JPH0266840A - 電子線測定器 - Google Patents
電子線測定器Info
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- JPH0266840A JPH0266840A JP1160581A JP16058189A JPH0266840A JP H0266840 A JPH0266840 A JP H0266840A JP 1160581 A JP1160581 A JP 1160581A JP 16058189 A JP16058189 A JP 16058189A JP H0266840 A JPH0266840 A JP H0266840A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement, ion-optical arrangement
- H01J37/147—Arrangements for directing or deflecting the discharge along a desired path
-
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- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
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- H01J37/26—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes
- H01J37/266—Measurement of magnetic- or electric fields in the object; Lorentzmicroscopy
- H01J37/268—Measurement of magnetic- or electric fields in the object; Lorentzmicroscopy with scanning beams
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
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- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野］
この発明は、第１ビーム軸上に設けられた第１電子源、
第１ビーム偏向系、ビーム消去絞り、少なくとも１つの
コンデンサレンズ、第１ビーム軸に沿って導かれる電子
を試料上に集束する対物レンズおよび試料から放出され
た二次粒子と後方散乱粒子を検出する分光計−検出系を
備える電子線測定器に関するものである。
第１ビーム偏向系、ビーム消去絞り、少なくとも１つの
コンデンサレンズ、第１ビーム軸に沿って導かれる電子
を試料上に集束する対物レンズおよび試料から放出され
た二次粒子と後方散乱粒子を検出する分光計−検出系を
備える電子線測定器に関するものである。
文献［マイクロエレクトロニクス
リング（Ｍｉｃｒｏｅｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ Ｅｎｇｉ
ｎｅｅｒｉｎｇ） Ｊ Ｖｏ１７．１９８７．１６３−
１７２頁により０．５ないし２．５ ｋ Ｖの低加速電
圧に対して最適化された電子線測定器が公知であり、こ
の測定器を使用してマイクロエレクトロニクス・デバイ
ス中の電位分布を約０．１μｍの位置分解能をもって走
査し、又０．５μｍ幅までの導体路の電位分布を従来の
ビーム消去系に予定されている約１００ないし２００ｐ
ｓの時間分解能をもってストロボ記録することができる
。
ｎｅｅｒｉｎｇ） Ｊ Ｖｏ１７．１９８７．１６３−
１７２頁により０．５ないし２．５ ｋ Ｖの低加速電
圧に対して最適化された電子線測定器が公知であり、こ
の測定器を使用してマイクロエレクトロニクス・デバイ
ス中の電位分布を約０．１μｍの位置分解能をもって走
査し、又０．５μｍ幅までの導体路の電位分布を従来の
ビーム消去系に予定されている約１００ないし２００ｐ
ｓの時間分解能をもってストロボ記録することができる
。
文献「アプライド・フィジクス・レターズ（Ａｐｐｉ、
Ｐｈｙｓ、 Ｌｅｔｔ１） Ｊ ５１ （２）、１９
８７．１４５１４７頁によれば、ＬａＢ６電界放出放射
体がレーザー光パルス（パルス繰り返し周波数１００Ｍ
