JPH0432052A - 光磁気記録媒体 - Google Patents
光磁気記録媒体Info
- Publication number
- JPH0432052A JPH0432052A JP13791290A JP13791290A JPH0432052A JP H0432052 A JPH0432052 A JP H0432052A JP 13791290 A JP13791290 A JP 13791290A JP 13791290 A JP13791290 A JP 13791290A JP H0432052 A JPH0432052 A JP H0432052A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- dielectric layer
- layer
- magneto
- silicon dioxide
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 79
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 58
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims abstract description 35
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims abstract description 34
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 claims abstract description 24
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 claims abstract description 24
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 18
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 14
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 14
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 claims description 19
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 claims description 19
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 15
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 15
- 239000010408 film Substances 0.000 abstract description 26
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 16
- 238000003848 UV Light-Curing Methods 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 79
- 238000000034 method Methods 0.000 description 17
- 239000002609 medium Substances 0.000 description 12
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 9
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 7
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 7
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 7
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 7
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 239000008119 colloidal silica Substances 0.000 description 5
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 5
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 5
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 description 5
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229920001328 Polyvinylidene chloride Polymers 0.000 description 4
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 4
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 4
- 230000005606 hygroscopic expansion Effects 0.000 description 4
- 239000005033 polyvinylidene chloride Substances 0.000 description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 4
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 3
- KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N boric acid Chemical compound OB(O)O KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004327 boric acid Substances 0.000 description 3
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 3
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 3
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 3
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 3
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 description 2
- 125000005083 alkoxyalkoxy group Chemical group 0.000 description 2
- VSCWAEJMTAWNJL-UHFFFAOYSA-K aluminium trichloride Chemical compound Cl[Al](Cl)Cl VSCWAEJMTAWNJL-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- BYFGZMCJNACEKR-UHFFFAOYSA-N aluminium(i) oxide Chemical compound [Al]O[Al] BYFGZMCJNACEKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000001309 chloro group Chemical group Cl* 0.000 description 2
- 239000002612 dispersion medium Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 229910002027 silica gel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000741 silica gel Substances 0.000 description 2
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethanol Chemical compound CCOCCO ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 229910002012 Aerosil® Inorganic materials 0.000 description 1
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000000177 Indigofera tinctoria Nutrition 0.000 description 1
- 108010009736 Protein Hydrolysates Proteins 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004423 acyloxy group Chemical group 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 1
- 230000001476 alcoholic effect Effects 0.000 description 1
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005422 blasting Methods 0.000 description 1
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- 150000004770 chalcogenides Chemical class 0.000 description 1
- 239000012295 chemical reaction liquid Substances 0.000 description 1
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000007822 coupling agent Substances 0.000 description 1
- 239000012153 distilled water Substances 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- -1 durability Substances 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 125000003700 epoxy group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 238000007602 hot air drying Methods 0.000 description 1
- 125000001183 hydrocarbyl group Chemical group 0.000 description 1
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 description 1
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 229940097275 indigo Drugs 0.000 description 1
