JPH0231844B2 - Handotaisochoriidofureemunoseizohoho - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） この発明は半導体装置用リードフレームの製造
方法に係わり、特に半導体装置の樹脂モールド後
の切り離しに必要な吊りリードのブレーク用ハー
フ部の深さを調整し得るようにした半導体装置用
リードフレームの製造方法に関する。

（従来の技術） 樹脂モールド型半導体装置の製造において、ま
ず、第７図に示す如く半導体ペレツトを載置する
ためのアイランド部１と、この半導体ペレツトと
ワイヤボンデングにより接続されるリード等の骨
格部分２を備えたリードフレームが用意される。
ついでアイランド部１とインナーリード３の領域
４に金属（金、銀等）による部分メツキを施した
のち、第８図に示す如く半導体ペレツト５をアイ
ランド部１上のメツキ層６上に接着し、さらにワ
イヤボンデングにより半導体ペレツト５とインナ
ーリードを電気的に接続する。最後に第８図に示
す如く半導体ペレツト５とインナーリード３を含
む部分を樹脂７により樹脂封止したのち、外側レ
フーム部８等の不要フレーム部分を切り離して製
品とする。

このようなリードフレームを製造する場合、ま
ず、半導体装置用リードフレーム形成用金属板の
両面の外側フレーム部８、アイランド部１、この
アイランド部１と外側フレーム部８とに両端が支
持されたアイランド部支持用吊りリード部９、ア
イランド部１周囲に配置されたインナーリード部
３を含むリードフレーム骨格部分等残留すべき部
分をレジスト層でマスキングしたのち、エツチン
グ処理することによりリードフレームが得られ
る。

この場合、吊りリード部９の外側フレーム部８
との接続部分は、樹脂モールド後に外側フレーム
部８からの樹脂封止半導体装置の切り離しを容易
にするため、肉薄部とする必要があり、この部分
は通常、ブレーク用ハーフ部（図中１０で示す）
と呼ばれ、このブレーク用ハーフ部１０はリード
フレームのエツチング加工時に同時に形成されて
いる。

すなわち、ブレーク用ハーフ部１０の形成はレ
ジスト層を他部の如く両面に塗布するのでなく、
一方の面にのみ塗布し、他方の面を完全に露出さ
せた状態でエツチングすることによりおこなわ
れ、その結果、ブレーク用ハーフ部１０は肉薄と
なる。

（発明が解決しようとする問題点） このように、ブレーク用ハーフ部１０の部分は
一方の金属表面を露出させた状態で他の部分のエ
ツチング加工と同時におこなわれるため、ブレー
ク用ハーフ部１０のエツチング深さは第９図に
“ｄ”で示す如く当初の金属材料板厚“Ｄ”の60
〜70％に達してしまう。なぜならば、リードフレ
ームの他の部分においてはエツチングによる金属
材料貫通（この時、ブレーク用ハーフ部１０のエ
ツチング深さは約50％となる）の後も、リードフ
レームのエツチング断面形状および寸法を安定さ
せるため、更にエツチングを続行する必要がある
ためである。

このように、ブレーク用ハーフ部１０のエツチ
ング深さが大きくなり、この部分の材料強度が小
さくなると、後工程の部分メツキ時にアイランド
部１の変形が生ずるなどの問題が生じる。すなわ
ち、第７図に示す領域４に部分メツキを施す場
合、第１０図に示す如くリードフレーム１１の裏
面全面に上部マスクゴム板１２を圧接し、リード
フレーム１１の表面に領域４に相当するメツキ用
開口部１３ａを設けた下部マスクゴム１３を押し
当てた状態にして上記開口部１１ａにメツキ液を
矢線の如く吹き付け、領域４にのみ部分メツキを
施す。この場合、上部マスクゴム板２に対しては
特に押圧力が加わるため、ブレーク用ハーフ部１
０の強度が小さすぎると、これがアイランド部１
の変形の原因となる。

そのため、ブレーク用ハーフ部１０の強度が所
定以下とならないように対処する必要があつた。

（問題点を解決するための手段） この発明は半導体装置用リードフレームのエツ
チング加工において、ブレーク用ハーフ部１０の
エツチング深さを適宜調整することが可能なエツ
チング方法を提供することにより上述の如き従来
技術の問題点を解決しようとするものである。