Ｈｚ、パルス幅１−２ｐｓ）で照射される光電陰極で置
き換えられている走査電子顕微鏡が公知である。光電子
パルスの幅は光電子を放出させるレーザー光パルスの幅
にほぼ対応するから、この系は特に高速のヒ化ガリウム
回路においてピコ秒領域の時間分解能をもってストロボ
測定を行うのに適している。この場合位置分解能は従来
のビーム発生器を備える走査電子顕微鏡のそれにほぼ対
応する。
Ｐｈｙｓ、 Ｌｅｔｔ１） Ｊ ５１ （２）、１９
８７．１４５１４７頁によれば、ＬａＢ６電界放出放射
体がレーザー光パルス（パルス繰り返し周波数１００Ｍ
Ｈｚ、パルス幅１−２ｐｓ）で照射される光電陰極で置
き換えられている走査電子顕微鏡が公知である。光電子
パルスの幅は光電子を放出させるレーザー光パルスの幅
にほぼ対応するから、この系は特に高速のヒ化ガリウム
回路においてピコ秒領域の時間分解能をもってストロボ
測定を行うのに適している。この場合位置分解能は従来
のビーム発生器を備える走査電子顕微鏡のそれにほぼ対
応する。
文献［マイクロエレクトロ二ンク・エンジニアリング（
Ｍｉｃｒｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉ
ｎｇ ） 」Ｖｏｌ。
Ｍｉｃｒｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉ
ｎｇ ） 」Ｖｏｌ。
４、Ｎｏ、２ （１９８６）、７７−１０６頁により、
連続した電子線又は比較的低いパルス繰り返し周波数（
ｆ、〜１−１０１−１Ｏの電子線パルスを使用してＶ
Ｌ Ｓ １回路中の電子分布を投映する方法が公知であ
る。マイクロエレクトロニクス・デバイスの機能の高速
試験に不可欠であるこの方法は公知の電子線測定器によ
ってはそのパルス繰り返し周波数が固定されているので
、精確な実施が不可能である。
連続した電子線又は比較的低いパルス繰り返し周波数（
ｆ、〜１−１０１−１Ｏの電子線パルスを使用してＶ
Ｌ Ｓ １回路中の電子分布を投映する方法が公知であ
る。マイクロエレクトロニクス・デバイスの機能の高速
試験に不可欠であるこの方法は公知の電子線測定器によ
ってはそのパルス繰り返し周波数が固定されているので
、精確な実施が不可能である。
この発明の目的は、冒頭に挙げた種類の電子線測定器を
改良して電位分布の投映と測定の双方を位置と時間の高
い分解能をもって実施できるようにすることである。
改良して電位分布の投映と測定の双方を位置と時間の高
い分解能をもって実施できるようにすることである。
この目的はこの発明により、特許請求の範囲の請求項１
に特徴として挙げた構成とすることにより達成される。
に特徴として挙げた構成とすることにより達成される。
特許請求の範囲の請求項２以下にはこの発明の有利な実
施態様が示されている。
施態様が示されている。
この発明によって達成される利点は、１つの電子線測定
器において高速の高密度集積回路の導体路における電位
分布の投映法と測定の双方がピコ秒領域の時間分解能を
もって実施可能となることである。
器において高速の高密度集積回路の導体路における電位
分布の投映法と測定の双方がピコ秒領域の時間分解能を
もって実施可能となることである。
〔実施例］
図面を参照してこの発明を更に詳細に説明する。
第９図に示した柱体はマイクロエレクトロニクス技術に
おいてよく知られている電子線測定器（ＩＣＴ社のＥビ
ームテスティング系９０００）のものであって、光学軸
に中心を合わせたＬａＢ＋。
おいてよく知られている電子線測定器（ＩＣＴ社のＥビ
ームテスティング系９０００）のものであって、光学軸
に中心を合わせたＬａＢ＋。
陰極ＴＫをもつビーム発生器、ビーム発生器の陽極Ａに
集積されたビーム消去系ＢＳ１、磁気レンズと２管静電
レンズから成る界浸コンデンサに１、第２コンデンサ・
レンズに２および一次電子を排気された試料室内に置か
れたデバイスＸＣ上に集束する対物レンズＳ○から構成
される。１つの短焦点磁気レンズ、１つの偏向系、１つ
のスティグマターおよび１つの分光計ＳＰから成る対物
レンズＳＯは電子光学柱体の構成部品であって、この電
子光学柱体を使用して界浸コンデンサＫｌ内で例えば１
ｋｅＶの所望エネルギーに制動された一次電子ならび
に測定箇所から放出された二次電子を光軸上の一点に投
映することができる。吸引電極の電界で加速された二次
電子の焦点は、この場合対物レンズ体の上方に設けられ
た分光計の２つの対応して成形された電極の間に形成さ
