JPH02305612A - 微細パターン付き基板の製造方法 - Google Patents
微細パターン付き基板の製造方法Info
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- JPH02305612A JPH02305612A JP6006889A JP6006889A JPH02305612A JP H02305612 A JPH02305612 A JP H02305612A JP 6006889 A JP6006889 A JP 6006889A JP 6006889 A JP6006889 A JP 6006889A JP H02305612 A JPH02305612 A JP H02305612A
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 11
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 30
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 30
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 28
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 20
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims abstract description 17
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 55
- 150000002902 organometallic compounds Chemical class 0.000 claims description 8
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 claims description 5
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 17
- 239000000243 solution Substances 0.000 abstract description 17
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 abstract description 6
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 abstract description 6
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 6
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract description 4
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 abstract description 3
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 abstract description 3
- 229920002379 silicone rubber Polymers 0.000 abstract description 3
- 239000004945 silicone rubber Substances 0.000 abstract description 3
- 238000010790 dilution Methods 0.000 abstract 1
- 239000012895 dilution Substances 0.000 abstract 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 abstract 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 abstract 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 3
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 2
- 239000002585 base Substances 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 239000005345 chemically strengthened glass Substances 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 2
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 238000006068 polycondensation reaction Methods 0.000 description 2
- 229920000909 polytetrahydrofuran Polymers 0.000 description 2
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 2
- FIPWRIJSWJWJAI-UHFFFAOYSA-N Butyl carbitol 6-propylpiperonyl ether Chemical compound C1=C(CCC)C(COCCOCCOCCCC)=CC2=C1OCO2 FIPWRIJSWJWJAI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- 239000013522 chelant Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000005323 electroforming Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 238000005194 fractionation Methods 0.000 description 1
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 1
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 description 1
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 description 1
