JPH02297850A - X線発生管用ターゲットおよびx線発生管 - Google Patents
X線発生管用ターゲットおよびx線発生管Info
- Publication number
- JPH02297850A JPH02297850A JP22084989A JP22084989A JPH02297850A JP H02297850 A JPH02297850 A JP H02297850A JP 22084989 A JP22084989 A JP 22084989A JP 22084989 A JP22084989 A JP 22084989A JP H02297850 A JPH02297850 A JP H02297850A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- target
- rays
- generating tube
- ray generating
- ray
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 24
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 37
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 12
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 12
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical group [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000011575 calcium Substances 0.000 claims description 8
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 5
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 4
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 claims description 3
- 239000011734 sodium Substances 0.000 claims description 3
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 claims description 2
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 150000002222 fluorine compounds Chemical class 0.000 claims 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 8
- 230000005855 radiation Effects 0.000 abstract description 7
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 abstract description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 2
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 abstract description 2
- 230000035699 permeability Effects 0.000 abstract 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 abstract 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 13
- WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L calcium difluoride Chemical compound [F-].[F-].[Ca+2] WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 5
- 239000013077 target material Substances 0.000 description 5
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 description 4
- ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N beryllium atom Chemical compound [Be] ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910001634 calcium fluoride Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 4
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 3
