JPH02312266A - 半導体集積装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体集積装置に関する。

［従来の技術Ｊ 従来、この種の半導体集積装置は、周囲温度を一定に保
つ機能を有していない、あるいは、非常に特殊ではある
が、半導体集積装置が設置されている環境の温度を制御
する大がかりな環境温度制御装置により周囲温度を一定
に保っていた。

〔発明が解決しようとする課題〕

上述した従来の半導体集積装置は、周囲温度を一定に保
つ環境温度制御装置がないため、半導体集積回路の特性
が不安定であり、回路設計が非常に困難となるという欠
点がある。また、環境温度制御装置を使用した場合、装
置全体が大きくなり、取り扱いメンテナンスも難しくな
り、コスト高を招くという欠点があった。

本発明の目的は前記課題を解決した半導体集積装置を提
供することにある。

〔課題を解決するための手段］ 前記目的を達成するため、本発明の半導体集積装置は高
抵抗のポリシリコン又は高抵抗の金属配線を半導体集積
装置の表面全体に均一に配置し、前記高抵抗のポリシリ
コン又は高抵抗の金属配線に流れる電流を制御する端子
又は回路を有するものである。

〔実施例〕

次に、本発明について図面を参照して説明する。

第１図は本発明の一実施例を示す斜視図である。

第１図において、１は半導体集積装置であり、２及び３
は制御用端子である。４は高抵抗ポリシリコンであり、
半導体集積装置ｌの表面に均一に配線されており、制御
用端子２，３に接続されている。

実施例において、半導体集積装置１の周囲温度が０〜８
０℃まで変化すると仮定する。周囲温度が８０℃のとき
、半導体集積装置１は自己の発熱によりある特定の温度
ＴＡ（例えばＴＡ・１１０℃）に上昇する。

このとき、高抵抗ポリシリコン４へは電流は流れていな
い。

次に周囲温度が０℃になったとき、制御用端子２．３よ
り高抵抗ポリシリコン４へ電流を流し、高抵抗ポリシリ
コン４を発熱させ高抵抗ポリシリコン４を発熱させない
ときの温度上昇以上に温度を上昇させ周囲温度が８０℃
のときの半導体集積装置ｌの温度Ｔ＾へ温度を上げる。

したがって、制御用端子２，３より高抵抗ポリシリコン
４へ流れる電流を周囲温度変化に伴って変えることによ
り半導体集積装置ｌ自体の温度を一定に保つことができ
る。

尚、実施例では高抵抗ポリシリコン４を用いたが、高抵
抗の金属配線を用いてもよい。また、高抵抗ポリシリコ
ン４に流れる電流を制御用端子２゜３にて制御するよう
にしたが、回路構成により制御するようにしてもよい。

〔発明の効果〕

以上説明したように本発明は半導体集積装置全体に均一
に発熱体を設け、半導体集積装置の温度を一定に保つこ
とにより、半導体集積回路の特性を安定させ、高い信頼
性を持たせることができる。

また、外部に特殊な環境温度制御装置が不要になるため
、小型化でしかも安価であり、取り扱い保守も簡単な装
置を提供できるという効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の半導体集積装置を示す斜視図である。 ｌ・・・半導体集積装置　　２，３・・・制御用端子４
・・・高抵抗ポリシリコン

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）高抵抗のポリシリコン又は高抵抗の金属配線を半
   導体集積装置の表面全体に均一に配置し、前記高抵抗の
   ポリシリコン又は高抵抗の金属配線に流れる電流を制御
   する端子又は回路を有することを特徴とする半導体集積
   装置。