JPH02186248A - 表面状態検査装置 - Google Patents
表面状態検査装置Info
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- JPH02186248A JPH02186248A JP469589A JP469589A JPH02186248A JP H02186248 A JPH02186248 A JP H02186248A JP 469589 A JP469589 A JP 469589A JP 469589 A JP469589 A JP 469589A JP H02186248 A JPH02186248 A JP H02186248A
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Landscapes
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は表面状態検査装置に関し、特に、半導体製造装
置で使用される回路パターンが形成されたレチクルやフ
ォトマスク等の基板上およびこの基板に装着したペリク
ル保護膜のような光学薄膜等の保護膜面上に、不透過性
のごみ等の異物が付着した場合に、これを精度良く検出
する表面状態検査装置に関する。
置で使用される回路パターンが形成されたレチクルやフ
ォトマスク等の基板上およびこの基板に装着したペリク
ル保護膜のような光学薄膜等の保護膜面上に、不透過性
のごみ等の異物が付着した場合に、これを精度良く検出
する表面状態検査装置に関する。
[従来の技術]
一般にIC製造工程においてはレチクルまたはフォ)・
マスク等の基板上に形成されている露光用の回路パター
ンを半導体焼付装置(ステッパまたはマスクアライナ)
によりレジストが塗布されたウェハ面上に転写して製造
している。
マスク等の基板上に形成されている露光用の回路パター
ンを半導体焼付装置(ステッパまたはマスクアライナ)
によりレジストが塗布されたウェハ面上に転写して製造
している。
この際、基板面上にごみ等の異物が存在すると転写する
際、異物も同時に転写されてしまいIC製造の歩留りを
低下させる原因となってくる。
際、異物も同時に転写されてしまいIC製造の歩留りを
低下させる原因となってくる。
そのためIC製造工程においては基板上の異物の存在を
検出するのが不可欠となっており、従来より種々の検査
方法が提案されている。例えば第2図は異物が等友釣に
光を散乱する性質を利用する方法の一例である。
検出するのが不可欠となっており、従来より種々の検査
方法が提案されている。例えば第2図は異物が等友釣に
光を散乱する性質を利用する方法の一例である。
同図においては走査用ミラー11とレンズ12を介して
レーザ10からの光束をミラーの出し入れによって上下
に分け、2つのミラー14.15により各々基板18の
表面と裏面に入射させ、走査用ミラー11を回転若しく
は振動させて基板18上を走査している。そして基板1
8からの直接の反射光および透過光の光路から離れた位
置に基板18の表面と裏面に焦点を合わせた2つの受光
部16.17を設け、これら2つの受光部16゜17か
らの出力信号を用いて基板18上の異物の存在を検出し
ている。
レーザ10からの光束をミラーの出し入れによって上下
に分け、2つのミラー14.15により各々基板18の
表面と裏面に入射させ、走査用ミラー11を回転若しく
は振動させて基板18上を走査している。そして基板1
8からの直接の反射光および透過光の光路から離れた位
置に基板18の表面と裏面に焦点を合わせた2つの受光
部16.17を設け、これら2つの受光部16゜17か
らの出力信号を用いて基板18上の異物の存在を検出し
ている。
すなわち異物に光束が入射すると入射光束は等友釣に散
乱される。このため、一方の面に異物が存在していると
、その面に焦点を合わせた受光部からの出力は大きくな
る。従って、このときの2つの受光部からの出力値を比
較することにより異物の存在を検出している。
乱される。このため、一方の面に異物が存在していると
、その面に焦点を合わせた受光部からの出力は大きくな
る。従って、このときの2つの受光部からの出力値を比
較することにより異物の存在を検出している。
また従来、この種の表面状態検査装置では、異物の反射
散乱光強度の高いS偏光を用いている。
散乱光強度の高いS偏光を用いている。
しかも、基板表面がバターニングされている場合、その
パターン回折光を回避し、異物散乱光だけを受光しやく
するために、レチクル法線に対し60°以上の斜め入射