れる球対称逆電界の中心に結ばれる。分光計電界により
予め決められている最小エネルギー以上のエネルギーを
もつ二次電子は、ビーム軸に対して対称的に設けられた
２つの検出器ＤＴによって検出される。
集積されたビーム消去系ＢＳ１、磁気レンズと２管静電
レンズから成る界浸コンデンサに１、第２コンデンサ・
レンズに２および一次電子を排気された試料室内に置か
れたデバイスＸＣ上に集束する対物レンズＳ○から構成
される。１つの短焦点磁気レンズ、１つの偏向系、１つ
のスティグマターおよび１つの分光計ＳＰから成る対物
レンズＳＯは電子光学柱体の構成部品であって、この電
子光学柱体を使用して界浸コンデンサＫｌ内で例えば１
ｋｅＶの所望エネルギーに制動された一次電子ならび
に測定箇所から放出された二次電子を光軸上の一点に投
映することができる。吸引電極の電界で加速された二次
電子の焦点は、この場合対物レンズ体の上方に設けられ
た分光計の２つの対応して成形された電極の間に形成さ
れる球対称逆電界の中心に結ばれる。分光計電界により
予め決められている最小エネルギー以上のエネルギーを
もつ二次電子は、ビーム軸に対して対称的に設けられた
２つの検出器ＤＴによって検出される。
慣例のビーム消去系（平板コンデンサ）ＢＳＩは最小幅
がほぼ１００ないし２００ｐｓの電子パルスを発生する
もので、その最高パルス繰り返し周波数はほぼ１０ＭＨ
ｚである。パルス幅を１０ｐｓの数倍程度に縮めること
は原理的に可能であるが、それと平行して生ずるプロー
ブ電流の低下により測定時間が著しく長くなる。従って
この発明では第１図に示した光電子放射体を公知の電子
線測定器の柱体に横からフランジ止めし、集束性の偏向
ユニットを使用して光電子源をビーム軸ＯＡ１の上に非
点収差無しに投映することを提案する。
がほぼ１００ないし２００ｐｓの電子パルスを発生する
もので、その最高パルス繰り返し周波数はほぼ１０ＭＨ
ｚである。パルス幅を１０ｐｓの数倍程度に縮めること
は原理的に可能であるが、それと平行して生ずるプロー
ブ電流の低下により測定時間が著しく長くなる。従って
この発明では第１図に示した光電子放射体を公知の電子
線測定器の柱体に横からフランジ止めし、集束性の偏向
ユニットを使用して光電子源をビーム軸ＯＡ１の上に非
点収差無しに投映することを提案する。
（この点に関しては第３図も参照。ここにはＬａＢ、陰
極ＴＫから放出された熱電子ＰＥの進路とレーザー光ビ
ームＬＡにより光電陰極ＰＫから放出された光電子ＰＨ
の進路が示されている。）光電子放射体は、レーザー光
パルスで照射される光電陰極ＰＫと厚さ１００ないし２
００人の貴金属層又はアルカリ金属層から放出された光
電子ＰＨを２段階磁気調整系ＪＳに向かって加速する電
極系Ａ１、Ａ２（２重陽極）から構成される。
極ＴＫから放出された熱電子ＰＥの進路とレーザー光ビ
ームＬＡにより光電陰極ＰＫから放出された光電子ＰＨ
の進路が示されている。）光電子放射体は、レーザー光
パルスで照射される光電陰極ＰＫと厚さ１００ないし２
００人の貴金属層又はアルカリ金属層から放出された光
電子ＰＨを２段階磁気調整系ＪＳに向かって加速する電
極系Ａ１、Ａ２（２重陽極）から構成される。
この放射体は従来のビーム発生器と同様に１つの容器内
に設けられ、この容器内の高真空（ｐＫ＜５Ｘ１０−５
Ｐａ）とビーム管ＳＲ内の真空（ＰＳＲ＜２Ｘ１０−’
Ｐａ）は弁■２によって分離される。
に設けられ、この容器内の高真空（ｐＫ＜５Ｘ１０−５
Ｐａ）とビーム管ＳＲ内の真空（ＰＳＲ＜２Ｘ１０−’
Ｐａ）は弁■２によって分離される。
背面側の容器壁Ｗには窓Ｆがあり、この窓を通してレー
ザー光ビームＬＡが強縮小レンズＯＬによりガラス基板
ＴＲ上に設けられた光電陰極材料ＰＫＭ （Ａｕ、Ｎａ
、に、Ｒｂ、Ｃｓ）上に投映される（第８図も参照）。
ザー光ビームＬＡが強縮小レンズＯＬによりガラス基板
ＴＲ上に設けられた光電陰極材料ＰＫＭ （Ａｕ、Ｎａ
、に、Ｒｂ、Ｃｓ）上に投映される（第８図も参照）。
パルス状に放出される光電子ＰＨ（パルス繰り返し周波
数〜１０−１０−２Ｏ０、パルス幅〜２−５ｐｓ）の偏
向と集束に対しては第２図に示した励起コイルＥＳ、上
方と下方の磁極片ＯＰとＵＰから成る扇形磁場磁石ＳＦ
Ｍが設けられる。公知のビーム発生器ＴＫ／Ａと界浸コ
ンデンサに１の間に設けられた偏向要素（曲率半径Ｒ〜
２５ｆｆｌＩ１１）内には光電子源側が傾斜境界面であ
る均一扇形磁場が形成される。この場合光電子源側の境
界面に立てた垂線とビーム軸ＯＡ２の間の角度ε１〉０