- COHYTHOBJLSHDF-UHFFFAOYSA-N indigo powder Natural products N1C2=CC=CC=C2C(=O)C1=C1C(=O)C2=CC=CC=C2N1 COHYTHOBJLSHDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 229910001004 magnetic alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000012046 mixed solvent Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 150000003961 organosilicon compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 229920005672 polyolefin resin Polymers 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 238000010992 reflux Methods 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- XJKVPKYVPCWHFO-UHFFFAOYSA-N silicon;hydrate Chemical compound O.[Si] XJKVPKYVPCWHFO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 230000008961 swelling Effects 0.000 description 1
- 125000003396 thiol group Chemical group [H]S* 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、反りの発生が防止され、安定した機械特性を
有する光磁気記録媒体に関する。
有する光磁気記録媒体に関する。
高密度大容量のメモリとして、光磁気ディスクが注目を
浴びているが、この光磁気ディスクなどの光磁気記録媒
体は、回転するディスク上にレーザー光を集光し、ディ
スクからの反射光の強弱を検出する基本構成を採用して
おり、ポリカーボネートやポリメチルメタクリレートな
どの透明な合成樹脂基板上に記録層を設けたものが代表
的なものである。
浴びているが、この光磁気ディスクなどの光磁気記録媒
体は、回転するディスク上にレーザー光を集光し、ディ
スクからの反射光の強弱を検出する基本構成を採用して
おり、ポリカーボネートやポリメチルメタクリレートな
どの透明な合成樹脂基板上に記録層を設けたものが代表
的なものである。
ところで、記録層に用いられる材料は、いずれも酸化ま
たは加水分解されやすい材料であるため、一般に、基板
上に設けた記録層は、S i mN4 、S 1AQN
、S 1AJ2ON等の誘電体層(または保護層)によ
り挟み込む構造が採用されている。
たは加水分解されやすい材料であるため、一般に、基板
上に設けた記録層は、S i mN4 、S 1AQN
、S 1AJ2ON等の誘電体層(または保護層)によ
り挟み込む構造が採用されている。
しかしながら、このような構造だけでは、基板と記録層
や誘電体層などとの密着性が不十分であるため、加速劣
化試験を行なうと、界面での剥離を生じ、長期信頼性に
欠ける。また、合成樹脂基板を用いた光情報記録媒体は
、基板の吸水・膨潤による反りが生じ、それに起因して
記録層が剥離したり、信号読み取りが不可能になったり
、あるいは透過水分により記録層が劣化するなどの問題
がある。
や誘電体層などとの密着性が不十分であるため、加速劣
化試験を行なうと、界面での剥離を生じ、長期信頼性に
欠ける。また、合成樹脂基板を用いた光情報記録媒体は
、基板の吸水・膨潤による反りが生じ、それに起因して
記録層が剥離したり、信号読み取りが不可能になったり
、あるいは透過水分により記録層が劣化するなどの問題
がある。
これらの問題点は、二酸化ケイ素被膜を設けた合成樹脂
基板を用いることによりある程度解決することができる
。
基板を用いることによりある程度解決することができる
。
さらに、保護層として、各種合成樹脂層や透明誘電体層
を設けることが提案されている0例えば、特開昭61−
39949号公報には、基板の片面に設けられた記録層
表面にカップリング剤を1〜2分子層設け、その上にポ
リ塩化ビニリデン共重合物含有層を形成することにより
、防湿性や耐食性を向上させることが提案されている。
を設けることが提案されている0例えば、特開昭61−
39949号公報には、基板の片面に設けられた記録層
表面にカップリング剤を1〜2分子層設け、その上にポ
リ塩化ビニリデン共重合物含有層を形成することにより
、防湿性や耐食性を向上させることが提案されている。
しかしながら、記録層の表面のみをポリ塩化ビニリデン
共重合物含有層で保護した場合には、基板面側からの透
過水分を遮断することができない。−方、全面にポリ塩
化ビニリデン共重合物含有層を形成すると、光の通路と
なる基板表面に耐擦傷性に劣る樹脂層が形成されること
になるので、信号劣化や感度の劣化など光情報記録媒体
としての基本的性能を著しく損なう恐れがある。しかも
、全面にポリ塩化ビニリデン共重合物含有層を形成して
も、耐湿性は充分ではなく、透過水分による記録層の劣
化を完全に防ぐことはできない。
共重合物含有層で保護した場合には、基板面側からの透
過水分を遮断することができない。−方、全面にポリ塩
化ビニリデン共重合物含有層を形成すると、光の通路と
なる基板表面に耐擦傷性に劣る樹脂層が形成されること
になるので、信号劣化や感度の劣化など光情報記録媒体
としての基本的性能を著しく損なう恐れがある。しかも
、全面にポリ塩化ビニリデン共重合物含有層を形成して
も、耐湿性は充分ではなく、透過水分による記録層の劣
化を完全に防ぐことはできない。
また、特開平1−264647号公報には、レーザー光
を用いて記録・再生・消去を行なう光磁気ディスクにお