ビームで走査するのが殆どである。
パターン回折光を回避し、異物散乱光だけを受光しやく
するために、レチクル法線に対し60°以上の斜め入射
ビームで走査するのが殆どである。
しかしながら、この方法は基板の表面と裏面の各々の方
向から光束を切り換えて走査する必要があり、また基板
にペリクル保護膜を装着したときはべりタル面にも異物
が付着する場合があり、この場合どの面に異物が付着し
ているのか検出しなければならず、走査用の光束を各々
の被検出面に焦点合わせをして繰り返して測定する必要
がある。
向から光束を切り換えて走査する必要があり、また基板
にペリクル保護膜を装着したときはべりタル面にも異物
が付着する場合があり、この場合どの面に異物が付着し
ているのか検出しなければならず、走査用の光束を各々
の被検出面に焦点合わせをして繰り返して測定する必要
がある。
これに対し、第3図はべりタル膜を装着したレチクル膜
の異物検査を、上下のペリクル面、ガラス面、パターン
面の計4面同時に行なう方式を示している(特開昭62
−188949号公報参照)。この場合、レーザビーム
101がレチクルに対し斜め上方から入射し、各検査面
102a。
の異物検査を、上下のペリクル面、ガラス面、パターン
面の計4面同時に行なう方式を示している(特開昭62
−188949号公報参照)。この場合、レーザビーム
101がレチクルに対し斜め上方から入射し、各検査面
102a。
102b 103.+04とビーム101の交線−ト
を覗く異物散乱光の受光光学系が検査面の数だけ設けら
れている。ちなみに同図において、105a〜105d
は各検査面上からのビーム走査線の散乱光束を取り込む
受光素子、例えばセルフォックレンズアレー(セルフォ
ックは日本板硝子(株)の商品名)やバーレンズ、シリ
ンドリカルレンズといった一次元結像素子などであり、
106a〜106dは検査面上の異物散乱光束以外を遮
ぎるための視野絞り、107a〜107dは視野絞りを
通過した光束をフォトマル1088〜108dに導くた
めの光ファイバ等の光伝達手段である。
を覗く異物散乱光の受光光学系が検査面の数だけ設けら
れている。ちなみに同図において、105a〜105d
は各検査面上からのビーム走査線の散乱光束を取り込む
受光素子、例えばセルフォックレンズアレー(セルフォ
ックは日本板硝子(株)の商品名)やバーレンズ、シリ
ンドリカルレンズといった一次元結像素子などであり、
106a〜106dは検査面上の異物散乱光束以外を遮
ぎるための視野絞り、107a〜107dは視野絞りを
通過した光束をフォトマル1088〜108dに導くた
めの光ファイバ等の光伝達手段である。
[発明が解決しようとする課題]
しかしながら、このような検査装置においては、ペリク
ル膜自身の厚みのばらつきのため、例えば基準値を0.
865μmとしたとき厚みが±0.01μm変化しただ
けでも、ペリクル膜を透過して基板上に到達するレーザ
ビームの強度が変動する。
ル膜自身の厚みのばらつきのため、例えば基準値を0.
865μmとしたとき厚みが±0.01μm変化しただ
けでも、ペリクル膜を透過して基板上に到達するレーザ
ビームの強度が変動する。
ちなみに、ビームのペリクル膜表面に対する入射角を横
軸にとり縦軸にペリクル膜を1回透過するときの透過率
をとってグラフに示せば、第4図のようになる。したが
って、第3図において、例えばビームlotかペリクル
膜の法線に対し75゜の入射角でS偏光入射した場合を
考えると、このときの透過率は最大で70%、最小で4
5%である。最終的に充電変換される光束は、基板面に
関して考えると、入射と受光で合計2回ペリクル膜を透
過しなければならないので、受光角も同じく75°だと
すると、この2乗で受光光量が変動する。すなわち、最
大で49%、最小で20%となる。したがって、基板上
に全く同じ異物があったとしても、ペリクル膜厚が0.
02μmばらついただけで、受光光量は2.5 (=4
9/20)倍変動することになる。
軸にとり縦軸にペリクル膜を1回透過するときの透過率
をとってグラフに示せば、第4図のようになる。したが
って、第3図において、例えばビームlotかペリクル
膜の法線に対し75゜の入射角でS偏光入射した場合を
考えると、このときの透過率は最大で70%、最小で4
5%である。最終的に充電変換される光束は、基板面に
関して考えると、入射と受光で合計2回ペリクル膜を透
過しなければならないので、受光角も同じく75°だと
すると、この2乗で受光光量が変動する。すなわち、最
大で49%、最小で20%となる。したがって、基板上
に全く同じ異物があったとしても、ペリクル膜厚が0.