は磁極片ジオメトリ−により光電子源の無非点収差投映
が実現するように調整される。
数〜１０−１０−２Ｏ０、パルス幅〜２−５ｐｓ）の偏
向と集束に対しては第２図に示した励起コイルＥＳ、上
方と下方の磁極片ＯＰとＵＰから成る扇形磁場磁石ＳＦ
Ｍが設けられる。公知のビーム発生器ＴＫ／Ａと界浸コ
ンデンサに１の間に設けられた偏向要素（曲率半径Ｒ〜
２５ｆｆｌＩ１１）内には光電子源側が傾斜境界面であ
る均一扇形磁場が形成される。この場合光電子源側の境
界面に立てた垂線とビーム軸ＯＡ２の間の角度ε１〉０
は磁極片ジオメトリ−により光電子源の無非点収差投映
が実現するように調整される。
ビーム軸○Ａ１上で界浸コンデンサに１の上方に作られ
る光電子源の中間像Ｚ８１（第３図参照）の歪曲を避け
るためには、扇形磁場の試料側の境界面もこの面に立て
た垂線が電子線測定器の軸ＯＡ１と角ε２〉０で交わる
ように磁極片形態の選定によってきめておくことが必要
である。
る光電子源の中間像Ｚ８１（第３図参照）の歪曲を避け
るためには、扇形磁場の試料側の境界面もこの面に立て
た垂線が電子線測定器の軸ＯＡ１と角ε２〉０で交わる
ように磁極片形態の選定によってきめておくことが必要
である。
場所の関係で柱体内には１つだけの扇形磁場磁石が傾斜
角ε２−０で組込むことができる場合（第３図）には、
その歪曲を例えば光電子源の中間像Ｚ Ｂ１に設けられ
た修整器によって補正しなければならない。この修整器
としては特に第４図と第５図に示した四極又は六極要素
ＥＺＩ又はＥＺ２が考えられる。これらの要素の四極子
磁場Ｂは中間像ＺＢＩにおいてだ円ひずみを受けた光電
子プローブＰ ＨＳを矢印の方向に変形し、界浸コンデ
ンサに１によって作られた中間像ＺＢ□においてはプロ
ーブの断面が再び回転対称となるようにする。
角ε２−０で組込むことができる場合（第３図）には、
その歪曲を例えば光電子源の中間像Ｚ Ｂ１に設けられ
た修整器によって補正しなければならない。この修整器
としては特に第４図と第５図に示した四極又は六極要素
ＥＺＩ又はＥＺ２が考えられる。これらの要素の四極子
磁場Ｂは中間像ＺＢＩにおいてだ円ひずみを受けた光電
子プローブＰ ＨＳを矢印の方向に変形し、界浸コンデ
ンサに１によって作られた中間像ＺＢ□においてはプロ
ーブの断面が再び回転対称となるようにする。
扇形磁場の歪曲ば光電陰極ＰＫ上のレーザー光線断面を
円形ではなくだ円形とすることによっても補正すること
ができる。そのためにはレーザーの照射ビーム路中に円
筒レンズＺＬを設けるか、レーザー光ビームＬＡが光電
陰極ＰＫに斜めに当１ま たるようにする。この場合レーザー光ビーム軸と光電陰
極面に立てた垂線の間の角度は関係式％式％ が成立するように選ばれる。ここでａはだ円レーザー光
線断面のＸ方向の長袖、ｂはその短軸、■。
円形ではなくだ円形とすることによっても補正すること
ができる。そのためにはレーザーの照射ビーム路中に円
筒レンズＺＬを設けるか、レーザー光ビームＬＡが光電
陰極ＰＫに斜めに当１ま たるようにする。この場合レーザー光ビーム軸と光電陰
極面に立てた垂線の間の角度は関係式％式％ が成立するように選ばれる。ここでａはだ円レーザー光
線断面のＸ方向の長袖、ｂはその短軸、■。
は扇形磁場磁石ＳＦＭのＸ−Ｚ面（偏向面）での倍率、
ｖｙは同じ＜ｙ−ｚ面での倍率でありＩＶ。
ｖｙは同じ＜ｙ−ｚ面での倍率でありＩＶ。
＜ＩＶｙ １である。
扇形磁場磁石ＳＦＭは総ての投像系と同様に球面収差を
もち、この収差は少なくとも部分的にビーム路中偏向系
の前に設けられた補正可能の磁気スティグマターＭＳに
よって補正することができる。スティグマターＭＳとし
ては特に第６図に示されたへ極要素が使用される。この
要素は回転可能の双極磁場（ビーム偏向用）および回転
可能の二価四極子磁場（第１次非点収差補正用）の外に
、次の式で与えられる２つの重ねられた大極磁場（第２
次球面収差の部分的補正用）をビーム管ＳＲ内に作る。
もち、この収差は少なくとも部分的にビーム路中偏向系
の前に設けられた補正可能の磁気スティグマターＭＳに
よって補正することができる。スティグマターＭＳとし
ては特に第６図に示されたへ極要素が使用される。この
要素は回転可能の双極磁場（ビーム偏向用）および回転
可能の二価四極子磁場（第１次非点収差補正用）の外に
、次の式で与えられる２つの重ねられた大極磁場（第２
次球面収差の部分的補正用）をビーム管ＳＲ内に作る。
ＢＸ＝２Ｃ，・Ｘ−ｙ十Ｃ２・ （ｘ”−ｙ２）Ｂ、＝
