JPH02301032A - 二酸化ケイ素被覆光情報記録媒体およびその製造方法 - Google Patents

二酸化ケイ素被覆光情報記録媒体およびその製造方法

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JPH02301032A
JPH02301032A JP1120007A JP12000789A JPH02301032A JP H02301032 A JPH02301032 A JP H02301032A JP 1120007 A JP1120007 A JP 1120007A JP 12000789 A JP12000789 A JP 12000789A JP H02301032 A JPH02301032 A JP H02301032A
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Japan
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silicon dioxide
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JP1120007A
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English (en)
Inventor
Takenobu Hatasawa
畠澤 剛信
Toru Takahashi
徹 高橋
Kazuaki Miyamoto
和明 宮本
Kenzo Yamaguchi
山口 健三
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sekisui Chemical Co Ltd
Original Assignee
Sekisui Chemical Co Ltd
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Publication date
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  • Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

〔産業上の利用分野〕
本発明は、二酸化ケイ素膜を全面に被覆した光情報記録
媒体に関し、さらに詳しくは、耐湿性。 耐食性、耐擦傷性の向上した二酸化ケイ素被覆光情報記
録媒体とその製造方法に関する。
【従来の技術] 近年、光ディスクやビデオディスクなどの多種類の光情
報記録媒体が開発され、市販されている。これらの光情
報記録媒体は、回転するディスク上にレーザー光を集光
し、ディスクからの反射光の強弱を検出する基本構成を
採用しており、ポリカーボネートやポリメチルメタクリ
レートなどの透明な合成樹脂からなる基板上に記録層を
設けたものが代表的なものである。 ところで、記録層に用いられる記録媒体用材料として、
T e % T iなとの金属または金属合金、Te低
酸化物、有機染料薄膜、銀塩薄膜、フォトクロミック化
合物などが広く提案され、また、使用されているが、こ
れらはいずれも酸化や加水分解されやすい材料であるた
め、記録層の劣化を防ぐための保護層の開発が進められ
ている。また、合成樹脂製の基板を用いた光情報記録媒
体においては、基板の吸水・膨潤によるソリが生じ、そ
れに起因して記録層が剥離したり、信号読み取りが不可
能になったり、あるいは透過水分により記録層が劣化す
るなどの問題がある。そこで、これらの問題を解決して
、光情報媒体の長期信頼性をいかにして確保するかが重
要な課題となっている。 従来、保護層として、各種合成樹脂層や二酸化ケイ素な
どの透明誘電体層を記録層面上に設けることなどが提案
されている。例えば、特開昭61〜39949号公報に
は、透明基板の片面に設けられた光情報記録層の表面に
シランカップリング剤もしくはチタンカップリング剤を