すなわち、この発明によれば半導体装置用リー
ドフレーム形成用金属板の両面のアイランド部、
リード部、吊りリード部等の必要個所にレジスト
層を選択的に塗布したのち、エツチング液に露し
て半導体装置用リードフレームを製造する方法に
おいて、吊りリードの上記外側フレームとの接続
部分近傍の一方の面を上記レジスト層で全面マス
キングし、その他面に上記レジスト層を部分的に
形成した状態でエツチングすることにより、その
部分のエツチング速度を他部より遅らせ、これに
よりブレーク用ハーフ部を比較的浅く形成するこ
とによりブレーク用ハーフ部の強度が所定以下と
ならないようにし、上記問題点の解決を図つたも
のである。

（発明の具体的説明） 以下、この説明を図示の具体例を参照して説明
する。

第１図は半導体装置用リードフレーム形成用金
属板（たとえば42合金（42重量％Ni，残部Fe）、
りん青銅等）の吊りリード２１の外側フレーム部
２２との接続部近傍を中心にして示した平面図で
あつて、外側フレーム部２２、リード部２３およ
び吊りリード部２１にレジスト材料２５（ハツチ
ング部分）が塗布されている。ただし、吊りリー
ド部２１のブレーク用ハーフ部２１ａ（破線で挟
まれた部分）にはレジスト材料２５が部分的（格
子状）に塗布されていて、上記金属板の一部２０
が露出している。なお、この金属板の反対側の面
は第２図から明らかなように上記の如き金属の一
部２０が露出することなく、吊りリード部２１全
体にレジスト材料５が塗布されている。そのほ
か、反対側の外側フレーム部２２およびリード部
２３にも当然、レジスト材料が全面塗布されてい
る。

このような状態でエツチング液を用いリードフ
レーム形成用金属板を上下両面からエツチング処
理すると、レジスト材料２５が全く塗布されてい
ない金属露出部分２６のエツチングは通常通り進
行するが、ブレーク用ハーフ部２１ａは一方の面
にレジスト材料２５が部分的に存在するため、エ
ツチング速度が遅くなり、第２図に示す如く、金
属露出部分２６では金属板がほぼ貫通状態に至つ
ても、このブレーク用ハーフ部２１ａは僅かにエ
ツチングされるにすぎない。リードフレームのエ
ツチング断面形状および寸法を整えるため、さら
にエツチングを続行すると、エツチング液による
アンダーカツト作用によりブレーク用ハーフ部２
１ａのレジスト材料２５が自動的に除去され、最
終的に第３図に示す如く、ブレーク用ハーフ部２
１ａのエツチング深さ“ｄ”を当初の金属板の厚
みの50％以下に抑制することができる。第４図は
このようなエツチング法によつて得られる吊りリ
ード２１を側面から見たときの断面形状を示して
いる。

ブレーク用ハーフ部２１ａのエツチング深さは
一般にブレーク用ハーフ部２１ａの一方の面に塗
布されるレジスト材料のパターンの粗さ、形状等
により任意に調整することができる。しかし、一
般には金属板の板厚に対し、1/3〜1/10の線巾お
よび間隔〓レジストを施さない部分）を設けたレ
ジストパターンを形成することにより、ブレーク
用ハーフ部２１ａのエツチング深さを当初の板厚
の30〜50％程度とすることが好ましい。

第５図および第６図はブレーク用ハーフ部２１
ａに形成されるレジストパターンの変形例を第１
図に対応させて示すもので第５図のものはたとえ
ば厚さ130〜30μｍの金属板に対し50μｍ角の四角
形状のレジスト２５ａを50μｍの間〓を以つてド
ツト方式に形成した場合、第６図のものは同じく
厚さ130〜300μｍの金属板に対し線巾30μｍ、間
隙30μｍで環状パター量のレジスト２５ｂを施し
た場合をそれぞれ示している。なお、レジストパ
ターンの形状については当然、上記例に限定され
るものでなく任意の形状を選択し得る。

（実施例） 半導体装置用リードフレーム形成用金属板とし
て42合金からなる厚さ250μｍの金属板を用意し、
この金属板の両面にポリビニルアルコール系感光
性樹脂（ポリビニルアルコール０重量％、
K₂Cr₂O₇1重量％、水89重量％）をレジスト材料
として塗布し、ついで紫外線照射等を介して第１
図および第２図に示す如き格子状レジストパター
ンを形成した。すなわち、ブレーク用ハーフ部は
開口部の寸法（ａ×ｂ）を80μｍ×60μｍとし、
開口部間の間隔ｃを40μｍとした格子状パターン
とした。

次に、このレジストパターンを施した金属板を
液温50〜70℃のエツチング液（38〜42ボーメ
FeCl₃液（塩酸0.2％））を用い、10〜15分間エツ
チング処理した。その結果、所定形状のリードフ
レームが形成され、ブレーク用ハーフ部の厚みを
約50μｍ（エツチング深さ＝当初の金属板の約40
％）に調整することができた。

（発明の効果） 以上詳述した如く、本発明によれば、ブレーク
用ハーフ部のエツチング速度を調整して、エツチ
ング深さを任意に制御することができるため、ブ
レーク用ハーフ部の強度を充分に維持させること
ができ、したがつて、アイランド部およびインナ
ーリード部の部分メツキ処理工程でのアイランド
部の変形による不良品の発生を完全に防止するこ
とができる。また、本発明の方法によればブレー
ク用ハーフ部のエツチング深さの調整を特別の工
程を付加するとなく従来と同じ工程より同時にお
こなうことができるため、工程の複雑化を招くこ
ともない。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明に係わる半導体装置用リードフ
レームの製造方法を説明するための平面図であつ
て、特にブレーク用ハーフ部を中心として示す
図、第２図および第３図は第１図のＡ−Ａ線に沿
う断面におけるエツチングの進行状態を示す断面
図、第４図はエツチング処理終了後の吊りリード
の状態を示す断面図、第５図および第６図はブレ
ーク用ハーフ部におけるレジストパターンの変形
例を第１図のものに対応させて示す平面図、第７
図は半導体装置用リードフレームの一部を示す平
面図、第８は半導体装置をリードフレーム上にて
樹脂封止した状態を示す断面図であつて、第７図
のＢ−Ｂ線に対応して示す図、第９図はブレーク
用ハーフ部のエツチング深さを説明する図、第１
０図はリードフレームに部分メツキする場合の状
態を示す断面図である。 図中、１……アイランド部、２……骨格部分、
３……インナーリード、４……領域、５……半導
体ペレツト、６……メツキ層、７……樹脂、８…
…外側フレーム部、９……吊りリード部、１０…
…ブレーク用ハーフ部、１１……リードフレー
ム、１１ａ……開口部、１２……上部マスクゴム
板、１３……下部マスクゴム板、１３ａ……開口
部、２１……吊りリード、２１ａ……ブレーク用
ハーフ部、２２……外側フレーム部、２３……リ
ード部、２５……レジスト材料、２６……金属露
出部分。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 半導体装置用リードフレーム形成用金属板の
   両面の外側フレーム部、半導体素子載置用アイラ
   ンド部、該アイランド部と外側フレーム部とに両
   端が支持されたアイランド部支持用吊りリード
   部、該アイランド部の周囲に配置されたインナー
   リード部を含むリードフレーム骨格部をレジスト
   でマスキングしたのち、エツチング処理してなる
   半導体装置用リードフレームの製造方法におい
   て、 上記吊りリードの上側外側フレーム部との接続
   部分近傍のブレーク用ハーフ部形成予定部分の一
   方の面を上記レジスト全面マスキングし、他方の
   面に上記レジストを部分的にマスキングした状態
   でエツチングし、この部分的マスキング部分のエ
   ツチング速度を他部より遅らせることにより、ブ
   レーク用ハーフ部を形成するようにしたことを特
   徴とする製造方法。 ２ 上記吊りリードのブレーク用ハーフ形成予定
   部分の上記他方の面に上記金属板の厚みに対し、
   １／３〜1/10の線巾、および間〓を有するレジスト
   パターンを形成し、ついでエツチングしてブレー
   ク用ハーフ部を形成するようにしたことを特徴と
   する特許請求の範囲第１項記載の製造方法。 ３ ブレーク用ハーフ部のエツチング速度の調整
   により該ブレーク用ハーフ部のエツチング深さを
   上記金属板の厚みの30〜50％とする特許請求の範
   囲第１項記載の製造方法。