- 238000001746 injection moulding Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 229960005235 piperonyl butoxide Drugs 0.000 description 1
- 239000006223 plastic coating Substances 0.000 description 1
- 229920000570 polyether Polymers 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 1
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 239000002562 thickening agent Substances 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Diffracting Gratings Or Hologram Optical Elements (AREA)
- Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
- Casting Or Compression Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
- Shaping Of Tube Ends By Bending Or Straightening (AREA)
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
本発明は微細パターン付き基板のlll3!!方法に間
し、特に光デイスク用溝付き基板、回折格子等に使用す
るのに適した微細パターン付き基板を製造する方法に関
する。
し、特に光デイスク用溝付き基板、回折格子等に使用す
るのに適した微細パターン付き基板を製造する方法に関
する。
基板上に金属有機化合物を含むm液の可塑性塗布膜を形
成した後、型を押し当ててL*塗布膜上に型の峰形状に
対応する溝形状を転写し、その後該塗布膜を焼成して固
化させる溝付き基板の製造方法が考えろでいる。 (例
えば特開昭62−102445、特開昭62−2252
73. 特開昭63−15816[1)
成した後、型を押し当ててL*塗布膜上に型の峰形状に
対応する溝形状を転写し、その後該塗布膜を焼成して固
化させる溝付き基板の製造方法が考えろでいる。 (例
えば特開昭62−102445、特開昭62−2252
73. 特開昭63−15816[1)
基板及び基板上に作製した塗布膜及び型を用いる溝付き
基板の製造方法によれば、金属有機化合物が膜状態であ
り基板上に設けられているのでゲル体と比べて収縮が小
さく、クラックや反りが発生しにくいという利点を有す
るものの、プレス型と該塗布膜付き基板の間に大きな気
泡が残留することが多く、これが欠点となり、製品の分
留りが低くなりやすいという問題点があった。
基板の製造方法によれば、金属有機化合物が膜状態であ
り基板上に設けられているのでゲル体と比べて収縮が小
さく、クラックや反りが発生しにくいという利点を有す
るものの、プレス型と該塗布膜付き基板の間に大きな気
泡が残留することが多く、これが欠点となり、製品の分
留りが低くなりやすいという問題点があった。
本発明は上記問題点を解決するために、基板上および/
または微細なパターンを有する型上に金属有機化合物を
含む溶液の塗布膜を形成し、その後該基板及び型を押合
し基板上に型の凹凸形状に対応する凹凸形状を有する微
細パターン付き被膜を形成した後、該被膜を固化させる
微細パターン付き基板の製造方法において、鏡型と該基
板の押合を任意の一端から開始させ、ついで他部に進行
させている。 該基板及び鏡型としては板状のものであれば任意の形の
ものが使用可能であるが、これらがディスク形状を有す
る場合には、押合をディスクの中心部分から開始させ、
軸対称に外周方向へ進行させていくことが該基板と鏡型
の軸合わせの而から好ましい。 また該基板の材質としては、光学的性質、機械的性質等
からガラスが好まれて使用され、中でも化学強化可能な
Na、に等アルカリ合圧を含んだガラスが特に好まれて
使用される。 また鏡型の材質としては、金属、ガラス、樹脂等が使用
され、中でも寸法精度の面から、ニッケル電鋳で作製さ
れるニッケル製の型、2P法で作製されるガラス及び樹
脂製の型、射出成形法で作製される樹脂製の型、キャス
ト法による樹脂製の型が好まれて使用される。 また該押合工程を減圧下で行うことが、該基板と該塗布
膜付きの基板の間に気泡が閉じ込められることがあった
としても生ずる欠陥の大きさが小さくなるので好ましい
、特に該減圧状態の圧力が1333Pa (10Tor
r)以下であることが生ずる欠陥の大きさが十分小さく
なるので好ましい。また本発明においては、前記溶液中
に増結剤を含ませると共に押合工程を減圧下で行ってい
るが、増結剤を含ませない状態で押合工程を減圧にする
と、塗布膜中の溶媒が揮発して急激に同化が進み、押合
がうまく行えなくなる。 本発明に用いる増結剤は、上記金属有機化合物・を含む
溶液の粘性を増加させる効果を有し、塗布膜の形成を容
易にする。また同時に基板と型との押合工程を減圧下で
行う場合には、塗布膜を減圧下でも長時閏軟らかい状態
(適度な粘性状態)に維持させる効果を有し、バターニ
ングを容易にする。該増結剤としては、水溶性であり、
かつ有機溶媒に可溶な高分子材料が好まれて使用される
。 中でも、ポリエチレングリコール、ポリテトラメチレン
エーテルグリコール等の鎖状ポリエーテルが好まれて使
用される。 またこれらポリエチレングリコール、ポリテトラメチレ
ンエーテルグリコール等の添加量は該塗布液により生成
される酸化物重量の0.26〜1゜8倍程度が好まれる
。(添加量が0.25倍以下であると減圧時に塗布膜が
硬化してしまいやすくなりパターニングが困難となる。 また逆に添加量が168倍以上であると塗布膜が軟らか
くなりすぎて型くずれ等を生じ易くなる。) 上記金属有機化合物は単一または混合物として、水及び
アルコール等の有機溶媒、上記増結剤及び必要に応じて
酸またはアルカリの加水分解触媒と混合して塗布用溶液
とされる。 型の微細パターンとしては種々の形状のものが使用でき
、例えば光デイスク用の案内溝として使用可能な1μm
程度の幅を持ち、その深さが550−200nの微細パ
ターンや回折格子、グレーティングレンズとして使用可
能な数1100nの形状のパターンのものが使用できる
。 本発明に用いる金属有機化合物は重縮合あるいは架橋反
応が起ごろことによって溶液の粘性を上昇させるような
化合物であれば使用できる。 例えばS I (OCHi) 41 S I (
OC2H3) a*Ti (OCiHt) 4.
