JPH0228937A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH0228937A JPH0228937A JP17956688A JP17956688A JPH0228937A JP H0228937 A JPH0228937 A JP H0228937A JP 17956688 A JP17956688 A JP 17956688A JP 17956688 A JP17956688 A JP 17956688A JP H0228937 A JPH0228937 A JP H0228937A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- region
- concentration
- base
- emitter
- window
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 11
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 4
- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 18
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 13
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 13
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract description 13
- 239000012535 impurity Substances 0.000 abstract description 11
- 238000001459 lithography Methods 0.000 abstract description 7
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 abstract description 6
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 abstract description 6
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 abstract 4
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 3
- 241000282326 Felis catus Species 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 241000238557 Decapoda Species 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Bipolar Transistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は半導体装置、詳しくは、エミッタ・ベース間逆
耐圧の高いトランジスタに関するものである。
耐圧の高いトランジスタに関するものである。
従来の技術
近年、半導体装置は様々な用途で使用される様になって
おり、その特性も従来にない特性、特にエミッタ・ベー
ス間逆耐圧が高い（２５ｖ以上）のものが要求されてい
る。
おり、その特性も従来にない特性、特にエミッタ・ベー
ス間逆耐圧が高い（２５ｖ以上）のものが要求されてい
る。
第３図は従来の半導体装置の断面図を示すものである。
第３図において、１は高濃度のＮ型シリコンスライスで
第１コレクタ領域であり、２はエピタキシャル法で形成
された、低濃度のＮ型シリコンで第２コレクタ領域であ
り、１０は低濃度のＰ型不純物を蒸着、拡散され形成さ
れたベース領域であり、６は高濃度のＮ型不純物を蒸着
、拡散されたエミッタ領域であり、５は酸化膜であり、
７はベース・コンタクト領域であり、８はエミッタ電極
であり、９はベース電極である。
第１コレクタ領域であり、２はエピタキシャル法で形成
された、低濃度のＮ型シリコンで第２コレクタ領域であ
り、１０は低濃度のＰ型不純物を蒸着、拡散され形成さ
れたベース領域であり、６は高濃度のＮ型不純物を蒸着
、拡散されたエミッタ領域であり、５は酸化膜であり、
７はベース・コンタクト領域であり、８はエミッタ電極
であり、９はベース電極である。
発明が解決しようとする課題
しかしながら上記の従来の構成では、ベース領域１０は
拡散によって形成されているため、エピタキシャル法で
形成された第２コレクタ領域２よりも低濃度なものは得
られず、ベース領域の濃度により決定されるエミッタ・
ベース間逆方向電圧は、数Ｖ〜２０数Ｖまでしか得られ
ない。
拡散によって形成されているため、エピタキシャル法で
形成された第２コレクタ領域２よりも低濃度なものは得
られず、ベース領域の濃度により決定されるエミッタ・
ベース間逆方向電圧は、数Ｖ〜２０数Ｖまでしか得られ
ない。
本発明は上記従来の問題点を解決するもので、エミッタ
