JPH0231507B2 - Handotaisochi - Google Patents
HandotaisochiInfo
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- JPH0231507B2 JPH0231507B2 JP15321284A JP15321284A JPH0231507B2 JP H0231507 B2 JPH0231507 B2 JP H0231507B2 JP 15321284 A JP15321284 A JP 15321284A JP 15321284 A JP15321284 A JP 15321284A JP H0231507 B2 JPH0231507 B2 JP H0231507B2
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- ohmic
- electrode
- auge
- ohmic electrode
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- 229910017401 Au—Ge Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 47
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/43—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/45—Ohmic electrodes
- H01L29/452—Ohmic electrodes on AIII-BV compounds
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- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明はn型導電層を有するGaAs基板へのオ
ーミツク電極形成方法に係り、特に高耐熱性オー
ミツク電極を必要不可欠とするGaAsIC、
GaAsLSI用オーミツク電極に関するものである。
ーミツク電極形成方法に係り、特に高耐熱性オー
ミツク電極を必要不可欠とするGaAsIC、
GaAsLSI用オーミツク電極に関するものである。
n型導電層を有するGaAs基板へのオーミツク
電極としては、第1層としてAu、第2層として
NiまたはCr、第3層としてAuより構成された3
層電極構造のものが知られている。(例えば、特
公昭51−32533号公報)。一般にGaAsIC、
GaAsLSIを作製する場合には、FET(電界効果ト
ランジスタ)を構成するオーミツク電極並びにシ
ヨツトキー電極を形成した後に、層間絶縁膜被着
工程と配線金属形成工程が必要である。通常、こ
の層間絶縁層としてはPSG膜(リンガラス)が
用いられているが、PSG膜を熱分解のCVD法
(Chemical Vapour Deposition)により形成す
る際に400℃〜500℃の温度で少くとも20分以上の
高温プロセスをオーミツク電極は経る。従来の
Au/Ni/AuGeのオーミツク電極構造では、こ
の電極表面の平坦性が著しく損なわれ、その結果
として、オーミツク電極が層間絶縁膜を破つて最
上層の配線金属との間で短絡不良を発生する。
又、このような高温プロセスをオーミツク電極が
経ることにより、オーミツク電極の接触抵抗が著
しく増大する。
電極としては、第1層としてAu、第2層として
NiまたはCr、第3層としてAuより構成された3
層電極構造のものが知られている。(例えば、特
公昭51−32533号公報)。一般にGaAsIC、
GaAsLSIを作製する場合には、FET(電界効果ト
ランジスタ)を構成するオーミツク電極並びにシ
ヨツトキー電極を形成した後に、層間絶縁膜被着
工程と配線金属形成工程が必要である。通常、こ
の層間絶縁層としてはPSG膜(リンガラス)が
用いられているが、PSG膜を熱分解のCVD法
(Chemical Vapour Deposition)により形成す
る際に400℃〜500℃の温度で少くとも20分以上の
高温プロセスをオーミツク電極は経る。従来の
Au/Ni/AuGeのオーミツク電極構造では、こ
の電極表面の平坦性が著しく損なわれ、その結果
として、オーミツク電極が層間絶縁膜を破つて最
上層の配線金属との間で短絡不良を発生する。
又、このような高温プロセスをオーミツク電極が
経ることにより、オーミツク電極の接触抵抗が著
しく増大する。
本発明の目的は、GaAs結晶基板に対する新規
なオーミツク電極を提供するもので、より詳しく
は400℃〜500℃の高温プロセスを経た場合におい
ても、電極表面の平坦性が良好でかつ、接触抵抗
の熱劣化が殆んど見られない高耐熱性オーミツク
電極を提供することにある。
なオーミツク電極を提供するもので、より詳しく
は400℃〜500℃の高温プロセスを経た場合におい
ても、電極表面の平坦性が良好でかつ、接触抵抗
の熱劣化が殆んど見られない高耐熱性オーミツク
電極を提供することにある。
従来の電極構造Au/Ni/AuGeでは、第2層
のNiにより第1層AuGeのボール・アツプ(Ball
up)を抑止できる上限の温度としては、450℃程
度であり、しかも、時間としても、ほぼ5分程度
である。又、400℃の以上の温度で長時間熱処理
を施こすと、オーミツク電極の平坦性および接触
抵抗の熱劣化が顕著に見られるようになる。本発
明の電極構造であるAu/Ni/W/AuGeの積層
体ではまず、第1層のAuGe層により、n型導電
層GaAsへのオーミツク接触を得、次に第2層W
層と第3層Ni層の二重により、第1層AuGeの