Ti C0CaH*>a 、 Zr (
OCtHv)a+ Zr (OC4He)a+ A
I <OC*H1L3. A I (OCJHs)
31 N a OC3I%等のM(OR)n[Mは
Sin Ti、Zr、 Ca、 AI。 Na、Pb、B、Sn、Ge等の金属、Rはメチル、エ
チル等のアルキル基、nは1〜4の整数]で示される通
常ゾルゲル法と呼ばれる方法に用いられる金属アルコラ
ード、キレート錯体及び−C1、−COOH,−COO
R,−N H2゜HHHOCH3 I 1 1 I+ 1− O−C−
C−C−H,−0−C−C= CH2等の重縮合あるい
は架橋反応を行う一般的官能基を含む金属有機化合物等
が例示できる。中でも金属アルコラードが好まれて使用
される。 鏡型と該基板の押合を任意の一端から開始させ、ついで
他部に進行させていく方法としては、例えば鏡型を有機
材料等の剛性の低い材料製の型として、鏡型を球面また
は円筒面状等凸曲面に変形させ、鏡型と該基板を接触さ
せていき、該変形を解放させる方法等が例示できる。
または微細なパターンを有する型上に金属有機化合物を
含む溶液の塗布膜を形成し、その後該基板及び型を押合
し基板上に型の凹凸形状に対応する凹凸形状を有する微
細パターン付き被膜を形成した後、該被膜を固化させる
微細パターン付き基板の製造方法において、鏡型と該基
板の押合を任意の一端から開始させ、ついで他部に進行
させている。 該基板及び鏡型としては板状のものであれば任意の形の
ものが使用可能であるが、これらがディスク形状を有す
る場合には、押合をディスクの中心部分から開始させ、
軸対称に外周方向へ進行させていくことが該基板と鏡型
の軸合わせの而から好ましい。 また該基板の材質としては、光学的性質、機械的性質等
からガラスが好まれて使用され、中でも化学強化可能な
Na、に等アルカリ合圧を含んだガラスが特に好まれて
使用される。 また鏡型の材質としては、金属、ガラス、樹脂等が使用
され、中でも寸法精度の面から、ニッケル電鋳で作製さ
れるニッケル製の型、2P法で作製されるガラス及び樹
脂製の型、射出成形法で作製される樹脂製の型、キャス
ト法による樹脂製の型が好まれて使用される。 また該押合工程を減圧下で行うことが、該基板と該塗布
膜付きの基板の間に気泡が閉じ込められることがあった
としても生ずる欠陥の大きさが小さくなるので好ましい
、特に該減圧状態の圧力が1333Pa (10Tor
r)以下であることが生ずる欠陥の大きさが十分小さく
なるので好ましい。また本発明においては、前記溶液中
に増結剤を含ませると共に押合工程を減圧下で行ってい
るが、増結剤を含ませない状態で押合工程を減圧にする
と、塗布膜中の溶媒が揮発して急激に同化が進み、押合
がうまく行えなくなる。 本発明に用いる増結剤は、上記金属有機化合物・を含む
溶液の粘性を増加させる効果を有し、塗布膜の形成を容
易にする。また同時に基板と型との押合工程を減圧下で
行う場合には、塗布膜を減圧下でも長時閏軟らかい状態
(適度な粘性状態)に維持させる効果を有し、バターニ
ングを容易にする。該増結剤としては、水溶性であり、
かつ有機溶媒に可溶な高分子材料が好まれて使用される
。 中でも、ポリエチレングリコール、ポリテトラメチレン
エーテルグリコール等の鎖状ポリエーテルが好まれて使
用される。 またこれらポリエチレングリコール、ポリテトラメチレ
ンエーテルグリコール等の添加量は該塗布液により生成
される酸化物重量の0.26〜1゜8倍程度が好まれる
。(添加量が0.25倍以下であると減圧時に塗布膜が
硬化してしまいやすくなりパターニングが困難となる。 また逆に添加量が168倍以上であると塗布膜が軟らか
くなりすぎて型くずれ等を生じ易くなる。) 上記金属有機化合物は単一または混合物として、水及び
アルコール等の有機溶媒、上記増結剤及び必要に応じて
酸またはアルカリの加水分解触媒と混合して塗布用溶液
とされる。 型の微細パターンとしては種々の形状のものが使用でき
、例えば光デイスク用の案内溝として使用可能な1μm
程度の幅を持ち、その深さが550−200nの微細パ
ターンや回折格子、グレーティングレンズとして使用可
能な数1100nの形状のパターンのものが使用できる
。 本発明に用いる金属有機化合物は重縮合あるいは架橋反
応が起ごろことによって溶液の粘性を上昇させるような
化合物であれば使用できる。 例えばS I (OCHi) 41 S I (
OC2H3) a*Ti (OCiHt) 4.
