JP2011077027A - X線発生用ターゲット、x線発生装置、及びx線発生用ターゲットの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】X線発生用ターゲットT1は、ダイヤモンドからなり、互いに対向する第1及び第2主面1a,1bを有する基板1と、ターゲット部10と、を備えている。基板1には、第1主面1a側から有底状の穴部3が形成されている。ターゲット部10は、穴部3の底面から第1主面1a側に向かって堆積された金属からなる。ターゲット部10の外側面全体は、穴部3の内側面と密着している。
【選択図】図1
Description
Claims (10)
- ダイヤモンドからなり、互いに対向する第1及び第2主面を有すると共に前記第1主面側から有底状の穴部が形成されている基板と、
前記穴部の底面から前記第1主面側に向かって堆積された金属からなり、その外側面全体が前記穴部の内側面と密着しているターゲット部と、を備えていることを特徴とするX線発生用ターゲット。 - 前記ターゲット部は、前記第1及び第2主面の対向方向に平行な断面において、前記第1及び第2主面の対向方向での長さが前記第1及び第2主面の対向方向に垂直な方向での長さ以上に設定されていることを特徴とする請求項1に記載のX線発生用ターゲット。
- 前記基板の前記第1主面側には、導電層が形成されていることを特徴とする請求項1又は2に記載のX線発生用ターゲット。
- 前記基板の前記第1主面側には、遷移元素を含む保護層が形成されていることを特徴とする請求項1又は2に記載のX線発生用ターゲット。
- 前記遷移元素が、第一遷移元素であることを特徴とする請求項4に記載のX線発生用ターゲット。
- 請求項1〜5のいずれか一項に記載のX線発生用ターゲットと、
前記X線発生用ターゲットに電子ビームを照射する電子ビーム照射部と、を備えることを特徴とするX線発生装置。 - ダイヤモンドからなり、互いに対向する第1及び第2主面を有する基板を用意する工程と、
前記基板に、前記第1主面側から有底状の穴部を形成する工程と、
前記穴部の底面から前記第1主面側に向かって金属を堆積させて、前記穴部にターゲット部を形成する工程と、を備えることを特徴とするX線発生用ターゲットの製造方法。 - 前記ターゲット部を形成する前記工程では、金属蒸気雰囲気中で荷電ビームを前記穴部に照射することにより、前記金属を堆積させることを特徴とする請求項7に記載のX線発生用ターゲットの製造方法。
- 前記穴部を形成する前記工程では、前記基板に前記第1主面側から荷電ビームを照射することにより、前記穴部を形成することを特徴とする請求項7又は8に記載のX線発生用ターゲットの製造方法。
- 前記荷電ビームが、イオンビームであることを特徴とする請求項8又は9に記載のX線発生用ターゲットの製造方法。
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Cited By (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2013051152A (ja) * | 2011-08-31 | 2013-03-14 | Canon Inc | ターゲット構造体及びx線発生装置 |
JP2013051156A (ja) * | 2011-08-31 | 2013-03-14 | Canon Inc | 透過型x線発生装置及びそれを用いたx線撮影装置 |
WO2013168468A1 (ja) * | 2012-05-11 | 2013-11-14 | 浜松ホトニクス株式会社 | X線発生装置及びx線発生方法 |
WO2014027624A1 (ja) * | 2012-08-13 | 2014-02-20 | 東京エレクトロン株式会社 | X線発生用ターゲットの製造方法、及びx線発生用ターゲット |
WO2014054497A1 (ja) * | 2012-10-04 | 2014-04-10 | 東京エレクトロン株式会社 | X線発生用ターゲットの製造方法及びx線発生用ターゲット |
WO2014174997A1 (ja) * | 2013-04-22 | 2014-10-30 | 東京エレクトロン株式会社 | カンチレバー、製造方法、検査装置及び検査方法 |
JP2014225402A (ja) * | 2013-05-17 | 2014-12-04 | 浜松ホトニクス株式会社 | X線発生装置 |
JP2014225403A (ja) * | 2013-05-17 | 2014-12-04 | 浜松ホトニクス株式会社 | X線発生装置 |
WO2015016019A1 (ja) | 2013-07-30 | 2015-02-05 | 東京エレクトロン株式会社 | X線発生用ターゲット及びx線発生装置 |
WO2015056493A1 (ja) * | 2013-10-16 | 2015-04-23 | 浜松ホトニクス株式会社 | X線発生装置 |
WO2015125395A1 (ja) * | 2014-02-24 | 2015-08-27 | 東京エレクトロン株式会社 | X線検査システム、制御方法、制御プログラム及び制御装置 |
WO2016125289A1 (ja) * | 2015-02-05 | 2016-08-11 | 株式会社島津製作所 | X線発生装置 |
US9595415B2 (en) | 2011-08-31 | 2017-03-14 | Canon Kabushiki Kaisha | X-ray generator and X-ray imaging apparatus |
JP2017139238A (ja) * | 2017-05-02 | 2017-08-10 | キヤノン株式会社 | 透過型ターゲットおよび該透過型ターゲットの製造方法、ならびに、放射線発生管、並びに、該放射線発生管を備えた放射線発生装置、並びに、該放射線発生装置を備えた放射線撮影装置 |
JP2019008943A (ja) * | 2017-06-22 | 2019-01-17 | 東芝電子管デバイス株式会社 | 固定陽極型x線管 |