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- -1 Ll) Substances 0.000 description 2
- OYLGJCQECKOTOL-UHFFFAOYSA-L barium fluoride Chemical compound [F-].[F-].[Ba+2] OYLGJCQECKOTOL-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 229910001632 barium fluoride Inorganic materials 0.000 description 2
- QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N barium oxide Chemical compound [Ba]=O QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Chemical compound [O-2].[Ca+2] BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 2
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 2
- 229910000833 kovar Inorganic materials 0.000 description 2
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical compound [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 2
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PUZPDOWCWNUUKD-UHFFFAOYSA-M sodium fluoride Chemical compound [F-].[Na+] PUZPDOWCWNUUKD-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 241001436793 Meru Species 0.000 description 1
- 239000000292 calcium oxide Substances 0.000 description 1
- ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Inorganic materials [Ca]=O ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 150000004673 fluoride salts Chemical class 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- FUJCRWPEOMXPAD-UHFFFAOYSA-N lithium oxide Chemical compound [Li+].[Li+].[O-2] FUJCRWPEOMXPAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001947 lithium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L magnesium fluoride Chemical compound [F-].[F-].[Mg+2] ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000010445 mica Substances 0.000 description 1
- 229910052618 mica group Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- 239000011775 sodium fluoride Substances 0.000 description 1
- 235000013024 sodium fluoride Nutrition 0.000 description 1
- KKCBUQHMOMHUOY-UHFFFAOYSA-N sodium oxide Chemical compound [O-2].[Na+].[Na+] KKCBUQHMOMHUOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001948 sodium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、固定陽極X線発生管、特に透過型X線発生管
のターゲットおよびそのターゲットを用いたX線発生管
に関するものである。
のターゲットおよびそのターゲットを用いたX線発生管
に関するものである。
物質分析のための比較的微弱な特定波長のX線を発生す
るX線発生管として、透過型のX線発生管が知られてい
る。この透過型X線発生管は、電子ビームを放出するカ
ソード、その電子ビームを制御するグリッド、その電子
ビームを受は反対側の面からX線を放射する透過型のタ
ーゲット、およびそのX線を外部に放出するためのX線
透過用窓を基本要素として備えており、これらが気密外
囲器内に収められている。
るX線発生管として、透過型のX線発生管が知られてい
る。この透過型X線発生管は、電子ビームを放出するカ