・ベース間逆方向電圧を、２５Ｖ〜１５０Ｖまで得るこ
とのできる半導体装置を提供することを目的とする。
・ベース間逆方向電圧を、２５Ｖ〜１５０Ｖまで得るこ
とのできる半導体装置を提供することを目的とする。
課題を解決するための手段
この目的を達成するために本発明の半導体装置は、シリ
コンスライスの全面が高濃度の一導電型で形成され、こ
れを第１コレクタ領域とし、このシリコンの片面に低濃
度の同一導電型シリコンをエピタキシャル法より形成し
、これを第２コレクタ領域とし、更に、その上に、３Ｘ
１０１Ｓ／ｃｄ以上で４．８ ｘ １０”／ｃｄ以下の
さらに低濃度の反対導電型シリコンをエピタキシャル法
で形成し、これをベース領域とし、このベース領域を分
離する目的で酸化、リソグラフィ工程により、窓を形成
し、高濃度の同一導電型不純物蒸着、拡散し、これを分
離領域とし、次にリソグラフィ工程により、ベース領域
中に窓を形成し、同一導電型不純物を蒸着、拡散し、こ
れをエミッタ領域とした構成を有している。
コンスライスの全面が高濃度の一導電型で形成され、こ
れを第１コレクタ領域とし、このシリコンの片面に低濃
度の同一導電型シリコンをエピタキシャル法より形成し
、これを第２コレクタ領域とし、更に、その上に、３Ｘ
１０１Ｓ／ｃｄ以上で４．８ ｘ １０”／ｃｄ以下の
さらに低濃度の反対導電型シリコンをエピタキシャル法
で形成し、これをベース領域とし、このベース領域を分
離する目的で酸化、リソグラフィ工程により、窓を形成
し、高濃度の同一導電型不純物蒸着、拡散し、これを分
離領域とし、次にリソグラフィ工程により、ベース領域
中に窓を形成し、同一導電型不純物を蒸着、拡散し、こ
れをエミッタ領域とした構成を有している。
作用
この構成によって、ベース領域の濃度は、エピタキシャ
ル法により、３×ＩＯ”／ｃ−以上４．８×１０１６／
ｃａｔ以下のいかなる濃度にでも設定でき、ベース領域
の濃度により決定されるエミッタ・ベース間逆方向電圧
は２５Ｖ〜１５０ｖまでの任意の値を得ることができる
。
ル法により、３×ＩＯ”／ｃ−以上４．８×１０１６／
ｃａｔ以下のいかなる濃度にでも設定でき、ベース領域
の濃度により決定されるエミッタ・ベース間逆方向電圧
は２５Ｖ〜１５０ｖまでの任意の値を得ることができる
。
実施例
以下本発明の一実施例について、図面を参照しながら説
明する。
明する。
第１図は本発明の実施例における半導体装置の断面図を
示すものである。第１図において、１１はシリコンスラ
イスの高濃度のＮ型第１コレクタ領域であり、１２はエ
ピタキシャル法で形成された、低濃度のＮ型第２コレク
タ領域であり、１３はエピタキシャル法で形成された、
より低濃度なＰ型ベース領域であり、１４はベース領域
１３を分離する目的で、酸化、リソグラフィ工程により
、窓を形成し、高濃度のＮ型不純物を蒸着、拡散した分
離領域であり、１５は酸化膜であり、１６は酸化、リソ
グラフィ工程により窓を形成し、高濃度なＮ型不純物を
蒸着、拡散され形成されたエミッタ領域であり、１７は
ベース・コンタクト領域であり、１８はエミッタ電極で
あり、１９はベース電極である。
示すものである。第１図において、１１はシリコンスラ
イスの高濃度のＮ型第１コレクタ領域であり、１２はエ
ピタキシャル法で形成された、低濃度のＮ型第２コレク
タ領域であり、１３はエピタキシャル法で形成された、
より低濃度なＰ型ベース領域であり、１４はベース領域
１３を分離する目的で、酸化、リソグラフィ工程により
、窓を形成し、高濃度のＮ型不純物を蒸着、拡散した分
離領域であり、１５は酸化膜であり、１６は酸化、リソ
グラフィ工程により窓を形成し、高濃度なＮ型不純物を
蒸着、拡散され形成されたエミッタ領域であり、１７は
ベース・コンタクト領域であり、１８はエミッタ電極で
あり、１９はベース電極である。
以上のように本実施例によれば、ベース領域１３゛をエ
ピタキシャル法により形成することにより、ベース領域
の濃度は３ｘ１０／”ｃｄ以上４．８ｘ１０１６／ａｎ
ｔ以下のいかなる濃度にでも設定できるので、ベース領
域の濃度により決定されるエミッタ・ベース間逆方向電
圧は、第２図のエミッタ・ベース耐圧特性図のように、
２５Ｖ〜１５０ｖまでの任意の値を得ることができる。
ピタキシャル法により形成することにより、ベース領域
の濃度は３ｘ１０／”ｃｄ以上４．８ｘ１０１６／ａｎ
ｔ以下のいかなる濃度にでも設定できるので、ベース領
域の濃度により決定されるエミッタ・ベース間逆方向電
圧は、第２図のエミッタ・ベース耐圧特性図のように、
２５Ｖ〜１５０ｖまでの任意の値を得ることができる。
なお以上はＮＰＮトランジスタについて説明したがＰＮ
Ｐトランジスタでも同じ効果がある事は言うまでもない
。
Ｐトランジスタでも同じ効果がある事は言うまでもない
。
発明の効果
以上のように本発明は、シリコンスライスの全面が高濃
度なＮ型第１コレクタ領域と、このシリコンの片面にエ
ピタキシャル法により形成された低濃度なＮ型第２コレ
クタ領域と、その上に、より低濃度なＰ型シリコンをエ
ピタキシャル法で形成し、これをベース領域とし、この
ベース領域を分離する目的で、酸化、リソグラフィ工程
により、窓を形成し、高濃度のＮ型不純物を蒸着、拡散
し、これを分離領域とし、次にリソグラフィ工程により