Ball upを抑止し、最上層のAu層により、第3層
Ni層の酸化を防止する構造としている。
のNiにより第1層AuGeのボール・アツプ(Ball
up)を抑止できる上限の温度としては、450℃程
度であり、しかも、時間としても、ほぼ5分程度
である。又、400℃の以上の温度で長時間熱処理
を施こすと、オーミツク電極の平坦性および接触
抵抗の熱劣化が顕著に見られるようになる。本発
明の電極構造であるAu/Ni/W/AuGeの積層
体ではまず、第1層のAuGe層により、n型導電
層GaAsへのオーミツク接触を得、次に第2層W
層と第3層Ni層の二重により、第1層AuGeの
Ball upを抑止し、最上層のAu層により、第3層
Ni層の酸化を防止する構造としている。
以下、本発明を実施例に即して詳細に説明す
る。
る。
第1図はGaAsFETの代表的な構造を示す断面
図である。
図である。
まず、半絶縁性GaAs基板1上にSiをイオンソ
ースとして用い、n+層2およびn層3を形成す
る。次にSiO2膜4を表面保護膜として用い、H2
ガス雰囲気中においてn+層2およびn層3を活
性化する。さらに、周知の写真蝕刻法により、オ
ーミツク電極孔を形成し、SiO2膜4を除去した
後に、第1層のAuGe(Ge8wt%)層5を500Å、
第2層のW層6を100Å、第3層のNi層7を100
Å、第4層のAu層8を1000Åの膜厚で真空を破
らずに、真空蒸着法により、連続的に形成する。
次に、リフト・オフ法により、オーミツク電極パ
ターンを形成し、400℃、3分間の熱処理をN2ガ
ス雰囲気中で行なうことにより、n+層2に対し
て、オーム性接触を得る。さらに、オーミツク電
極形成方法と同様に、リフトオフ法により、ゲー
ト電極9を形成する。以上のようにFETを製作
した後に周知の熱分解のCVD法により、430℃の
温度で30分間の所要時間で層間絶縁膜として
PSG(リンガラス)膜10を7000Åの膜厚で被着
する。PSG膜上に、コンタクト穴を開口し、配
線金属11を形成する。上記工程の中で、オーミ
ツク接触を得た工程(1)およびコンタクト穴を開口
した工程(2)で、接触抵抗ρc並びにオーミツク電極
表面の凹凸度(H)について調べたところ、 (1) ρc<1×10-6Ω・cm2、H<100Å (2) ρc<1×10-6Ω・cm2、H<500Å であり、高温プロセスを経たにもかかわらず、殆
んどオーミツク電極としての劣化は認められなか
つた。上記実施例では、オーミツク電極として
Au(1000Å)/Ni(100Å)/W(100Å)/AuGe
((Ge8wt%、500Å)を例に採り上げたが、各層
の膜厚範囲としては、次の範囲が良好である。
ースとして用い、n+層2およびn層3を形成す
る。次にSiO2膜4を表面保護膜として用い、H2
ガス雰囲気中においてn+層2およびn層3を活
性化する。さらに、周知の写真蝕刻法により、オ
ーミツク電極孔を形成し、SiO2膜4を除去した
後に、第1層のAuGe(Ge8wt%)層5を500Å、
第2層のW層6を100Å、第3層のNi層7を100
Å、第4層のAu層8を1000Åの膜厚で真空を破
らずに、真空蒸着法により、連続的に形成する。
次に、リフト・オフ法により、オーミツク電極パ
ターンを形成し、400℃、3分間の熱処理をN2ガ
ス雰囲気中で行なうことにより、n+層2に対し
て、オーム性接触を得る。さらに、オーミツク電
極形成方法と同様に、リフトオフ法により、ゲー
ト電極9を形成する。以上のようにFETを製作
した後に周知の熱分解のCVD法により、430℃の
温度で30分間の所要時間で層間絶縁膜として
PSG(リンガラス)膜10を7000Åの膜厚で被着
する。PSG膜上に、コンタクト穴を開口し、配
線金属11を形成する。上記工程の中で、オーミ
ツク接触を得た工程(1)およびコンタクト穴を開口
した工程(2)で、接触抵抗ρc並びにオーミツク電極
表面の凹凸度(H)について調べたところ、 (1) ρc<1×10-6Ω・cm2、H<100Å (2) ρc<1×10-6Ω・cm2、H<500Å であり、高温プロセスを経たにもかかわらず、殆
んどオーミツク電極としての劣化は認められなか
つた。上記実施例では、オーミツク電極として
Au(1000Å)/Ni(100Å)/W(100Å)/AuGe
((Ge8wt%、500Å)を例に採り上げたが、各層
の膜厚範囲としては、次の範囲が良好である。
第1層;AuGe(Ge:4〜12wt%)>300Å
(n+GaAs層へのオーミツク接触を得るための
層) 第2層:50Å<W<200Å(AuGeのBallup抑止
層) 第3層;50Å<Ni<200Å(第2層Wとの二重膜
によりAuGeのBall upを抑止するための層) 第4層;Au>200Å(第3層Niの酸化を防止す
るための層) 上記の膜厚範囲でAu/Ni/W/AuGe4層構造
の電極を被着し、N2ガスまたはH2ガス雰囲気中
で、400〜450℃の温度で、3〜5分間の短時間で
オーミツク接触を得た後、400〜460℃の温度で
0.5〜2時間N2ガス雰囲気中で、熱処理を施して
も、ρc<2×10-6Ω・cm2、H<1000Åの如く、殆
んどオーミツク電極の劣化は見られなかつた。
(n+GaAs層へのオーミツク接触を得るための
層) 第2層:50Å<W<200Å(AuGeのBallup抑止
層) 第3層;50Å<Ni<200Å(第2層Wとの二重膜
によりAuGeのBall upを抑止するための層) 第4層;Au>200Å(第3層Niの酸化を防止す
るための層) 上記の膜厚範囲でAu/Ni/W/AuGe4層構造
の電極を被着し、N2ガスまたはH2ガス雰囲気中
で、400〜450℃の温度で、3〜5分間の短時間で