1〜2分子層設け、記録層の面上あるいは記録層および
基板の両表面にポリ塩化ビニリデン共重合物含有層を形
成することにより、防湿性や耐食性を向上させることが
提案されている。 しかしながら、記録層の表面のみをポリ塩化ビニリデン
共重合物含有層で保護した場合には、基板面側からの透
過水分を遮断することができないので、基板の吸水によ
るソリおよびそれに起因する記録層の剥離や透過水分に
よる記録層の劣化等を防ぐことはできない、この問題は
、記録層の表面を誘電体層で被覆した場合も同様である
。また、記録層の面上に反射層、あるいは誘電体層を介
して反射層を設けた構造の光情報記録媒体でも、基板側
からの吸水問題は解決されない。 一方、記録層および基板の両表面にポリ塩化ビニリデン
共重合物含有層を形成すると、光の通路となる基板表面
に耐擦傷性に劣る(耐脂層が形成されることになるので
、信号劣化や感度の劣化など光情報記録媒体としての基
本的性能を著しく損なう恐れがある。しかも、このよう
に両表面にポリ塩化ビニリデン共重合物含有層を形成し
ても、耐湿性は充分ではなく、透過水分による記録層の
劣化を完全に防ぐことはできない。 さらに、光情報記録媒体には、接着張り合せ構造やエア
ーサンドイッチ構造などの構造のものがあり、それらは
記録層を中心層とする両面張り合せ構造のため、ソリの
問題は軽減されるが、透過水分による記録層の劣化を防
ぐことはできない。 また、記録層の上面または上下面にSiOやSiO□、
MgF* 、Aj2Nなどの透明誘電体層を積層すれば
、記録層を酸化や加水分解から防ぐことができるが、こ
れらの透明誘電体材料は、基板となる合成樹脂との密着
性に劣るため、基板の保護層に用いることは困難である
。 ところで、近年、合成樹脂成形体の表面を改質するため
に、二酸化ケイ素などの酸化物の薄膜で被覆する技術が
開発され、実用化されている。従来、酸化物膜等を被覆
する方法としては、真空蒸着、スパッタ、イオンブレー
ティング、プラズマCVDなと各種の方法が知られてい
るが、これらの被膜形成法では、特別の設備を要したり
、大型成形体や複雑な形状の成形体表面に被膜を形成す
ることが困難であり、しかも合成樹脂成形体と被膜との
密着性が不充分であるという問題がある。 最近、二酸化ケイ素膜を直接合成樹脂成形体表面に被覆
するのではなく、予め合成樹脂成形体表面に付着性良好
なケイ素含有被膜を第1次被膜(ブライマー)として被
覆し、さらにその上に該第1次被膜と付着性良好な二酸
化ケイ素膜を作成する方法が提案されている(特開昭6
1−12734号公報)。この方法によれば、ブライマ
ーが硬化によってシロキサン結合を有するポリマーを形
成するため二酸化ケイ素膜とブライマーとの密着性は改
善され、従来法と比較して耐久性のよい被膜を得ること
ができる。しかも、塗布浸漬法を使用することができる
ため、大型形状あるいは複雑な形状の合成樹脂成形体に
も適用可能である。しかしながら、この方法では、ブラ
イマーと合成樹脂成形体との間に強固な化学的結合がほ
とんど形成されないため、合成樹脂成形体とブライマー
との密着性が不充分であり、したがって二酸化ケイ素膜
の合成樹脂成形体に対する密着性も充分ではない。 そこで、従来公知の二酸化ケイ素被覆法を光情報記録媒
体の保護層形成に単に適用しても、基板との密着性に優
れた被膜を形成することは困難である。 【発明が解決しようとする課題】 本発明の目的は、耐湿性、耐食性、耐擦傷性が向上し、
かつ吸水による形状変化が極めて小さい光情報記録媒体
を提供することにある。 また、本発明の目的は、基板との密着性に優れた二酸化
ケイ素被膜を全面に有する被覆光情報記録媒体を提供す
ることにある。 本発明者らは、前記従来技術の有する問題点を克服する
ために鋭意研究した結果、合成樹脂製の透明基板上に記
録層、誘電体層および/または保護層を設けた光情報記
録媒体において、透明基板表面に特定のシリルパーオキ
サイド化合物の被覆層を設け、次いで光情報記録媒体の