02μmばらついただけで、受光光量は2.5 (=4
9/20)倍変動することになる。
このような大きな変動の起こる原因は、ペリクル膜なる
ものが通常、ニトロセルロースなどの誘電体物質ででき
ているために、これに入射した光束はその内部で多重反
射を繰り返すうちに微小な膜厚差でも最終的にはビーム
の波長(He−Neの場合0.6328μm)に対して
、干渉条件をずらし得る光路長変化となることにある。
ものが通常、ニトロセルロースなどの誘電体物質ででき
ているために、これに入射した光束はその内部で多重反
射を繰り返すうちに微小な膜厚差でも最終的にはビーム
の波長(He−Neの場合0.6328μm)に対して
、干渉条件をずらし得る光路長変化となることにある。
そして、この傾向は、ビームがペリクル膜面の法線に対
して大きな角度で入射する程大きくなる。
して大きな角度で入射する程大きくなる。
また、このような受光量の変動だけでなく、受光光量自
体もペリクル膜が無いときに比べ平均して約35%に低
減してしまうという欠点もある。
体もペリクル膜が無いときに比べ平均して約35%に低
減してしまうという欠点もある。
同じ様な問題はべりタル膜に限らず、平行平面ガラスを
用いたときにも起きる。つまり、平行平面ガラスの厚み
が例えば2mm以下と薄く、レーザ光の可干V歩距離内
にある時は、前述ペリクル膜と同じ理由で透過光量の減
衰がおきる。また、その厚みが厚い時でも、ビームのガ
ラスに入射する際と、射出する際に、フレネル反射が大
きくなってしまい、同様な透過光量の低減が生じる。
用いたときにも起きる。つまり、平行平面ガラスの厚み
が例えば2mm以下と薄く、レーザ光の可干V歩距離内
にある時は、前述ペリクル膜と同じ理由で透過光量の減
衰がおきる。また、その厚みが厚い時でも、ビームのガ
ラスに入射する際と、射出する際に、フレネル反射が大
きくなってしまい、同様な透過光量の低減が生じる。
本発明の目的は、このような従来技術の問題点に鑑み、
表面状態検査装置において、ペリクル膜等の有無にかか
わらず、またペリクル膜等の膜厚にばらつきがあっても
、異物の検出感度が高く安定した検査が行なえるように
することにある。
表面状態検査装置において、ペリクル膜等の有無にかか
わらず、またペリクル膜等の膜厚にばらつきがあっても
、異物の検出感度が高く安定した検査が行なえるように
することにある。
[課題を解決するための手段]
上記目的を達成するため本発明では、基板上にレーザビ
ームを入射させその散乱光を検出して該基板の表面状態
を検査する表面状態検査装置において、該レーザビーム
をP偏光とし、かつ基板面に対し75°以下の入射角で
入射するようにしている。また、検出される前記散乱光
が基板面の法線となす角は75°以下となるようにして
いる。
ームを入射させその散乱光を検出して該基板の表面状態
を検査する表面状態検査装置において、該レーザビーム
をP偏光とし、かつ基板面に対し75°以下の入射角で
入射するようにしている。また、検出される前記散乱光
が基板面の法線となす角は75°以下となるようにして
いる。
基板面の上には通常、防塵用ペリクル膜のような光透過
性の光学薄膜あるいは光学平板が基板にほぼ平行に装着
される。
性の光学薄膜あるいは光学平板が基板にほぼ平行に装着
される。
[作用]
この構成において、レチクル等の基板に光学薄膜として
例えば防塵用ペリクル膜が装着されているとすれば、例
えばレチクルの基板の場合、ガラス面あるいはパターン
面の表面状態はべりタル膜を通して走査し検査されるが
、その際、照明光として用いられるレーザビームはP(
扁光であるため、ペリクル膜の膜厚変化に対する透過率
変化および低下は従来用いていたS偏光の場合よりも少
なく、入射角が75°以下であれば想定されるII!厚
変化に対し実用上十分な透過率の変動および低下の範囲
内で検査が行なわれる。したがって、ペリクル膜等の有
無やその膜厚のばらつきにかかわらず、異物の検出感度
が高く安定した検査が行なわれる。
例えば防塵用ペリクル膜が装着されているとすれば、例
えばレチクルの基板の場合、ガラス面あるいはパターン
面の表面状態はべりタル膜を通して走査し検査されるが
、その際、照明光として用いられるレーザビームはP(
扁光であるため、ペリクル膜の膜厚変化に対する透過率
変化および低下は従来用いていたS偏光の場合よりも少
なく、入射角が75°以下であれば想定されるII!厚
変化に対し実用上十分な透過率の変動および低下の範囲
内で検査が行なわれる。したがって、ペリクル膜等の有
