JPH023968A - カラー固体撮像素子の製造方法 - Google Patents
カラー固体撮像素子の製造方法Info
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- JPH023968A JPH023968A JP63152757A JP15275788A JPH023968A JP H023968 A JPH023968 A JP H023968A JP 63152757 A JP63152757 A JP 63152757A JP 15275788 A JP15275788 A JP 15275788A JP H023968 A JPH023968 A JP H023968A
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Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はカラー固体撮像素子の製造方法に関し、特にカ
ラーフィルタ層の再形成の際の中間層の剥離を容易にし
たカラー固体撮像素子の製造方法に関する。
ラーフィルタ層の再形成の際の中間層の剥離を容易にし
たカラー固体撮像素子の製造方法に関する。
カラー固体撮像素子はカメラの光学系を介して入射され
た光を赤、青、緑、あるいはこれらの補色色等に色分離
し、カラー信号を電気信号として取り出すものである。
た光を赤、青、緑、あるいはこれらの補色色等に色分離
し、カラー信号を電気信号として取り出すものである。
従来のカラー固体撮像素子は第２図に示すようにセル部
１０とその周辺に多数設けられたボンディングパッド部
１１とを１チツプとして多数のチップがスクライブ線１
２で分離されるようにウェハー上に作られる。各チップ
は例えば第３図（ａ）〜（ｄ）に示す如く製造されてい
る。
１０とその周辺に多数設けられたボンディングパッド部
１１とを１チツプとして多数のチップがスクライブ線１
２で分離されるようにウェハー上に作られる。各チップ
は例えば第３図（ａ）〜（ｄ）に示す如く製造されてい
る。
まず、半導体基板１の表面に入射光を電気信号に変換す
る受光部２を反対導電型領域で形成する。
る受光部２を反対導電型領域で形成する。
なお、受光部２は図示しない転送電極によって接続され
ている。次に、この基板１上に層間膜３を介して、受光
部２に対応する部分が開口したアルミニラム遮光膜４を
形成する。なお、このアルミニウム遮光膜４は配線とし
ても用いられている。
ている。次に、この基板１上に層間膜３を介して、受光
部２に対応する部分が開口したアルミニラム遮光膜４を
形成する。なお、このアルミニウム遮光膜４は配線とし
ても用いられている。
その上部にシリコン酸化膜５を形成する（第３図（ａ）
図示）。つづいてボンディングパッド部とスクライブ線
上などのシリコン酸化膜５を除去する（第３図（ｂ乃。
図示）。つづいてボンディングパッド部とスクライブ線
上などのシリコン酸化膜５を除去する（第３図（ｂ乃。
次に、ＰＧＭＡ、ＰＭＭＡ、ＧＣＭ等の透明高分子樹脂
を中間層９として形成し、水溶性レジストを受光部２の
対応する位置に形成する。
を中間層９として形成し、水溶性レジストを受光部２の
対応する位置に形成する。
この水溶性レジストにはゼラチン、カゼイン、グルー咎
の蛋白質、又はポリビニルアルコールに重クロム酸アウ
ンモニウムを添加したものがある。
の蛋白質、又はポリビニルアルコールに重クロム酸アウ
ンモニウムを添加したものがある。
この水溶性レジストをマゼンダ染料で染色してマゼンダ
染色層６を形成する。さらに、中間層９を形成し所定の
位置にシアン染色層７を形成しこの繰返しでＹｅ染色層
８を形成し、最上部にも透明高分子樹脂膜を形成する（
第３図（ｃ）図示）。その後、ボンディングパッド部と
スクライブ線上の中間層９を除去する（第３図（ｄ）図
示）。
染色層６を形成する。さらに、中間層９を形成し所定の
位置にシアン染色層７を形成しこの繰返しでＹｅ染色層
８を形成し、最上部にも透明高分子樹脂膜を形成する（
第３図（ｃ）図示）。その後、ボンディングパッド部と
スクライブ線上の中間層９を除去する（第３図（ｄ）図
示）。
上述した従来のカラー固体撮像素子はカラーフィルタ層
形成前にボンディングパッド部のシリコン酸化膜を除去
するためその部分はアルミニウム膜が露出している。こ
のためカラーフィルタ層形成中塗布ムラや位置ズレ等の
不良によりカラーフィルター層を再形成するため中間層
と色フィルタを全面剥離する場合に剥離液としてアルミ
ニウムを腐食する酸やアルカリ溶剤を用いることができ
ないので、剥離が非常に困難である。
形成前にボンディングパッド部のシリコン酸化膜を除去
するためその部分はアルミニウム膜が露出している。こ
のためカラーフィルタ層形成中塗布ムラや位置ズレ等の
不良によりカラーフィルター層を再形成するため中間層
と色フィルタを全面剥離する場合に剥離液としてアルミ