Ｃ，・ （Ｉ２ ３’２） ２Ｃ２・ｘ−ｙ定数
Ｃ１、 Ｃｚには次の関係式 が成立する。ここで１、とＩ２は励起巻線を流れる電流
である。球面収差はビーム路中扇形磁場磁石ＳＦＭの前
、特にスティグマターＭＳの前に設けられた開口絞りＡ
Ｂ（孔径約２００μｍないし１ｍｍ）によっても著しく
低減させることができる。
Ｃ，・ （Ｉ２ ３’２） ２Ｃ２・ｘ−ｙ定数
Ｃ１、 Ｃｚには次の関係式 が成立する。ここで１、とＩ２は励起巻線を流れる電流
である。球面収差はビーム路中扇形磁場磁石ＳＦＭの前
、特にスティグマターＭＳの前に設けられた開口絞りＡ
Ｂ（孔径約２００μｍないし１ｍｍ）によっても著しく
低減させることができる。
光電子のエネルギー幅を縮めることに関しては、光電子
源の中間像ＺＢＩに設けられたナイフェツジ又はスリッ
ト絞りＥＳが有効である。第７図に示すようにこのエネ
ルギー選択装置には第２ビーム消去系ＢＳ２ （光電子
パルスの繰り返し速度低下用）、ビーム進路中界浸コン
デンザに１の前に置かれたビーム消去絞りＢＢ、上方の
ビーム管ＳＲ１および弁■１又は■２と同様に高電圧が
加えられる。この場合静電二管レンズの電極ＳＲＩとＳ
Ｒ２の間に作られる電位差Ｕ、は例えば４ｋＶである。
源の中間像ＺＢＩに設けられたナイフェツジ又はスリッ
ト絞りＥＳが有効である。第７図に示すようにこのエネ
ルギー選択装置には第２ビーム消去系ＢＳ２ （光電子
パルスの繰り返し速度低下用）、ビーム進路中界浸コン
デンザに１の前に置かれたビーム消去絞りＢＢ、上方の
ビーム管ＳＲ１および弁■１又は■２と同様に高電圧が
加えられる。この場合静電二管レンズの電極ＳＲＩとＳ
Ｒ２の間に作られる電位差Ｕ、は例えば４ｋＶである。
光電陰極Ｐ Ｈの寿命の延長に対しては、厚さ１００な
いし２００人の貴金属層又はアルカリ金属＠ Ｐ Ｋ
Ｍを支持するガラス体ＴＲを窓Ｆを通して入射するレー
ザー光ビームＬＡ内で動かすことを提案する（第８図参
照）。この場合駆動ユニットとしては、光電陰極ＴＲ／
ＰＫＭの支持体Ｈをビーム軸ＯＡ２に垂直な平面内で例
えば１ｋＨｚの周波数で周期的に移動させる圧電振動子
ＰＳが使用される。光電陰極材料ＰＫＭがレーザー光ビ
ームＬ Ａで照射された区域で消耗すると、同じく圧電
式の移動装置ＶＳが起動してガラス支持体ＴＲと圧電振
動子ＰＳを矢印で示した方向に移動させる。
いし２００人の貴金属層又はアルカリ金属＠ Ｐ Ｋ
Ｍを支持するガラス体ＴＲを窓Ｆを通して入射するレー
ザー光ビームＬＡ内で動かすことを提案する（第８図参
照）。この場合駆動ユニットとしては、光電陰極ＴＲ／
ＰＫＭの支持体Ｈをビーム軸ＯＡ２に垂直な平面内で例
えば１ｋＨｚの周波数で周期的に移動させる圧電振動子
ＰＳが使用される。光電陰極材料ＰＫＭがレーザー光ビ
ームＬ Ａで照射された区域で消耗すると、同じく圧電
式の移動装置ＶＳが起動してガラス支持体ＴＲと圧電振
動子ＰＳを矢印で示した方向に移動させる。
この発明は上記の実施例に限定されるものではない。例
えば線源側の磁場境界が傾斜している均等扇形磁場の代
わりに屈折率ｎ ＝ １ ／ ２で勾配をもつ不均等扇
形磁場を使用することも可能である。
えば線源側の磁場境界が傾斜している均等扇形磁場の代
わりに屈折率ｎ ＝ １ ／ ２で勾配をもつ不均等扇
形磁場を使用することも可能である。
第１図はこの発明による電子線測定器の第１の実施例、
第２Ｍは集束偏向ユニントの構成の概要、第３図はこの
発明による電子線測定器の第２の実施例、第４図と第５
図は扇形磁場磁石の歪曲補正装置、第６図は扇形磁場磁
石の球面収差の部分的補正用のスティグマター、第７図
はこの発明による電子線測定器の内部の電位情況、第８
図はレーザー光ビーム内で光電陰極を移動させる装置、
第９図は公知の電子線測定器の構成の概要を示す。 ＴＫ・・・陰極 Ａ・・・陽極 ＢＳＩ・・・ビーム消去系 に１・・・界浸コンデンサ に２・・・第２コンデンサ・レンズ ＳＯ・・・対物レンズ ＩＣ・・・試料
第２Ｍは集束偏向ユニントの構成の概要、第３図はこの
発明による電子線測定器の第２の実施例、第４図と第５
図は扇形磁場磁石の歪曲補正装置、第６図は扇形磁場磁
石の球面収差の部分的補正用のスティグマター、第７図
はこの発明による電子線測定器の内部の電位情況、第８
図はレーザー光ビーム内で光電陰極を移動させる装置、
第９図は公知の電子線測定器の構成の概要を示す。 ＴＫ・・・陰極 Ａ・・・陽極 ＢＳＩ・・・ビーム消去系 に１・・・界浸コンデンサ に２・・・第２コンデンサ・レンズ ＳＯ・・・対物レンズ ＩＣ・・・試料