無やその膜厚のばらつきにかかわらず、異物の検出感度
が高く安定した検査が行なわれる。
[実施例]
以下、図面を用いて本発明の詳細な説明する。
′fSx図(a)および(b)は本発明の一実施例に係
る表面状態検出装置によりレチクル面の検査をする様子
を示す側面図および概略下面図である。
る表面状態検出装置によりレチクル面の検査をする様子
を示す側面図および概略下面図である。
同図において、1はレチクル、1uはレチクル1」二面
のガラス面、11はレチクル1下面のパタニングを施し
たパターン面、2および3はそれぞれガラス面1uおよ
びパターン面11を保護するペリクル膜、4はペリクル
l]@2上面の上ペリクル而、5はペリクル膜3下面の
下ペリクル面、6はこれら各面を走査するレーザビーム
、78〜7dはレーザビーム6が操作するこれら各面上
の走査点P、〜P4に物点を有するとともに点P、′〜
Pa’ に再結像するレンズまたはミラーによる受光素
子、88〜8dはそれぞれ点P。
のガラス面、11はレチクル1下面のパタニングを施し
たパターン面、2および3はそれぞれガラス面1uおよ
びパターン面11を保護するペリクル膜、4はペリクル
l]@2上面の上ペリクル而、5はペリクル膜3下面の
下ペリクル面、6はこれら各面を走査するレーザビーム
、78〜7dはレーザビーム6が操作するこれら各面上
の走査点P、〜P4に物点を有するとともに点P、′〜
Pa’ に再結像するレンズまたはミラーによる受光素
子、88〜8dはそれぞれ点P。
〜P、′上あるいはその近傍に配置され点P、〜P4以
外から発する不用な光束を遮断する視野絞り、98〜9
dはそれぞれ視野絞り88〜8dの後方に配置され受光
素子7a〜7dが集光する光束を伝達する光ファイバ等
の光量伝達素子、10a〜10dは光量伝達素子98〜
9dによって伝達されてくる光束を光電変を奏する光電
変換素子である。
外から発する不用な光束を遮断する視野絞り、98〜9
dはそれぞれ視野絞り88〜8dの後方に配置され受光
素子7a〜7dが集光する光束を伝達する光ファイバ等
の光量伝達素子、10a〜10dは光量伝達素子98〜
9dによって伝達されてくる光束を光電変を奏する光電
変換素子である。
レーザビーム6は、図中矢印りで示すようなP偏光で、
その偏向面は紙面内(入射断面内)にあり、第2図を用
いて前述したようにポリゴンミラーや振動ミラーを用い
て第1図の紙面を横切る方向に走査される。また、レー
ザビーム6によってレチクル全面が走査されるように、
レチクル1は不図示のステージにより矢印Sの方向に移
動される。
その偏向面は紙面内(入射断面内)にあり、第2図を用
いて前述したようにポリゴンミラーや振動ミラーを用い
て第1図の紙面を横切る方向に走査される。また、レー
ザビーム6によってレチクル全面が走査されるように、
レチクル1は不図示のステージにより矢印Sの方向に移
動される。
上ペリクル面4に対するレーザビーム6の入射角θ1は
75°以下となるように設定される。また、受光素子7
bおよび70等の受光光学系の光軸P、P2’ および
Ps Ps ’ は上または下ペリクル面4または5の
法線に対しそれぞれ75°以下の角度θ2およびθ、を
なすように構成される。
75°以下となるように設定される。また、受光素子7
bおよび70等の受光光学系の光軸P、P2’ および
Ps Ps ’ は上または下ペリクル面4または5の
法線に対しそれぞれ75°以下の角度θ2およびθ、を
なすように構成される。
受光素子78〜7dとしては本実施例は特にセルフォッ
クレンズアレーを用いているが他にシリンドリカルレン
ズのような一次元結像素子が使用できる。
クレンズアレーを用いているが他にシリンドリカルレン
ズのような一次元結像素子が使用できる。
次に第1図(b)を用いて本実施例の異物検出原理を説
明する。第1図(b)は本実施例の表面状態検出装置の
下面概略図であり、本図においてはペリクル11! 3
、受光素子7d等の部材は簡略化のため省略されている
。受光素子7Cは図のような複数のセルフォックレンズ
7caより成るセルフォックレンズアレイである(セル
フォックレンズ7caの大きさは実際より大きく描かれ
ている)。℃はレチクル下面1℃上での走査レーザビー
ムの軌跡(走査線)である、走査レーザビームはレチク
ル上面1uに対して斜め上方から、かつその走査線がレ
チクルの縦あるいは横方向(ここではX方向)と15゛
をなすように入射させる。
明する。第1図(b)は本実施例の表面状態検出装置の