全面に二酸化ケイ素被膜を形成し、しかる後、シリルパ
ーオキサイド化合物が熱分解する条件下で熱処理するこ
とにより、基板との密着性に優れた二酸化ケイ素被膜を
形成できるとともに、全面が二酸化ケイ素被膜で被覆さ
れているために、耐湿性、耐食性および耐擦傷性が顕著
に向上し、かつ吸水性が極めて小さい光情報記録媒体の
得られることを見出した。 本発明は、これらの知見に基づいて完成するに至ったも
のである。
【課題を解決するための手段】
か(して、本発明によれば、合成樹脂製の透明基板上に
記録層、誘電体層および/または保護層を設けた光情報
記録媒体において、透明基板表面に下We −M式(1
)で示されるシリルパーオキサイド化合物の被覆層を設
け、次いで光情報記録媒体の全面に二酸化ケイ素被膜を
形成し、しかる後、シリルパーオキサイド化合物が熱分
解する条件下で熱処理して成ることを特徴とする二酸化
ケイ素被覆光情報記録媒体およびその製造方法が提供さ
れる。 R,I、5t(OOR’ )、1(1)(式中、Rは互
いに同一または相異なっていてもよ(、炭素数1〜6の
炭化水素基、ビニル基、メタクリロキシ基、エポキシ基
、アミノ基、メルカプト基、フッ素を有する有機基また
は塩素を有する有機基を示し、R′は互いに同一または
相異なっていてもよく、アルキル基、アシル基またはア
リールアルキル基を示し、nは1〜4の整数を示す) 以下、本発明の各構成要素について説明する。 (光情報記録媒体) 本発明で使用する光情報記録媒体は、合成樹脂製の透明
基板上に記録層、誘電体層および/または保護層を設け
た多層構造の光情報記録媒体である。 基板の材料となる合成樹脂としては、ポリカーボネート
樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂など一般に光情報記
録媒体用として用いられている透明性に(!れた合成樹
脂であれば良く、特に制限されない。 記録層としては、TbFeCo、GdFe、TbCo、
DyFe、NdDyFeCo、TbFe、GdFeB1
.GdTbFeなどからなる記録膜、あるいは相変化型
記録材料や色素系記録材料からなる膜など従来公知のも
のがいずれも使用可能である。 誘電体層および/または保護膜の材料とじては、5in
2.SiN++、SiA氾ON、SiAβNなどSL系
の透明な層を形成する誘電体が好ましく使用できる。 本発明で使用する光情報記録媒体の積層構成は、基板/
誘電体層/記録層/保護層または基板/記録層/保護層
が代表的なものである。 また、単板構成のものだけではな(、合成樹脂製の透明
基板上に記録層、誘電体層および/または保護層を設け
た2枚の光情報記録媒体を、接着層を介して記録層側の
面どうし張り合せた構造のもの、例えば、基板/誘電体
層/記録層/保護層/接着H/保護層/記録層/誘電体
層/基板などの構造のものであってもよい、このような
張り合せ構造のものは、ソリの問題が少ない。 (シリルパーオキサイド化合物) 本発明で使用するシリルパーオキサイド化合物は、下記
一般式(I)で示される化学構造を有する化合物である
。 R,nS i (OOR’ )、、     (I)(
式中、Rは互いに同一または相異なっていてもよく、炭
素数1〜6の炭化水素基、ビニル基、メタクリロキシ基
、エポキシ基、アミノ基、メルカプト基、フッ素を有す
る有機基または塩素を有する有機基を示し、R′は互い
に同一または相異なっていてもよく、アルキル基、アシ
ル基またはアリールアルキル基を示し、nは1〜4の整
数を示す) シリルパーオキサイド化合物の具体例としては、ビニル
トリス(t−ブチルパーオキシ)シラン、ビニルトリス
(キュメンバーオキシ)シラン、ビニルトリス(アセチ
ルパーオキシ)シラン、ビニルトリス(ベンゾイルパー
オキシ)シラン、ビニルトリス(ラウロイルパーオキシ
)シラン、γ−グリシドキシプロビルトリス(t−ブチ
ルパーオキシ)シラン、γ−グリシドキシプロビルトリ
