JPH02287301A - 入射角非依存性高反射率誘電体多層膜反射鏡 - Google Patents
入射角非依存性高反射率誘電体多層膜反射鏡Info
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- JPH02287301A JPH02287301A JP1108972A JP10897289A JPH02287301A JP H02287301 A JPH02287301 A JP H02287301A JP 1108972 A JP1108972 A JP 1108972A JP 10897289 A JP10897289 A JP 10897289A JP H02287301 A JPH02287301 A JP H02287301A
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- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 title claims description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 149
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 15
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 11
- 239000012788 optical film Substances 0.000 claims description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 16
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 10
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 abstract description 8
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract description 8
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 abstract description 7
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 abstract description 7
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 7
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 abstract description 7
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 abstract description 7
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 abstract 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 3
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 2
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 2
- 229910001635 magnesium fluoride Inorganic materials 0.000 description 2
- 108091008695 photoreceptors Proteins 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 101100194816 Caenorhabditis elegans rig-3 gene Proteins 0.000 description 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 229920005668 polycarbonate resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004431 polycarbonate resin Substances 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Optical Elements Other Than Lenses (AREA)
- Mechanical Optical Scanning Systems (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は誘電体多層膜からなる反射増加膜を有する反射
鏡に関し、特にポリゴンミラーに有用な反射率が実質的
に入射角に依存しない反射鏡に関する。
鏡に関し、特にポリゴンミラーに有用な反射率が実質的
に入射角に依存しない反射鏡に関する。
従来から屈折率の異なる誘電体薄膜を交互に重ねてなる
多層反射増加膜を反射膜上に備えた裔反射率の反射鏡が
知られていた。
多層反射増加膜を反射膜上に備えた裔反射率の反射鏡が
知られていた。
しかしながら従来のこの種の反射鏡はその反射率に入射
角依存性があり、レーザビームプリンタ等に用いられる
回転多面鏡あるいはポリゴンミラーに適さないという問
題点があった。例えばレーザビームプリンタにおいては
ポリゴンミラーからなる多面走査器を高回転速度で作動
し入射レーザビームを反射的に走査偏向させて印刷媒体
上にフライングスポットを照射する事により印刷を行な
っている。この際、ポリゴンミラーの反射率に入射角依
存性があるとフライングスボ・ソトの光強度が走査中に
変動し均一な印字品質が得られない。
角依存性があり、レーザビームプリンタ等に用いられる
回転多面鏡あるいはポリゴンミラーに適さないという問
題点があった。例えばレーザビームプリンタにおいては
ポリゴンミラーからなる多面走査器を高回転速度で作動
し入射レーザビームを反射的に走査偏向させて印刷媒体
上にフライングスポットを照射する事により印刷を行な
っている。この際、ポリゴンミラーの反射率に入射角依
存性があるとフライングスボ・ソトの光強度が走査中に
変動し均一な印字品質が得られない。
〔問題点を解決する為の手段]
上述した従来技術の問題点に鑑み、本発明はポリゴンミ
ラーに最適な入射角依存性の無い高反射率反射鏡を提供
する事を目的とする。以下問題点を解決する為の手段を
第1図に基いて説明する。
ラーに最適な入射角依存性の無い高反射率反射鏡を提供
する事を目的とする。以下問題点を解決する為の手段を
第1図に基いて説明する。
ポリカーボネート樹脂あるいはアクリル樹脂等で構成さ
れた基板1の上には下地膜2が形成されている。下地膜
2は例えば−酸化硅素SiOの真空蒸着により膜厚10
00人で形成される。下地膜2の上には入射光を反射す
る為の反射膜3が形成されている。反射膜3は例えばア
ルミニウムの真空蒸着により膜J’(700人で形成さ
れる。反射膜3と基板1の間に介在する下地膜2は両者
に対して密着性が優れているので、反射膜3は基板1に
対して強固に固着され剥離、クラック等の問題が生じな
い。
れた基板1の上には下地膜2が形成されている。下地膜
2は例えば−酸化硅素SiOの真空蒸着により膜厚10
00人で形成される。下地膜2の上には入射光を反射す
る為の反射膜3が形成されている。反射膜3は例えばア
ルミニウムの真空蒸着により膜J’(700人で形成さ
れる。反射膜3と基板1の間に介在する下地膜2は両者
に対して密着性が優れているので、反射膜3は基板1に
対して強固に固着され剥離、クラック等の問題が生じな
い。
反射膜3の上には反射増加膜が設けられており特定波長
λを有する入射光例えばレーザビームを選択的に増幅す
る。該反射増加膜は多層構造を有し低屈折率の誘電体薄
膜4(以下低屈折膜という)と高屈折率の誘電体薄膜5
(以下高屈折膜という)を交互に複数層重ねて形成され
る。低屈折膜4は例えば半導体レーザから発するレーザ
ビームの特定波長λ−f333nffiに対して屈折率
約1.46を有する誘電体二酸化硅素S l 02から
なりその光学的膜厚(以下中に膜厚という)はλ/4に
設定されている。又高屈折膜5は例えば特定波長λ−6
33nmに対して屈折率約2.3を有する誘電体二酸化
チタンT i 02からなりその膜厚はλ/4に設定さ
れている。多層型反射増加膜はこれら誘電体材料SiO
及びT t O2を膜厚をモニタしながら交互に真空蒸
着して作成する。反射rig、3と接する反射増加膜の
最下層は低屈折膜4により構成されている。
λを有する入射光例えばレーザビームを選択的に増幅す