US10825639B2 (en) | 2017-04-11 | 2020-11-03 | Siemens Healthcare Gmbh | X ray device for creation of high-energy x ray radiation |
Families Citing this family (45)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8831179B2 (en) | 2011-04-21 | 2014-09-09 | Carl Zeiss X-ray Microscopy, Inc. | X-ray source with selective beam repositioning |
JP5854707B2 (ja) * | 2011-08-31 | 2016-02-09 | キヤノン株式会社 | 透過型x線発生管及び透過型x線発生装置 |
US20150117599A1 (en) | 2013-10-31 | 2015-04-30 | Sigray, Inc. | X-ray interferometric imaging system |
JP2013239317A (ja) * | 2012-05-15 | 2013-11-28 | Canon Inc | 放射線発生ターゲット、放射線発生装置および放射線撮影システム |
WO2013185827A1 (de) * | 2012-06-14 | 2013-12-19 | Siemens Aktiengesellschaft | Röntgenstrahlungsquelle, verfahren zum erzeugen von röntgenstrahlung sowie verwendung einer monochromatischen röntgenstrahlung aussendenden röntgenstrahlungsquelle |
JP6140983B2 (ja) * | 2012-11-15 | 2017-06-07 | キヤノン株式会社 | 透過型ターゲット、x線発生ターゲット、x線発生管、x線x線発生装置、並びに、x線x線撮影装置 |
JP6253233B2 (ja) * | 2013-01-18 | 2017-12-27 | キヤノン株式会社 | 透過型x線ターゲットおよび、該透過型x線ターゲットを備えた放射線発生管、並びに、該放射線発生管を備えた放射線発生装置、並びに、該放射線発生装置を備えた放射線撮影装置 |
US9984847B2 (en) | 2013-03-15 | 2018-05-29 | Mars Tohken Solution Co., Ltd. | Open-type X-ray tube comprising field emission type electron gun and X-ray inspection apparatus using the same |
JP6218403B2 (ja) * | 2013-03-15 | 2017-10-25 | 株式会社マーストーケンソリューション | 電界放射型電子銃を備えたx線管及びそれを用いたx線検査装置 |
US20150092924A1 (en) * | 2013-09-04 | 2015-04-02 | Wenbing Yun | Structured targets for x-ray generation |
US9570265B1 (en) | 2013-12-05 | 2017-02-14 | Sigray, Inc. | X-ray fluorescence system with high flux and high flux density |
US10297359B2 (en) | 2013-09-19 | 2019-05-21 | Sigray, Inc. | X-ray illumination system with multiple target microstructures |
US10269528B2 (en) | 2013-09-19 | 2019-04-23 | Sigray, Inc. | Diverging X-ray sources using linear accumulation |
US9448190B2 (en) | 2014-06-06 | 2016-09-20 | Sigray, Inc. | High brightness X-ray absorption spectroscopy system |
US9449781B2 (en) * | 2013-12-05 | 2016-09-20 | Sigray, Inc. | X-ray illuminators with high flux and high flux density |
US9390881B2 (en) * | 2013-09-19 | 2016-07-12 | Sigray, Inc. | X-ray sources using linear accumulation |
US10295485B2 (en) | 2013-12-05 | 2019-05-21 | Sigray, Inc. | X-ray transmission spectrometer system |
JP2015078950A (ja) * | 2013-10-18 | 2015-04-23 | キヤノン株式会社 | X線検査装置 |
CN103578896B (zh) * | 2013-10-28 | 2016-02-24 | 中国科学院上海应用物理研究所 | X射线转换靶片、靶层板及靶层板的加工方法 |
US9874531B2 (en) * | 2013-10-31 | 2018-01-23 | Sigray, Inc. | X-ray method for the measurement, characterization, and analysis of periodic structures |
USRE48612E1 (en) | 2013-10-31 | 2021-06-29 | Sigray, Inc. | X-ray interferometric imaging system |
US10304580B2 (en) | 2013-10-31 | 2019-05-28 | Sigray, Inc. | Talbot X-ray microscope |
