化合物Ｎｏ、　　　　　重量部 これに、′例示化合物Ｎｏ、耳、ぜを 重量部 液晶組成物Ｌ　　　　　　　８５ 例示化合物Ｎｏ、　３０　　　　　ｔ。
例示化合物Ｎｏ、旦　　　　５ の割合で混合し液晶組成物Ｍを作成した。
この液晶組成物を用いた他は実施例１と同様の方法で光
学応答速度を測定し、スイッチング状態等を観察した。
この液晶素子内の均一配向性は良好であり、モノドメイ
ン状態か得られた。
測定結果を次に示す。
２５°Ｃ３５°Ｃ４５℃ 応答速度（ｍｓｅｃ）　　　３．８０　　　２．０５　
　　１．：１５また、明瞭なスイッチング動作が観察さ
れ、電圧印加を止めた際の双安定性も良好であった。
比較例３ 実施例１０て混合した液晶組成物りをセル内に注入する
以外は全〈実施例１と同様の方法て強誘電性液晶素子を
作成し、実施例１と同様の方法て光学応答速度を測定し
た。
Ｊｌｌｌｌｌｌ全結果示す。
２５℃　　３５℃　　４５℃ 応答速度（ｍｓｅｃ）　　　５．＋０　　　２．７５　
　　１．７０実施例１１ 実施例１Ｏで用いた例示化合物Ｎｏ、耳、　４２にかえ
て、例示化合物Ｎｏ、４０．５６を下記の重量部て混合
し、液晶組成物Ｎを作成した。
重量部 液晶組成物１．　　　　　　９０ ０例示化物Ｎｏ、　４０　　　　７ 例示化合物Ｎｏ、　５６　　　　３ この液晶組成物を用いた他は実施例１と同様の方法で光
学応答速度をＸ１１定し、スイ・ンチング状態等を観察
した。この液晶素子内の均一配向性は良好であり、モノ
ドメイン状態か得られた。
測定結果を次に示す。
２５℃　　３５℃　　４５℃ 応答速度（ｍｓｅｃ）　　　３．９５　　　２．１０　
　　１．４０また、明瞭なスイッチング動作か観察され
、電圧印加を止めた際の双安定性も良好てあった。
実施例１０．１１と比較例３からも明らかな様に、本発
明による液晶性化合物を含有する液晶組成物Ｍ、Ｎは、
それらを含有しない液晶組成物りと比べ、特に低温での
作動特性が改善されている。
また、温度依存性も若干ながら小さくなっている。
実施例１２ 前記例示強誘電性液晶性化合物を下記の重量部で混合し
、液晶組成物Ｏを作成した。
例示化合物Ｎｏ、　　　　　重量部 ＋、５　　　　　　　　２０ ２−８　　　　　　　　　　　　　　　　　＋　５これ
に、例示化合物Ｎｏ、４２．４６を重量部 液晶組成物０８８ 例示化合物Ｎｏ、　４２　　　　８ 例示化合物Ｎｏ、　４６　　　　４ の割合て混合し液晶組ｒ＆物Ｐを作成した。
この液晶組成物を用いた他は実施例１と同様の方法て光
学応答速度を測定し、スイッチング状態等を観察した。
この液晶素子内の均一配向性は良好であり、モノドメイ
ン状態か得られた。
？１１１定結果を次に示す。
２５℃　　３５６Ｃ４５℃ 応答速度（ｐｓｅｃ）　　　２６０　　　１９５　　　
１４０また、明瞭なスイッチング動作かｆｉｌｌ察され
、電圧印加を一ヒめた際の双安定性も良好てあった。
比較例４ 実施例１２で混合した液晶組成物０をセル内に注入する
以外は全〈実施例１と同様の方法で強誘電性液晶素子を
作成し、実施例１と同様の方法で光学応答速度を測定し
た。
測定結果を次に示す。
２５６Ｃ３５℃　　４５°Ｃ 応答速度（ｐｓｅｃ）　　　３０５　　　２２０　　　
１４５実施例１３ 実施例１２で用いた例示化合物Ｎｏ、４２．４６にかえ
て、例示化合物Ｎ０１１６．３０を下記の重量部て混合
１ノ、液晶組成物Ｑを作成した。
重量部 液晶組成物０　　　　　　９０ 例示化合物Ｎｏ、　１６　　　　４ 例示化合物Ｎｏ、　３０　　　　　に の液晶組成物を用いた他は実施例１と同様の方法て光学
応答速度を測定し、スイッチング状態環τ観察した。こ
の液晶素子内の均一配向性は良好であり、モノドメイン
状態か得られた。
測定結果を次に示す。
２５９Ｃ３５°Ｃ４５℃ 応答速度（ｐｓｅｃ）　　　２３０　　　１７５　　　
１３０また。明瞭なスイッチング動作が観察され、電圧
印加を止めた際の双安定性も良好であった。
実施例１２．　ｌ：ｌと比較例４からも明らかな様に、
本発明による液晶性化合物を含有する液晶組成物Ｐ、Ｑ
は、それらな含有しない液晶組成物０と比べ、特に低温
作動特性が改善され、応答速度の温度依存性か小さくな
っていることがわかる。
実施例１４ 一実施例１て使用したポリイミド樹脂前駆体１．５％ジ
メチルアセトアミド溶液に代えて、ポリビニルアルコー
ル樹脂（クラレ■製、ＰＶＡ−１１７）　２％水溶液を