いて、光磁気記録膜の界面の保護のための材料として、
金属とカルコゲナイドとからなる化合物を用いることが
提案されている。この方法によれば、水や酸素に対する
保護性能を有するとともに、保温性能に優れ、記録感度
の高い光磁気ディスクが提供される。
を用いて記録・再生・消去を行なう光磁気ディスクにお
いて、光磁気記録膜の界面の保護のための材料として、
金属とカルコゲナイドとからなる化合物を用いることが
提案されている。この方法によれば、水や酸素に対する
保護性能を有するとともに、保温性能に優れ、記録感度
の高い光磁気ディスクが提供される。
しかしながら、光磁気記録媒体においては、般に、記録
層、誘電体層、保護層などが基板の片側(グルーブ面側
)にのみ製膜されているため、特に、単板構成の光磁気
記録媒体の場合、基板の吸湿性が両面で不均一となり、
その結果、経時変化により基板が反ってしまい、記録再
生特性に悪影響を与える。
層、誘電体層、保護層などが基板の片側(グルーブ面側
)にのみ製膜されているため、特に、単板構成の光磁気
記録媒体の場合、基板の吸湿性が両面で不均一となり、
その結果、経時変化により基板が反ってしまい、記録再
生特性に悪影響を与える。
すなわち、光磁気記録媒体を加速劣化試験により、例え
ば、80℃、90%RHの環境下に置いた場合、記録層
や誘電体層、保護層などが設けられたグルーブ面側から
の基板への水蒸気の透過は極めて少ないが、読み取り面
側(記録層側とは反対側の基板面)からの水蒸気の透過
は比較的大きい、その結果、合成樹脂基板のグルーブ面
側と読み取り面側の吸湿膨張の差が大きくなり、基板の
反りが発生する。
ば、80℃、90%RHの環境下に置いた場合、記録層
や誘電体層、保護層などが設けられたグルーブ面側から
の基板への水蒸気の透過は極めて少ないが、読み取り面
側(記録層側とは反対側の基板面)からの水蒸気の透過
は比較的大きい、その結果、合成樹脂基板のグルーブ面
側と読み取り面側の吸湿膨張の差が大きくなり、基板の
反りが発生する。
しかも、合成樹脂基板のグルーブ面側と読み取り面側の
熱膨張の差が大きく、吸湿膨張の差と合わせて、反りが
大きくなる。
熱膨張の差が大きく、吸湿膨張の差と合わせて、反りが
大きくなる。
ところが、従来、単板構成の光磁気記録媒体において、
基板両面での吸湿膨張および熱膨張の差に起因する反り
の発生を防止する有効な手段は、いまだ提案されていな
い。
基板両面での吸湿膨張および熱膨張の差に起因する反り
の発生を防止する有効な手段は、いまだ提案されていな
い。
[発明が解決しようとする課題]
本発明の目的は、耐湿性(防湿性)、耐食性、耐擦傷性
に優れており、かつ、高温、高湿の環境下に置いた場合
でも、吸湿膨張および熱膨張による反りの発生が防止さ
れ、安定した機械特性を有する光磁気記録媒体を提供す
ることにある。
に優れており、かつ、高温、高湿の環境下に置いた場合
でも、吸湿膨張および熱膨張による反りの発生が防止さ
れ、安定した機械特性を有する光磁気記録媒体を提供す
ることにある。
本発明者らは、前記従来技術の有する問題点を克服する
ために鋭意研究した結果、合成樹脂製の透明基板上に、
記録層、誘電体層および保護層を設けた構造の光磁気記
録媒体において、全面に二酸化ケイ素被膜を被覆した合
成樹脂基板を用い、さらに、記録層側とは反対側の面(
グルーブのない面)に、誘電体層と同じ材質の無機材料
からなる薄膜を設けることにより、吸湿膨張および熱膨
張による基板の反りが防止された光磁気記録媒体の得ら
れることを見出した。
ために鋭意研究した結果、合成樹脂製の透明基板上に、
記録層、誘電体層および保護層を設けた構造の光磁気記
録媒体において、全面に二酸化ケイ素被膜を被覆した合
成樹脂基板を用い、さらに、記録層側とは反対側の面(
グルーブのない面)に、誘電体層と同じ材質の無機材料
からなる薄膜を設けることにより、吸湿膨張および熱膨
張による基板の反りが防止された光磁気記録媒体の得ら
れることを見出した。
本発明は、これらの知見に基づいて完成するに至ったも
のである。
のである。
〔課題を解決するための手段1
かくして、本発明によれば、全面に二酸化ケイ素被膜を
有する合成樹脂基板のグルーブ面に、無機材料よりなる
第一誘電体層、記録層、無機材料よりなる第二誘電体層
および紫外線硬化樹脂層がこの順に積層され、他面には
、前記第一または第二誘電体層と同じ材質の無機材料か
らなる薄膜が設けられていることを特徴とする光磁気記
録媒体が提供される。
有する合成樹脂基板のグルーブ面に、無機材料よりなる
第一誘電体層、記録層、無機材料よりなる第二誘電体層
および紫外線硬化樹脂層がこの順に積層され、他面には
、前記第一または第二誘電体層と同じ材質の無機材料か
らなる薄膜が設けられていることを特徴とする光磁気記
録媒体が提供される。
以下、本発明の各構成要素について説明する。
(合成樹脂基板)
本発明において、基板の材料として用いる合成樹脂とし
ては、ポリカーボネート、ポリメチルメタクリレート、
ポリオレフィン、エポキシ樹脂など一般に光磁気記録媒
体用として用いられている透明性に優れた合成樹脂であ
れば良く、特に制限されない。基板の膜厚は、所望によ
り適宜定めることができるが、単板構成の光磁気記録媒
体の場合、通常、1.2mmである。
ては、ポリカーボネート、ポリメチルメタクリレート、
ポリオレフィン、エポキシ樹脂など一般に光磁気記録媒
体用として用いられている透明性に優れた合成樹脂であ
れば良く、特に制限されない。基板の膜厚は、所望によ
り適宜定めることができるが、単板構成の光磁気記録媒
体の場合、通常、1.2mmである。
本発明では、合成樹脂基板の全面に二酸化ケイ素被膜が
形成されている。
形成されている。
二酸化ケイ素被膜を設けることにより、耐湿性を付与す
るとともに、誘電体層などの無機材料製薄膜との密着性
を向上させることができる。
るとともに、誘電体層などの無機材料製薄膜との密着性
を向上させることができる。
この場合、予め基板上に、ケイ素化合物、その加水分解
物、コロイダルシリカなどをプライマー層として用い、