下面概略図であり、本図においてはペリクル11! 3
、受光素子7d等の部材は簡略化のため省略されている
。受光素子7Cは図のような複数のセルフォックレンズ
7caより成るセルフォックレンズアレイである(セル
フォックレンズ7caの大きさは実際より大きく描かれ
ている)。℃はレチクル下面1℃上での走査レーザビー
ムの軌跡(走査線)である、走査レーザビームはレチク
ル上面1uに対して斜め上方から、かつその走査線がレ
チクルの縦あるいは横方向(ここではX方向)と15゛
をなすように入射させる。
各セルフォックレンズの光軸7C℃はすべて互いに平行
で、且つすべての光軸の延長線はレチクル下面lfl上
で走査線Iと直交する。よって各光軸のレチクル下面I
J2上への投影像はレチクルの縦あるいは横方向(ここ
ではY方向)と15°をなす。またすべてのセルフォッ
クレンズ7caの物体側焦点位置は走査線℃上に来るよ
うに設けられる。更に各セルフォックレンズ7caの受
光NAは±15°未溝に制限されている。ここでパター
ンからの散乱光はパターンが縦あるいは横方向に対しO
”、30°、45°、60°、90°から成るとすると
、同じく縦あるいは横方向に対し0°、30’ 、45
°、60” 90°方向に発生する。各セルフォッ
クレンズ7caの光軸のレチクル下面IIl上への投影
像はY方向と15°をなし且つ受光NAは±15°15
°ので、走査線に上に来たパターンからの散乱光は各セ
ルフォックレンズへの入射角が必ずNAより大きくなっ
てしまい、けられて通過できない。これに対し異物から
の散乱光は指向性がないので必ず一部各セルフオツクレ
ンズを通過する。したがって各セルフォックレンズを通
過した光をそれぞれ光量伝達素子9cで受光して検出す
るようにすれば異物のみからの散乱光を検出できる事に
なる。
で、且つすべての光軸の延長線はレチクル下面lfl上
で走査線Iと直交する。よって各光軸のレチクル下面I
J2上への投影像はレチクルの縦あるいは横方向(ここ
ではY方向)と15°をなす。またすべてのセルフォッ
クレンズ7caの物体側焦点位置は走査線℃上に来るよ
うに設けられる。更に各セルフォックレンズ7caの受
光NAは±15°未溝に制限されている。ここでパター
ンからの散乱光はパターンが縦あるいは横方向に対しO
”、30°、45°、60°、90°から成るとすると
、同じく縦あるいは横方向に対し0°、30’ 、45
°、60” 90°方向に発生する。各セルフォッ
クレンズ7caの光軸のレチクル下面IIl上への投影
像はY方向と15°をなし且つ受光NAは±15°15
°ので、走査線に上に来たパターンからの散乱光は各セ
ルフォックレンズへの入射角が必ずNAより大きくなっ
てしまい、けられて通過できない。これに対し異物から
の散乱光は指向性がないので必ず一部各セルフオツクレ
ンズを通過する。したがって各セルフォックレンズを通
過した光をそれぞれ光量伝達素子9cで受光して検出す
るようにすれば異物のみからの散乱光を検出できる事に
なる。
この構成において、レーザビーム6が75°以下の入射
角度θ1で上ペリクル面4に入射され各面が走査される
が、その際に、上下のペリクル膜面4,5またはガラス
面1uもしくはパターン面11に付着した異物にレーザ
ビーム6が当たると、レーザビーム6は異物によって散
乱され、その散乱光束の一部が受光素子78〜7dによ
って集光され、そして光量伝達素子98〜9dを経て光
電変換素子10a〜10dいずれかへ伝達される。伝達
された異物の情報を含む光信号はその光電変換素子によ
って電気信号に変換され、所定の信号処理を経て異物の
存在が検出されることになる。
角度θ1で上ペリクル面4に入射され各面が走査される
が、その際に、上下のペリクル膜面4,5またはガラス
面1uもしくはパターン面11に付着した異物にレーザ
ビーム6が当たると、レーザビーム6は異物によって散
乱され、その散乱光束の一部が受光素子78〜7dによ
って集光され、そして光量伝達素子98〜9dを経て光
電変換素子10a〜10dいずれかへ伝達される。伝達
された異物の情報を含む光信号はその光電変換素子によ
って電気信号に変換され、所定の信号処理を経て異物の
存在が検出されることになる。
ここで、レーザビーム6が75’の入射角でP偏向入射
されるとすれば、ペリクルflI2を透過するに際し、
第4図が示すように、膜厚ばらつき002μmに対し、
最大透過率の95〜87%の範囲で透過率が変動するこ
とになる。また、受光素子7bの光軸P2P2’ につ
いての角度θ、が同しく75°であるとすれば、受光素
子7bによる受光光量は透過率変動の2乗すなわち90
〜76%の範囲で変動する。
されるとすれば、ペリクルflI2を透過するに際し、
第4図が示すように、膜厚ばらつき002μmに対し、
最大透過率の95〜87%の範囲で透過率が変動するこ
とになる。また、受光素子7bの光軸P2P2’ につ
いての角度θ、が同しく75°であるとすれば、受光素
子7bによる受光光量は透過率変動の2乗すなわち90
〜76%の範囲で変動する。
したがって従来例においてはガラス面上にまったく同じ
異物があってもペリクル膜の厚さのばらつきによって受
光光量は245倍まで変動したのに対し、本実施例の場
合は最悪でも1.18(立90/76)倍すなわちわず
か18%までの変動に抑えることかできる。また、この
ような変動だけでなく受光光量自体もペリクル膜がない
場合の83%以上となり、従来例では65%にまでも低
減したのに対し17%以内の低減に抑えることができる
。
異物があってもペリクル膜の厚さのばらつきによって受
光光量は245倍まで変動したのに対し、本実施例の場
合は最悪でも1.18(立90/76)倍すなわちわず
か18%までの変動に抑えることかできる。また、この
ような変動だけでなく受光光量自体もペリクル膜がない
場合の83%以上となり、従来例では65%にまでも低
減したのに対し17%以内の低減に抑えることができる
。
また、このような効果に基づき、以下のシステム的利点
が生じる。
が生じる。
■ ペリクル膜を装着したレチクルと装着しないレチク
ルとで受光素子に跳び込む異物の散乱光量がほぼ等しい
ので、同一の感度設定で両方のレチクルを検査すること
ができる。
ルとで受光素子に跳び込む異物の散乱光量がほぼ等しい
ので、同一の感度設定で両方のレチクルを検査すること
ができる。
■ ペリクル膜厚のばらつきに関係なく、常に安定した
検出感度を保つことができる。
検出感度を保つことができる。
第5図は本発明の他の実施例に係る表面状態検出装置に
よりレチクル面の検査をする様子を示す。第1図と同一
記号を付した部材は共通とする。
よりレチクル面の検査をする様子を示す。第1図と同一
記号を付した部材は共通とする。
第1図の場合と異る点は、レーザビームをレチクルに対
し上からのビーム6uと、下からのビーム6flとに分
けて入射している点である。これを実現するためには、
例えば第2図において切換えミラー13をハーフミラ−
に替えればいい。
し上からのビーム6uと、下からのビーム6flとに分
けて入射している点である。これを実現するためには、
例えば第2図において切換えミラー13をハーフミラ−
に替えればいい。
本実施例の利点は次の通りである。
実際のレチクルにおいては、基板の下側の面に回路パタ
ーンAが不透過性のクロムや酸化クロムでプリントされ
ている。したがって、例えば第1図で示したようにレチ
クルの上方だけからレーザビームを入射させた場合、上
ペリクル面4とガラス面1u(レチクル上面)上の点P
lとP、にはビームが到達するので、これらの面の表面
状態の検査はできる。しかし、レチクル下面1ftにク
ロムのパターンがある場合、ビームがこれによって遮ぎ
られでしまう。そのため、このクロム上に付着している
ごみや、ビームの延長線上にある下ペリクル面5上のご
み(P4点上)が照明されなくなり、これらの面上の表
面状態の検査ができなくなる。
ーンAが不透過性のクロムや酸化クロムでプリントされ
ている。したがって、例えば第1図で示したようにレチ
クルの上方だけからレーザビームを入射させた場合、上
ペリクル面4とガラス面1u(レチクル上面)上の点P
lとP、にはビームが到達するので、これらの面の表面
状態の検査はできる。しかし、レチクル下面1ftにク
ロムのパターンがある場合、ビームがこれによって遮ぎ
られでしまう。そのため、このクロム上に付着している
ごみや、ビームの延長線上にある下ペリクル面5上のご
み(P4点上)が照明されなくなり、これらの面上の表
面状態の検査ができなくなる。
これに対し、第5図に示すようにビームを上下から入射
させると、回路パターンの有無にかかわらず、常に、上
側のビーム6uが上ペリクル面4とガラス面1uを照明
し、下側のビーム6JZが下ペリクル面5とパターン面
IIlとを照明するので、これら4面の表面状態を同時
に検査することがでざる。
させると、回路パターンの有無にかかわらず、常に、上
側のビーム6uが上ペリクル面4とガラス面1uを照明