Ti C0CaH*>a 、 Zr (
OCtHv)a+ Zr (OC4He)a+ A
I <OC*H1L3. A I (OCJHs)
31 N a OC3I%等のM(OR)n[Mは
Sin Ti、Zr、 Ca、 AI。 Na、Pb、B、Sn、Ge等の金属、Rはメチル、エ
チル等のアルキル基、nは1〜4の整数]で示される通
常ゾルゲル法と呼ばれる方法に用いられる金属アルコラ
ード、キレート錯体及び−C1、−COOH,−COO
R,−N H2゜HHHOCH3 I 1 1 I+ 1− O−C−
C−C−H,−0−C−C= CH2等の重縮合あるい
は架橋反応を行う一般的官能基を含む金属有機化合物等
が例示できる。中でも金属アルコラードが好まれて使用
される。 鏡型と該基板の押合を任意の一端から開始させ、ついで
他部に進行させていく方法としては、例えば鏡型を有機
材料等の剛性の低い材料製の型として、鏡型を球面また
は円筒面状等凸曲面に変形させ、鏡型と該基板を接触さ
せていき、該変形を解放させる方法等が例示できる。
本発明によれば、型と基板の押合工程において、ゾルゲ
ル膜の表面張力により型と基板の間隙に存在していた気
体がこの間隙から追い出されるため塗布膜中に気泡が発
生することが少ない。
ル膜の表面張力により型と基板の間隙に存在していた気
体がこの間隙から追い出されるため塗布膜中に気泡が発
生することが少ない。
実施例−1
シリコンテトラエトキシド0.05モルを秤量し、これ
にモル比で5倍のエタノールと6倍の水(3wt%のH
CIを含む)を加え、約50℃で1時間かくはんする。 この溶液に218iiのエタノールを加えて希釈し、さ
らに分子量600のポリエチレングリコール(P E
G ass)を、最終生成物であるS i Osに対す
る重量比で(PEGais)/(Si02)=1.Oの
量を加え均一に溶かしたものを塗布溶液とした。 この塗布溶液中へ、外径130mm、 厚さ1゜2m
mの化学強化ガラス製のディスク基板lを浸漬した後ゆ
っくりと引き上げて基板上に塗布膜2を形成した0次い
で、第1図に示すように、峰高さ0.14pm、峰輻0
.7pms 峰間隔1.6μmのスパイラル状の峰部
な半径25mmから60 m mの範囲に有する外径1
30mm、 厚さ1゜2mmのポリカーボネート製型
3とこのガラス基板を塗布膜を間に挟んで、さらにこの
型の基板と反対側に外径130mm、厚さ5mmのシリ
コーンゴム板4を挟んで金型中に設置した。ついで鏡型
3の周辺部を固定した後中央部を2〜3mm程度押して
、ガラス基板に向いた側を凸とするような略球面状に変
形させ、そのままの状態でゆっくりとガラス基板にディ
スク中心部より押合した。 ついでこの型の変形を緩めながら押合し、押合部を軸対
称に半径方向に広げて行き、最終的にはディスク全面を
押合した。 その後このままの状態で加熱して行き、100℃て10
分間の焼成を行い、その時点で型とガラスディスクの離
型を行い、さらにガラスディスクに対して400℃で1
0分間の焼成を行った。この焼成操作により、塗布膜は
エタノール及び水分等が飛散してガラス体類似の約0.