被覆硬化させると、合成樹脂基板に対する二酸化ケイ素
被膜の密着性が向上する。
物、コロイダルシリカなどをプライマー層として用い、
被覆硬化させると、合成樹脂基板に対する二酸化ケイ素
被膜の密着性が向上する。
二酸化ケイ素被膜の形成方法としては、例えば、真空蒸
着法、シランガスを用いたCVD法、石英板をターゲッ
トとしたスパッタリング法、液相成長法、有機ケイ素化
合物の有機溶媒を用いたディッピング法、または二酸化
ケイ素の過飽和状態のケイフッ化水素酸溶液中に浸漬し
、二酸化ケイ素被膜を析出させる析出法などがある。こ
れらの中でも、析出法は、作業が簡単で、しかも均一な
被膜を形成することができるので、特に好まし゛い。
着法、シランガスを用いたCVD法、石英板をターゲッ
トとしたスパッタリング法、液相成長法、有機ケイ素化
合物の有機溶媒を用いたディッピング法、または二酸化
ケイ素の過飽和状態のケイフッ化水素酸溶液中に浸漬し
、二酸化ケイ素被膜を析出させる析出法などがある。こ
れらの中でも、析出法は、作業が簡単で、しかも均一な
被膜を形成することができるので、特に好まし゛い。
この析出法については、特開昭61−12734号公報
に詳細に開示されている公知の方法が適用できる。二酸
化ケイ素の過飽和状態のケイフッ化水素酸溶液は、ケイ
フッ化水素酸溶液に二酸化ケイ素(シリカゲル、エアロ
ジル、シリカガラス、その他二酸化ケイ素含有物など)
を溶解させた後、水または試薬(ホウ酸、塩化アルミニ
ウムなど)を添加し、二酸化ケイ素の過飽和状態とした
ものである。二酸化ケイ素被膜を形成するには、この処
理液中に基板を浸漬するか、基板表面に処理液を流下さ
せればよいが、均一な被膜を形成するためには浸漬法が
好ましい。
に詳細に開示されている公知の方法が適用できる。二酸
化ケイ素の過飽和状態のケイフッ化水素酸溶液は、ケイ
フッ化水素酸溶液に二酸化ケイ素(シリカゲル、エアロ
ジル、シリカガラス、その他二酸化ケイ素含有物など)
を溶解させた後、水または試薬(ホウ酸、塩化アルミニ
ウムなど)を添加し、二酸化ケイ素の過飽和状態とした
ものである。二酸化ケイ素被膜を形成するには、この処
理液中に基板を浸漬するか、基板表面に処理液を流下さ
せればよいが、均一な被膜を形成するためには浸漬法が
好ましい。
二酸化ケイ素被膜の膜厚は1通常、100人〜数100
0人、好ましくは300〜1000人程度で表面改質の
目的を達成することができる。
0人、好ましくは300〜1000人程度で表面改質の
目的を達成することができる。
ブライマーに用いるケイ素化合物としては、例えば、一
般式[I]で表わされるケイ素化合物やそれらの加水分
解物を挙げることができる。
般式[I]で表わされるケイ素化合物やそれらの加水分
解物を挙げることができる。
(R’)、 S i (R”)4−n[I ](ただ
し、式中、R′は炭素数1〜6の炭化水素基、ビニル基
、メククリロキシ基、エポキシ基、アミノ基、メルカプ
ト基、フッ素または塩素を有する有機基から選ばれ、R
2はアルコキシ基、アルコキシアルコキシ基、塩素原子
から選ばれ、それぞれ互いに同一または相異なっていて
もよく、nはO〜4の整数を表わす、) また、一般式[I]で表わされるケイ素化合物の加水分
解物とは、該ケイ素化合物中のアルコキシ基、アルコキ
シアルコキシ基、アシルオキシ基、塩素原子の一部また
は全部が水酸基に置換されたもの、および置換された水
酸基どうしが一部自然に縮合したものを含んでいる。こ
れらの加水分解物は、例えば、水およびアルコールのよ
うな混合溶媒中、酸の存在下で加水分解することによっ
て得られる。
し、式中、R′は炭素数1〜6の炭化水素基、ビニル基
、メククリロキシ基、エポキシ基、アミノ基、メルカプ
ト基、フッ素または塩素を有する有機基から選ばれ、R
2はアルコキシ基、アルコキシアルコキシ基、塩素原子
から選ばれ、それぞれ互いに同一または相異なっていて
もよく、nはO〜4の整数を表わす、) また、一般式[I]で表わされるケイ素化合物の加水分
解物とは、該ケイ素化合物中のアルコキシ基、アルコキ
シアルコキシ基、アシルオキシ基、塩素原子の一部また
は全部が水酸基に置換されたもの、および置換された水
酸基どうしが一部自然に縮合したものを含んでいる。こ
れらの加水分解物は、例えば、水およびアルコールのよ
うな混合溶媒中、酸の存在下で加水分解することによっ
て得られる。
コロイダルシリカは、粒径〜lootLmのシリカの超
微粒子を水またはアルコール系分散媒に分散せしめたゾ
ルまたはこのゾルから分散媒を除去せしめた乾燥粉末で
あり、市販品を使用することができる。
微粒子を水またはアルコール系分散媒に分散せしめたゾ
ルまたはこのゾルから分散媒を除去せしめた乾燥粉末で
あり、市販品を使用することができる。
プライマー層の形成方法は、公知の方法が採用でき、例
えば、これらのケイ素化合物、その加水分解物またはコ
ロイダルシリカなどを基板表面に塗料として塗布した後
、熱、紫外線、電子線等を用いて硬化させたり、あるい
は、真空蒸着、スパッタリング、プラズマ重合、イオン
ブレーテ、fング等の薄膜形成法を利用して行なうこと
ができる。
えば、これらのケイ素化合物、その加水分解物またはコ
ロイダルシリカなどを基板表面に塗料として塗布した後
、熱、紫外線、電子線等を用いて硬化させたり、あるい
は、真空蒸着、スパッタリング、プラズマ重合、イオン
ブレーテ、fング等の薄膜形成法を利用して行なうこと
ができる。
(誘電体層、記録層および紫外線硬化樹脂層)全面に二
酸化ケイ素被膜が形成された合成樹脂基板のグルーブ面
に、第一誘電体層、記録層、第二誘電体層および紫外線
硬化樹脂層がこの順に積層されている。
酸化ケイ素被膜が形成された合成樹脂基板のグルーブ面
に、第一誘電体層、記録層、第二誘電体層および紫外線
硬化樹脂層がこの順に積層されている。
1二ILLI
第一誘電体層を形成する無機材料としては、防湿性があ
ること、光透過率が高いこと(好ましくは97%以上)
、合成樹脂基板の屈折率に近い屈折率を有していること
、二酸化ケイ素被膜との密着性が良いこと、できるだけ
記録時の最適記録パワーが小さくなるように熱伝導率が