し、下側のビーム6JZが下ペリクル面5とパターン面
IIlとを照明するので、これら4面の表面状態を同時
に検査することがでざる。
この実施例においても、上下のビーム6uおよび61の
ペリクル面4および5に対する入射角θ1およびθIは
75′″以下が望ましいし、ガラス面1u、パターン面
iILの各受光系の光軸P2 P2’ 、Ps P3’
も上下のペリクル面45に刻し、756以下であるの
が望ましい。
ペリクル面4および5に対する入射角θ1およびθIは
75′″以下が望ましいし、ガラス面1u、パターン面
iILの各受光系の光軸P2 P2’ 、Ps P3’
も上下のペリクル面45に刻し、756以下であるの
が望ましい。
また、レーザビームの走査はポリゴンミラーや1辰動ミ
ラーを用いる代わりに、例えばシリンドリカルし・ンズ
といった一次元結像素子を用いて、各検査面上にシート
状のビームを形成するようにしてもよい。
ラーを用いる代わりに、例えばシリンドリカルし・ンズ
といった一次元結像素子を用いて、各検査面上にシート
状のビームを形成するようにしてもよい。
前述実施例では異物からの後方散乱光あるいは上方散乱
光を受光する受光系になっているが、側方散乱光や前方
散乱光を受光するようにしても良い。
光を受光する受光系になっているが、側方散乱光や前方
散乱光を受光するようにしても良い。
[発明の効果]
以上説明したように本発明によれば、照明用のレーザビ
ームをP偏光で、かつ光学薄膜あるいは光学平板等の保
護膜に対し75°以下の入射角で入射させて走査し、さ
らには検出される散乱光を保護膜の法線に対し75°以
下の角度のものとしたため、光干渉性のある保護膜を通
しても基板面上の異物を高感度で安定して検出すること
ができる。
ームをP偏光で、かつ光学薄膜あるいは光学平板等の保
護膜に対し75°以下の入射角で入射させて走査し、さ
らには検出される散乱光を保護膜の法線に対し75°以
下の角度のものとしたため、光干渉性のある保護膜を通
しても基板面上の異物を高感度で安定して検出すること
ができる。
第1図(a)および(b)は、本発明の一実施例に係る
表面状態検出装置によりレチクル面の検査をする様子を
示す模式図、 第2図は、従来例に係る表面状態検出装置によりレチク
ル面の検査をする様子を示す模式図、第3図は、他の従
来例に係る表面状態検出装置によりレチクル面の検査を
する様子を示す模式第4図は、ペリクル膜の入射角およ
び膜厚に対する透過率の特性を示すグラフ、そして第5
図は、本発明の他の実施例に係る表面状態検出装置によ
りレチクル面の検査をする様子を示す模式図である。 1、レチクル、 1u ガラス面、 1λ:パターン面、 2,3:ベリクル膜、 4:上ペリクル面、 5:下ペリクル面、 6.8u、842:レーザビーム、 78〜7cm受光素子、 88〜8d:視野絞り、 98〜9d:光ファイバ、 10:レーザ、 10a 〜10d:光電変換素子、 11:走査用ミラー 12:レンズ、 13.14,15:ミラー
表面状態検出装置によりレチクル面の検査をする様子を
示す模式図、 第2図は、従来例に係る表面状態検出装置によりレチク
ル面の検査をする様子を示す模式図、第3図は、他の従
来例に係る表面状態検出装置によりレチクル面の検査を
する様子を示す模式第4図は、ペリクル膜の入射角およ
び膜厚に対する透過率の特性を示すグラフ、そして第5
図は、本発明の他の実施例に係る表面状態検出装置によ
りレチクル面の検査をする様子を示す模式図である。 1、レチクル、 1u ガラス面、 1λ:パターン面、 2,3:ベリクル膜、 4:上ペリクル面、 5:下ペリクル面、 6.8u、842:レーザビーム、 78〜7cm受光素子、 88〜8d:視野絞り、 98〜9d:光ファイバ、 10:レーザ、 10a 〜10d:光電変換素子、 11:走査用ミラー 12:レンズ、 13.14,15:ミラー
Claims (3)
- (1)基板上にレーザビームを入射させその散乱光を検
出して該基板の表面状態を検査する表面状態検査装置に
おいて、該レーザビームはP偏光でありかつ基板面の法
線に対し75°以下の入射角で入射されることを特徴と
する表面状態検査装置。 - (2)検出される前記散乱光が基板面の法線となす角は
75°以下である請求項1記載の表面状態検査装置。 - (3)前記レーザービームは前記基板に装着されたペリ
クルを介して前記基板上に入射され、且つ前記ペリクル
面の法線に対し75°以下の入射角で入射されることを