ソード、その電子ビームを制御するグリッド、その電子
ビームを受は反対側の面からX線を放射する透過型のタ
ーゲット、およびそのX線を外部に放出するためのX線
透過用窓を基本要素として備えており、これらが気密外
囲器内に収められている。
ところで、この種のX線発生管に用いられるターゲット
としては、一般に安定な単体金属または合金を薄膜化し
たものが用いられている。このように、単体金属または
合金の薄膜をターゲットとして用いた場合には、ターゲ
ットに撓みが生じ易く、ターゲットに撓みが生じると、
発生するX線のユニフォーミティ(均等性)が悪くなる
。このため、ターゲットの機械的強度を保つ必要があり
、その膜厚を電子を受けてX線を発生するに最低限必要
とされる厚みよりもこれを大幅に上回った厚みにしなけ
ればならなかった。
としては、一般に安定な単体金属または合金を薄膜化し
たものが用いられている。このように、単体金属または
合金の薄膜をターゲットとして用いた場合には、ターゲ
ットに撓みが生じ易く、ターゲットに撓みが生じると、
発生するX線のユニフォーミティ(均等性)が悪くなる
。このため、ターゲットの機械的強度を保つ必要があり
、その膜厚を電子を受けてX線を発生するに最低限必要
とされる厚みよりもこれを大幅に上回った厚みにしなけ
ればならなかった。
しかし、ターゲットの厚みを厚くすると、一旦発生した
X線がターゲット内部で吸収されてしまい、X線の放射
効率が低下してしまう。
X線がターゲット内部で吸収されてしまい、X線の放射
効率が低下してしまう。
そこで、上述した事情に鑑み、本発明はX線の放射効率
を向上させることを目的としている。
を向上させることを目的としている。
上述の目的を達成するため、本発明によるX線発生管用
ターゲットにおいては、X線透過性の基体と、電子を受
けてX線を放射する材料で前記基体上に形成されたター
ゲット膜とを備えた構成となっている。
ターゲットにおいては、X線透過性の基体と、電子を受
けてX線を放射する材料で前記基体上に形成されたター
ゲット膜とを備えた構成となっている。
また、本発明によるX線発生管においては、このX線発
生管用ターゲットを用いたものである。
生管用ターゲットを用いたものである。
この様な構成とすることにより、電子を受けてX線を放
射する材料で形成されたターゲット膜の厚さを、X線を
発生するに必要最低限の厚さとすることが可能となり、
これにより、ターゲット膜内でのX線の吸収が最小限に
抑えられる。
射する材料で形成されたターゲット膜の厚さを、X線を
発生するに必要最低限の厚さとすることが可能となり、
これにより、ターゲット膜内でのX線の吸収が最小限に
抑えられる。
また、ターゲット膜の表面に導電性薄膜を形成すること
により、ターゲット膜を絶縁物から形成した場合にも、
X線出力が安定する。
により、ターゲット膜を絶縁物から形成した場合にも、
X線出力が安定する。
さらに、基体を熱伝導性の良好な材料で形成することに
より、ターゲット膜の温度上昇が抑制される。
より、ターゲット膜の温度上昇が抑制される。
第1図は、本発明によるX線発生管用ターゲットの一実
施例を示した部分断面斜視図である。
施例を示した部分断面斜視図である。
本実施例のX線発生管用ターゲット4は、基本的には、
円盤状の基体1と、この基体1上にその外周部を除いて
形成されたターゲット膜2とから構成されている。
円盤状の基体1と、この基体1上にその外周部を除いて
形成されたターゲット膜2とから構成されている。
基体1は、X線透過性及び熱伝導性に優れた材料、例え
ば、ベリリウムで形成されており、その厚さは、約10
0μmである。このため、基体1は適当な機械的強度を
有している。
ば、ベリリウムで形成されており、その厚さは、約10
0μmである。このため、基体1は適当な機械的強度を
有している。
ターゲット膜2は、電子を受けてX線を放射する材料で
真空蒸着等の方法により形成され、その厚みは、ターゲ
ット膜2を形成する材料によって異なるが、X線を発生
するに必要最小限の厚さとされることが好ましい。この
ようにすることによって、ターゲット膜2内でのX線の
吸収を最小限に抑えることができるからである。なお、
このようにターゲット膜2の厚さを必要最小限の厚さと
しても、ターゲット膜2は適当な機械的強度を有する基
体1に担持されているので、撓みを生じ難(、発生する
X線のユニフォーミティ (均等性)が向上する。また
、基体1に熱伝導性に優れた材料を用いたことにより、
ターゲット膜2の放熱性が向上している。したがって、
ターゲットに照射される電子ビームの直径を小さく絞る
ことが可能となると共に、従来よりも大きなターゲット
電流が流れても、ターゲットが赤熱して穴が開くことが
なくなり、X線の最大発生線量が増大する。また、ター
ゲットの機械的強度及び放熱性の向上により、ターゲッ
ト面積を大きくすることが可能となっている。
真空蒸着等の方法により形成され、その厚みは、ターゲ
ット膜2を形成する材料によって異なるが、X線を発生
するに必要最小限の厚さとされることが好ましい。この
ようにすることによって、ターゲット膜2内でのX線の
吸収を最小限に抑えることができるからである。なお、
このようにターゲット膜2の厚さを必要最小限の厚さと
しても、ターゲット膜2は適当な機械的強度を有する基
体1に担持されているので、撓みを生じ難(、発生する
X線のユニフォーミティ (均等性)が向上する。また
、基体1に熱伝導性に優れた材料を用いたことにより、