低いこと、などの物性を満足するものが望ましく、例え
ば、SiN%AβN%Sin、Al2O%AI2* O
,、Ties 、SiC,Sis N4.5iAI2O
N等が挙げられる。
ること、光透過率が高いこと(好ましくは97%以上)
、合成樹脂基板の屈折率に近い屈折率を有していること
、二酸化ケイ素被膜との密着性が良いこと、できるだけ
記録時の最適記録パワーが小さくなるように熱伝導率が
低いこと、などの物性を満足するものが望ましく、例え
ば、SiN%AβN%Sin、Al2O%AI2* O
,、Ties 、SiC,Sis N4.5iAI2O
N等が挙げられる。
第一誘電る層の膜厚は、通常、0.01〜0.2μmで
ある。
ある。
L藍1
記録層としては、例えば、TbFeCo、GdDyFe
%TbDyFeCo、DyFe、NdDyFeCo、T
bFe、GdFeB1.GdTbFeなどの非晶質磁性
合金からなる記録膜、あるいは相変化型記録材料や色素
系記録材料からなる膜など従来公知のものがいずれも使
用可能であるが、その中でも、非晶質合金から選ばれる
1種ないしそれらの組み合わせの単層ないし複合層のも
のが好ましい。
%TbDyFeCo、DyFe、NdDyFeCo、T
bFe、GdFeB1.GdTbFeなどの非晶質磁性
合金からなる記録膜、あるいは相変化型記録材料や色素
系記録材料からなる膜など従来公知のものがいずれも使
用可能であるが、その中でも、非晶質合金から選ばれる
1種ないしそれらの組み合わせの単層ないし複合層のも
のが好ましい。
記録層は、通常、0.01〜0.1μmの膜厚が好まし
い。
い。
にH1差1
第一誘電体層を形成する無機材料と同種のものが使用で
きるが、その中でも、硬度が大きく、耐擦傷性の良好な
ものが好ましい。
きるが、その中でも、硬度が大きく、耐擦傷性の良好な
ものが好ましい。
第二誘電体層の膜厚は、通常、0.01〜0.2μmで
ある。
ある。
以上の第一誘電体層、記録層および第二誘電体層の作成
手段としては、例えば、真空蒸着、スパッタリング、イ
オンブレーティングなどの真空製膜手段が硬質の無機材
料を均一な厚さに製膜することができるため、好ましい
。
手段としては、例えば、真空蒸着、スパッタリング、イ
オンブレーティングなどの真空製膜手段が硬質の無機材
料を均一な厚さに製膜することができるため、好ましい
。
紫外線性硬化樹脂層は、任意の方法で形成されてよく、
たとえば第二誘電体層の上に、アクリル系、エポキシ系
等の紫外線硬化樹脂をスピンコード法により塗布した後
、紫外線を照射することにより形成される。紫外線硬化
樹脂層の膜厚は、通常、10〜30μmが好ましい。
たとえば第二誘電体層の上に、アクリル系、エポキシ系
等の紫外線硬化樹脂をスピンコード法により塗布した後
、紫外線を照射することにより形成される。紫外線硬化
樹脂層の膜厚は、通常、10〜30μmが好ましい。
紫外線硬化樹脂層を形成することにより、耐久性、耐薬
品性、機械的強度等が向上し、第二誘電耐層を保護する
ことができる。
品性、機械的強度等が向上し、第二誘電耐層を保護する
ことができる。
(無機材料製薄膜)
基板の記録層側と反対側(読み取り面側)には、前記第
一または第二誘電体層と同じ材質の無機材料からなる薄
膜が設けられている。
一または第二誘電体層と同じ材質の無機材料からなる薄
膜が設けられている。
製膜方法は、前記誘電体層形成におけるのと同じ方法を
採用することができる。また、この層の膜厚は、通常、
0.1〜0.3μmであるが、第一誘電体層と第二誘電
体層の合計厚みとほぼ同じ厚さにすれば、合成樹脂基板
の内部応力を相殺し、より効果的に反りの発生を防止す
ることができるので好ましい。
採用することができる。また、この層の膜厚は、通常、
0.1〜0.3μmであるが、第一誘電体層と第二誘電
体層の合計厚みとほぼ同じ厚さにすれば、合成樹脂基板
の内部応力を相殺し、より効果的に反りの発生を防止す
ることができるので好ましい。
本発明の光磁気記録媒体は、基板の読み取り面側に上記
無機材料からなる薄膜が設けられているので、次のよう
な作用効果を奏することができる。
無機材料からなる薄膜が設けられているので、次のよう
な作用効果を奏することができる。
■ 80℃、90%RHといった高温、高湿の環境下に
置いた場合でも、グルーブ面側と読み取り面側の熱膨張
の差による反りの発生を防止することができる。
置いた場合でも、グルーブ面側と読み取り面側の熱膨張
の差による反りの発生を防止することができる。
■ 基板の読み取り面側に、防湿性の二酸化ケイ素被膜
と、無機材料製薄膜を積層することにより、合成樹脂基
板の吸湿膨張を抑え、反りの発生を防止することができ
る。
と、無機材料製薄膜を積層することにより、合成樹脂基
板の吸湿膨張を抑え、反りの発生を防止することができ
る。
■ グルーブ面側と読み取り面側に、同じ材質で、好ま
しくは同じ(合計)膜厚の無機材料製薄膜を設けること
により、合成樹脂基板の内部応力を相殺し、反りの発生
を防止することができる。
しくは同じ(合計)膜厚の無機材料製薄膜を設けること
により、合成樹脂基板の内部応力を相殺し、反りの発生
を防止することができる。
■ 読み取り面側に無機材料製薄膜を設けることにより
、耐擦傷性をさらに向上させることができる。
、耐擦傷性をさらに向上させることができる。
(以下余白)
[実施例〕
以下、本発明について実施例および比較例を挙げて具体
的に説明するが、本発明はこれら実施例のみに限定され
るものではない。なお、これらの例における部および%
は、特に断りのない限り重量基準である。
的に説明するが、本発明はこれら実施例のみに限定され
るものではない。なお、これらの例における部および%
は、特に断りのない限り重量基準である。
また、実施例および比較例における加速劣化試験の方法
は、次のとおりである。
は、次のとおりである。
く加速劣化試験〉
恒温恒温機にて、80℃、90%RHの条件で、光磁気
記録媒体(光磁気ディスク)を100時間保持した後、
外観および反りの評価を行なった。
記録媒体(光磁気ディスク)を100時間保持した後、