2μm厚の非晶質膜となっていた。 上記操作により作製された溝付きガラスディスクの表面
を偏光顕V&鏡で観察したところ、ta深さ約0.1μ
m、満幅約0.7μm、溝間隔約1゜6μmの良好な溝
形状が全面に得られており、気泡の混入はほとんどみら
れなかった。 実施例−2 シリコンテトラエトキシド0.05モルを秤量し、これ
にモル比で4倍のエタノールと4倍の水(3w t%の
HCIを含む)を加え、約50℃で30分間かくはんす
る。この溶液にチタニウムテトラノルマルブトキシド0
.01モルをエタノールで希釈した溶液を徐々に加え、
同じく約60℃で30分間かくはんする。この溶液に2
倍量のエタノールを加えて希釈し、さらに分子ff16
00のポリエチレングリコール(PEGess)を、最
終生成物であるS i 02+T i Otに対する重
量比で(PEGass+) / (S i Oe+T
i 02) = 1. 0の量を加え均一に溶かしたも
のを塗布溶液とした。 上記塗布溶液を用いた以外は実施例−1と同様の操作を
行い、溝付きガラスディスクを作成した。 本実施例により作製された溝付きガラスディスクの表面
を実施例−1同様偏光顕微鏡で観察したところ、実施例
−1同様溝深さ約0.1μm1 溝幅的0. 7μm
、溝間隔約1.6μmの良好な溝形状が全面に得られて
おり、気泡の混入はほとんどみられなかった。 実施例−3 実施例−1で作成した塗布溶液中へ、縦100mm、
横150mm、 厚さ1mmの化学強化ガラス製の
基板5を浸漬した後ゆっくりと引き上げて基板上に塗布
膜2を形成した0次いで、第2図に示すように、峰高さ
0.5μm、峰幅0. 7μm1峰間隔1. 6μmの
峰部を有する縦100mm。 横150mm、 厚さ1.2mmのポリカーボネート
製型6とこのガラス基板を塗布膜2を間に挟んで、さら
にこの型の基板と反対側に、縦100mm、横150m
m、 厚さ5μmmのシリコーンゴム板4を挟んで金
型中に設置した。ついで鏡型を円筒形の下地材に巻き付
けてガラス基板に向いた側を凸とするような円筒面状に
変形させ、そのままの状態でゆっくりとガラス基板に端
部より押合した。ついでこの押合部の型6を円筒形の下
地材から解放しなから押合を一方向に広げて行き、最終
的には全面を押合した。 その後このままの状態で加熱して行き、100℃で10
分間の焼成を行い、その時点で型とガラス基板の離型を
行い、さらにガラス基板に対して400℃で10分間の
焼成を行った。この焼成操作により、塗布膜はエタノー
ル及び水分等が飛散してガラス体類似の約0. 2μm
厚の非晶質膜となっていた。 上記操作により作製された溝付きガラス基板の表面を偏
光顕微鏡で観察したところ、溝深さ約0゜36μm、溝
幅的0.7μm1 溝間隔約1.6μmの良好な溝形
状が全面に得られており、気泡の混入はほとんどみられ
なかった。 比較例 第3図に示すように、型を曲げながら押合せずに、フラ
ットなままの状態でゆっくりとガラス基板にディスク全
面を押合する以外は実施例−1と同様な材料および方法
により、溝付きガラスディスクを作成した。 本操作により作製された溝付きガラスディスクの表面を
偏光顕微鏡で観察したところ、一部分には、溝深さ約0
.1μm、 溝幅的0. 7μm、 11間隔約1
. 6μmの良好な溝形状が得られていたが、多くの部
分に気泡の混入がみられた。
にモル比で5倍のエタノールと6倍の水(3wt%のH
CIを含む)を加え、約50℃で1時間かくはんする。 この溶液に218iiのエタノールを加えて希釈し、さ
らに分子量600のポリエチレングリコール(P E
G ass)を、最終生成物であるS i Osに対す
る重量比で(PEGais)/(Si02)=1.Oの
量を加え均一に溶かしたものを塗布溶液とした。 この塗布溶液中へ、外径130mm、 厚さ1゜2m
mの化学強化ガラス製のディスク基板lを浸漬した後ゆ
っくりと引き上げて基板上に塗布膜2を形成した0次い
で、第1図に示すように、峰高さ0.14pm、峰輻0
.7pms 峰間隔1.6μmのスパイラル状の峰部
な半径25mmから60 m mの範囲に有する外径1