ターゲット膜2の放熱性が向上している。したがって、
ターゲットに照射される電子ビームの直径を小さく絞る
ことが可能となると共に、従来よりも大きなターゲット
電流が流れても、ターゲットが赤熱して穴が開くことが
なくなり、X線の最大発生線量が増大する。また、ター
ゲットの機械的強度及び放熱性の向上により、ターゲッ
ト面積を大きくすることが可能となっている。
ターゲット膜2の材料として安定な単体金属であるチタ
ンを用いた場合には、その厚さは約30OAとされる。
ンを用いた場合には、その厚さは約30OAとされる。
なお、チタン以外に、かかる材料として、例えば、鉄、
金、タンタル、タングステン等を用いることができる。
金、タンタル、タングステン等を用いることができる。
また、これらの化合物を用いてもよいし、合金を用いて
もよい。
もよい。
更に、単体では不安定なカルシウム等の元素をターゲッ
ト膜2の材料として用いることも可能である。カルシウ
ムは、単体では反応性が強く不安定であるが、弗素等と
結合して弗化カルシウム(Ca F 2 )等の安定な
化合物を形成する。そこで、この様な安定な化合物でタ
ーゲット膜2を形成すれば、カルシウム等の単体では不
安定な元素の特性X線を安定して得ることができる。こ
の場合、弗化カルシウムで形成されるターゲット膜2の
厚さは、約3〜10μmとされる。なお、カルシウムを
ターゲット材料として用いるために、弗化カルシウムを
用いる以外に、その他の安定な化合物、例えば、酸化カ
ルシウム(Cab)を用いることができる。また、同様
にして、カルシウム以外の、単体では不安定な元素をタ
ーゲット材料として用いることができる。たとえば、マ
グネシウム(Mg) 、バリウム(Ba)、リチウム(
Ll)、ナトリウム(Na)などをターゲット材料とし
たい場合には、それぞれの弗化物である弗化マグネシウ
ム(M g F 2 ) 、弗化バリウム(BaF
)、弗化リチウム(L t F 2 ) 、弗化ナトリ
ウム(N a F 2 )や、それぞれの酸化物である
酸化マグネシウム(MgO) 、酸化バリウム(Bad
)、酸化リチウム(LLO)、酸化ナトリウム(N a
O)などをターゲット膜として用いることができる。
ト膜2の材料として用いることも可能である。カルシウ
ムは、単体では反応性が強く不安定であるが、弗素等と
結合して弗化カルシウム(Ca F 2 )等の安定な
化合物を形成する。そこで、この様な安定な化合物でタ
ーゲット膜2を形成すれば、カルシウム等の単体では不
安定な元素の特性X線を安定して得ることができる。こ
の場合、弗化カルシウムで形成されるターゲット膜2の
厚さは、約3〜10μmとされる。なお、カルシウムを
ターゲット材料として用いるために、弗化カルシウムを
用いる以外に、その他の安定な化合物、例えば、酸化カ
ルシウム(Cab)を用いることができる。また、同様
にして、カルシウム以外の、単体では不安定な元素をタ
ーゲット材料として用いることができる。たとえば、マ
グネシウム(Mg) 、バリウム(Ba)、リチウム(
Ll)、ナトリウム(Na)などをターゲット材料とし
たい場合には、それぞれの弗化物である弗化マグネシウ
ム(M g F 2 ) 、弗化バリウム(BaF
)、弗化リチウム(L t F 2 ) 、弗化ナトリ
ウム(N a F 2 )や、それぞれの酸化物である
酸化マグネシウム(MgO) 、酸化バリウム(Bad
)、酸化リチウム(LLO)、酸化ナトリウム(N a
O)などをターゲット膜として用いることができる。
このように、単体では不安定な元素を安定な化合物の形
でターゲット材料として用いることにより、従来は、反
応性が強く単体として扱いが困難な元素や、不安定で高
温に耐えられない元素であって、ターゲットとして利用
することが困難であった元素の特性X線を得ることがで
きるようになる。したがって、得られる特性X線の種類
が豊富となる。
でターゲット材料として用いることにより、従来は、反
応性が強く単体として扱いが困難な元素や、不安定で高
温に耐えられない元素であって、ターゲットとして利用
することが困難であった元素の特性X線を得ることがで
きるようになる。したがって、得られる特性X線の種類
が豊富となる。
そして、上述のようにターゲット膜2が絶縁性の化合物
で形成された場合には、ターゲット膜2の表面及び基体
1の外周部表面に、導電性薄膜3として、アルミニウム
の蒸着膜を約1000〜200OAの厚さで形成してお
くことが好ましい。
で形成された場合には、ターゲット膜2の表面及び基体
1の外周部表面に、導電性薄膜3として、アルミニウム
の蒸着膜を約1000〜200OAの厚さで形成してお
くことが好ましい。
(第2図参照)。なお、ターゲット膜2が導電棲の金属
等で形成された場合にも、導電性薄膜3を形成すること
は可能である。
等で形成された場合にも、導電性薄膜3を形成すること
は可能である。
第3図は、上述したX線発生管用ターゲット4を用いた
X線発生管の断面図である。ガラスからなる有底円筒状
の外囲器11の端部には、電子ビームを放出するカソー
ドとしてのフィラメント12が取り付けられている。そ
の前方には、電子ビームを制御するための円筒状の第1
グリツド13、第2グリツド14、及びホーカス用グリ
ッド15が順に配置されている。そして、ホーカス用グ
リッド15のさらに前方には、第1図又は第2図に示し
たターゲット4が取り付けられている。
X線発生管の断面図である。ガラスからなる有底円筒状