外観および反りの評価を行なった。
■=加速劣化試験後の光磁気ディスクを目視にて観察し
、基板と各層との界面での剥離の有無を評価した。
、基板と各層との界面での剥離の有無を評価した。
反」、:加速劣化試験後の光磁気ディスクの半径方向傾
きを測定した。測定位置はディスク中心より半径方向に
45mmの位置である。初期値をOとし、記録層側が凹
になる向きの反りを+とした。
きを測定した。測定位置はディスク中心より半径方向に
45mmの位置である。初期値をOとし、記録層側が凹
になる向きの反りを+とした。
[実施例1]
ポリカーボネート(PC)からなる光磁気ディスク基板
(直径130mm、厚さ1.2mm)に、以下の操作に
よって、各層を製膜した。
(直径130mm、厚さ1.2mm)に、以下の操作に
よって、各層を製膜した。
(1)ブライマー層の形成
先ず、γ−グリドキシプロピルトリメトキシシラン35
0部、水分散コロイダルシリカ14部、蒸留水9部およ
び1.2規定塩酸水溶液3部を混合し、80℃で4時間
還流後、57部の溶媒を80〜90℃で留出した。この
ようにして得られたコロイダルシリカを含むγ−グリド
キシプロピルトリメトキシシランの加水分解物溶液66
部に、エチルセロソルブ100部および硬化触媒、フロ
ーコントロール剤を少々添加し塗料とした。
0部、水分散コロイダルシリカ14部、蒸留水9部およ
び1.2規定塩酸水溶液3部を混合し、80℃で4時間
還流後、57部の溶媒を80〜90℃で留出した。この
ようにして得られたコロイダルシリカを含むγ−グリド
キシプロピルトリメトキシシランの加水分解物溶液66
部に、エチルセロソルブ100部および硬化触媒、フロ
ーコントロール剤を少々添加し塗料とした。
この塗料を基板に浸漬法にて塗布し、120℃の熱風乾
燥炉で30分間処理した。
燥炉で30分間処理した。
(2)二酸化ケイ素被膜の形成
このようにしてブライマー層を設けた基板の全面に、特
開昭61−12734号公報に示されているのと同様の
二酸化ケイ素被膜製造装置を用いて、二酸化ケイ素被膜
を析出させた。
開昭61−12734号公報に示されているのと同様の
二酸化ケイ素被膜製造装置を用いて、二酸化ケイ素被膜
を析出させた。
すなわち、二酸化ケイ素被膜製造装置は、外槽と内槽か
ら成る浸漬槽を有し、内槽と外槽の間には水が満しであ
る。この水は温度が35℃となるようヒーターで加熱さ
れ、かつ、温度分布均一化のため攪拌機で撹拌されてい
る。内槽は前部、中部、後部からなり各部には工業用シ
リカゲル粉末を二酸化ケイ素の供給源として、二酸化ケ
イ素を溶解、飽和させた2、0モル/I2の濃度のケイ
フッ化水素酸水溶液を水を用いて倍に希釈した3℃の反
応液が満たしである。ここで、循環ポンプを作動させ内
槽後部の反応液を一定量ずつ放出してフィルターで濾過
し、内槽前部へ戻す処理液循環を開始した。その後、0
.5モル/ρのホウ酸水溶液を連続的に内槽後部に摘下
し10時間保持した。この状態で反応液は適度な二酸化
ケイ素過飽和度を有する処理液となった。ここでフィル
ターの絶対除去率を1.5μmおよび処理液循環量を2
40mρ/分(処理液全量が約312であるので、循環
量は8%/分である)に調整した。
ら成る浸漬槽を有し、内槽と外槽の間には水が満しであ
る。この水は温度が35℃となるようヒーターで加熱さ
れ、かつ、温度分布均一化のため攪拌機で撹拌されてい
る。内槽は前部、中部、後部からなり各部には工業用シ
リカゲル粉末を二酸化ケイ素の供給源として、二酸化ケ
イ素を溶解、飽和させた2、0モル/I2の濃度のケイ
フッ化水素酸水溶液を水を用いて倍に希釈した3℃の反
応液が満たしである。ここで、循環ポンプを作動させ内
槽後部の反応液を一定量ずつ放出してフィルターで濾過
し、内槽前部へ戻す処理液循環を開始した。その後、0
.5モル/ρのホウ酸水溶液を連続的に内槽後部に摘下
し10時間保持した。この状態で反応液は適度な二酸化
ケイ素過飽和度を有する処理液となった。ここでフィル
ターの絶対除去率を1.5μmおよび処理液循環量を2
40mρ/分(処理液全量が約312であるので、循環
量は8%/分である)に調整した。
そして、上記ブライマー処理を行なった光デイスク基板
を内槽中部に垂直に浸漬し、前記条件(0,5モル/I
2のホウ酸水溶液を0.2mβ/分で添加し、8%/分
の循環を行ない、1.5μmのフィルターで濾過する)
で6時間保持した。
を内槽中部に垂直に浸漬し、前記条件(0,5モル/I
2のホウ酸水溶液を0.2mβ/分で添加し、8%/分
の循環を行ない、1.5μmのフィルターで濾過する)
で6時間保持した。
この結果、約500人の膜厚を有する二酸化ケイ素被膜
で全面が被覆された基板を得た。
で全面が被覆された基板を得た。
(3)誘電体層、記録層および紫外線硬化樹脂層の形成
上記二酸化ケイ素被膜を全面に有するポリカーボネート
基板を久バッタ装置の真空槽に導入し、I X 10−
’Torrまで排気した後、アルゴンガスな1 x 1
0−”Torr導入し、片面に、第一誘電体層としてS
iNを1000人製膜した。ついで、アルゴンガス圧を
5. Qx l O−”Torrとして記録層のTbF
eCoを500人、さらに第二誘電体層としてSiNを
その上に1000人製膜した。
基板を久バッタ装置の真空槽に導入し、I X 10−
’Torrまで排気した後、アルゴンガスな1 x 1
0−”Torr導入し、片面に、第一誘電体層としてS
iNを1000人製膜した。ついで、アルゴンガス圧を
5. Qx l O−”Torrとして記録層のTbF
eCoを500人、さらに第二誘電体層としてSiNを
その上に1000人製膜した。
第二誘電体層上に、紫外線硬化性樹脂(大日本インキ社
製、紫外線硬化性樹脂5D−301;粘度400 c
P )を、スピンコード法により塗布した後、紫外線を
照射して、紫外線硬化樹脂層を15μmの膜厚で形成し
た。
製、紫外線硬化性樹脂5D−301;粘度400 c
P )を、スピンコード法により塗布した後、紫外線を
照射して、紫外線硬化樹脂層を15μmの膜厚で形成し
た。