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）第１ビーム軸（ＯＡ）上に設けられた第１電子源（
ＴＫ）、第１ビーム消去系（ＢＳ１）、ビーム消去絞り
（ＢＢ）、少なくとも１つのコンデンサ（Ｋ１、Ｋ２）
、第１ビーム軸（ＯＡ１）に沿って導かれる電子（ＰＥ
）を試料（ＩＣ）上に集束する対物レンズ（ＳＯ）およ
び試料から放出された二次粒子と後方散乱粒子を検出す
る分光計−検出系（ＳＯ、ＤＴ）を備える電子線測定器
において、第２ビーム軸（ＯＡ２）上に設けられた第２
電子源とこの電子源を第１ビーム軸（ＯＡ１）上の中間
像（Ｚ＿Ｂ＿１）に非点収差無しに投映する集束偏向ユ
ニット（ＳＦＭ）を備えていることを特徴とする電子線
測定器。 ２）第２電子源がレーザー光（ＬＡ）で照射される光電
陰極（ＰＫ）を備えていることを特徴とする請求項１記
載の電子線測定器。 ３）偏向ユニット（ＳＦＭ）が第１電子源（ＴＫ）とコ
ンデンサレンズ（Ｋ１）の間に設けられていることを特
徴とする請求項１又は２記載の電子線測定器。 ４）偏向系として扇形磁場磁石（ＳＦＭ）が使用されて
いることを特徴とする請求項１ないし３の１つに記載の
電子線測定器。 ５）扇形磁場磁石（ＳＦＭ）が励磁コイル（ＥＳ）、上
方磁極片（ＯＰ）と下方磁極片（ＵＰ）を備え、これら
の磁極片は線源側の磁場限界面に立てた第１垂線が第２
ビーム軸（ＯＡ２）と角ε＿１（ε＿１＞０）で交わる
ように形成されていることを特徴とする請求項４記載の
電子線測定器。 ６）扇形磁場磁石（ＳＦＭ）の歪曲を補正する装置（Ｅ
Ｚ１、ＥＺ２）が中間像（Ｚ＿Ｂ＿１）に設けられてい
ることを特徴とする請求項５記載の電子線測定器。 ７）歪曲補正装置として四極磁場を作る四極又は六極要
素（ＥＺ１、ＥＺ２）が設けられていることを特徴とす
る請求項６記載の電子線測定器。 ８）レーザー光線（ＬＡ）を光陰極（ＰＫ）上に集束す
るレンズ（ＯＬ）とビーム光学路中レンズ（ＯＬ）の前
に設けられた円筒レンズ（ＺＬ）を備えていることを特
徴とする請求項５記載の電子線測定器。 ９）レーザー光ビーム（ＬＡ）が第３ビーム軸に沿って
導かれ、この第３ビーム軸が第２ビーム軸（ＯＡ２）と
ある角度を保って傾斜していることを特徴とする請求項
５記載の電子線測定器。 １０）試料側の磁場限界面に立てた第２垂線が第１ビー
ム軸（ＯＡ１）と角ε＿２（ε＿２＞０）で交わるよう
に磁極片（ＯＰ、ＵＰ）が形成されていることを特徴と
する請求項５記載の電子線測定器。 １１）中間像（Ｚ＿Ｂ＿１）に絞り又はナイフエッジ（
ＥＳ）が設けられていることを特徴とする請求項１ない
し１０の１つに記載の電子線測定器。 １２）ビーム路中偏向素子（ＳＦＭ）の前に磁気六極補
正器（ＭＳ）が設けられていることを特徴とする請求項
１ないし１１の１つに記載の電子線測定器。 １３）ビーム路中偏向素子（ＳＦＭ）の前に開口絞り（
ＡＢ）が設けられていることを特徴とする請求項１ない
し１２の１つに記載の電子線測定器。 １４）ビーム路中偏向素子（ＳＦＭ）の前に２段磁気補
正系（ＪＳ）が設けられていることを特徴とする請求項
１ないし１３の１つに記載の電子線測定器。 １５）ビーム路中偏向素子（ＳＦＭ）の前に第２ビーム
消去系（ＢＳ２）が設けられていることを特徴とする請
求項１ないし１４の１つに記載の電子線測定器。 １６）ビーム消去絞り（ＢＢ）がビーム路中中間像（Ｚ
＿Ｂ＿１）の前に設けられていることを特徴とする請求
項１ないし１５の１つに記載の電子線測定器。 １７）光電陰極（ＰＫ）が支持板（ＴＲ）上に置かれ、
この支持板が振動子（ＰＳ）によって動かされる支持器
（Ｈ）に保持されていることを特徴とする請求項１ない
し１６の１つに記載の電子線測定器。 １８）第１ビーム軸（ＯＡ１）と第２ビーム軸（ＯＡ２
）が角度９０°で交わっていることを特徴とする請求項
１ないし１７の１つに記載の電子線測定器。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE3821643.4 | 1988-06-27 | ||
| DE3821643 | 1988-06-27 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0266840A true JPH0266840A (ja) | 1990-03-06 |