ス(キュメンバーオキシ)シラン、γ−グリシドキシプ
ロビルトリス(キュメンバーオキシ)シラン、γ−グリ
シドキシプロビルトリス(アセチルパーオキシ)シラン
、γ−グリシドキシプロビルトリス(ベンゾイルパーオ
キシ)シラン、γ−グリシドキシプロビルトリス(ラウ
ロイルパーオキシ)シラン、Y−メタクリロキシプロピ
ルトリス(t−ブチルパーオキシ)シラン、γ−メタク
リロキシプロピルトリス(キュメンバーオキシ)シラン
、γ−メタクリロキシプロプルトリス(アセチルパーオ
キシ)シラン、γ−メタクロキシプロピルトリス(ベン
ゾイルパーオキシ)シラン、γ−メタクロキシプロピル
トリス(ラウロイルパーオキシシラン)などを挙げるこ
とができる。 (被覆方法) 本発明の被覆光情報記録媒体は、合成樹脂基板を前記シ
リルバーオキサイ、ド化合物によって被覆処理(第1工
程)した後、該シリルパーオキサイド化合物被覆層を含
む光情報記録媒体の全面に二酸化ケイ素の被膜を形成し
く第2工程)、次いで熱処理する(第3工程)実質的に
3工程からなる被覆方法により製造される。 ■第1工程 シリルパーオキサイド A による 本発明においては、シリルパーオキサイド化合物をブラ
イマーとして使用する。 まず、シリルパーオキサイド化合物の1種または2種以
上を、トルエン、ヘキサン、メチルエチルケトン、メチ
ルイソブチルケトン、ヘプタン、酢酸エチル、酢酸ブチ
ル、アセトン、シクロヘキサノン等の有機溶剤に溶解し
て、ブライマー溶液を作成する。シリルパーオキサイド
化合物の濃度は適宜定めることができるが、溶液調製お
よび塗布作業の容易さ、所望の厚みのブライマ一層を得
る観点から見て、通常、1〜30重量%の範囲が好まし
い。 このブライマー溶液を合成樹脂基板に、スピンコード法
、浸漬法、吹き付は法等により塗布した後、溶剤を除去
する。光情報記録媒体が単板構造の場合には、合成樹脂
基板への塗布はスピンコード法によるのが好ましい、溶
剤の除去は、シリルパーオキサイド化合物が熱分解しな
い温度範囲で行なう、具体的には、1〜2時間程度室温
で風乾するか、あるいは60℃程度まで加熱して1〜5
分間程度乾燥させる方法が好ましい。 ■第2工程 二ん ケイ−のン シリルバーオキサイド化合物被覆層を含む光情報記録媒
体の全面に二酸化ケイ素の被膜を形成する方法としては
、シランガスを用いたCVD法、石英板をターゲットと
したスパッタ法、有機ケイ素化合物の有機溶媒を用いた
ディッピング法、または酸化ケイ素の過飽和状態のケイ
フッ化水素酸溶液中に浸漬し酸化ケイ素被膜を析出させ
る析出法などがある。この中では析出法が作業が簡単で
、しかも均一な被膜を形成することができるため好まし
い。 この析出法については、特開昭61−12734号公報
に詳細に開示されている公知の方法が適用できる。二酸
化ケイ素の過飽和状態のケイフッ化水素酸溶液とは、ケ
イフッ化水素酸溶液に二酸化ケイ素(シリカゲル、エア
ロジル、シリカガラス、その他二酸化ケイ素含有物など
)を溶解させた後、水または試薬(ホウ酸、塩化アルミ
ニウムなど)を添加し、二酸化ケイ素の過飽和状態とし
たものである。この処理液にシリルパーオキサイド化合
物で被覆処理した光情報記録媒体を接触させればよい。 接触は、光情報記録媒体を処理液中に浸漬するかその表
面に処理液を流下させるなどの方法があるが、均一な被
膜を形成するためには浸漬法が好ましい。 処理液中のケイフッ化水素酸の濃度は、1〜2モル/β
が好ましく、特に2モル/氾より濃いケイフッ化水素酸
水溶液に二酸化ケイ素を飽和させた後、水で希釈して1
〜2モル/βの濃度としたものが、被膜形成速度が早く
、効率よく被覆が行なえるので望ましい。光情報記録媒
体を処理液に浸漬中、連続的にホウ酸水溶液を添加混合
し、また、処理液を循環させ、フィルターで濾過するこ
とが、均質な被膜を効率よく得るために好ましい。二酸
化ケイ素の供給源としてシリカゲルを使用する場合には
、孔径1.5μm以下のフィルターが、その他シリカガ