(4) 無機材料性薄膜の形成
ポリカーボネート基板の読み取り面側の二酸化ケイ素被
膜の上に、スパッタリング法によりSiNの薄膜を20
00人の膜厚で形成した。
膜の上に、スパッタリング法によりSiNの薄膜を20
00人の膜厚で形成した。
得られた光磁気ディスクの加速劣化試験の結果は、第1
表に示す。
表に示す。
[比較例1]
実施例1において、二酸化ケイ素被膜を設けていないポ
リカーボネート基板を用いたこと以外は、実施例1と同
様にして光磁気ディスクを作成した。
リカーボネート基板を用いたこと以外は、実施例1と同
様にして光磁気ディスクを作成した。
[比較例2]
実施例1において、二酸化ケイ素被膜を設けていないポ
リカーボネート基板を用い、かつ、基板の読み取り面側
に無機材料製薄膜を形成しなかったこと以外は、実施例
1と同様にして光磁気ディスクを作成した。
リカーボネート基板を用い、かつ、基板の読み取り面側
に無機材料製薄膜を形成しなかったこと以外は、実施例
1と同様にして光磁気ディスクを作成した。
結果を一括して第1表に示す。
第1表
第1表より、全面に二酸化ケイ素被膜を形成させた合成
樹脂基板を用い、かつ、読み取り面側に、誘電体層と同
じ材質の無機材料製薄膜を設けることにより、高温高温
にもかかわらず、基板の反りの変化が少なく、しかも外
観上価れた光磁気記録媒体の得られることが分かる。
樹脂基板を用い、かつ、読み取り面側に、誘電体層と同
じ材質の無機材料製薄膜を設けることにより、高温高温
にもかかわらず、基板の反りの変化が少なく、しかも外
観上価れた光磁気記録媒体の得られることが分かる。
本発明によれば、耐湿性(防湿性)、耐食性、耐擦傷性
に優れており、かつ、高温高湿の環境下に置いた場合で
も、反りの発生が防止され、安定した機械特性を有する
光磁気記録媒体が提供される。
に優れており、かつ、高温高湿の環境下に置いた場合で
も、反りの発生が防止され、安定した機械特性を有する
光磁気記録媒体が提供される。
Claims (1)
- (1)全面に二酸化ケイ素被膜を有する合成樹脂基板の
グルーブ面に、無機材料よりなる第一誘電体層、記録層
、無機材料よりなる第二誘電体層および紫外線硬化樹脂
層がこの順に積層され、他面には、前記第一または第二
誘電体層と同じ材質の無機材料からなる薄膜が設けられ
ていることを特徴とする光磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13791290A JPH0432052A (ja) | 1990-05-28 | 1990-05-28 | 光磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13791290A JPH0432052A (ja) | 1990-05-28 | 1990-05-28 | 光磁気記録媒体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0432052A true JPH0432052A (ja) | 1992-02-04 |
Family
ID=15209588
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP13791290A Pending JPH0432052A (ja) | 1990-05-28 | 1990-05-28 | 光磁気記録媒体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0432052A (ja) |
-
1990
- 1990-05-28 JP JP13791290A patent/JPH0432052A/ja active Pending
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPH0432052A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
JPH0419844A (ja) | 光情報記録媒体 | |
JPS6116815A (ja) | 光デイスク基板の製造方法 | |
JPH06158019A (ja) | 保護コート剤 | |
JPS62290734A (ja) | 光記録媒体用基体およびその製法 | |
JPH03141048A (ja) | 酸化ケイ素被覆光情報記録媒体およびその製造方法 | |
JPH0460935A (ja) | 光情報記録媒体 | |
JP2606729B2 (ja) | 光磁気記録媒体 | |
JPH02301032A (ja) | 二酸化ケイ素被覆光情報記録媒体およびその製造方法 | |
JPH0373433A (ja) | 酸化ケイ素被覆光情報記録媒体およびその製造方法 | |
JP2555181B2 (ja) | 光記録媒体 | |
JPS6053938A (ja) | 合成樹脂製フオトクロミツクレンズ | |
JPH02193342A (ja) | 光磁気記録媒体の製造方法 | |
JPH0414642A (ja) | 光情報記録媒体 | |
JPH0384750A (ja) | 被覆光情報記録媒体およびその製造方法 | |
JPH0373435A (ja) | 酸化ケイ素被覆光情報記録媒体およびその製造方法 | |
JPH0384751A (ja) | 酸化ケイ素被覆光情報記録媒体およびその製造方法 | |
JPH03108136A (ja) | 光情報記録媒体およびその製造方法 | |
JPH0373434A (ja) | 酸化ケイ素被覆光情報記録媒体およびその製造方法 | |
JPH02168453A (ja) | 光磁気記録媒体の製造方法 | |
JPS6159647A (ja) | 光学的記録媒体 | |
JPS62217440A (ja) | 光ディスク用基板 | |
JPH01132640A (ja) | 二酸化珪素被覆ポリカーボネート成形体の製造方法 | |
JPH01292639A (ja) | 光ディスク | |
JPS59217242A (ja) | 情報記録媒体 |