用いた他は、実施例１と全く同様の方法で強誘電性液晶
素子を作成し、実施例１と同様の方法て光学応答速度を
測定した。その結果を次に示す。
２５　℃　　　　　３５　℃ 応答速度（終５ｅｅ）　　　２９５　　　１２０また、
２５°Ｃにおけるこの駆動時におけるコントラ・ストは
１４てあった。
実施例１５ 実施例１で使用したＳｉＯ□を用いずに、ポリイミド樹
脂たけで配向制御層を作成した以外は、全〈実施例１と
同様の方法で強誘電性液晶素子を作成し、実施例１と同
様の方法で光学応答速度を測定した。その結果を次に示
す。
２５℃　　３５℃ 応答速度（μ５ｅｃ）　　　２５５　　　　９０実施例
１４．１５より明らかな様に、素子構成を変えた場合て
も本発明に係わる強調′電性液晶組成物を含有する素子
は、実施例１と同様に、低温作動特性が非常に改善され
、かつ、応答速度の温度依存性の軽減されたものとなっ
ている。
［発明の効果］ 以上説明した様に、本発明の液晶性化合物を含有する強
誘電性液晶組成物を使用した素子は、スイッチング動作
か良好で、低温作動特性の改善されだ液晶素子、及び応
答速゛度の温度依存性の軽減された液晶素子とすること
ができる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の強誘電性液晶層を用いた液晶表示素子
の一例を示す断面概略図、第２図および第３図は強誘電
性液晶素子の動作説明のために、素子セルの一例を模式
的に表わす斜視図である。 ■・・・強誘電性液晶層　２・・・ガラス基板３・・・
透明電極　　　　４・・・絶縁性配向制御層５・・・ス
ペーサー　　　６・・・リード線７・・・電源　　　　
　　８・・・偏光板９・・・光源　　　　　　Ｉ。・・
・入射光Ｉ・・・透過光 ２１ａ・・・基板　　　　　２１ｂ・・・基板２２・・
・液晶分子層　　　２３・・・液晶分子２４・・・双極
子モーメント（Ｐｌ） ：ｌＩａ、３１ｂ・・・電圧印加手段 ３３ａ・・・第１の安定状態 ３３ｂ・・・第２の安定状態 ３４ａ・・・北向き双極子モーメント ３４ｂ ・・・下向き双極子モーメント Ｅａ・・・上向きの電界 Ｅｂ・・・下向きの電界

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）下記一般式［ I ］ ▲数式、化学式、表等があります▼［ I ］ （式中、Ｒ＿１は置換基を有していてもよい炭素原子数
    １〜１６のアルキル基、Ｒ＿２は置換基を有していても
    よい炭素原子数１〜１６のアルキル基、アルコキシ基、
    アルコキシカルボニル基、アシルオキシ基、アルコキシ
    カルボニルオキシ基のいずれかを示し、Ａは置換基を有
    していてもよい ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
    表等があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼
    、 ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
    表等があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼
    、 ▲数式、化学式、表等があります▼のいずれかを示す。 ） で表わされる液晶性化合物の少なくとも１種と、下記一
    般式［II］ ▲数式、化学式、表等があります▼［II］ （式中、Ｒ＿３は直鎖状の炭素原子数１〜１６のアルキ
    ル基、Ｒ＿４は直鎖状の炭素原子数１〜１２のアルキル
    基、Ｘ＿１は単結合、−Ｏ−、▲数式、化学式、表等が
    あります▼、▲数式、化学式、表等があります▼のいず
    れかから選ばれ、Ｘ＿２は−ＯＣＨ＿２−、▲数式、化
    学式、表等があります▼、▲数式、化学式、表等があり
    ます▼、−ＣＨ＿２−のいずれかから選ばれ、Ｚは▲数
    式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、表等
    があります▼のいずれかから選ばれたものを示す。） で示される液晶性化合物の１種以上とを有することを特
    徴とする液晶組成物。
  2. （２）下記一般式［ I ］ ▲数式、化学式、表等があります▼［ I ］ （式中、Ｒ＿１は置換基を有していてもよい炭素原子数