の外囲器11の端部には、電子ビームを放出するカソー
ドとしてのフィラメント12が取り付けられている。そ
の前方には、電子ビームを制御するための円筒状の第1
グリツド13、第2グリツド14、及びホーカス用グリ
ッド15が順に配置されている。そして、ホーカス用グ
リッド15のさらに前方には、第1図又は第2図に示し
たターゲット4が取り付けられている。
ターゲット4は、コバール合金製のリング16の内側に
ステンレス製のリング17が取り付けられた保持体に、
嵌め込まれ保持されている。この保持体の外周にコバー
ル合金製のリングが用いられているのは、膨張係数が外
囲器11の材料であるガラスとほぼ等しいためであり、
これによって外囲器11との接合が容易となる。また、
ターゲット4には、正の電圧が印加されており、ホーカ
ス用グリッド15と電気的に接続されている。ターゲッ
ト4のさらに前方には、X線透過性の優れたベリリウム
でできたX線透過窓18が設けられている。なお、外囲
器11はその内部が真空状態になっている。
ステンレス製のリング17が取り付けられた保持体に、
嵌め込まれ保持されている。この保持体の外周にコバー
ル合金製のリングが用いられているのは、膨張係数が外
囲器11の材料であるガラスとほぼ等しいためであり、
これによって外囲器11との接合が容易となる。また、
ターゲット4には、正の電圧が印加されており、ホーカ
ス用グリッド15と電気的に接続されている。ターゲッ
ト4のさらに前方には、X線透過性の優れたベリリウム
でできたX線透過窓18が設けられている。なお、外囲
器11はその内部が真空状態になっている。
つぎに、第3図に示したX線発生管の動作を説明する。
フィラメント12が通電により熱せられると、電子ビー
ムが放出される。この電子ビームは、ホーカス用グリッ
ド15などにより加速され、矢印Aで示すようにターゲ
ット4に高速で衝突する。ターゲット4のターゲット膜
2は、この電子ビームを受けてその材料固有の特性X線
を放射する。ここで、基体1がX線透過性のベリリウム
でできているため、X線は主として矢印Bで示すように
前方に放射され、さらにX線透過窓18から外部に放射
される。
ムが放出される。この電子ビームは、ホーカス用グリッ
ド15などにより加速され、矢印Aで示すようにターゲ
ット4に高速で衝突する。ターゲット4のターゲット膜
2は、この電子ビームを受けてその材料固有の特性X線
を放射する。ここで、基体1がX線透過性のベリリウム
でできているため、X線は主として矢印Bで示すように
前方に放射され、さらにX線透過窓18から外部に放射
される。
なお、ターゲット膜2を弗化カルシウム等の化合物で形
成した場合には、電子ビームがターゲット4に衝突した
ときに、カルシウム固有の特性X線が放射されると同時
に、弗素固有の特性X線も同時に放射されることになる
。しかし、両者の波長は比較的離れているので、カルシ
ウムの特性X線だけを後で抽出することは容易である。
成した場合には、電子ビームがターゲット4に衝突した
ときに、カルシウム固有の特性X線が放射されると同時
に、弗素固有の特性X線も同時に放射されることになる
。しかし、両者の波長は比較的離れているので、カルシ
ウムの特性X線だけを後で抽出することは容易である。
また、弗化カルシウム等の化合物は絶縁物であるので、
なんら対策を施さなければ、電子ビームの衝突によりそ
の表面がチャージアップされ、そのためにX線出力が変
動してしまう。しかし、本実施例のターゲット4は、タ
ーゲット膜2の表面がアルミニウム蒸着膜等の導電性薄
膜3で被覆され、さらに導電性薄膜3が外周部で基体1
と電気的に接続されているので表面がチャージアップさ
れることがなく、X線出力が安定している。
なんら対策を施さなければ、電子ビームの衝突によりそ
の表面がチャージアップされ、そのためにX線出力が変
動してしまう。しかし、本実施例のターゲット4は、タ
ーゲット膜2の表面がアルミニウム蒸着膜等の導電性薄
膜3で被覆され、さらに導電性薄膜3が外周部で基体1
と電気的に接続されているので表面がチャージアップさ
れることがなく、X線出力が安定している。
また、X線透過用窓18および基体1の材料として、ベ
リリウムを用いたがその他のX線透過材料、たとえば雲
母などを用いても良い。
リリウムを用いたがその他のX線透過材料、たとえば雲
母などを用いても良い。
また、チャージアップ防止用としての導電性薄膜3とし
て、アルミニウム蒸着膜を用いたが、その他の導電性薄
膜、たとえば金の薄膜でも良い。
て、アルミニウム蒸着膜を用いたが、その他の導電性薄
膜、たとえば金の薄膜でも良い。
ここで、チタンでターゲット膜2を形成した上述の実施
例たるターゲット4を用いたX線発生管と、厚さ8μm
のチタン薄膜をターゲットとして用いた従来のX線発生
管とを比較すると、通常動作条件で、従来のものに比べ
3倍のX線出力が得られた。また、従来に比し、ターゲ
ット電流を2桁以上大きくすることができた。また、従
来のX線発生管では、ターゲツト電流30μ八時、電子
ビーム径を300μm程度しか絞れなかったが、これを
数μmまで絞ることができるようになった。
例たるターゲット4を用いたX線発生管と、厚さ8μm
のチタン薄膜をターゲットとして用いた従来のX線発生
管とを比較すると、通常動作条件で、従来のものに比べ
3倍のX線出力が得られた。また、従来に比し、ターゲ
ット電流を2桁以上大きくすることができた。また、従
来のX線発生管では、ターゲツト電流30μ八時、電子
ビーム径を300μm程度しか絞れなかったが、これを
数μmまで絞ることができるようになった。
〔発明の効果〕
以上説明したように、本発明のX線発生管用ターゲット
およびX線発生管によれば、電子を受けてX線を放射す
る材料で形成されたターゲット膜の厚さを、X線を発生
するに必要最低限の厚さとすることが可能となり、これ
により、ターゲット膜内でのX線の吸収が最小限に抑え
られ、X線の放射効率が向上する。また、従来、単体で
は不安定なためターゲット材料とすることができなかっ
た元素を安定な化合物の形で利用することが可能となり
、そのような元素の特性X線を得ることができる。
およびX線発生管によれば、電子を受けてX線を放射す
る材料で形成されたターゲット膜の厚さを、X線を発生
するに必要最低限の厚さとすることが可能となり、これ
により、ターゲット膜内でのX線の吸収が最小限に抑え
られ、X線の放射効率が向上する。また、従来、単体で
は不安定なためターゲット材料とすることができなかっ
た元素を安定な化合物の形で利用することが可能となり
、そのような元素の特性X線を得ることができる。
また、ターゲット膜の表面に導電性薄膜を形成すること
により、ターゲット膜を絶縁物から形成した場合にも、
X線出力を安定して売ることができる。
により、ターゲット膜を絶縁物から形成した場合にも、
X線出力を安定して売ることができる。
さらに、基体を熱伝導性の良好な材料で形成することに
より、ターゲット膜の温度上昇が抑制される。これによ
り、ターゲット電流を増大させることが可能となり、X
線の最大発生線量を増大させることが可能となると共に
、ターゲットに照射される電子ビーム径を小さく絞るこ
とが可能となる。
より、ターゲット膜の温度上昇が抑制される。これによ
り、ターゲット電流を増大させることが可能となり、X
線の最大発生線量を増大させることが可能となると共に
、ターゲットに照射される電子ビーム径を小さく絞るこ
とが可能となる。
第1図は本発明の一実施例であるX線発生管用ターゲッ
トを示す斜視断面図、第2図は本発明の他の一実施例で
あるX線発生管用ターゲットを示す斜−視断面図、第3
図は本発明の一実施例であるX線発生管を示す断面図で
ある。 1・・・基体、2・・・ターゲット膜、3・・・導電性
薄膜、4・・・X線発生管用ターゲット、11・・・外
囲器、12・・・フィラメント、18・・・X線透過用
窓。 代理人弁理士 長谷用 芳 樹間
山 1) 行 −父添うfl
2” おる 〈7−ζグ2ン1第 1・図 享a騰イf+?めるターゲ少ト 賛扼例?りるX晩発工τ 第3図
トを示す斜視断面図、第2図は本発明の他の一実施例で
あるX線発生管用ターゲットを示す斜−視断面図、第3
図は本発明の一実施例であるX線発生管を示す断面図で
ある。 1・・・基体、2・・・ターゲット膜、3・・・導電性
薄膜、4・・・X線発生管用ターゲット、11・・・外
囲器、12・・・フィラメント、18・・・X線透過用
窓。 代理人弁理士 長谷用 芳 樹間
山 1) 行 −父添うfl
2” おる 〈7−ζグ2ン1第 1・図 享a騰イf+?めるターゲ少ト 賛扼例?りるX晩発工τ 第3図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、X線透過性の基体と、電子を受けてX線を放射する
材料で前記基体上に形成されたターゲット膜とを備えた
X線発生管用ターゲット。 2、前記材料は合金である請求項1記載のX線発生管用
ターゲット。 3、前記材料は安定な単体金属もしくはこれの化合物で
ある請求項1記載のX線発生管用ターゲット。 4、前記材料は単体では不安定な元素の安定な化合物で
ある請求項1記載のX線発生管用ターゲット。 5、前記ターゲット膜の表面に導電性薄膜が形成されて
いる請求項4記載のX線発生管用ターゲット。 6、単体では不安定な元素がカルシウム、マグネシウム
、バリウム、リチウムまたはナトリウムであるときに、
これらの安定な化合物がそれらの弗化物または酸化物で
ある請求項4または5記載のX線発生管用ターゲット。 7、前記基体は熱伝導性が良いものである請求項1、2
、3、4、5または6記載のX線発生管用ターゲット。 8、請求項1、2、3、4、5、6または7記載のX線
発生管用ターゲットを用いた透過型X線発生管。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1220849A JPH0750594B2 (ja) | 1989-02-20 | 1989-08-28 | X線発生管用ターゲットおよびx線発生管 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3962889 | 1989-02-20 | ||
JP1-39628 | 1989-02-20 | ||
JP1220849A JPH0750594B2 (ja) | 1989-02-20 | 1989-08-28 | X線発生管用ターゲットおよびx線発生管 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02297850A true JPH02297850A (ja) | 1990-12-10 |
JPH0750594B2 JPH0750594B2 (ja) | 1995-05-31 |
Family
ID=26379016