る。該反射増加膜は多層構造を有し低屈折率の誘電体薄
膜4(以下低屈折膜という)と高屈折率の誘電体薄膜5
(以下高屈折膜という)を交互に複数層重ねて形成され
る。低屈折膜4は例えば半導体レーザから発するレーザ
ビームの特定波長λ−f333nffiに対して屈折率
約1.46を有する誘電体二酸化硅素S l 02から
なりその光学的膜厚(以下中に膜厚という)はλ/4に
設定されている。又高屈折膜5は例えば特定波長λ−6
33nmに対して屈折率約2.3を有する誘電体二酸化
チタンT i 02からなりその膜厚はλ/4に設定さ
れている。多層型反射増加膜はこれら誘電体材料SiO
及びT t O2を膜厚をモニタしながら交互に真空蒸
着して作成する。反射rig、3と接する反射増加膜の
最下層は低屈折膜4により構成されている。
多層反射増加膜の上部には所定の膜厚を有する低屈折率
の誘電体表面膜6(以下表面膜という)が形成されてい
る。該表面膜6は例えば膜厚λ/4を有し、低屈折膜4
と同一の材料SiO2を真空蒸着する事により作成され
る。
の誘電体表面膜6(以下表面膜という)が形成されてい
る。該表面膜6は例えば膜厚λ/4を有し、低屈折膜4
と同一の材料SiO2を真空蒸着する事により作成され
る。
以上述べた様に本発明にかかる反射鏡はすべて真空蒸希
膜によって形成する事ができるので製造的にも有利であ
る。
膜によって形成する事ができるので製造的にも有利であ
る。
本発明によれば反射膜3の上部に形成された反射増加膜
により特定波長λの入射光は増幅され高反射率が得られ
る。すなわち波長λの入射光及び反射膜3から反射され
た波長λの反射光は低屈折膜4と高屈折膜5の境界にお
いて多重反射を生じ、且つ各屈折膜の膜厚がλ/4に設
定されているので多重反射光は互いに干渉しその光強度
は選択的に増幅され、最終的に反射鏡から出射する波長
λの光は大きな光強度をHする。
により特定波長λの入射光は増幅され高反射率が得られ
る。すなわち波長λの入射光及び反射膜3から反射され
た波長λの反射光は低屈折膜4と高屈折膜5の境界にお
いて多重反射を生じ、且つ各屈折膜の膜厚がλ/4に設
定されているので多重反射光は互いに干渉しその光強度
は選択的に増幅され、最終的に反射鏡から出射する波長
λの光は大きな光強度をHする。
さらに反射膜3の上部出射側に形成された表面膜6は低
屈折率を有するので、その全反射に対する臨界角は充分
大きい。従って出射光線は広角度範囲に渡って実質的に
表面膜6による全反射を受けずそのまま出射していく。
屈折率を有するので、その全反射に対する臨界角は充分
大きい。従って出射光線は広角度範囲に渡って実質的に
表面膜6による全反射を受けずそのまま出射していく。
その為本発明にかかる反射鏡は広角度範囲に渡って反射
率(出射光強度)の入射角度依存性が実質的に認められ
ない。
率(出射光強度)の入射角度依存性が実質的に認められ
ない。
以ド図面を参照して本発明にかかる反射鏡の種々の実施
例を説明する。まず6層構造の反射増加膜の上に表面膜
を形成した試料Aを作成した。
例を説明する。まず6層構造の反射増加膜の上に表面膜
を形成した試料Aを作成した。
試料Aは第1図に示すと同様の層構造を有し、入射光波
長λ−833r+n+に対して高反射率を示す様に反射
増加膜のj膜厚を設定している。すなわち反射増加膜は
膜厚λ/4を6するS iO2膜及びT io 2膜を
交互に6層重ねて形成し、その上部には膜厚λ/4を有
する低屈折率S i O2表面膜を形成した。なお比較
の為に試料Aの層構造から表面膜のみを除いた試料A′
を作成した。さらに試料Aの層構造と類似し、ただ反射
増加膜が2層少い4層構造の上に表面膜を形成したサン
プルBを作成した。加えて比較の為に試料Bの層措造か
ら表面膜のみを除いた試料B′を作成した。
長λ−833r+n+に対して高反射率を示す様に反射
増加膜のj膜厚を設定している。すなわち反射増加膜は
膜厚λ/4を6するS iO2膜及びT io 2膜を
交互に6層重ねて形成し、その上部には膜厚λ/4を有
する低屈折率S i O2表面膜を形成した。なお比較
の為に試料Aの層構造から表面膜のみを除いた試料A′
を作成した。さらに試料Aの層構造と類似し、ただ反射
増加膜が2層少い4層構造の上に表面膜を形成したサン
プルBを作成した。加えて比較の為に試料Bの層措造か
ら表面膜のみを除いた試料B′を作成した。
各試料A、 A’ B、 B’の反射率を入射角
を変えてl1lll定した結果を第2図に示す。図から