US9666322B2 (en) | 2014-02-23 | 2017-05-30 | Bruker Jv Israel Ltd | X-ray source assembly |
US9594036B2 (en) | 2014-02-28 | 2017-03-14 | Sigray, Inc. | X-ray surface analysis and measurement apparatus |
US9823203B2 (en) | 2014-02-28 | 2017-11-21 | Sigray, Inc. | X-ray surface analysis and measurement apparatus |
US10401309B2 (en) | 2014-05-15 | 2019-09-03 | Sigray, Inc. | X-ray techniques using structured illumination |
US9748070B1 (en) * | 2014-09-17 | 2017-08-29 | Bruker Jv Israel Ltd. | X-ray tube anode |
JP6429602B2 (ja) * | 2014-11-12 | 2018-11-28 | キヤノン株式会社 | 陽極及びこれを用いたx線発生管、x線発生装置、x線撮影システム |
US10352880B2 (en) | 2015-04-29 | 2019-07-16 | Sigray, Inc. | Method and apparatus for x-ray microscopy |
US10295486B2 (en) | 2015-08-18 | 2019-05-21 | Sigray, Inc. | Detector for X-rays with high spatial and high spectral resolution |
US10247683B2 (en) | 2016-12-03 | 2019-04-02 | Sigray, Inc. | Material measurement techniques using multiple X-ray micro-beams |
US11094497B2 (en) | 2017-02-24 | 2021-08-17 | General Electric Company | X-ray source target |
JP6937380B2 (ja) | 2017-03-22 | 2021-09-22 | シグレイ、インコーポレイテッド | X線分光を実施するための方法およびx線吸収分光システム |
CN107227442A (zh) * | 2017-05-05 | 2017-10-03 | 中国科学院电工研究所 | 一种镶嵌式结构的钨‑金刚石透射靶材及其制备方法 |
CN107887243B (zh) * | 2017-09-19 | 2019-11-08 | 中国电子科技集团公司第三十八研究所 | 一种用于电子束扫描ct的x射线源的阵列靶及制作方法 |
DE102018201245B3 (de) | 2018-01-26 | 2019-07-25 | Carl Zeiss Industrielle Messtechnik Gmbh | Target für eine Strahlungsquelle, Strahlungsquelle zum Erzeugen invasiver elektromagnetischer Strahlung, Verwendung einer Strahlungsquelle und Verfahren zum Herstellen eines Targets für eine Strahlungsquelle |
DE102018010288B4 (de) | 2018-01-26 | 2022-12-08 | Carl Zeiss Industrielle Messtechnik Gmbh | Target für eine Strahlungsquelle, Strahlungsquelle zum Erzeugen invasiver elektromagnetischer Strahlung und Verfahren zum Herstellen eines Targets für eine Strahlungsquelle |
US10578566B2 (en) | 2018-04-03 | 2020-03-03 | Sigray, Inc. | X-ray emission spectrometer system |
JP7195341B2 (ja) | 2018-06-04 | 2022-12-23 | シグレイ、インコーポレイテッド | 波長分散型x線分光計 |
US10658145B2 (en) | 2018-07-26 | 2020-05-19 | Sigray, Inc. | High brightness x-ray reflection source |
US10656105B2 (en) | 2018-08-06 | 2020-05-19 | Sigray, Inc. | Talbot-lau x-ray source and interferometric system |
US10962491B2 (en) | 2018-09-04 | 2021-03-30 | Sigray, Inc. | System and method for x-ray fluorescence with filtering |
WO2020051221A2 (en) | 2018-09-07 | 2020-03-12 | Sigray, Inc. | System and method for depth-selectable x-ray analysis |
US11302508B2 (en) | 2018-11-08 | 2022-04-12 | Bruker Technologies Ltd. | X-ray tube |