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1220849A Expired - Fee Related JPH0750594B2 (ja) | 1989-02-20 | 1989-08-28 | X線発生管用ターゲットおよびx線発生管 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0750594B2 (ja) |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5504798A (en) * | 1993-06-18 | 1996-04-02 | Hamamatsu Photonics K. K. | X-ray generation tube for ionizing ambient atmosphere |
US5504799A (en) * | 1993-06-18 | 1996-04-02 | Hamamatsu Photonics K.K. | X-ray generation tube for ionizing ambient atmosphere |
JP2000252095A (ja) * | 1999-03-02 | 2000-09-14 | Hamamatsu Photonics Kk | X線発生装置、x線撮像装置及びx線検査システム |
JP2006189350A (ja) * | 2005-01-06 | 2006-07-20 | Kawasaki Heavy Ind Ltd | 軟x線発生装置 |
JP2011077027A (ja) * | 2009-09-04 | 2011-04-14 | Tokyo Electron Ltd | X線発生用ターゲット、x線発生装置、及びx線発生用ターゲットの製造方法 |
WO2013032015A1 (en) * | 2011-08-31 | 2013-03-07 | Canon Kabushiki Kaisha | X-ray generator and x-ray imaging apparatus |
JP2013157269A (ja) * | 2012-01-31 | 2013-08-15 | Canon Inc | ターゲット構造体及びそれを備える放射線発生装置 |
US9595415B2 (en) | 2011-08-31 | 2017-03-14 | Canon Kabushiki Kaisha | X-ray generator and X-ray imaging apparatus |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS54163885U (ja) * | 1978-05-09 | 1979-11-16 | ||
JPS62255900A (ja) * | 1986-04-30 | 1987-11-07 | 理学電機工業株式会社 | X線光電子分光装置の試料励起用x線源 |
-
1989
- 1989-08-28 JP JP1220849A patent/JPH0750594B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS54163885U (ja) * | 1978-05-09 | 1979-11-16 | ||
JPS62255900A (ja) * | 1986-04-30 | 1987-11-07 | 理学電機工業株式会社 | X線光電子分光装置の試料励起用x線源 |
Cited By (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5504798A (en) * | 1993-06-18 | 1996-04-02 | Hamamatsu Photonics K. K. | X-ray generation tube for ionizing ambient atmosphere |
US5504799A (en) * | 1993-06-18 | 1996-04-02 | Hamamatsu Photonics K.K. | X-ray generation tube for ionizing ambient atmosphere |
JP2000252095A (ja) * | 1999-03-02 | 2000-09-14 | Hamamatsu Photonics Kk | X線発生装置、x線撮像装置及びx線検査システム |
US6816573B2 (en) | 1999-03-02 | 2004-11-09 | Hamamatsu Photonics K.K. | X-ray generating apparatus, X-ray imaging apparatus, and X-ray inspection system |
KR100731455B1 (ko) * | 1999-03-02 | 2007-06-21 | 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤 | X선 발생 장치, x선 촬상 장치 및 x선 검사 시스템 |
JP2006189350A (ja) * | 2005-01-06 | 2006-07-20 | Kawasaki Heavy Ind Ltd | 軟x線発生装置 |
JP2011077027A (ja) * | 2009-09-04 | 2011-04-14 | Tokyo Electron Ltd | X線発生用ターゲット、x線発生装置、及びx線発生用ターゲットの製造方法 |