明らかなように、試料AとA′を比較すると低屈折率の
表面膜を有する試料Aは入射角0°から70″の法人射
角範囲に渡って反射率95%以上の一定高反射率が得ら
れたのに対して、低屈折率の表面膜を有しない比較試料
A′は垂直入射に近いOoから30°の狭い角度範囲に
おいて試料Aより大きな反射率を有しているものの入射
角が30″を越えると急激に反射率が下方に変化する。
を変えてl1lll定した結果を第2図に示す。図から
明らかなように、試料AとA′を比較すると低屈折率の
表面膜を有する試料Aは入射角0°から70″の法人射
角範囲に渡って反射率95%以上の一定高反射率が得ら
れたのに対して、低屈折率の表面膜を有しない比較試料
A′は垂直入射に近いOoから30°の狭い角度範囲に
おいて試料Aより大きな反射率を有しているものの入射
角が30″を越えると急激に反射率が下方に変化する。
又試料Bと比較試料B′についても同様であり低屈折率
表面膜を有する試料Bは入射角0°から70°の広範囲
に渡って反射率が一定であるのに対して低屈折率表面膜
を有しない試料B′は入射角30°を越えると下方に向
って変化する。
表面膜を有する試料Bは入射角0°から70°の広範囲
に渡って反射率が一定であるのに対して低屈折率表面膜
を有しない試料B′は入射角30°を越えると下方に向
って変化する。
さらに試料AとBを比較すると明らかなように反対増加
膜の層数が多い試料Aの方が少い試料Bよりも大きな反
射率を白゛している。実使用上95%以上の反射率を有
する事が好ましい。
膜の層数が多い試料Aの方が少い試料Bよりも大きな反
射率を白゛している。実使用上95%以上の反射率を有
する事が好ましい。
次に低屈折率表面膜の膜厚を種々変えた試料を作成した
。各試料はいずれも第1図に示すと同様の層構成を有し
、波長λ〜033nmを有する入射光に対して高反射率
を示す様に設計されている。試料CはSiO膜とT t
O2膜の4層からなる反射増加膜を有し、その上に膜
厚λ/8の低屈折率S i O2表面膜が形成されてい
る。試料りは試料Cと同一の層構成を有するが、S l
02表面膜の膜厚がλ/4である。試料Eも試料Cと
同一の層構成を有するがS iO2表面膜の膜厚がλ/
2である。又比較の為SiO2表面膜を有しない試料E
′を作成した。
。各試料はいずれも第1図に示すと同様の層構成を有し
、波長λ〜033nmを有する入射光に対して高反射率
を示す様に設計されている。試料CはSiO膜とT t
O2膜の4層からなる反射増加膜を有し、その上に膜
厚λ/8の低屈折率S i O2表面膜が形成されてい
る。試料りは試料Cと同一の層構成を有するが、S l
02表面膜の膜厚がλ/4である。試料Eも試料Cと
同一の層構成を有するがS iO2表面膜の膜厚がλ/
2である。又比較の為SiO2表面膜を有しない試料E
′を作成した。
これら試料C,D、E及びE′の反射率と入射角との関
係を第3図に示す。図から明らかな様に表面膜の膜厚が
λ/4である試料りは最も一定した反射率を示し入射角
0″から70@の範囲で実質的に変化は無い。又表面膜
の膜厚がλ/8である試料Cも反射率は入射角0″から
70″の範囲でほぼ一定であるがただ入射角80@の付
近で若干低下する。これに対して表面膜の膜厚がλ/2
である試料Eは入射角30″を越えると反射率が急激に
下方に変化する。この変化は表面膜を有しない比較試料
E′の場合と全く同様である。以上の事から、反射率の
入射角度依存性を除き実質的に広い角度範囲で反射率を
一定に保つ為に低屈折率表面膜の膜厚を特定入射光波長
λの四分の一程度に設定するi1↓が好ましい。膜厚が
λ/4±λ/8程度であっても実用上問題は少い。しか
しながら膜厚をλ/2の近傍に設定すると、はとんど反
射率−走化の効果が得られない。
係を第3図に示す。図から明らかな様に表面膜の膜厚が
λ/4である試料りは最も一定した反射率を示し入射角
0″から70@の範囲で実質的に変化は無い。又表面膜
の膜厚がλ/8である試料Cも反射率は入射角0″から
70″の範囲でほぼ一定であるがただ入射角80@の付
近で若干低下する。これに対して表面膜の膜厚がλ/2
である試料Eは入射角30″を越えると反射率が急激に
下方に変化する。この変化は表面膜を有しない比較試料
E′の場合と全く同様である。以上の事から、反射率の
入射角度依存性を除き実質的に広い角度範囲で反射率を
一定に保つ為に低屈折率表面膜の膜厚を特定入射光波長
λの四分の一程度に設定するi1↓が好ましい。膜厚が
λ/4±λ/8程度であっても実用上問題は少い。しか
しながら膜厚をλ/2の近傍に設定すると、はとんど反
射率−走化の効果が得られない。
第4図は上述した試料C,D、E及びE′の反射率を入
射光の波長を変えて7j□P1定した結果を示す。
射光の波長を変えて7j□P1定した結果を示す。
入射角度は0°すなわち垂直入射角に設定した。
図から明らかな様に特定入射光波長λ−833niの付
近では試料Eと比較試料E′が最も大きな反射率を有し
、ついで試料CS試料りの順となっている。つまり反射
率の入射角度依存性が最も小さい試料りが最も小さい反
射率を有している。しかしながら反射率は反射増加膜の
層数を増加する事により容易に上方に調整可能であり実
用上問題は無い。
近では試料Eと比較試料E′が最も大きな反射率を有し
、ついで試料CS試料りの順となっている。つまり反射
率の入射角度依存性が最も小さい試料りが最も小さい反
射率を有している。しかしながら反射率は反射増加膜の
層数を増加する事により容易に上方に調整可能であり実
用上問題は無い。
次に反射増加膜の層数を種々変えた試料を作成した。各
試料共に入射光波長λ−833nmに対して一定且つ高
い反射率を与える様設計されている。
試料共に入射光波長λ−833nmに対して一定且つ高
い反射率を与える様設計されている。
基本構造は第1図に示すと同様であり、アルミニウム反
射膜、5102膜とT I O2膜の積層構造を有する
反射増加膜及び膜厚λ/4の低屈折率S io 2表面
膜からなる。ただ各試料において反射増加膜の層数が異
なり、試料Fは6層からなり、試料Gは4層からなり、
試料Hは2層からなる。
射膜、5102膜とT I O2膜の積層構造を有する
反射増加膜及び膜厚λ/4の低屈折率S io 2表面
膜からなる。ただ各試料において反射増加膜の層数が異
なり、試料Fは6層からなり、試料Gは4層からなり、
試料Hは2層からなる。
第5図は試料F、 G及びHの反射率を入射波長を変え
て4p1定した結果を示す。入射光を垂直に入射して測
定した。図から明らかな様に特定人射光波長λ−833
nm付近において、試料Fが最も大きな反射率を有し、
以下試料G及び試料Hの順になっている。すなわち反射
増加膜の層数が大きい程その光増幅効果が大きい。従っ
て実用上望ましい反射率の下限である95%以上を得る
為には、反射増加膜の層数を6以上に設定する事が好ま
しい。
て4p1定した結果を示す。入射光を垂直に入射して測
定した。図から明らかな様に特定人射光波長λ−833
nm付近において、試料Fが最も大きな反射率を有し、
以下試料G及び試料Hの順になっている。すなわち反射
増加膜の層数が大きい程その光増幅効果が大きい。従っ
て実用上望ましい反射率の下限である95%以上を得る
為には、反射増加膜の層数を6以上に設定する事が好ま
しい。
最後に種々の異なった誘電体材料を用いて試料を作成し
た。各試料共に入射光波長λ−633nmに合わせて構
成膜の膜厚を設定している。各試料は基本的に同一の層
構成を有し、膜材料のみが異なっている。層構成は第1
図に示すと同様であり、アルミニウム反射膜、低屈折膜
及び高屈折膜の4層よりなる反射増加膜、及び該低屈折
膜と同一の材料からなる表面膜を順に重ねたものである
。各誘電性薄膜の膜厚はλ/4である。試料■は屈折率
的1.38を有するM g F 2からなる低屈折膜及
び表面膜と、屈折率的2.3を有するT i O2から
なる高屈折膜で形成されている。試料Jは屈折率的1.
40のS 102からなる低屈折膜及び表面膜と、屈折
率的2.3を有するT i 02からなる高屈折膜で形
成されている。試料には屈折率的1.38のN1 g
F 2からなる低屈折膜及び表面膜と、屈折率的2.1
を有するZ r 02からなる高屈折膜で形成されてい
る。試料りは屈折率的1.46のS io 2からなる
低屈折膜及び表面膜と、屈折率的2.1のZ r O2
からなる高屈折膜で形成されている。
た。各試料共に入射光波長λ−633nmに合わせて構
成膜の膜厚を設定している。各試料は基本的に同一の層
構成を有し、膜材料のみが異なっている。層構成は第1
図に示すと同様であり、アルミニウム反射膜、低屈折膜
及び高屈折膜の4層よりなる反射増加膜、及び該低屈折
膜と同一の材料からなる表面膜を順に重ねたものである
。各誘電性薄膜の膜厚はλ/4である。試料■は屈折率
的1.38を有するM g F 2からなる低屈折膜及
び表面膜と、屈折率的2.3を有するT i O2から
なる高屈折膜で形成されている。試料Jは屈折率的1.
40のS 102からなる低屈折膜及び表面膜と、屈折
率的2.3を有するT i 02からなる高屈折膜で形
成されている。試料には屈折率的1.38のN1 g
F 2からなる低屈折膜及び表面膜と、屈折率的2.1
を有するZ r 02からなる高屈折膜で形成されてい
る。試料りは屈折率的1.46のS io 2からなる
低屈折膜及び表面膜と、屈折率的2.1のZ r O2
からなる高屈折膜で形成されている。
第6図に各試料1.J、K及びLの反射率を入射光波長
を変えてaP1定した結果を示す。垂直入射で測定した
。図から明らかな様に特定入射光波長λ近辺において、
試料Iが最も大きな反射率を有し以下試料J、に、Lの
順となっている。
を変えてaP1定した結果を示す。垂直入射で測定した
。図から明らかな様に特定入射光波長λ近辺において、
試料Iが最も大きな反射率を有し以下試料J、に、Lの
順となっている。
試料lにおける低屈折率材料MgF2と高屈折率材料T
102の屈折率の差は2.3−IJ8−0.92であ
る。同様試料JにおけるSiOとT t 02の屈折率
の差は2J−1,413−0,84である。試料I(に
おけるM g F 2とZ r O2の屈折率の差は2
.1−1.38−0.72である。さらに試料りにおけ
るS i O2とZ r O2の屈折率の差は2.1−
1.48−0.64である。従って低屈折率材料と高屈
折率材料の屈折率の差が大きい程大きな反射率が得られ
る。しかしながら最も大きな値が得られるMgF2とT
102の組み合わせでは、両屈折膜ともに引っ張り応
力を示すため互いに交互に重ねて多層構造とすると基板
からの剥離やクラックを生じ実用上は好ましくない。従
って実用上かかる応力が生ぜず、且つ比較的大きな屈折
率の差を有するS t 02低屑折膜とT IOZ高屈
折膜の組み合わせが適当である。
102の屈折率の差は2.3−IJ8−0.92であ
る。同様試料JにおけるSiOとT t 02の屈折率
の差は2J−1,413−0,84である。試料I(に
おけるM g F 2とZ r O2の屈折率の差は2
.1−1.38−0.72である。さらに試料りにおけ
るS i O2とZ r O2の屈折率の差は2.1−
1.48−0.64である。従って低屈折率材料と高屈
折率材料の屈折率の差が大きい程大きな反射率が得られ
る。しかしながら最も大きな値が得られるMgF2とT
102の組み合わせでは、両屈折膜ともに引っ張り応
力を示すため互いに交互に重ねて多層構造とすると基板
からの剥離やクラックを生じ実用上は好ましくない。従
って実用上かかる応力が生ぜず、且つ比較的大きな屈折
率の差を有するS t 02低屑折膜とT IOZ高屈
折膜の組み合わせが適当である。
すなわちSiO2蒸着膜は基板に対して圧縮応力を示し
、他方T l 02蒸告膜は前述した様に引っ張り応力
を示す為、両者を重ねた場合応力成分が互いに打ち消し
合い、多層膜の剥離やクラックが生じにくいのである。
、他方T l 02蒸告膜は前述した様に引っ張り応力
を示す為、両者を重ねた場合応力成分が互いに打ち消し
合い、多層膜の剥離やクラックが生じにくいのである。
最後に第7図に本発明を適用したポリゴンミラーを組み
込んだレーザビームプリンタを示す。
込んだレーザビームプリンタを示す。
転写マスタードラム7上の感光体8を半導体レーザ9か
らのレーザビームにより感光させるため、ポリゴンミラ
ー10を回転させてレーザビームを転写マスタードラム
7の回転軸方向に走査すると共に該ドラム7も回転させ
る。ポリゴンミラー10は六角柱形状の樹脂基材側面部
に第1図に示す多層反射膜を形成して得る。従ってポリ
ゴンミラー10はその回転によりレーザビームの入射角
が常に変化していても、反射率が一定であるため、ビー
ムスポット光強度も一定であり、感光体8は常に一定強
度のレーザビームで照射される事となる。
らのレーザビームにより感光させるため、ポリゴンミラ
ー10を回転させてレーザビームを転写マスタードラム
7の回転軸方向に走査すると共に該ドラム7も回転させ
る。ポリゴンミラー10は六角柱形状の樹脂基材側面部
に第1図に示す多層反射膜を形成して得る。従ってポリ
ゴンミラー10はその回転によりレーザビームの入射角
が常に変化していても、反射率が一定であるため、ビー
ムスポット光強度も一定であり、感光体8は常に一定強
度のレーザビームで照射される事となる。
以上述べた様に本発明によれば、反射膜の上に低屈折率
及び高屈折率の誘電体薄膜を交互に積層した反射増加膜
を設け、さらにその上に低屈折率の表面膜を配置した多
層構造を有する為、本発明にかかる反射鏡は従来に比し
高反射率で且つ反射率が実質的に入射角度に依存しない
ので、レーザビームプリンタ等に用いられるポリゴンミ
ラーに最適である。
及び高屈折率の誘電体薄膜を交互に積層した反射増加膜
を設け、さらにその上に低屈折率の表面膜を配置した多