ラスなどを用いた場合には、孔径10μm以下のフィル
ターが好ましい。 また、処理液を浸漬槽に入れて、光情報記録媒体と接触
させる場合には、浸漬中の光情報記録媒体表面において
、処理液が層流となって流れるようにすることが、むら
のない均質な被膜を形成するために好ましい。 二酸化ケイ素膜の膜厚は、使用目的に応じて適宜定める
ことができるが、通常、数100人〜数1.000人程
度で表面改質の目的を達成することができる。 ■第3工程 1処1 本発明においては、二酸化ケイ素の被膜を形成した後、
熱処理を行なう。 この熱処理によりシリルパーオキサイド化合物を分解さ
せてフリーラジカルを発生させ、このフリーラジカルの
作用により化学結合を生、じさせ、合成樹脂基板表面と
二酸化ケイ素被膜とを強固に密着させる。 熱処理温度と時間は、基板に使用する合成樹脂の熱変形
温度およびシリルパーオキサイド化合物の半減期によっ
て決定することができる。 例えば、ポリカーボネート樹脂やポリアクリレート樹脂
などを用いるときは、90〜120℃で1〜2時間熱処
理すればよい。一般的には、100℃程度で1〜2時間
熱処理すれば充分である。 熱処理の方法としては、操作の容易なことから熱風乾燥
機中で加熱することが好ましい。 【作 用〕 従来のシランカップリング剤などのケイ素化合物による
ブライマー処理では、ケイ素化合物と合成樹脂基板表面
との間に強固な化学結合は生じていない。 これに対し、シリルパーオキサイド化合物を用いるブラ
イマー処理では、熱処理によるシリルパーオキサイド化
合物の熱分解によってフリーラジカルが発生し、化学反
応が進行する。そして、ラジカル機構によって、合成樹
脂基板表面と酸化ケイ素被膜とがブライマ一層を介して
化学結合しているものと推定される。その結果、各層の
界面に強固な接着層が形成される。 ラジカル機構により、例えば、次のような反応が生じて
いると推定できる。 熱処理を行ない、例えば、R,5iOOR′構造を有す
るシリルパーオキサイド化合物を熱分解させると、R*
 S i O・ラジカルと・OR′ラジカルが発生し、
R55iO・ラジカルは二酸化ケイ素のケイ素原子と結
合する。一方、・OR’ ラジカルは合成樹脂の炭素原
子に結合した水素原子を引き抜いてR′OHとなり、合
成樹脂基板表面にラジカルを発生させる。この合成樹脂
基板表面に発生したラジカルが二酸化ケイ素に結合した
前記R,SiO基のケイ素原子と結合する。 もちろん、この他にも種々のラジカル反応機構が推定で
きるが、要するにシリルパーオキサイド化合物のブライ
マ一層が熱処理の結果フリーラジカルを発生して化学反
応を進行させ、合成(耐脂基板と二酸化ケイ素被膜との
間を化学結合により強固に接着させるものと推定できる
。 また、Rがビニル基あるいはメタクリロキシ基であると
1発生したラジカルによって重合架橋反応が生じるため
、−N強固な接着層が形成される。 このように、本発明のブライマー処理法により、合成樹
脂基板および二酸化ケイ素膜の結合力を高め、密着性に
優れた二酸化ケイ素膜被覆合成樹脂成形体を得ることが
できる。また、光情報記録媒体の記録層の上に設けたS
t系の誘電体材料からなる保護層と二酸化ケイ素膜との
密着性も良好である。 そして、本発明の光情報記録媒体は、その全面を密着性
に優れた二酸化ケイ素膜で被覆した構造であるため、耐
湿性や耐食性が向上し、かつ吸水による形状変化が極め
て小さく、耐熱性にも優れている。また、透明で表面硬
度の高い二酸化ケイ素膜が被覆されているため、耐擦傷
性に優れ、信号の劣化や感度の低下が防止される。 〔実施例J 以下、本発明について実施例および比較例を挙げて具体
的に説明するが、本発明はこれら実施例のみに限定され
るものではない。なお、実施例および比較例における加
速劣化試験の方法は、次のとおりである。 く加速劣化試験〉 恒温恒湿機にて、65℃、95%RHの条件で、二酸化
ケイ素被覆光情報記録媒体(ディスク)を3週間保持し
た後、C/N、媒体欠陥の最大バースト長、機械特性の