窓を形成し、Ｎ型不純物を蒸着、拡散し、これをエミッ
タ領域とすることにより、ベース濃度は３Ｘ１０Ｉ５／
ｃｄ以上の４．８ Ｘ １０１６／ｃａｔ以下のいかな
る濃度にでも設定でき、ベース濃度により決定されるエ
ミッタ・ベース間逆方向電圧は２５Ｖ〜１５０Ｖの任意
の値を得ることができる優れた半導体装置を実現できる
ものである。
度なＮ型第１コレクタ領域と、このシリコンの片面にエ
ピタキシャル法により形成された低濃度なＮ型第２コレ
クタ領域と、その上に、より低濃度なＰ型シリコンをエ
ピタキシャル法で形成し、これをベース領域とし、この
ベース領域を分離する目的で、酸化、リソグラフィ工程
により、窓を形成し、高濃度のＮ型不純物を蒸着、拡散
し、これを分離領域とし、次にリソグラフィ工程により
窓を形成し、Ｎ型不純物を蒸着、拡散し、これをエミッ
タ領域とすることにより、ベース濃度は３Ｘ１０Ｉ５／
ｃｄ以上の４．８ Ｘ １０１６／ｃａｔ以下のいかな
る濃度にでも設定でき、ベース濃度により決定されるエ
ミッタ・ベース間逆方向電圧は２５Ｖ〜１５０Ｖの任意
の値を得ることができる優れた半導体装置を実現できる
ものである。
第１図は本発明の実施例における半導体装置の断面図、
第２図は本発明の実施例におけるベースエピタキシャル
層濃度−ＶＥＢＯの特性図、第３図は従来の半導体装置
の断面図である。 １．１１・・・・・・第１コレクタ領域、２，１２・・
・・・・第２コレクタ領域、１３・・・・・・ベース領
域（エビ層）、１４・・・・・・分離領域、５，１５・
・・・・・酸化膜、６．１６・・・・・・エミッタ領域
、７，１７・・・・・・ベース・コンタクト領域、８，
１８・・・・・・エミッタ電極、９．１９・・・・・・
ベース電極、１０・・・・・・ベース領域（拡散層〉。 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 はが１老込 ＋１−−−＞ζ７ ｎ １Ｌ７９＠Ｘｇ１４− 分駐
傾楓 ｆ７・−やス′コング７ト今碧ｔべ ｆ８−一一丁く・ソ？Ａ女＝〕；タ彎 １９−−−へ゛−ス＊丁教 １−−￥）のコしフタ→咲ｒへ ６、− エミッｑ今頁プ（ ７−−−Ａ＋”−７・コンタクト４！ｔぺ８−−一工む
・ｌダ」３徹 ｑ−＊゛−Ｚ ’￥径
第２図は本発明の実施例におけるベースエピタキシャル
層濃度−ＶＥＢＯの特性図、第３図は従来の半導体装置
の断面図である。 １．１１・・・・・・第１コレクタ領域、２，１２・・
・・・・第２コレクタ領域、１３・・・・・・ベース領
域（エビ層）、１４・・・・・・分離領域、５，１５・
・・・・・酸化膜、６．１６・・・・・・エミッタ領域
、７，１７・・・・・・ベース・コンタクト領域、８，
１８・・・・・・エミッタ電極、９．１９・・・・・・
ベース電極、１０・・・・・・ベース領域（拡散層〉。 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 はが１老込 ＋１−−−＞ζ７ ｎ １Ｌ７９＠Ｘｇ１４− 分駐
傾楓 ｆ７・−やス′コング７ト今碧ｔべ ｆ８−一一丁く・ソ？Ａ女＝〕；タ彎 １９−−−へ゛−ス＊丁教 １−−￥）のコしフタ→咲ｒへ ６、− エミッｑ今頁プ（ ７−−−Ａ＋”−７・コンタクト４！ｔぺ８−−一工む
・ｌダ」３徹 ｑ−＊゛−Ｚ ’￥径
Claims (1)
- 高濃度な一導電型の第１コレクタ領域と、低濃度の同一
導電型エピタキシャル層の第２コレクタ領域と、その上
に、３×１０＾１＾５／ｃｍ＾３〜４．８×１０＾１＾
６ｃｍ＾３の低濃度の反対導電型エピタキシャル層のベ
ース領域と、このベース領域を分離する高濃度の同一導
電型分離拡散領域と、前記ベース領域中に同一導電型の
エミッタ領域とをそなえたことを特徴とする半導体装置
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17956688A JPH0228937A (ja) | 1988-07-19 | 1988-07-19 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17956688A JPH0228937A (ja) | 1988-07-19 | 1988-07-19 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0228937A true JPH0228937A (ja) | 1990-01-31 |
Family
ID=16067976
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17956688A Pending JPH0228937A (ja) | 1988-07-19 | 1988-07-19 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0228937A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5173628A (en) * | 1988-09-29 | 1992-12-22 | Kabushiki Kaisha Sankyo Seiki Seisakusho | Brushless motor |
| CN104332404A (zh) * | 2014-09-25 | 2015-02-04 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | Cmos工艺制造双极型晶体管的方法及双极型晶体管 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS512387A (en) * | 1974-06-24 | 1976-01-09 | Hitachi Ltd | Handotaisochino seiho |
| JPS5367367A (en) * | 1976-11-29 | 1978-06-15 | Sony Corp | Semiconductor device |
| JPS55165669A (en) * | 1979-06-11 | 1980-12-24 | Hitachi Ltd | Bipolar-mos device |
-
1988
- 1988-07-19 JP JP17956688A patent/JPH0228937A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS512387A (en) * | 1974-06-24 | 1976-01-09 | Hitachi Ltd | Handotaisochino seiho |
| JPS5367367A (en) * | 1976-11-29 | 1978-06-15 | Sony Corp | Semiconductor device |
| JPS55165669A (en) * | 1979-06-11 | 1980-12-24 | Hitachi Ltd | Bipolar-mos device |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5173628A (en) * | 1988-09-29 | 1992-12-22 | Kabushiki Kaisha Sankyo Seiki Seisakusho | Brushless motor |
| CN104332404A (zh) * | 2014-09-25 | 2015-02-04 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | Cmos工艺制造双极型晶体管的方法及双极型晶体管 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR880006781A (ko) | 반도체 집적회로 및 그 제조방법 | |
| JPH0228937A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH1050721A (ja) | バイポーラ・トランジスタおよび製造方法 | |
| JPH07221116A (ja) | トランジスタ | |
| JPS59169177A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2890509B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH04112539A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS6143858B2 (ja) | ||
| JPS60123062A (ja) | 半導体集積回路の製造方法 | |
| JPS6022358A (ja) | 半導体集積回路装置 | |
| JPS58107645A (ja) | 半導体装置の製法 | |
| JP2656125B2 (ja) | 半導体集積回路の製造方法 | |
| JPH0479361A (ja) | 半導体基板の製造方法および半導体集積回路装置の製造方法 | |
| JPH1027915A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS58108765A (ja) | 半導体装置の製法 | |
| JPH0955501A (ja) | 縦型半導体装置 | |
| JPH0499387A (ja) | 半導体集積回路 | |
| JP2000138347A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH01259554A (ja) | バイポーラ・ｍｏｓ混載半導体装置の製造方法 | |
| JPS6020555A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS58220471A (ja) | ラテラル・トランジスタ | |
| JPS6222464B2 (ja) | ||
| JPS6097669A (ja) | 半導体集積回路装置 | |
| JPH01228157A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS62115784A (ja) | モノリシツク集積回路に組込まれるダイオ−ド |