特徴とする請求項1記載の表面状態検査装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1004695A JPH07104288B2 (ja) | 1989-01-13 | 1989-01-13 | 表面状態検査装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1004695A JPH07104288B2 (ja) | 1989-01-13 | 1989-01-13 | 表面状態検査装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02186248A true JPH02186248A (ja) | 1990-07-20 |
JPH07104288B2 JPH07104288B2 (ja) | 1995-11-13 |
Family
ID=11591023
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1004695A Expired - Fee Related JPH07104288B2 (ja) | 1989-01-13 | 1989-01-13 | 表面状態検査装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH07104288B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0829354A (ja) * | 1993-06-08 | 1996-02-02 | Mitsubishi Electric Corp | 微小異物の検出および検査方法、それに用いられる走査型プローブ顕微鏡ならびにこれらを用いた半導体素子または液晶表示素子の製法 |
WO1998052025A1 (fr) * | 1997-05-14 | 1998-11-19 | Idemitsu Petrochemical Co., Ltd. | Procede et instrument de controle de surface |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6273141A (ja) * | 1985-09-27 | 1987-04-03 | Hitachi Ltd | 透明な試料に対する欠陥検出方法及びその装置 |
JPS62188949A (ja) * | 1986-02-14 | 1987-08-18 | Canon Inc | 表面状態測定装置 |
-
1989
- 1989-01-13 JP JP1004695A patent/JPH07104288B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6273141A (ja) * | 1985-09-27 | 1987-04-03 | Hitachi Ltd | 透明な試料に対する欠陥検出方法及びその装置 |
JPS62188949A (ja) * | 1986-02-14 | 1987-08-18 | Canon Inc | 表面状態測定装置 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0829354A (ja) * | 1993-06-08 | 1996-02-02 | Mitsubishi Electric Corp | 微小異物の検出および検査方法、それに用いられる走査型プローブ顕微鏡ならびにこれらを用いた半導体素子または液晶表示素子の製法 |
WO1998052025A1 (fr) * | 1997-05-14 | 1998-11-19 | Idemitsu Petrochemical Co., Ltd. | Procede et instrument de controle de surface |
DE19880793C1 (de) * | 1997-05-14 | 2003-08-07 | Idemitsu Petrochemical Co | Oberflächenprüfgerät und Oberflächenprüfverfahren |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH07104288B2 (ja) | 1995-11-13 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |