JPH023019Y2 - - Google Patents

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JPH023019Y2
JPH023019Y2 JP4152884U JP4152884U JPH023019Y2 JP H023019 Y2 JPH023019 Y2 JP H023019Y2 JP 4152884 U JP4152884 U JP 4152884U JP 4152884 U JP4152884 U JP 4152884U JP H023019 Y2 JPH023019 Y2 JP H023019Y2
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JP
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valve
port
air space
valve seat
electrostrictive element
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JP4152884U
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  • Multiple-Way Valves (AREA)

Description

【考案の詳細な説明】 (技術分野) 本考案は、電歪素子に設けられた弁体で直接弁
座の開閉を行なう電子弁に関し、特に両端支持構
造で弁本体に支持された2つの電歪素子で弁座を
開閉し、5ポート弁等として使用できる電子弁に
関する。
(背景技術) 従来から、空気圧回路に用いられている方向制
御弁では、電磁石により弁の切換えを行なう電磁
弁が多用されていた。この電磁弁を高速で作動さ
せようとすると、電磁石が大きく成つてしまい、
電磁石が電磁弁の小形化かつ高速作動の妨げと成
つていた。また、電磁弁では制御する側の電源等
の負担が多いので消費電力が大きいとともに、そ
れに伴う発熱により弁体、シール等を形成する弾
性材料を劣化させる原因と成つていた。さらに、
電磁石を高速作動させると騒音を発生するという
問題もあつた。
特に、複動形のエアシリンダの操作等に用いら
れる3位置の5ポート弁として使用される電磁弁
は2つの電磁石により弁の開閉を行うので、内部
構造が複雑であり、小形化および高速作動はさら
に困難であつた。
本件出願人は、方向制御弁を電歪素子で作動さ
せることにより消費電力を少なくするとともに、
電歪素子の支持構造および電歪素子自体の構造に
改良を加え直接弁を開閉することにより小形でか
つ高速作動のできる3ポートの電子弁をすでに提
案している(実願昭58−168165)。
(考案の目的) そこで、本考案の目的は、電歪素子の支持構造
および電歪素子自体の構造に改良を加え直接弁を
開閉することにより小形化ができかつ高速で作動
させられ、5ポート弁として使用できる電子弁を
提供することにある。
(考案の構成) 前記目的を達成するために本考案による電子弁
は、本体に設けられた第1から第5ポートと、前
記本体内の第1の空気空間に設けられた第1およ
び第2の弁座と、前記本体内の第2の空気空間に
設けられた第3および第4の弁座とを有し、前記
第1のポートが前記第1および第3の弁座に、前
記第2のポートが前記第2の弁座に、前記第3の
ポートが前記第1の空気空間に、前記第4のポー
トが前記第2の空気空間に、前記第5のポートが
前記第4の弁座にそれぞれ接続されており、前記
第1から第4の弁座を開閉することにより動作流
体の方向を切換える制御弁であつて、前記第1お
よび第2の弁座を前記第1の空気空間に対面して
設け、前記第3および第4の弁座を前記第2の空
気空間に対面して設け、前記第1および第2の弁
座に対面して第1および第2の弁体が中央部に設
けられ何れか一方弁座を閉じるように両端で支さ
れ通電することにより他方の弁座を閉じるバイモ
ルフ構造の第1の電歪素子を前記第1の空気空間
に設け、前記第3および第4の弁座に対面して第
3および第4の弁体が中央部に設けられ何れか一
方の弁座を閉じるように両端で支持され通電する
ことにより他方の弁座を閉じるバイモルフ構造の
第2の電歪素子を前記第2の空気空間に設けて構
成されている。
前記構成によれば本考案の目的は完全に達成で
きる。
(実施例) 以下、図面等を参照して本考案をさらに詳しく
説明する。
第1図は本考案による電子弁の実施例を示す断
面図である。
弁本体は、本体1と本体1aと本体2とから構
成されている。本体1と本体2とはシール9,9
により気密に結合することにより、空気空間10
0を形成している。本体1にはポートBが設けら
れており、ポートBは流路101,102を介し
て空気空間100に連通している。流路102の
空気空間100の出口には弁座11が設けられて
いる。本体1aと本体2とはシール9a,9aに
より気密に結合することにより、空気空間100
aを形成している。本体1aにはポートEが設け
られており、ポートEは流路101a,102a
を介して空気空間100aに連通している。流路
102aの空気空間100aの出口には弁座11
aが設けられている。本体2にはポートC、ポー
トDおよびポートAが設けられている。ポートC
は流路103,104を介して空気空間100に
連通し、ポートDは流路103a,104aを介
して空気空間100aに連通している。ポートA
は流路105から、流路106を介して空気空間
100に連通し、流路106aを介して空気空間
100aに連通している。流路106の空気空間
100の出口には弁座21が設けられており、流
路106aの空気空間100aの出口には弁座2
1aが設けられている。
電歪素子3の中央部には本体4が設けられ、本
体4は弁座11に対向して設けられた本体41
と、弁座21と対向して設けられた弁体42とか
ら構成されている。電歪素子3aの中央部には弁
体4aが設けられ、弁体4aは弁座11aに対向
して設けられた弁体41aと、弁座21aと対向
して設けられた弁体42aとから構成されてい
る。
電歪素子3は、空気空間100に設けられてお
り、本体1,2に配設されたクツシヨンゴム51
および支持線52により、両端支持構造で支持さ
れている。支線線52は細長い円柱形の部材であ
つて、2つの円柱の母線で電歪素子3の端部を支
持している。このように、クツシヨンゴム51、
支持線52により支持持するのは電歪素子3を撓
みやすくするためである。電歪素子3aも空気空
間100aにクツシヨンゴム51a、支持線52
aにより電歪素子3と同様に支持されている。
電歪素子3は2枚の圧電磁器31,32と異種
材料からなる金属板33とを貼り合わせたバイモ
ルフ構造を有する素子である。圧電磁器31,3
2の表面には焼付により銀電極が設けられてい
る。圧電磁器31,32は圧電係数の比較的大き
なものが適しており、例えばチタン酸ジルコン酸
鉛(PZT)系の磁器が用いられる。金属板33
は電極として用いられており、例えば黄銅が適し
ている。電歪素子3aも2枚の圧電磁器31a,
32aと金属板33aとを貼り合わせたバイモル
フ構造を有する素子であつて、電歪素子3と同様
の構造である。電歪素子3,3aは圧接力を強化
するために2枚以上重ね合わせて使用することも
ある。
電歪素子3はリード線61,62に接続されて
おり、圧電磁器31,32の表面側にはリード線
61が、金属板33側にはリード線62がそれぞ
れ半田付けされている。リード線61,62間に
は抵抗体7が接続されている。そして、電歪素子
3の右端とリード線61,62、抵抗体7との接
続部は高分子材料8により、一体的にモールドさ
れている。電歪素子3の高速作動に対して接触不
良や断線などの事故を防止してバルブの信頼性を
向上させるためである。抵抗体7が挿入されてい
るのは、非導通にしたときに電歪素子3に蓄積さ
れた電荷を放電して、電歪素子3を復帰しやすく
するためである。実際には、電歪素子3をクツシ
ヨンゴム51、支持線52で支したのち電歪素子
3の固定も兼ねて本体1と一体にモールドする。
このため電歪素子3の支持構造は右端で固定され
るので、単純支持梁にするため左端を回動自在か
つ横方向の拘束を解く構造にしている。電歪素子
3aも同様にして、リード線61a,62aによ
り配線され、高分子材料8aにより一体的にモー
ルドされている。
つぎに、本考案による電子弁の実施例の動作を
説明する。本考案による電子弁は電歪素子3,3
aへの通電のしかたにより、つぎの4通りの動作
が可能である。
第1の動作は、電歪素子3,3aの双方に電圧
を印加しない場合である。この場合には、電歪素
子3の弁体41は弁座11を開き、弁体42が弁
座21を閉じている。また、電歪素子3aの弁体
41aは弁座11aを閉じ、弁体42aが弁座2
1aを開いている。このとき、ポートAはポート
Dに接続され、他のポートB,C,Eには接続さ
れない。一方、ポートBとポートCは接続されて
いる。
第2の動作は、電歪素子3,3aの双方に所定
の電圧を印加する場合である。この場合には、電
歪素子3の弁体41は弁座11を閉じ、弁体42
が弁座21を開く。また、電歪素子3aの弁体4
1aは弁座11aを開き、弁体42aが弁座21
aを閉じる。このとき、ポートAはポートCに接
続され、他のポートB,D,Eには接続されな
い。一方、ポートDとポートEは接続されてい
る。
第3の動作は、電歪素子3には所定の電圧を印
加して、電歪素子3aには電圧を印加しない場合
である。この場合には、電歪素子3の弁体41は
弁座11を閉じ、弁体42が弁座21を開く。ま
た、電歪素子3aの弁体41aは弁座11aを閉
じ、弁体42aが弁座21aを開いている。この
とき、ポートAはポートCおよびポートDの双方
に接続されている。一方、ポートBとポートEは
いずれのポートとも接続されない。
第4の動作は、電歪素子3には電圧を印加しな
いで、電歪素子3aには所定の電圧を印加する場
合である。この場合には、電歪素子3の弁体41
は弁座11を開き、弁体42が弁座21を閉じ
る。また、電歪素子3aの弁体41aは弁座11
aを開き、弁体42aが弁座21aを閉じてい
る。このとき、ポートAはポートCとポートDの
双方に接続されない。一方、ポートBはポートC
に接続され、ポートDとポートEは接続される。
(使用例) つぎに、本考案による電子弁により複動形エア
シリンダを操作する使用例を説明する。
この場合には、ポートAをインポートととして
圧縮空気源に接続し、ポートDを第1のアウトポ
ートとして前記エアシリンダのロツド側に接続
し、ポートCを第2のアウトポートとして前記エ
アシリンダのベツド側に接続し、ポートB,Eを
排気ポートとして使用する。
前記第1の動作によりポートAがポートDに接
続されるとともに、ポートCがポートBに接続さ
れる。したがつて、圧縮空気はポートAからポー
トDを通り、前記エアシリンダのロツド側に導か
れ、ピストンをヘツド側に移動させる。このと
き、ヘツド側の空気はポートCからポートBを通