オーミツク接触を得た後、400〜460℃の温度で
0.5〜2時間N2ガス雰囲気中で、熱処理を施して
も、ρc<2×10-6Ω・cm2、H<1000Åの如く、殆
んどオーミツク電極の劣化は見られなかつた。
本発明によれば、オーミツク電極の高耐熱化が
可能であるので、400℃以上の高温でかつこれま
でより長時間の熱処理を経ても、オーミツク電極
の熱劣化を防止できる効果がある。接触抵抗およ
び電極表面の凹凸度に関しては実施例において定
量的に明示した所である。本発明は、特に、微細
加工技術が必要で、かつ、高温プロセスが不可避
であるGaAsICおよびGaAsLSIのソース・ドレイ
ン電極に適用して効果がある。
可能であるので、400℃以上の高温でかつこれま
でより長時間の熱処理を経ても、オーミツク電極
の熱劣化を防止できる効果がある。接触抵抗およ
び電極表面の凹凸度に関しては実施例において定
量的に明示した所である。本発明は、特に、微細
加工技術が必要で、かつ、高温プロセスが不可避
であるGaAsICおよびGaAsLSIのソース・ドレイ
ン電極に適用して効果がある。
第1図はGaAsICに適用するFET部分の構造を
示す断面図である。 1……半絶縁性GaAs基板、2……n+層、3…
…n層、4……SiO2膜、5……AuGe層、6……
W層、7……Ni層、8……Au層、9……ゲート
電極、10……PSG膜、11……配線金属。
示す断面図である。 1……半絶縁性GaAs基板、2……n+層、3…
…n層、4……SiO2膜、5……AuGe層、6……
W層、7……Ni層、8……Au層、9……ゲート
電極、10……PSG膜、11……配線金属。
Claims (1)
- 1 ガリウム−ヒ素結晶基板に設けられたn型導
電層へのオーミツク電極として、Au−Ge層、W
層、Ni層およびAu層を順次積層した積層体を用
いたことを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15321284A JPH0231507B2 (ja) | 1984-07-25 | 1984-07-25 | Handotaisochi |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15321284A JPH0231507B2 (ja) | 1984-07-25 | 1984-07-25 | Handotaisochi |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6132572A JPS6132572A (ja) | 1986-02-15 |
JPH0231507B2 true JPH0231507B2 (ja) | 1990-07-13 |
Family
ID=15557495
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP15321284A Expired - Lifetime JPH0231507B2 (ja) | 1984-07-25 | 1984-07-25 | Handotaisochi |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0231507B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20110048753A (ko) * | 2009-11-03 | 2011-05-12 | 삼성전자주식회사 | 사용자 단말 장치, 경로 안내 시스템 및 그 경로 안내 방법 |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01186671A (ja) * | 1988-01-14 | 1989-07-26 | Toshiba Corp | 化合物半導体装置 |
US5422307A (en) * | 1992-03-03 | 1995-06-06 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Method of making an ohmic electrode using a TiW layer and an Au layer |
US5707478A (en) * | 1993-02-25 | 1998-01-13 | Idemitsu Petrochemical Co., Ltd. | Method for producing thermoplastic resin sheet or film |
JP3337261B2 (ja) * | 1993-03-04 | 2002-10-21 | 出光石油化学株式会社 | ポリプロピレン樹脂シート又はフィルムの製造方法 |
-
1984
- 1984-07-25 JP JP15321284A patent/JPH0231507B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20110048753A (ko) * | 2009-11-03 | 2011-05-12 | 삼성전자주식회사 | 사용자 단말 장치, 경로 안내 시스템 및 그 경로 안내 방법 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS6132572A (ja) | 1986-02-15 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
EXPY | Cancellation because of completion of term |