    １〜１６のアルキル基、Ｒ＿２は置換基を有していても
    よい炭素原子数１〜１６のアルキル基、アルコキシ基、
    アルコキシカルボニル基、アシルオキシ基、アルコキシ
    カルボニルオキシ基のいずれかを示し、Ａは置換基を有
    していてもよい ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
    表等があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼
    、 ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
    表等があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼
    、 ▲数式、化学式、表等があります▼のいずれかを示す。 ） で表わされる液晶性化合物の少なくとも１種と、下記一
    般式［II］ ▲数式、化学式、表等があります▼［II］ （式中、Ｒ＿３は直鎖状の炭素原子数１〜１６のアルキ
    ル基、Ｒ＿４は直鎖状の炭素原子数１〜１２のアルキル
    基、Ｘ＿１は単結合、−Ｏ−、▲数式、化学式、表等が
    あります▼、▲数式、化学式、表等があります▼のいず
    れかから選ばれ、Ｘ＿２は−ＯＣＨ＿２−、▲数式、化
    学式、表等があります▼、▲数式、化学式、表等があり
    ます▼、−ＣＨ＿２−のいずれかから選ばれ、Ｚは▲数
    式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、表等
    があります▼のいずれかから選ばれたものを示す。） で示される液晶性化合物の１種以上と、下記一般式［I
    II］、［IV］および［Ｖ］のうちの少なくともいずれか
    １種以上の液晶性化合物 ▲数式、化学式、表等があります▼［III］ ▲数式、化学式、表等があります▼［IV］ （式中、Ｒ＿５及びＲ＿６は直鎖状の炭素原子数１〜１
    ４のアルキル基を示す。） ▲数式、化学式、表等があります▼［Ｖ］ （式中、Ｒ＿７は直鎖状の炭素原子数１〜１４のアルキ
    ル基、Ｒ＿８は直鎖状の炭素原子数１〜１４のアルキル
    基を示す。） とを有することを特徴とする液晶組成物。
  3. （３）下記一般式［ I ］ ▲数式、化学式、表等があります▼［ I ］ （式中、Ｒ＿１は置換基を有していてもよい炭素原子数
    １〜１６のアルキル基、Ｒ＿２は置換基を有していても
    よい炭素原子数１〜１６のアルキル基、アルコキシ基、
    アルコキシカルボニル基、アシルオキシ基、アルコキシ
    カルボニルオキシ基のいずれかを示し、Ａは置換基を有
    していてもよい ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
    表等があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼
    、 ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
    表等があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼
    、 ▲数式、化学式、表等があります▼のいずれかを示す。 ） で表わされる液晶性化合物の少なくとも１種と、▲数式
    、化学式、表等があります▼ および ▲数式、化学式、表等があります▼ のうち少なくとも１種の液晶性化合物とを有することを
    特徴とする液晶組成物。
  4. （４）下記一般式［ I ］ ▲数式、化学式、表等があります▼［ I ］ （式中、Ｒ＿１は置換基を有していてもよい炭素原子数
    １〜１６のアルキル基、Ｒ＿２は置換基を有していても
    よい炭素原子数１〜１６のアルキル基、アルコキシ基、
    アルコキシカルボニル基、アシルオキシ基、アルコキシ
    カルボニルオキシ基のいずれかを示し、Ａは置換基を有
    していてもよい ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
    表等があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼
    、 ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
    表等があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼
    、 ▲数式、化学式、表等があります▼のいずれかを示す。 ） で表わされる液晶性化合物の少なくとも１種と、下記一
    般式［Ｖ］ ▲数式、化学式、表等があります▼［Ｖ］ （式中、Ｒ＿７は直鎖状の炭素原子数１〜１４のアルキ
    ル基、Ｒ＿８は直鎖状の炭素原子数１〜１４のアルキル
    基を示す。） で表わされる液晶性化合物の少なくとも３種とを有する
    ことを特徴とする液晶組成物。
  5. （５）下記一般式［ I ］ ▲数式、化学式、表等があります▼［ I ］ （式中、Ｒ＿１は置換基を有していてもよい炭素原子数
    １〜１６のアルキル基、Ｒ＿２は置換基を有していても
    よい炭素原子数１〜１６のアルキル基、アルコキシ基、
    アルコキシカルボニル基、アシルオキシ基、アルコキシ
    カルボニルオキシ基のいずれかを示し、Ａは置換基を有
    していてもよい ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
    表等があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼
    、 ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
    表等があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼
    、 ▲数式、化学式、表等があります▼のいずれかを示す。 ） で表わされる液晶性化合物の少なくとも１種と、下記一
    般式［II］ ▲数式、化学式、表等があります▼［II］ （式中、Ｒ＿３は直鎖状の炭素原子数１〜１６のアルキ
    ル基、Ｒ＿４は直鎖状の炭素原子数１〜１２のアルキル
    基、Ｘ＿１は単結合、−Ｏ−、▲数式、化学式、表等が
    あります▼、▲数式、化学式、表等があります▼のいず
    れかから選ばれ、Ｘ＿２は−ＯＣＨ＿２−、▲数式、化
    学式、表等があります▼、▲数式、化学式、表等があり
    ます▼、−ＣＨ＿２−のいずれかから選ばれ、Ｚは▲数
    式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、表等
    があります▼のいずれかから選ばれたものを示す。） で示される液晶性化合物の１種以上とを有する液晶組成
    物を使用することを特徴とする液晶素子。
  6. （６）下記一般式［ I ］ ▲数式、化学式、表等があります▼［ I ］ （式中、Ｒ＿１は置換基を有していてもよい炭素原子数
    １〜１６のアルキル基、Ｒ＿２は置換基を有していても
    よい炭素原子数１〜１６のアルキル基、アルコキシ基、
    アルコキシカルボニル基、アシルオキシ基、アルコキシ
    カルボニルオキシ基のいずれかを示し、Ａは置換基を有
    していてもよい ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
    表等があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼
    、 ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
    表等があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼
    、 ▲数式、化学式、表等があります▼のいずれかを示す。 ） で表わされる液晶性化合物の少なくとも１種と、下記一
    般式［II］ ▲数式、化学式、表等があります▼［II］ （式中、Ｒ＿３は直鎖状の炭素原子数１〜１６のアルキ
    ル基、Ｒ＿４は直鎖状の炭素原子数１〜１２のアルキル
    基、Ｘ＿１は単結合、−Ｏ−、▲数式、化学式、表等が
    あります▼、▲数式、化学式、表等があります▼のいず
    れかから選ばれ、Ｘ＿２は−ＯＣＨ＿２−、▲数式、化
    学式、表等があります▼、▲数式、化学式、表等があり
    ます▼、−ＣＨ＿２−のいずれかから選ばれ、Ｚは▲数
    式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、表等
    があります▼のいずれかから選ばれたものを示す。） で示される液晶性化合物の１種以上と、下記一般式［I
    II］、［IV］および［Ｖ］のうちの少なくともいずれか
    １種以上の液晶性化合物 ▲数式、化学式、表等があります▼［III］ ▲数式、化学式、表等があります▼［IV］ （式中、Ｒ＿５及びＲ＿６は直鎖状の炭素原子数１〜１
    ４のアルキル基を示す。） ▲数式、化学式、表等があります▼［Ｖ］ （式中、Ｒ＿７は直鎖状の炭素原子数１〜１４のアルキ
    ル基、Ｒ＿８は直鎖状の炭素原子数１〜１４のアルキル
    基を示す。） とを有する液晶組成物を使用することを特徴とする液晶
    素子。
  7. （７）下記一般式［ I ］ ▲数式、化学式、表等があります▼［ I ］ （式中、Ｒ＿１は置換基を有していてもよい炭素原子数
    １〜１６のアルキル基、Ｒ＿２は置換基を有していても
    よい炭素原子数１〜１６のアルキル基、アルコキシ基、
    アルコキシカルボニル基、アシルオキシ基、アルコキシ
    カルボニルオキシ基のいずれかを示し、Ａは置換基を有
    していてもよい ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
    表等があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼
    、 ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
    表等があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼
    、 ▲数式、化学式、表等があります▼のいずれかを示す。 ） で表わされる液晶性化合物の少なくとも１種と、▲数式
    、化学式、表等があります▼ および ▲数式、化学式、表等があります▼ のうち少なくとも１種の液晶性化合物とを有する液晶組
    成物を使用することを特徴とする液晶素子。
  8. （８）下記一般式［ I ］ ▲数式、化学式、表等があります▼［ I ］ （式中、Ｒ＿１は置換基を有していてもよい炭素原子数
    １〜１６のアルキル基、Ｒ＿２は置換基を有していても
    よい炭素原子数１〜１６のアルキル基、アルコキシ基、
    アルコキシカルボニル基、アシルオキシ基、アルコキシ
    カルボニルオキシ基のいずれかを示し、Ａは置換基を有
    していてもよい ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
    表等があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼
    、 ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
    表等があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼
    、 ▲数式、化学式、表等があります▼のいずれかを示す。 ） で表わされる液晶性化合物の少なくとも１種と、下記一
    般式［Ｖ］ ▲数式、化学式、表等があります▼［Ｖ］ （式中、Ｒ＿７は直鎖状の炭素原子数１〜１４のアルキ
    ル基、Ｒ＿８は直鎖状の炭素原子数１〜１４のアルキル
    基を示す。） で表わされる液晶性化合物の少なくとも３種とを有する
    液晶組成物を使用することを特徴とする液晶素子。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0331392A (ja) * 1989-06-29 1991-02-12 Mitsui Toatsu Chem Inc 強誘電性液晶組成物および強誘電性液晶素子
CN1083744C (zh) * 1997-08-22 2002-05-01 株式会社神户制钢所 气体保护电弧焊接用药芯焊丝

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