30mm、 厚さ1゜2mmのポリカーボネート製型
3とこのガラス基板を塗布膜を間に挟んで、さらにこの
型の基板と反対側に外径130mm、厚さ5mmのシリ
コーンゴム板4を挟んで金型中に設置した。ついで鏡型
3の周辺部を固定した後中央部を2〜3mm程度押して
、ガラス基板に向いた側を凸とするような略球面状に変
形させ、そのままの状態でゆっくりとガラス基板にディ
スク中心部より押合した。 ついでこの型の変形を緩めながら押合し、押合部を軸対
称に半径方向に広げて行き、最終的にはディスク全面を
押合した。 その後このままの状態で加熱して行き、100℃て10
分間の焼成を行い、その時点で型とガラスディスクの離
型を行い、さらにガラスディスクに対して400℃で1
0分間の焼成を行った。この焼成操作により、塗布膜は
エタノール及び水分等が飛散してガラス体類似の約0.
2μm厚の非晶質膜となっていた。 上記操作により作製された溝付きガラスディスクの表面
を偏光顕V&鏡で観察したところ、ta深さ約0.1μ
m、満幅約0.7μm、溝間隔約1゜6μmの良好な溝
形状が全面に得られており、気泡の混入はほとんどみら
れなかった。 実施例−2 シリコンテトラエトキシド0.05モルを秤量し、これ
にモル比で4倍のエタノールと4倍の水(3w t%の
HCIを含む)を加え、約50℃で30分間かくはんす
る。この溶液にチタニウムテトラノルマルブトキシド0
.01モルをエタノールで希釈した溶液を徐々に加え、
同じく約60℃で30分間かくはんする。この溶液に2
倍量のエタノールを加えて希釈し、さらに分子ff16
00のポリエチレングリコール(PEGess)を、最
終生成物であるS i 02+T i Otに対する重
量比で(PEGass+) / (S i Oe+T
i 02) = 1. 0の量を加え均一に溶かしたも
のを塗布溶液とした。 上記塗布溶液を用いた以外は実施例−1と同様の操作を
行い、溝付きガラスディスクを作成した。 本実施例により作製された溝付きガラスディスクの表面
を実施例−1同様偏光顕微鏡で観察したところ、実施例
−1同様溝深さ約0.1μm1 溝幅的0. 7μm
、溝間隔約1.6μmの良好な溝形状が全面に得られて
おり、気泡の混入はほとんどみられなかった。 実施例−3 実施例−1で作成した塗布溶液中へ、縦100mm、
横150mm、 厚さ1mmの化学強化ガラス製の
基板5を浸漬した後ゆっくりと引き上げて基板上に塗布
膜2を形成した0次いで、第2図に示すように、峰高さ
0.5μm、峰幅0. 7μm1峰間隔1. 6μmの
峰部を有する縦100mm。 横150mm、 厚さ1.2mmのポリカーボネート
製型6とこのガラス基板を塗布膜2を間に挟んで、さら
にこの型の基板と反対側に、縦100mm、横150m
m、 厚さ5μmmのシリコーンゴム板4を挟んで金
型中に設置した。ついで鏡型を円筒形の下地材に巻き付
けてガラス基板に向いた側を凸とするような円筒面状に
変形させ、そのままの状態でゆっくりとガラス基板に端
部より押合した。ついでこの押合部の型6を円筒形の下
地材から解放しなから押合を一方向に広げて行き、最終
的には全面を押合した。 その後このままの状態で加熱して行き、100℃で10
分間の焼成を行い、その時点で型とガラス基板の離型を
行い、さらにガラス基板に対して400℃で10分間の
焼成を行った。この焼成操作により、塗布膜はエタノー
ル及び水分等が飛散してガラス体類似の約0. 2μm
厚の非晶質膜となっていた。 上記操作により作製された溝付きガラス基板の表面を偏
光顕微鏡で観察したところ、溝深さ約0゜36μm、溝
幅的0.7μm1 溝間隔約1.6μmの良好な溝形
状が全面に得られており、気泡の混入はほとんどみられ
なかった。 比較例 第3図に示すように、型を曲げながら押合せずに、フラ
ットなままの状態でゆっくりとガラス基板にディスク全
面を押合する以外は実施例−1と同様な材料および方法
により、溝付きガラスディスクを作成した。 本操作により作製された溝付きガラスディスクの表面を
偏光顕微鏡で観察したところ、一部分には、溝深さ約0
.1μm、 溝幅的0. 7μm、 11間隔約1