つて排気される。前記第2の動作によりポートA
がポートCに接続されるとともに、ポートDがポ
ートEに接続される。したがつて、圧縮空気はポ
ートAからポートCを通り、前記エアシリンダの
ヘツド側に導かれ、ピストンをロツド側に移動さ
せる。このとき、ロツド側の空気はポートDから
ポートEを通つて排気される。この第1および第
2の動作を繰り返すことにより前記エアシリンダ
の往復動を制御する。
さらに、本考案の電子弁では第3の動作をする
ことによりポートAがポートC、ポートDの双方
に接続されることにより、前記エアシリンダのピ
ストンを低速作動するか、またはロツドの無いエ
アシリンダのピストンを任意の位置に固定するこ
とができる。また、第4の動作をすることにより
前記エアシリンダのピストンを無負荷にして手動
によりピストンを移動させることができる。つま
り、3位置弁として使用することもできるわけで
ある。
また、電歪素子3,3aに印加する電圧を調節
することにより弁体と弁座間の間隙を可変させ、
流量の調節をすることができる。したがつて、比
例弁としての使用もできる。例えば、ポートB、
ポートEを封止して、ポートCをインポート、ポ
ートAをアウトポート、ポートDを排気ポートと
すれば、シール性のよい3ポートの比例弁として
使用することができる。
(考案の効果) 以上詳しく説明したように、本考案によれば、
電歪素子の支持構造および電歪素子自体の構造に
改良を加え直接弁を開閉することにより、小形で
かつ高速作動のできる5ポート弁として使用でき
る電子弁が実現できた。さらな、従来の電磁弁等
に比較して操作性も向上した。
【図面の簡単な説明】
第1図は本考案による電子弁の実施例を示す断
面図である。 1,1a,2……本体、11,12,11a,
12a……弁座、3,3a……電歪素子、31,
32,31a,32a……圧電磁器、33,33
a……金属板、4,41,42,4a,41a,
42a……弁体、51,51a……クツシヨンゴ
ム、52,52a……支持線、6,61,62,
6a,61a,62a……リード線、7,7a…
…抵抗体、8,8a……高分子材料、9,9a…
…シール材。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 本体に設けられた第1から第5のポートと、前
    記本体内の第1の空気空間に設けられた第1およ
    び第2の弁座と、前記本体内の第2の空気空間に
    設けられた第3および第4の弁座とを有し、前記
    第1のポートが前記第1および第3の弁座に、前
    記第2のポートが前記第2の弁座に、前記第3の
    ポートが前記第1の空気空間に、前記第4のポー
    トが前記第2の空気空間に、前記第5のポートが
    前記第4の弁座にそれぞれ接続されており、前記
    第1から第4の弁座を開閉することにより動作流
    体の方向を切換える制御弁であつて、前記第1お
    よび第2の弁座を前記第1の空気空間に対面して
    設け、前記第3および第4の弁座を前記第2の空
    気空間に対面して設け、前記第1および第2の弁
    座に対面して第1および第2の弁体が中央部に設
    けられ何れか一方の弁座を閉じるように両端で支
    持され通電することにより他方の弁座を閉じるバ
    イモルフ構造の第1の電歪素子を前記第1の空気
    空間に設け、前記第3および第4の弁座に対面し
    て第3および第4の弁体が中央部に設けられ何れ
    か一方の弁座を閉じるように両端で支持され通電
    することにより他方の弁座を閉じるバイモルフ構
    造の第2の電歪素子を前記第2の空気空間に設け
    て構成したことを特徴する電子弁。
JP4152884U 1984-03-23 1984-03-23 電子弁 Granted JPS60154674U (ja)

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JP4152884U JPS60154674U (ja) 1984-03-23 1984-03-23 電子弁

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JP4152884U JPS60154674U (ja) 1984-03-23 1984-03-23 電子弁

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JPS60154674U JPS60154674U (ja) 1985-10-15
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JP4152884U Granted JPS60154674U (ja) 1984-03-23 1984-03-23 電子弁

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPS6132668U (ja) * 1984-07-31 1986-02-27 株式会社山武 切換弁
CA2571829A1 (en) * 2004-07-23 2006-02-02 Afa Controls, Llc Methods of operating microvalve assemblies and related structures and related devices

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