WO2013032015A1 (en) * | 2011-08-31 | 2013-03-07 | Canon Kabushiki Kaisha | X-ray generator and x-ray imaging apparatus |
JP2013051156A (ja) * | 2011-08-31 | 2013-03-14 | Canon Inc | 透過型x線発生装置及びそれを用いたx線撮影装置 |
US9570264B2 (en) | 2011-08-31 | 2017-02-14 | Canon Kabushiki Kaisha | X-ray generator and X-ray imaging apparatus |
US9595415B2 (en) | 2011-08-31 | 2017-03-14 | Canon Kabushiki Kaisha | X-ray generator and X-ray imaging apparatus |
JP2013157269A (ja) * | 2012-01-31 | 2013-08-15 | Canon Inc | ターゲット構造体及びそれを備える放射線発生装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0750594B2 (ja) | 1995-05-31 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP2740332B1 (en) | Radiation generating apparatus and radiation imaging apparatus | |
US5576549A (en) | Electron generating assembly for an x-ray tube having a cathode and having an electrode system for accelerating the electrons emanating from the cathode | |
EP2740331B1 (en) | Radiation generating apparatus and radiation imaging apparatus | |
US4916015A (en) | Heat dissipation means for X-ray generating tubes | |
JP3105292B2 (ja) | 単色x線放射用放射線源 | |
US7346147B2 (en) | X-ray tube with cylindrical anode | |
JPH06162972A (ja) | 透過型陽極を有するx線管 | |
JP2012256559A (ja) | 放射線透過型ターゲット | |
US2665391A (en) | X-ray tube having a mica window | |
JPS63304557A (ja) | 本質的に単色のx線を発生する放射線源 | |
JPH02297850A (ja) | X線発生管用ターゲットおよびx線発生管 | |
US3539859A (en) | X-ray generator tube with graphite rotating anode | |
US3719847A (en) | Liquid cooled x-ray tube anode | |
US20070274454A1 (en) | X-ray radiator with a thermionic photocathode | |
Ng et al. | Variation of soft X-ray emission with gas pressure in a plasma focus | |
JP6153314B2 (ja) | X線透過型ターゲット及びその製造方法 | |
JP2002042705A (ja) | 透過放射型x線管およびその製造方法 | |
US3155849A (en) | Thermionic converter | |
JP2000082430A (ja) | X線発生用ターゲット及びこれを用いたx線管 | |
US1953813A (en) | X-ray tube | |
US3821580A (en) | Flash x ray tube | |
US2836757A (en) | X-ray generator target construction | |
US3543034A (en) | X-ray image transducer tube having crenelated fluorescent layer ahead of solid-state image intensifier | |
WO2014172936A1 (zh) | 基于LaB6纳米材料热发射的X射线管及移动CT扫描仪 | |
JPH07169422A (ja) | X線管 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313532 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090531 Year of fee payment: 14 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |