JPH0263289B2 - - Google Patents

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Publication number
JPH0263289B2
JPH0263289B2 JP8908882A JP8908882A JPH0263289B2 JP H0263289 B2 JPH0263289 B2 JP H0263289B2 JP 8908882 A JP8908882 A JP 8908882A JP 8908882 A JP8908882 A JP 8908882A JP H0263289 B2 JPH0263289 B2 JP H0263289B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
nozzle
inert gas
chemical
valve
pressurized inert
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
JP8908882A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS58205153A (ja
Inventor
Noriaki Mori
Akira Tanaka
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd filed Critical Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Priority to JP8908882A priority Critical patent/JPS58205153A/ja
Publication of JPS58205153A publication Critical patent/JPS58205153A/ja
Publication of JPH0263289B2 publication Critical patent/JPH0263289B2/ja
Granted legal-status Critical Current

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    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/30Imagewise removal using liquid means
    • G03F7/3021Imagewise removal using liquid means from a wafer supported on a rotating chuck

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Weting (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Nozzles (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Coating Apparatus (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は、ガラス基板にクロームなどの薄膜
を蒸着し、その上にフオトレジストを塗布し、プ
リベークを施し、ついでそれにマスター版による
露光を行つたフオトマスク用基板や、シリコンに
アルミニウムの薄膜を蒸着し、その上に塗布した
フオトレジストをプリベークし、ついでそれにフ
オトマスクによる露光を行つたシリコンウエハな
どに対して、現像、エツチング、剥離などの表面
処理を行うためにこれらの前処理済基板、ウエハ
(以下被処理基板と称する。)にそれぞれ所定の処
理薬液をアスピレータ式ノズルにより散布する薬
液散布装置の改良に関するものである。
従来の装置においては薬液の散布が所定時間だ
けなされると、被処理基板の直上に設けられた処
理薬液散布用のアスピレータ式ノズルにそれぞれ
接続される薬液吸入管路ならびに加圧不活性ガス
供給管路にそれぞれ取付けられている開閉弁を同
時に閉状態とし、前記ノズルに対する薬液および
加圧不活性ガスの供給を同時に停止し、薬液の散
布を停止するのであるが、その際に前記ノズルの
噴出口すなわちノズルチツプに薬液が残留するこ
とがあり、それがときに液滴となつて所定の処理
を完了した被処理基板の面上に落下することがあ
る。このような落下液滴はそれまでに均一に表面
処理がなされた状態を乱し、たとえば著しい現像
むら、局部的なエツチングの過多を被処理基板に
生じさせることとなる。
この発明は従来の装置における前記した不都合
を解消するためになされたものであつて、前記加
圧不活性ガス管路に加圧不活性ガスを蓄えるアキ
ユムレータ用タンクを前記ノズル、開閉弁間にお
いて取付けてなり、薬液吸入管路ならびに加圧不
活性ガス供給管路のそれぞれ開閉弁を閉とし、前
記ノズルからの薬液散布を停止せしめ、ついで前
記ノズル内に残留する薬液を、薬液散布中に前記
アキユムレータ用タンク内に貯えられている加圧
不活性ガスを前記ノズルから噴出させることによ
り霧状にして飛散させ、ノズル内隅所に残留しな
いようにした薬液散布装置にかかるものである。
以下、この発明にかかる実施例装置について図
面を参照しながら説明する。
第1図はこの実施例装置の要部を示す模式説明
図である。
所定の薬液10がいれられたタンク11からこ
の薬液10を吸入する薬液吸入管路12および加
圧不活性ガス(たとえば窒素ガスをボンベから減
圧し、適当な圧力にしたもの)を供給する加圧不
活性ガス供給管路13がアスピレータ式ノズル1
4にそれぞれ接続されており、前記両管路12,
13には開閉弁AV,SV1がそれぞれ取付けられ
ている。さらに加圧不活性ガス供給管路13に
は、前記ノズル14と開閉弁SV1との間に、密閉
容器からなる加圧不活性ガスを蓄えるアキユムレ
ータ用タンク21および逆止弁22が管路上流に
向つてこの順に取付けられている。この実施例に
おいては処理薬液10が引火性である場合に備
え、開閉弁AVには空気作動式のものが、開閉弁
SV1にはコントローラ15によつてその開閉が制
御される電磁開閉弁がそれぞれ使用してある。そ
して前記開閉弁AVの作動機構に対して加圧不活
性ガスを導入するために加圧不活性ガス管路13
と接続する分岐管路16′が図示のとおり設けら
れている。なお17は被処理基板、18は別な不
活性ガス管路でタンク11内の薬液10の空気と
の接触による変質を防ぐとともに、液面上方の空
間部を常時正圧状態に保つための不活性ガスの導
入用である。
つぎにこの装置における動作について説明す
る。コントローラ15からの信号により開閉弁
SV1が開状態にされると、加圧不活性ガスは分岐
管路16′を経て開閉弁AVの作動機構に到達し、
この弁AVを開状態にするとともに、加圧不活性
ガス供給管路13から逆止弁22をへてアスピレ
ータ式ノズル14に送りこまれ、加圧不活性ガス
供給管路13に設けているレギユレータ(図示せ
ず)により所定の流量に調整され、そのノズル口
から外部へ噴出する。この不活性ガスの前記ノズ
ル口からの噴出によつて、薬液吸入管路12が一
定の負圧状態に保たれることから、単位時間当り
一定量の薬液10が前記管路12によりタンク1
1から吸上げられ、開状態の開閉弁AVをとおさ
れ、前記ノズル14に供給される。そしてこの供
給された薬液10は、前記した加圧不活性ガスの
噴出流によつてノズル口から霧状となつて被処理
基板17(通常所定の回転速度にて予め回転させ
られている。)の表面に均一に散布される。
ところで、加圧不活性ガス供給管路13のライ
ン圧力は、前記ノズル14において生ずる圧力損
失、いいかえればそのノズル口から大気に不活性
ガスが噴出されるまでに不活性ガスに作用する抵
抗の大きさによつておのずから規制される。
薬液10は開閉弁AV,SV1がコントローラ1
5に設定された一定時間開状態に保持されている
間、前記した一定流量にて前記ノズル14から被
処理基板17の表面に引続いて散布される。そし
てこの間に前記ライン圧力に保持される不活性ガ
スがアキユムレータ用タンク21に前記ライン圧
力と同じ圧力になるまで蓄えられる。
さて被処理基板17の所定の表面処理に要する
薬液散布がコントローラ15に設定した時間だけ
なされると、コントローラ15から出力される信
号によつて開閉弁SV1が閉じられる。したがつて
開閉弁SV1より下流の管路13および分岐管路1
6′内の不活性ガスはその圧力がいずれも大気圧
力とバランスするまで前記ノズル14から外気に
放出される。その結果分岐管路16′のライン圧
力が低下し、開閉弁AVが閉じられ、前記ノズル
14への薬液10の供給が停止する。
この薬液10の供給停止に引続いてごく短時間
<この時間の長さはアキユムレータ用タンク21
の容量によつて規制される>薬液散布中にアキユ
ムレータ用タンク21に蓄えられた加圧不活性ガ
スが前記ノズル14のノズルチツプから外気に噴
き出し、それに残留した薬液10に液滴となつて
落下する余裕を与えず、一瞬それを霧状にして外
部に飛散させる。
薬液10に引火性をもたぬものが用いられる場
合には、第2図に示すように、薬液吸入管路12
の開閉弁に対しても電磁開閉弁SV2を用い、開閉
弁SV1とともにコントローラ15により同時に制
御するようにすることもできる。この場合には逆
止弁22は取付けるを要しない。
以上の説明において明らかなように、この発明
にかかる薬液散布装置においては、薬液吸入管
路、加圧不活性供給管路にそれぞれ設けられてい
る開閉弁を同時に閉状態にし、ノズルからの薬液
散布を停止したあと、アキユムレータ用タンクに
薬液散布中に蓄えられた加圧不活性ガスがごく短
時間ノズルから噴出することによりノズル内の残
留薬液を一瞬に外部へ霧状にして飛散させるよう
にされているので、ノズル内における薬液の残留
を皆無とし、従来の装置にときとして生じたノズ
ル口からの残留薬液の被処理基板上への滴下を完
全に防止することができたものである。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明にかかる実施例装置の要部を
示す模式説明図、第2図はその別な実施例装置の
模式説明図である。 10…薬液、12…薬液吸入管路、13…加圧
不活性ガス吸入管路、14…アスピレータ式ノズ
ル、17…被処理基板、21…アキユムレータ用
タンク、22…逆止弁、AV,SV1,SV2…開閉
弁。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 基板に現像、エツチング、剥離などの表面処
    理を施すため、所定の薬液を吸入する薬液吸入管
    路と加圧不活性ガスを供給するガス供給管路との
    間にノズルを接続し、かつ前記両管路にそれぞれ
    開閉弁を設け、これら開閉弁を操作することによ
    り、前記基板に前記薬液を前記ノズルから散布せ
    しめる装置において、前記加圧不活性ガス供給管
    路に不活性ガスのアキユムレータ用タンクを前記
    ノズルと開閉弁との間に取付け、薬液散布後小時
    間このアキユムレータ用タンクからガスを噴出さ
    せるようにしたことを特徴とする薬液散布装置。
JP8908882A 1982-05-25 1982-05-25 薬液散布装置 Granted JPS58205153A (ja)

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JP8908882A JPS58205153A (ja) 1982-05-25 1982-05-25 薬液散布装置

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JP8908882A JPS58205153A (ja) 1982-05-25 1982-05-25 薬液散布装置

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JPS58205153A JPS58205153A (ja) 1983-11-30
JPH0263289B2 true JPH0263289B2 (ja) 1990-12-27

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JPS60139354A (ja) * 1983-12-28 1985-07-24 Nissei Oobaru Kk 低圧噴霧装置
KR100582837B1 (ko) * 2003-12-23 2006-05-23 동부일렉트로닉스 주식회사 웨이퍼 평탄화 장치 및 방법
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