. 6μmの良好な溝形状が得られていたが、多くの部
分に気泡の混入がみられた。
本発明によれば、微細なパターンを大面積に均一に高精
度、無欠陥で形成することができる。
度、無欠陥で形成することができる。
第1図は実施例−1において説明した本発明の押合方法
の概略を示す断面図、第2図は実施例−3において説明
した本発明の押合方法の概略を示す断面図、第3図は比
較例の押合方法の概略を示す断面図である。 第1図 第2図 第3図
の概略を示す断面図、第2図は実施例−3において説明
した本発明の押合方法の概略を示す断面図、第3図は比
較例の押合方法の概略を示す断面図である。 第1図 第2図 第3図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1)基板上および/または微細なパターンを有する型上
に金属有機化合物を含む溶液の塗布膜を形成し、その後
該基板及び型を押合し基板上に型の凹凸形状に対応する
凹凸形状を有する微細パターン付き被膜を形成した後、
該被膜を固化させる微細パターン付き基板の製造方法に
おいて、該型と該基板の押合を任意の一端から開始させ
、ついで他部に進行させていくことを特徴とする微細パ
ターン付き基板の製造方法。 2)該基板及び該型がディスク状であり、該押合が、該
型と該基板のディスクの中心部分から開始させ、軸対称
に外周方向へ進行させていく操作である特許請求の範囲
第1項記載の微細パターン付置基板の製造方法。 3)該溶液中に増結剤が含まれ、かつ該押合工程が減圧
雰囲気下で行われる特許請求の範囲第1項または第2項
記載の微細パターン付き基板の製造方法。 4)該減圧状態の圧力が1333Pa(10Torr)
以下である特許請求の範囲第3項記載の微細パターン付
を基板の製造方法。 5)該基板がガラス基板である特許請求の範囲第1項な
いし第4項記載の微細パターン付き基板の製造方法。 6)該押合を、該型を曲面に変形させた後に行う特許請
求の範囲第1項ないし第5項記載の微細パターン付を基
板の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6006889A JPH02305612A (ja) | 1989-03-13 | 1989-03-13 | 微細パターン付き基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6006889A JPH02305612A (ja) | 1989-03-13 | 1989-03-13 | 微細パターン付き基板の製造方法 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP13485190A Division JPH03101701A (ja) | 1990-05-24 | 1990-05-24 | 微細パターン付き基板の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02305612A true JPH02305612A (ja) | 1990-12-19 |
Family
ID=13131400
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP6006889A Pending JPH02305612A (ja) | 1989-03-13 | 1989-03-13 | 微細パターン付き基板の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02305612A (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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-
1989
- 1989-03-13 JP JP6006889A patent/JPH02305612A/ja active Pending
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