WO2021011209A1 (en) | 2019-07-15 | 2021-01-21 | Sigray, Inc. | X-ray source with rotating anode at atmospheric pressure |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59221948A (ja) * | 1983-05-25 | 1984-12-13 | エヌ・ベ−・フイリツプス・フル−イランペンフアブリケン | X線管 |
JPH02297850A (ja) * | 1989-02-20 | 1990-12-10 | Hamamatsu Photonics Kk | X線発生管用ターゲットおよびx線発生管 |
JPH07260713A (ja) * | 1994-03-18 | 1995-10-13 | Hitachi Ltd | X線撮像装置 |
JPH08115798A (ja) * | 1994-08-20 | 1996-05-07 | Sumitomo Electric Ind Ltd | X線発生装置 |
JPH09213758A (ja) * | 1996-11-18 | 1997-08-15 | Seiko Instr Inc | イオンビーム加工方法 |
JP2003194746A (ja) * | 2001-10-05 | 2003-07-09 | Canon Inc | 情報取得装置、試料評価装置および試料評価方法 |
JP2004028845A (ja) * | 2002-06-27 | 2004-01-29 | Japan Science & Technology Corp | 高輝度・高出力微小x線発生源とそれを用いた非破壊検査装置 |
JP2006125881A (ja) * | 2004-10-26 | 2006-05-18 | Kyoto Univ | X線発生器 |
JP2009086428A (ja) * | 2007-10-01 | 2009-04-23 | Sii Nanotechnology Inc | 荷電粒子ビームを用いたフォトマスクの欠陥修正方法及び欠陥修正装置 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
LU87320A1 (fr) * | 1988-08-24 | 1990-03-13 | Arbed | Charpente metallique antisismique |
US4972449A (en) * | 1990-03-19 | 1990-11-20 | General Electric Company | X-ray tube target |
US5148462A (en) * | 1991-04-08 | 1992-09-15 | Moltech Corporation | High efficiency X-ray anode sources |
DE19934987B4 (de) * | 1999-07-26 | 2004-11-11 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Röntgenanode und ihre Verwendung |
JP2001216927A (ja) | 2000-02-07 | 2001-08-10 | Hiroshige Yamada | X線ターゲット |
JP4762436B2 (ja) * | 2001-05-16 | 2011-08-31 | 浜松ホトニクス株式会社 | カソードユニット及び開放型x線発生装置 |
US7158612B2 (en) * | 2003-02-21 | 2007-01-02 | Xoft, Inc. | Anode assembly for an x-ray tube |
-
2010
- 2010-07-27 JP JP2010168460A patent/JP5670111B2/ja active Active
- 2010-08-30 US US12/871,192 patent/US8416920B2/en active Active
- 2010-09-01 EP EP13002045.6A patent/EP2618360B1/en active Active
- 2010-09-01 EP EP10174782.2A patent/EP2293318B1/en active Active
- 2010-09-01 TW TW099129485A patent/TWI497556B/zh active
- 2010-09-06 CN CN201010274998.6A patent/CN102013378B/zh active Active
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59221948A (ja) * | 1983-05-25 | 1984-12-13 | エヌ・ベ−・フイリツプス・フル−イランペンフアブリケン | X線管 |
JPH02297850A (ja) * | 1989-02-20 | 1990-12-10 | Hamamatsu Photonics Kk | X線発生管用ターゲットおよびx線発生管 |
JPH07260713A (ja) * | 1994-03-18 | 1995-10-13 | Hitachi Ltd | X線撮像装置 |
JPH08115798A (ja) * | 1994-08-20 | 1996-05-07 | Sumitomo Electric Ind Ltd | X線発生装置 |
JPH09213758A (ja) * | 1996-11-18 | 1997-08-15 | Seiko Instr Inc | イオンビーム加工方法 |
JP2003194746A (ja) * | 2001-10-05 | 2003-07-09 | Canon Inc | 情報取得装置、試料評価装置および試料評価方法 |
JP2004028845A (ja) * | 2002-06-27 | 2004-01-29 | Japan Science & Technology Corp | 高輝度・高出力微小x線発生源とそれを用いた非破壊検査装置 |
JP2006125881A (ja) * | 2004-10-26 | 2006-05-18 | Kyoto Univ | X線発生器 |
JP2009086428A (ja) * | 2007-10-01 | 2009-04-23 | Sii Nanotechnology Inc | 荷電粒子ビームを用いたフォトマスクの欠陥修正方法及び欠陥修正装置 |
Cited By (25)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013051156A (ja) * | 2011-08-31 | 2013-03-14 | Canon Inc | 透過型x線発生装置及びそれを用いたx線撮影装置 |
JP2013051152A (ja) * | 2011-08-31 | 2013-03-14 | Canon Inc | ターゲット構造体及びx線発生装置 |
US9595415B2 (en) | 2011-08-31 | 2017-03-14 | Canon Kabushiki Kaisha | X-ray generator and X-ray imaging apparatus |
US9570264B2 (en) | 2011-08-31 | 2017-02-14 | Canon Kabushiki Kaisha | X-ray generator and X-ray imaging apparatus |
US9524846B2 (en) | 2011-08-31 | 2016-12-20 | Canon Kabushiki Kaisha | Target structure and X-ray generating apparatus |
JPWO2013168468A1 (ja) * | 2012-05-11 | 2016-01-07 | 浜松ホトニクス株式会社 | X線発生装置及びx線発生方法 |
WO2013168468A1 (ja) * | 2012-05-11 | 2013-11-14 | 浜松ホトニクス株式会社 | X線発生装置及びx線発生方法 |
KR101968377B1 (ko) * | 2012-05-11 | 2019-04-11 | 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤 | X선 발생 장치 및 x선 발생 방법 |
KR20150010936A (ko) * | 2012-05-11 | 2015-01-29 | 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤 | X선 발생 장치 및 x선 발생 방법 |
WO2014027624A1 (ja) * | 2012-08-13 | 2014-02-20 | 東京エレクトロン株式会社 | X線発生用ターゲットの製造方法、及びx線発生用ターゲット |
WO2014054497A1 (ja) * | 2012-10-04 | 2014-04-10 | 東京エレクトロン株式会社 | X線発生用ターゲットの製造方法及びx線発生用ターゲット |
WO2014174997A1 (ja) * | 2013-04-22 | 2014-10-30 | 東京エレクトロン株式会社 | カンチレバー、製造方法、検査装置及び検査方法 |
JP2014225402A (ja) * | 2013-05-17 | 2014-12-04 | 浜松ホトニクス株式会社 | X線発生装置 |
JP2014225403A (ja) * | 2013-05-17 | 2014-12-04 | 浜松ホトニクス株式会社 | X線発生装置 |
WO2015016019A1 (ja) | 2013-07-30 | 2015-02-05 | 東京エレクトロン株式会社 | X線発生用ターゲット及びx線発生装置 |
WO2015056493A1 (ja) * | 2013-10-16 | 2015-04-23 | 浜松ホトニクス株式会社 | X線発生装置 |
US10115557B2 (en) | 2013-10-16 | 2018-10-30 | Hamamatsu Photonics K.K. | X-ray generation device having multiple metal target members |
WO2015125395A1 (ja) * | 2014-02-24 | 2015-08-27 | 東京エレクトロン株式会社 | X線検査システム、制御方法、制御プログラム及び制御装置 |
WO2016125289A1 (ja) * | 2015-02-05 | 2016-08-11 | 株式会社島津製作所 | X線発生装置 |
US20180005721A1 (en) * | 2015-02-05 | 2018-01-04 | Shimadzu Corporation | X-ray generator |
JPWO2016125289A1 (ja) * | 2015-02-05 | 2018-01-11 | 株式会社島津製作所 | X線発生装置 |
US10453579B2 (en) | 2015-02-05 | 2019-10-22 | Shimadzu Corporation | X-ray generator |
US10825639B2 (en) | 2017-04-11 | 2020-11-03 | Siemens Healthcare Gmbh | X ray device for creation of high-energy x ray radiation |
JP2017139238A (ja) * | 2017-05-02 | 2017-08-10 | キヤノン株式会社 | 透過型ターゲットおよび該透過型ターゲットの製造方法、ならびに、放射線発生管、並びに、該放射線発生管を備えた放射線発生装置、並びに、該放射線発生装置を備えた放射線撮影装置 |
JP2019008943A (ja) * | 2017-06-22 | 2019-01-17 | 東芝電子管デバイス株式会社 | 固定陽極型x線管 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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