JPH0254238U - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0254238U JPH0254238U JP1988133497U JP13349788U JPH0254238U JP H0254238 U JPH0254238 U JP H0254238U JP 1988133497 U JP1988133497 U JP 1988133497U JP 13349788 U JP13349788 U JP 13349788U JP H0254238 U JPH0254238 U JP H0254238U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- high frequency
- bridge
- lead
- utility
- forming
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- LTPBRCUWZOMYOC-UHFFFAOYSA-N Beryllium oxide Chemical compound O=[Be] LTPBRCUWZOMYOC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
Landscapes
- Amplifiers (AREA)
Description
第1図a〜cはこの考案の一実施例による高周
波トランジスタの等価回路、上面図および―
線断面図、第2図は従来の高周波トランジスタを
示す等価回路、上面図、―線断面図である。 図において、1はベリリア基板、2はベースリ
ード、3はコレクタリード、4はエミツタリード
、5はブリツジ、6はトランジスタチツプ、7は
MOS―C、8はベースワイヤ、9,10はエミ
ツタワイヤ、11はMOS―C、12はワイヤを
示す。なお、図中、同一符号は同一、または相当
部分を示す。
波トランジスタの等価回路、上面図および―
線断面図、第2図は従来の高周波トランジスタを
示す等価回路、上面図、―線断面図である。 図において、1はベリリア基板、2はベースリ
ード、3はコレクタリード、4はエミツタリード
、5はブリツジ、6はトランジスタチツプ、7は
MOS―C、8はベースワイヤ、9,10はエミ
ツタワイヤ、11はMOS―C、12はワイヤを
示す。なお、図中、同一符号は同一、または相当
部分を示す。
Claims (1)
- 高周波トランジスタにおいて、ブリツジ上にM
OS―Cを形成したことを特徴とする高周波トラ
ンジスタ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1988133497U JPH0254238U (ja) | 1988-10-12 | 1988-10-12 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1988133497U JPH0254238U (ja) | 1988-10-12 | 1988-10-12 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0254238U true JPH0254238U (ja) | 1990-04-19 |
Family
ID=31391411
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1988133497U Pending JPH0254238U (ja) | 1988-10-12 | 1988-10-12 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0254238U (ja) |
-
1988
- 1988-10-12 JP JP1988133497U patent/JPH0254238U/ja active Pending