評価を行なった。 以Z上: 回転数1,800rpm、周波数3.7MHzで測定、
書き込みレーザーパワーは、2次高周波が最小になるよ
うにした結果、約5mWであった。測定位置は、ディス
2の最内周部、結果はlOOトラック測定の平均値であ
る。 の  バースト  バイト (2・7)RLL変調方式により信号を書き込み、加速
劣化試験前後での比較を行なった。測定位置は、ディス
クの最内周部、結果はlooトラック分の測定結果であ
る。 1脈ゴ1 65℃、95%RHの雰囲気下に3週間保持した後、デ
ィスクの半径方向傾きを測定した。測定位置はディスク
中心より半径方向に45mmの位置である。なお、単板
仕様ディスクについてのみ評価を行なった。 [実施例1] ポリカーボネート樹脂からなる光デイスク基板(直径1
30mm、厚さ1.2mm)の上に、誘電体層(SiA
12ON)/記録層(TbFeC。 )/保護層(SiAρON)をこの順に設けた構造の光
情報記録媒体を作成した。 上記光情報記録媒体に、第1表に示す各種シリルパーオ
キサイド化合物のn−ヘキサン溶液(濃度1重量%)を
スピンコーターで塗布し、次いで60℃の熱風にて3分
間の加熱乾燥を行なった。 乾燥後のシリルパーオキサイド化合物被膜の膜厚は約4
0人であった。 上記ブライマー処理を行なった光情報記録媒体の全面に
、特開昭61−12734号公報に示されているのと同
様の二酸化ケイ素被膜製造装置を用いて、二酸化ケイ素
の被膜を析出させた。 すなわち、二酸化ケイ素被膜製造装置は、外槽と内槽か
ら成る浸漬槽を有し、内槽と外槽の間には水が満しであ
る。この水は温度が35℃となるようヒーターで加熱さ
れ、かつ、温度分布均一化のため撹拌機で撹拌されてい
る。内槽は前部、中部、後部から成り各部には工業用シ
リカゲル粉末を二酸化ケイ素の供給源として、二酸化ケ
イ素を溶解、飽和させた2、0モル/βの濃度のケイフ
ッ化水素酸水溶液を水を用いて倍に希釈した3I2の反
応液が満たしである。ここで、循環ポンプを作動させ内
槽後部の反応液を一定量ずつ放出してフィルターで濾過
し、内槽前部へ戻す処理液循環を開始した。 その後、0.5モル/Qのホウ酸水溶液を連続的に内槽
後部に摘下し10時間保持した。この状態で反応液は適
度な二酸化ケイ素過飽和度を有する処理液となった。 ここでフィルターの絶対除去率を1.5μmおよび処理
液循環量を240mI2/分(処理液全量が約3βであ
るので、循環量は8%/分である)に調整した。 そして、上記ブライマー処理を行なった光情報記録媒体
を内槽中部に垂直に浸漬し、前記条件(0,5モル/2
のホウ酸水溶液を0.2mjl!/分で添加し、8%/
分の循環を行ない、1.5μmのフィルターで濾過する
)で3時間保持した。 しかる後、光情報記録媒体を浸漬槽から取り出し、熱風
乾燥機中100”cで1時間加熱して、シリルパーオキ
サイド化合物を熱分解させた。 この結果、約900人の膜厚を有する二酸化ケイ素膜で
全面が被覆された光情報記録媒体を得た。 得られた各被覆光情報記録媒体の加速劣化試験の結果は
、第1表に示す、また、比較のために、シリルバーキサ
イド化合物によるブライマー処理を行なわなかった以外
は実施例1と同様にして二酸化ケイ素被覆光情報記録媒
体を得、同様に加速劣化試験を行ない、その結果を併せ
て第1表に示す。 [実施例2] 実施例1で作成した単板仕様の光デイスク2枚を、記録
層側どうしをアクリル系の光硬化性樹脂からなる接着剤
により張り合せて、張り合せ構造の光情報記録媒体を作
成した。 上記光情報記録媒体に、第2表に示す各種のシリルパー
オキサイド化合物のn−ヘキサン溶液(1重量%)をス
ピンコーターで塗布し、60℃の熱風にて3分間の加熱
乾燥を行なった。 次いで、実施例1と同様に操作して二酸化ケイ素被膜を
全面に被覆した光情報記録媒体を得た。 二酸化ケイ素膜の膜厚は約950人であった。 得られた各被覆光情報記録媒体の加速劣化試験の結果は
、第2表に示す、また、比較のために、シリルパーキサ