ニウムを腐食する酸やアルカリ溶剤を用いることができ
ないので、剥離が非常に困難である。
本発明のカラー固体撮像素子の製造方法は複数の光電変
換領域及び電荷転送領域が形成されている半導体基板表
面に導電性金属薄膜を形成する工程と、この導電性金属
薄膜上にシリコン酸化膜な被着する工程と、このシリコ
ン酸化膜上に中間層及び色フィルタを順次積層してカラ
ーフィルタ層を形成する工程とを有していて、ボンディ
ングパッド部上のシリコン酸化膜はカラーフィルタ層形
成後に除去している。
換領域及び電荷転送領域が形成されている半導体基板表
面に導電性金属薄膜を形成する工程と、この導電性金属
薄膜上にシリコン酸化膜な被着する工程と、このシリコ
ン酸化膜上に中間層及び色フィルタを順次積層してカラ
ーフィルタ層を形成する工程とを有していて、ボンディ
ングパッド部上のシリコン酸化膜はカラーフィルタ層形
成後に除去している。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図（ａ）〜（ｄ）は本発明の一実施例である。
まず、従来と同様に半導体基板表面に受光部２を形成し
、その上部に層間膜３およびアルミニウム遮光膜４を形
成する。さらに常圧ＣＶＤによりシリコン酸化膜５を形
成する（第１図（ａ）図示）。次にボンディングパッド
部やスクライブ線上のシリコン酸化膜５を取り除かない
でＰＧＭＡ等の透明高分子樹脂を塗布し１４０℃３０分
で熱硬化させる。つづいて２％の重クロム酸アンモニウ
ムを含んだゼラチンを塗布し７０℃１５分のブリベータ
をした後、高圧水銀ランプを用いて露光する。その後純
水中に１分間浸漬し、所定のパターンを形成する。さら
にこれを６０℃のマゼンダ染色液に２分間浸漬してマゼ
ンダ染色層６を形成する。その上にＰＧＭＡを用いて中
間層を形成し、マゼンダ染色層６と同様にシアン染色層
７．イエロー染色層８を積層し、最上層にも中間層を形
成する（第１図（ｂ）図示）。次に、水銀ランプを用い
て所定のマスクで露光し、メチルエチルケトンとエタノ
ール１：１の液に１分間浸漬現像してイソプロピルアル
コールでリンス処理をしてボンディングパッド部とスク
ライブ線上の中間層を取り除く（第１図（ｃ）図示）。
、その上部に層間膜３およびアルミニウム遮光膜４を形
成する。さらに常圧ＣＶＤによりシリコン酸化膜５を形
成する（第１図（ａ）図示）。次にボンディングパッド
部やスクライブ線上のシリコン酸化膜５を取り除かない
でＰＧＭＡ等の透明高分子樹脂を塗布し１４０℃３０分
で熱硬化させる。つづいて２％の重クロム酸アンモニウ
ムを含んだゼラチンを塗布し７０℃１５分のブリベータ
をした後、高圧水銀ランプを用いて露光する。その後純
水中に１分間浸漬し、所定のパターンを形成する。さら
にこれを６０℃のマゼンダ染色液に２分間浸漬してマゼ
ンダ染色層６を形成する。その上にＰＧＭＡを用いて中
間層を形成し、マゼンダ染色層６と同様にシアン染色層
７．イエロー染色層８を積層し、最上層にも中間層を形
成する（第１図（ｂ）図示）。次に、水銀ランプを用い
て所定のマスクで露光し、メチルエチルケトンとエタノ
ール１：１の液に１分間浸漬現像してイソプロピルアル
コールでリンス処理をしてボンディングパッド部とスク
ライブ線上の中間層を取り除く（第１図（ｃ）図示）。
最後に、中間層をマスクにして沸酸系のエツチング液に
浸漬しボンディングパッド部やスクライブ線上のシリコ
ン酸化膜を除去する（第１図（ｄ）図示）。
浸漬しボンディングパッド部やスクライブ線上のシリコ
ン酸化膜を除去する（第１図（ｄ）図示）。
以上説明したように本発明は、色フィルタを形成してい
る際はアルミニウム遮光膜がシリコン酸化膜で覆われて
いるので、中間層の剥離液に酸やアルカリ溶液を用いる
ことができるため、剥離が容易となる。また、中間層を
マスクにして絶縁膜をエツチングできるため工程が削減
できる効果がある。
る際はアルミニウム遮光膜がシリコン酸化膜で覆われて
いるので、中間層の剥離液に酸やアルカリ溶液を用いる
ことができるため、剥離が容易となる。また、中間層を
マスクにして絶縁膜をエツチングできるため工程が削減
できる効果がある。
第１図は本発明の一実施例のカラー固体撮像素子の製造
工程を示す断面図、第２図は一般的なカラー固体撮像素
子の平面概略図、第３図は従来のカラー固体撮像素子の
製造工程を示す断面図である。 １・・・・・・半導体基板、２・・・・・・受光部、３
・・・・・・層間膜、４・・・・・・アルミニウム遮光
膜、５・・・・・・絶縁膜、６・・・・・・マゼンダ染
色層、７・・・・・・シアン染色層、８・・・・・イエ
ロー染色層、９・・・・・・中間層、１０・・・・・・
セル部、１１・・・・・・ボンディングパッド部、１２
・・・・・・スクライブ線。 代理人 弁理士 内 原 晋 石２図 ωノ Ｑンノ ６ノノ 粥ｊ図 （ご＝ル ム）づンンでヅド（ダｐ （Ｃ） （ｄ） 条３図
工程を示す断面図、第２図は一般的なカラー固体撮像素
子の平面概略図、第３図は従来のカラー固体撮像素子の
製造工程を示す断面図である。 １・・・・・・半導体基板、２・・・・・・受光部、３
・・・・・・層間膜、４・・・・・・アルミニウム遮光
膜、５・・・・・・絶縁膜、６・・・・・・マゼンダ染
色層、７・・・・・・シアン染色層、８・・・・・イエ
ロー染色層、９・・・・・・中間層、１０・・・・・・
セル部、１１・・・・・・ボンディングパッド部、１２
・・・・・・スクライブ線。 代理人 弁理士 内 原 晋 石２図 ωノ Ｑンノ ６ノノ 粥ｊ図 （ご＝ル ム）づンンでヅド（ダｐ （Ｃ） （ｄ） 条３図
Claims (1)
- 複数の光電変換領域及び電荷転送領域が形成されている
半導体基板表面に導電性金属薄膜を形成する工程と、該
導電性金属薄膜の上部にシリコン酸化膜を被着する工程
と、ボンディングパッド上に前記シリコン酸化膜を被着
したままで前記半導体基板表面に中間層及び色フィルタ
を順次積層してカラーフィルタ層を形成する工程と、前
記ボンディングパッド部上の前記シリコン酸化膜を前記
カラーフィルター層形成後に除去する工程とを含むこと
を特徴とするカラー固体撮像素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63152757A JPH023968A (ja) | 1988-06-20 | 1988-06-20 | カラー固体撮像素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63152757A JPH023968A (ja) | 1988-06-20 | 1988-06-20 | カラー固体撮像素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH023968A true JPH023968A (ja) | 1990-01-09 |
Family
ID=15547492
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63152757A Pending JPH023968A (ja) | 1988-06-20 | 1988-06-20 | カラー固体撮像素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH023968A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5235195A (en) * | 1990-08-08 | 1993-08-10 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Solid state electromagnetic radiation detector with planarization layer |
| US5273910A (en) * | 1990-08-08 | 1993-12-28 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Method of making a solid state electromagnetic radiation detector |
| US7129108B2 (en) | 2003-10-01 | 2006-10-31 | Dongbu Electronics Co., Ltd. | CMOS image sensor and manufacturing method thereof |
-
1988
- 1988-06-20 JP JP63152757A patent/JPH023968A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5235195A (en) * | 1990-08-08 | 1993-08-10 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Solid state electromagnetic radiation detector with planarization layer |
| US5273910A (en) * | 1990-08-08 | 1993-12-28 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Method of making a solid state electromagnetic radiation detector |
| US7129108B2 (en) | 2003-10-01 | 2006-10-31 | Dongbu Electronics Co., Ltd. | CMOS image sensor and manufacturing method thereof |
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