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Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1160581A Pending JPH0266840A (ja) | 1988-06-27 | 1989-06-22 | 電子線測定器 |
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| JP (1) | JPH0266840A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06500661A (ja) * | 1990-09-05 | 1994-01-20 | フォトエレクトロン コーポレイション | 小型化された低電力ｘ線源 |
Families Citing this family (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE69120233T2 (de) * | 1990-11-28 | 1996-12-12 | Schlumberger Technologies Inc | Photoemissionselektronenstrahlmesssonde mit gepulstem Laser |
| US5270643A (en) * | 1990-11-28 | 1993-12-14 | Schlumberger Technologies | Pulsed laser photoemission electron-beam probe |
| AU8746998A (en) | 1997-08-19 | 1999-03-08 | Nikon Corporation | Object observation device and object observation method |
| US5973323A (en) * | 1997-11-05 | 1999-10-26 | Kla-Tencor Corporation | Apparatus and method for secondary electron emission microscope |
| US6740889B1 (en) * | 1998-09-28 | 2004-05-25 | Applied Materials, Inc. | Charged particle beam microscope with minicolumn |
| DE19926927A1 (de) * | 1999-06-14 | 2000-12-21 | Ceos Gmbh | Elektrostatischer Korrektor zur Beseitigung des Farbfehlers von Teilchenlinsen |
| US6411111B1 (en) * | 2000-05-15 | 2002-06-25 | National Semiconductor Corporation | Electron-electro-optical debug system E2ODS |
| US20060015013A1 (en) * | 2004-06-30 | 2006-01-19 | Zvika Gilad | Device and method for in vivo illumination |
| US7250727B2 (en) * | 2004-09-21 | 2007-07-31 | Uchicago Argonne Llc | High power, long focus electron source for beam processing |
| US7312461B2 (en) | 2004-09-21 | 2007-12-25 | Uchicago Argonne Llc | Laparoscopic tumor therapy using high energy electron irradiation |
| US7893406B1 (en) * | 2005-06-29 | 2011-02-22 | Hermes-Microvision, Inc. | Electron gun with magnetic immersion double condenser lenses |
| EP1883094B1 (en) * | 2006-07-24 | 2012-05-02 | ICT, Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH | Charged particle beam device and method for inspecting specimen |
| US7761134B2 (en) * | 2006-10-20 | 2010-07-20 | Given Imaging Ltd. | System and method for modeling a tracking curve of an in vivo device |
| KR102250568B1 (ko) | 2013-12-05 | 2021-05-11 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 전자 주입기 및 자유 전자 레이저 |
| WO2019100600A1 (en) * | 2017-11-21 | 2019-05-31 | Focus-Ebeam Technology (Beijing) Co., Ltd. | Low voltage scanning electron microscope and method for specimen observation |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2352307C3 (de) * | 1973-10-18 | 1979-06-21 | Varian Mat Gmbh, 2800 Bremen | Homogenes magnetisches Sektorfeld für ein Massenspektrometer zur gleichzeitigen Messung mehrerer Ionensorten |
| DE2541915A1 (de) * | 1975-09-19 | 1977-03-31 | Max Planck Gesellschaft | Korpuskularstrahlenmikroskop mit ringzonensegmentabbildung |
| GB2111299B (en) * | 1981-11-30 | 1986-07-09 | Thermo Electron Corp | High current density photoelectron generators |
| DE3621045A1 (de) * | 1985-06-24 | 1987-01-02 | Nippon Telegraph & Telephone | Strahlerzeugende vorrichtung |
| FR2584234B1 (fr) * | 1985-06-28 | 1988-12-09 | Cameca | Testeur de circuit integre a faisceau d'electrons |
| US4820927A (en) * | 1985-06-28 | 1989-04-11 | Control Data Corporation | Electron beam source employing a photo-emitter cathode |
| US4843330A (en) * | 1986-10-30 | 1989-06-27 | International Business Machines Corporation | Electron beam contactless testing system with grid bias switching |
-
1989
- 1989-05-09 US US07/349,432 patent/US4963823A/en not_active Expired - Fee Related
- 1989-06-19 EP EP19890111119 patent/EP0348785A3/de not_active Ceased
- 1989-06-22 JP JP1160581A patent/JPH0266840A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06500661A (ja) * | 1990-09-05 | 1994-01-20 | フォトエレクトロン コーポレイション | 小型化された低電力ｘ線源 |
Also Published As
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