イド化合物によるブライマー処理を行なわなかった以外
は実施例2と同様にして二酸化ケイ素被覆光情報記録媒
体を得、同様に加速劣化試験を行ない、その結果を併せ
て第2表に示す。 (以下余白) 〔発明の効果] 本発明によれば、光情報記録媒体の全面に密着性の優れ
た二酸化ケイ素被膜を形成することができるため、耐湿
性、耐食性、耐擦傷性が向上し、かつ吸水による形状変
化が極めて小さい光情報記録媒体を提供することができ
る。したがって、広範囲の温度、湿度条件下で長期保存
が可能である。また、単板仕様の光情報記録媒体におい
ては、耐湿性の向上により吸水によるソリなどの機械的
特性の劣化が防止される。さらに、耐擦傷性に優れてい
るため、信号劣化や感度の劣化などがない。

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)合成樹脂製の透明基板上に記録層、誘電体層およ
    び/または保護層を設けた光情報記録媒体において、透
    明基板表面に下記一般式( I )で示されるシリルパー
    オキサイド化合物の被覆層を設け、次いで光情報記録媒
    体の全面に二酸化ケイ素被膜を形成し、しかる後、シリ
    ルパーオキサイド化合物が熱分解する条件下で熱処理し
    て成ることを特徴とする二酸化ケイ素被覆光情報記録媒
    体。 R_4_−_nSi(OOR′)_n( I )(式中、
    Rは互いに同一または相異なっていてもよく、炭素数1
    〜6の炭化水素基、ビニル基、メタクリロキシ基、エポ
    キシ基、アミノ基、メルカプト基、フッ素を有する有機
    基または塩素を有する有機基を示し、R′は互いに同一
    または相異なっていてもよく、アルキル基、アシル基ま
    たはアリールアルキル基を示し、nは1〜4の整数を示
    す)
  2. (2)光情報記録媒体が、合成樹脂製の透明基板上に記
    録層、誘電体層および/または保護層を設けた2枚の光
    情報記録媒体を、接着層を介して記録層側の面どうし張
    り合せた構造のものである請求項1記載の二酸化ケイ素
    被覆光情報記録媒体。
  3. (3)合成樹脂製の透明基板上に記録層、誘電体層およ
    び/または保護層を設けた光情報記録媒体において、透
    明基板表面に下記一般式( I )で示されるシリルパー
    オキサイド化合物の被覆層を設け、次いで光情報記録媒
    体の全面に二酸化ケイ素被膜を形成し、しかる後、シリ
    ルパーオキサイド化合物が熱分解する条件下で熱処理す
    ることを特徴とする二酸化ケイ素被覆光情報記録媒体の
    製造方法。 R_4_−_nSi(OOR′)_n( I )(式中、
    Rは互いに同一または相異なっていてもよく、炭素数1
    〜6の炭化水素基、ビニル基、メタクリロキシ基、エポ
    キシ基、アミノ基、メルカプト基、フッ素を有する有機
    基または塩素を有する有機基を示し、R′は互いに同一
    または相異なっていてもよく、アルキル基、アシル基ま
    たはアリールアルキル基を示し、nは1〜4の整数を示
    す)
  4. (4)光情報記録媒体が、合成樹脂製の透明基板上に記
    録層、誘電体層および/または保護層を設けた2枚の光
    情報記録媒体を、接着層を介して記録層側の面どうし張
    り合せた構造のものである請求項3記載の二酸化ケイ素
    被覆光情報記録媒体の製造方法。
  5. (5)透明基板表面にシリルパーオキサイド化合物の被
    覆層を設けた後、光情報記録媒体を二酸化ケイ素の過飽
    和状態のケイフッ化水素酸溶液中に浸漬し、光情報記録
    媒体の全面に二酸化ケイ素被膜を析出させる請求項3ま
    たは4記載の二酸化ケイ素被覆光情報記録媒体の製造方
    法。
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