JPH02303038A - ワイヤボンディング方法 - Google Patents

ワイヤボンディング方法

Info

Publication number
JPH02303038A
JPH02303038A JP1123813A JP12381389A JPH02303038A JP H02303038 A JPH02303038 A JP H02303038A JP 1123813 A JP1123813 A JP 1123813A JP 12381389 A JP12381389 A JP 12381389A JP H02303038 A JPH02303038 A JP H02303038A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
bonding
wire
electrode
wires
ball
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP1123813A
Other languages
English (en)
Inventor
Yuji Ito
裕二 伊藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp filed Critical Seiko Epson Corp
Priority to JP1123813A priority Critical patent/JPH02303038A/ja
Publication of JPH02303038A publication Critical patent/JPH02303038A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554—External layer
    • H01L2224/0555—Shape
    • H01L2224/05552—Shape in top view
    • H01L2224/05554—Shape in top view being square
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484—Connecting portions
    • H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
    • H01L2224/48465—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484—Connecting portions
    • H01L2224/4847—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond
    • H01L2224/48472—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond the other connecting portion not on the bonding area also being a wedge bond, i.e. wedge-to-wedge
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491—Disposition
    • H01L2224/4911—Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01082—Lead [Pb]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/14—Integrated circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/191—Disposition
    • H01L2924/19101—Disposition of discrete passive components
    • H01L2924/19107—Disposition of discrete passive components off-chip wires

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はワイヤボンディングによる接続技術に関するも
のである。
〔従来の技術〕
従来、ＩＣチップのｆｆｉ＋３とリードフレームのイン
ナーリードとの間は、一本のワイヤボンディングによっ
て接続されており、ワイヤボンディングの方法としては
、ＩＣチップの電極でボールボンディングを、インナー
リード側ではステッチボンディングをおこなうボールボ
ンディング方式、およびＩＣチップ電極とインナーリー
ドともどもウエジボンディングをおこなうウェッジボン
ディング方式が多用されている。
近年、ｔＣチップの高集積化、多機能化により電極数や
フレーム側の端子数の増加が進んでいるわけであるが、
公知の通り、ＩＣチップ側は比較的容易に微細化が進め
られ、電極数の増加に対応できるものの、リードフレー
ムのインナーリードは、フレームの材厚に対するエツチ
ングやスタンピング加工技術の限界によって、ＩＣチッ
プの微細化に追従した対応ができず、ＩＣチップから遠
ざかった位置にインナーリードを配置しなければならな
くなった。
したがって、従来のボンディング方法を用いた場合、Ｉ
Ｃチップの電極とインナーリード間を長いワイヤを用い
て接続しなければならず、ワイヤが長いことによる問題
点である、ワイヤの曲りやたるみ等が発生しやすく、満
足のいくワイヤボンディング品質を維持することは難か
しいものとなった。したがって、ワイヤの長さ制限から
ＩＣのチップサイズの縮少化に制限を与えることになっ
た。
そこで、ＩＣチップの電極とインナーリードとの間に中
継範囲を設け、２本のワイヤボンディングによって接続
される中継ボンディング方式が考案され、採用されつつ
ある。
中継ボンディング方式は、既存の安定した品質を確保で
きるワイヤボンディング技術を用いて、前記した課題に
対応できるようになった。
第３図（ａ）（ｂ）を用いて、従来の中継ボンディング
方式について説明する。尚ここではボールボンディング
を用いた接続例について説明する。
まず、リードフレーム３上に設置されたＩＣチップ１と
、前記ＩＣチップ１とインナーリード６との間に位置し
、同じくリードフレーム３上に設置された絶縁基板４が
用意される。前記絶縁基板４上には導電性を有する中継
範囲５が形成される。
次に、前記ＩＣチップ１上の電極２にてボールボンディ
ング１７が実施された後、ルーピング形状１８を形成し
、前記中継範囲５の５Ａ点に到達し、ステッチボンディ
ング１９によりワイヤと中継範囲とが接続され、かつワ
イヤは切断される。
切断後、再びボールが形成され、続いて前記Ａ点と電気
的に同電位にてつながる前記中継範囲５の５Ｂ点にてボ
ールボンディング２０が実施され、同様にルーピング形
状２１を形成し、インナーリード６に到達し、ステッチ
ボンディング２２によりワイヤとインナーリードとが接
続され、かつワイヤは切断され、次のＩＣ上の電極にボ
ールボンディングをおこなうためのボールが形成される
。
以降、残りの接続数繰り返される。
また、第４図（ａ）、（ｂ）に示すウェッジボンディン
グ方式も同様に、ｔＣチップ１上の電極２にてウェッジ
ボンディング２３が実施された後、ルーピング形状２４
を形成し、前記中継範囲５の５Ａ点に到達し、ウェッジ
ボンディング２５によりワイヤと中継範囲とが接続され
、かつワイヤは切断される。
続いて前記５Ａ点と電気的に同電位にてつながる前記中
継範囲５の５Ｂ点にウェッジボンディング２５が実施さ
れ、同様にルーピング形状２７を形成し、インナーリー
ド６に到達し、ウェッジボンディング２８によりワイヤ
とインナーリードとが接続され、かつワイヤは切断され
る。
〔発明が解決しようとする課題〕
従来の中継ボンディング方式では、既存の安定した品質
を確保できるワイヤボンディング技術を用いて容易に電
極数や端子数の増加に対応し、当初の目的を達成するこ
とができた。
しかしながらワイヤボンディングを２回にわけて実施し
なければならず、ワイヤボンディング時間が通常の２倍
必要となり、コストアップと生産性の低下が生じた。
したがって、少しでもボンディング時間を短縮するワイ
ヤボンディング方法が強く望まれた。
そこで、本発明は、このような課題を解決しようとする
もので、その目的とするところは、ボンディング面積が
少なくて済むと共にボンディング時間が短縮され、勝つ
高品質なボンディング強度の得られるワイヤボンディン
グ方法を提供するところにある。
〔課題を解決するための手段〕
本発明のワイヤボンディング方法は、 （１）すくなくとも、３ケ所の電極間をワイヤボンディ
ングにて接続するワイヤボンディング方法において、各
ボンディング点の中間に位置する電極（第二の電極）で
は、第一の電極からのワイヤと、第三の電極へのワイヤ
が同一筒所にてワイヤ側面を押圧されて接続されている
ことを特徴とする。
（２）また、前記第一の電極ではボールボンディングが
実施され、前記第二の電極ではワイヤを切断しないスイ
ッチボンディングが実施され、前記第三の電極ではステ
ッチボンディング後ワイヤが破断され、次の第一の電極
でのボールボンディングを実施するためのボール形成が
おこなわれ、第一〜第三の電極間を連続するワイヤにて
接続することを特徴とする。
（３）さらに前記第一の電極ではウェッジボンディング
が実施され、前記第二の電極ではワイヤを切断しないウ
ェッジボンディングが実施され、前記第三の電極ではウ
ェッジボンディング後ワイヤが切断され、第一〜第三の
電極間を連続するワイヤにて接続することを特徴とする
。
〔実　施　例］ 第１図（ａ）、（ｂ）は本発明の実施例をボールボンデ
ィング方式を用いた接続方法にて説明した模式図である
。リードフレーム３上に設置されたＩＣチップ１と、前
記ＩＣチップ１とインナーリード６との間に位置し、同
じくリードフレーム３上に設置された絶縁基板４が用意
される。
絶縁基板４上には導電性を有する中継範囲５が形成され
ている。
次に前記１ｃチツプ１上の電極２にてボールボンディン
グ７が実施された後、ルーピング形状８を形成し、前記
中継範囲５に到達する。
ここで、ワイヤを切断せず、かつワイヤと中継範囲５と
が接続されるボンディング条件を用いてステッチボンデ
ィング９が実施される。
次に、ルーピング形状１０を形成し、インナーリード６
に到達し、ステッチボンディング１１によりワイヤとイ
ンナーリード６が接続され、かつワイヤが切断される。
そして、次のＩＣ上の電極にボールボンドするためのポ
ル形成がなされ、以降、残りの接続数繰り返えされる。
以上の方法により、電極２と中継範囲５の間をワイヤボ
ンディングした後、新たにボールを形成する時間を省く
ことが本発明の特徴である。
また、この方式を実施する上では、中継範囲５にて、ワ
イヤを切らずに接続するステッチボンディング９のボン
ディング条件と、ボール形成のためにワイヤを切断し、
かつ接続するステッチボンディング１１のボンディング
条件の２種のボンディング条件を用いることが特徴とな
る。
このことは、以降の実施例においても同様である。
第２図（ａ）　　・　（ｂ）にウェッジボンディング方
式を用いた、本発明の実施例の模式図を示す。
まず、前記実施例と同様、リードフレーム３上に、ＩＣ
チップ１と導電性を有する中継範囲５を設けた絶縁基板
４が設置される。
次に前記ＩＣチップ１上の電極２にてウェッジボンディ
ング１２が実施された後、ルーピング形状１３を形成し
、前記中継範囲５に到達する。
ここで、ワイヤを切断せず、かつワイヤと中継範囲５と
が接続されるボンディング条件を用いてウェッジボンデ
ィング１４が実施される。
次に、ルーピング形状１５を形成し、インナーリード６
に到達し、ウェッジボンティング１６によりワイヤとイ
ンナーリード６が接続され、かつワイヤが切断される。
以降、残りの接続数が繰り返えされる。
実施例は以上であるが、説明の中で用いた各ボンディン
グ方式の計上について図示する。
第５図（ａ）（ｂ）はｂ−ルボンディング７．１７．２
０、第６図（ａ）（ｂ）はボンディング後ワイヤ切断し
たスラッチボンディング１１．１９．２２、第７図（ａ
）（ｂ）はワイヤを切断しないステッチボンディング９
、第８図（ａ）（ｂ）はウェッジボンディング１２．２
３．２６、第９図（ａ）（ｂ）はボンディング後ワイヤ
切断したウニエツジボンディング１６．２５．２８、第
１０図（ａ）（ｂ）はワイヤを切断しないステッチボン
ディング１４である。
本発明を用いることにより、次の効果をもたらすことが
できる。
１）ボンディング時間の短縮 通常、一本のワイヤボンディングをおこなうためには約
０．２秒の時間を要している。
従来の方式で製品の加工時間を算出してみる。
（前提として、中継範囲を１つ設け、１つの接続を２本
のワイヤを用い、３００本の接続をおこなう場合とした
。） ０．２秒／本×２本／接続×３００本−１２０秒を要し
ていた。
本発明の方法を用いた場合、１回目のボンディング時間
のうち、ボール形成時間的０．０５秒を省くことができ
、１回目は０．１５秒、２回目は０．２秒となり、同様
な条件下では（０，１５秒＋０．２秒）Ｘ３００本−１
０５秒となる。
したがって、本発明により一製品あたり１５秒（８，８
％）の時間短縮が可能となる。
また、将来的に予想される製品形態として、５００本の
接続で、２ケの中継範囲を設け、−接続を３本のワイヤ
で接続することを想定した場合、従来方式では３００秒
を要したのに対し、本発明では２５０秒と５０秒（１６
，７％）の短縮が可能となり、中継筒所が増えるにつれ
、時間短縮率が向上するものである。
２）ボンディング位置補正時間の短縮 リードフレーム上に設置されたＩＣチップや中継範囲は
、ワイヤボンディング工程の前段で取り付けられるわけ
であるが、その取付精度にはバラツキをもっている。し
たがって、画像処理位置補正装置等を用いて、実施のボ
ンディング位置を算出してボンディングがおこなわれて
いる。
このときの位置補正は、ＩＣチップ１、中継範囲５上の
ボンディング点５Ａおよび５Ｂ、インナーリード６の４
ケ所出実施されていたが、ボンディング点が１ケ所省か
れたことにより、補正する必要がなくなり、作業時間の
短縮がはかられた。
３）中継範囲の大きさを小さくできる。
中継範囲上のボンディング点が１ケ所になったことによ
り、中継崎囲上のボンディングエリアを小さくすること
ができ、中継範囲部材のコストダウンをおこなうことが
できる。
４）接合品質の向上 製品の品質を確保するために、接続部の品質を確保する
ことが重要なことである。
そこで、本発明を用いれば、従来、−接続において４ケ
所でワイヤと電極とが接合されていたのに対し３ケ所で
良く、前記事例とした３００本の接続においては、従来
方法で１２００ケ所に対して９００ケ所となり、接続部
における故障率を低減させることができる。
以上の説明の通り、本発明による方法により、生産性の
向上した中継ボンディング方式を提供できる、ＩＣチッ
プの微細化促進に寄与できるものである。
〔発明の効果〕
以上述べたように本発明によれば、３ケ所の電極間をワ
イヤボンディングにて接続するワイヤボンディング方法
において、各ボンディング点の中間に位置する第二の電
極で、第一の電極からのワイヤと、第三の電極へのワイ
ヤが同一筒所にてワイヤ側面を押圧され連続して接続さ
れるので、ボンディング時間が従来技術の中継ボンディ
ングと比較されば著しく短縮可能になると共にボンディ
ング筒所も一ケ所ですむことからその所要面積が著しく
少なくできるという効果を有する。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明実施例のボールボンディング方式模式図
であり、第２図は従来実施例のウェッジボンディング方
式模式図である。 第３図は従来実施例のボールボンディング方式模式図で
あり、第４図は従来実施例のウェッジボンディング方式
模式図である。 第５図〜第１０図は各ボンディング方式のボンディング
形状について示した図である。 それぞれの図において、（ａ）は平面図を、（ｂ）は側
面図を表わす。 １拳働番ＩＣチ・ノブ ２・・・電極 ３・・争リードフレーム ４・・・絶縁基板 ５・・・中継範囲 ６・・Ｑインナーリード 以上

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）すくなくとも、３ヶ所の電極間をワイヤボンディ
    ングにて接続するワイヤボンディング方法において、各
    ボンディング点の中間に位置する電極（第二の電極）で
    は、第一の電極か一らのワイヤと、第三の電極へのワイ
    ヤが同一筒所にてワイヤ側面を押圧されて接続されてい
    ることを特徴とすワイヤボンディング方法。
  2. （２）前記第一の電極ではボールボンディングが実施さ
    れ、前記第二の電極ではワイヤを切断しないステッチボ
    ンディングが実施され、前記第三の電極ではステッチボ
    ンディング後ワイヤが破断され、次の第一の電極でのボ
    ールボンディングを実施するためのボール形成がおこな
    われ、第一〜第三の電極間を連続するワイヤにて接続す
    ることを特徴とする請求項１記載のワイヤボンディング
    方法。
  3. （３）前記第一の電極ではウェッジボンディングが実施
    され、前記第二の電極ではワイヤを切断しないウェッジ
    ボンディングが実施され、前記第三の電極ではウェッジ
    ボンディング後ワイヤが切断され、第一〜第三の電極間
    を連続するワイヤにて接続することを特徴とする請求項
    １記載のワイヤボンディング方法。
JP1123813A 1989-05-17 1989-05-17 ワイヤボンディング方法 Pending JPH02303038A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1123813A JPH02303038A (ja) 1989-05-17 1989-05-17 ワイヤボンディング方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1123813A JPH02303038A (ja) 1989-05-17 1989-05-17 ワイヤボンディング方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH02303038A true JPH02303038A (ja) 1990-12-17

Family

ID=14869975

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP1123813A Pending JPH02303038A (ja) 1989-05-17 1989-05-17 ワイヤボンディング方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH02303038A (ja)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH065647A (ja) * 1992-06-24 1994-01-14 Nec Kyushu Ltd 半導体装置
JP2002208609A (ja) * 2001-01-09 2002-07-26 Oki Electric Ind Co Ltd 金属線のボンディング方法
JP2007208148A (ja) * 2006-02-03 2007-08-16 Ail Kk 半導体チップ搭載基板
JP2008098549A (ja) * 2006-10-16 2008-04-24 Kaijo Corp 半導体装置
JP2014513870A (ja) * 2011-05-18 2014-06-05 サンディスク セミコンダクター （シャンハイ） カンパニー， リミテッド ウォータフォール・ワイヤボンディング
JP2015018946A (ja) * 2013-07-11 2015-01-29 カルソニックカンセイ株式会社 基板回路の構造および製造方法
CN112930590A (zh) * 2018-12-12 2021-06-08 贺利氏材料新加坡有限公司 用于电连接电子组件的接触表面的方法

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH065647A (ja) * 1992-06-24 1994-01-14 Nec Kyushu Ltd 半導体装置
JP2002208609A (ja) * 2001-01-09 2002-07-26 Oki Electric Ind Co Ltd 金属線のボンディング方法
JP4674970B2 (ja) * 2001-01-09 2011-04-20 Ｏｋｉセミコンダクタ株式会社 金属線のボンディング方法
JP2007208148A (ja) * 2006-02-03 2007-08-16 Ail Kk 半導体チップ搭載基板
JP2008098549A (ja) * 2006-10-16 2008-04-24 Kaijo Corp 半導体装置
WO2008047665A1 (fr) * 2006-10-16 2008-04-24 Kaijo Corporation Dispositif semi-conducteur
JP2014513870A (ja) * 2011-05-18 2014-06-05 サンディスク セミコンダクター （シャンハイ） カンパニー， リミテッド ウォータフォール・ワイヤボンディング
US9704797B2 (en) 2011-05-18 2017-07-11 Sandisk Information Technology (Shanghai) Co., Ltd. Waterfall wire bonding
JP2015018946A (ja) * 2013-07-11 2015-01-29 カルソニックカンセイ株式会社 基板回路の構造および製造方法
CN112930590A (zh) * 2018-12-12 2021-06-08 贺利氏材料新加坡有限公司 用于电连接电子组件的接触表面的方法
CN112930590B (zh) * 2018-12-12 2024-01-02 贺利氏材料新加坡有限公司 用于电连接电子组件的接触表面的方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH02303038A (ja) ワイヤボンディング方法
JPH0357236A (ja) 樹脂封止型半導体装置の製造方法
JPH04352436A (ja) 半導体装置
JPH03230556A (ja) 半導体装置用リードフレーム
JP3067560B2 (ja) 電子部品製造方法
JPS63219131A (ja) 半導体装置の製造方法
JPS63209152A (ja) リ−ドフレ−ム
JPH05102223A (ja) 半導体装置の製造方法
JPH04196236A (ja) 接続方法
JPS58124256A (ja) 半導体装置の製造方法
JPS59148344A (ja) 回路素子の結線方法
JPH0590320A (ja) ボール式ワイヤーボンデイング方法
JPS6379331A (ja) ワイヤボンデイング装置
JPH06120287A (ja) リードフレームを用いた半導体装置とその製造方法
JPH04333267A (ja) 表面実装半導体装置の製造方法
JPH0364057A (ja) リードフレーム
JPS632362A (ja) 半導体装置
JPS61117846A (ja) 接合用金属突起の製造方法
JPS6222460A (ja) 方形タイプｉｃパツケ−ジ方法
JPS63300522A (ja) 半導体装置
JPS6113650A (ja) 混成集積回路装置
JPH0656870B2 (ja) Ｉｃ用リ−ドフレ−ム
JPH0536697A (ja) バンプ電極形成装置
JP2003031605A (ja) 半導体モジュール製造方法
JPH04333247A (ja) 半導体装置の製造方法