層構造を有する為、本発明にかかる反射鏡は従来に比し
高反射率で且つ反射率が実質的に入射角度に依存しない
ので、レーザビームプリンタ等に用いられるポリゴンミ
ラーに最適である。
又本発明にかかる積層反射鏡は全て基板に対する真空蒸
若処理によって形成できるので製造が容易であるという
効果がある。
若処理によって形成できるので製造が容易であるという
効果がある。
さらに膜を重ねる事により実使用上必要な95%以上の
反射率を極めて容易に達成できるという効果がある。
反射率を極めて容易に達成できるという効果がある。
加えて低屈折率表面膜を用いる事により実質的に入射角
が70″付近に到るまで反射率を一定に維持する事がで
きる。
が70″付近に到るまで反射率を一定に維持する事がで
きる。
第1図は本発明にかかる反射鏡の断面図、第2図は種々
の反射鏡試料の反射率と入射角の関係を示す線図、第3
図は表面膜の膜厚の異なる種々の反射鏡試料について反
射率と入射角の関係を示す線図、第4図は第3図に示す
試料について反射率と入射光波長の関係を示す線図、第
5図は多層反射増加膜の層数が異なる種々の反射鏡試料
について反射率と入射光波長の関係を示す線図、第6図
は表面膜′及び反射増加膜の材料が異なる種々の反射鏡
試料について反射率と入射光波長の関係を示す線図、及
び第7図はポリゴンミラーの斜視図である。 1・・・基 板、 2・・・下地膜、3・・
・反射膜、 4・・・低屈折膜、5・・・
高屈折膜、 6・・・表面膜。
の反射鏡試料の反射率と入射角の関係を示す線図、第3
図は表面膜の膜厚の異なる種々の反射鏡試料について反
射率と入射角の関係を示す線図、第4図は第3図に示す
試料について反射率と入射光波長の関係を示す線図、第
5図は多層反射増加膜の層数が異なる種々の反射鏡試料
について反射率と入射光波長の関係を示す線図、第6図
は表面膜′及び反射増加膜の材料が異なる種々の反射鏡
試料について反射率と入射光波長の関係を示す線図、及
び第7図はポリゴンミラーの斜視図である。 1・・・基 板、 2・・・下地膜、3・・
・反射膜、 4・・・低屈折膜、5・・・
高屈折膜、 6・・・表面膜。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、基板と、基板上に設けられ波長λの入射光を反射す
る為の反射膜と、反射膜上に設けられ光学的膜厚λ/4
を有する低屈折率の誘電体薄膜と光学的膜厚λ/4を有
する高屈折率の誘電体薄膜を交互に重ねてなる多層の反
射増加膜と、反射増加膜の最上部に位置し所定の光学的
膜厚を有する低屈折率の誘電体表面膜とから構成され、
実質的に反射率が入射角に依存しない反射鏡。 2、該誘電体表面膜は該低屈折率誘電体薄膜と同一の誘
電体材料からなる請求項1に記載の反射鏡。 3、該誘電体表面膜は光学的膜厚が約λ/4である請求
項1に記載の反射鏡。 4、該低屈折率誘電体薄膜はSiO_2からなり、該高
屈折率誘電体薄膜はTiO_2からなる請求項1に記載
の反射鏡。 5、該反射増加膜は少くとも6層の誘電体薄膜を有し反
射率が95%以上である請求項1に記載の反射鏡。 6、該反射増加膜はその最下層に該低屈折率の誘電体薄
膜を有する請求項1に記載の反射鏡。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1108972A JPH02287301A (ja) | 1989-04-27 | 1989-04-27 | 入射角非依存性高反射率誘電体多層膜反射鏡 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1108972A JPH02287301A (ja) | 1989-04-27 | 1989-04-27 | 入射角非依存性高反射率誘電体多層膜反射鏡 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02287301A true JPH02287301A (ja) | 1990-11-27 |
Family
ID=14498321
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1108972A Pending JPH02287301A (ja) | 1989-04-27 | 1989-04-27 | 入射角非依存性高反射率誘電体多層膜反射鏡 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02287301A (ja) |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05313013A (ja) * | 1992-05-09 | 1993-11-26 | Horiba Ltd | 多層膜光学フイルタ |
JP2002539472A (ja) * | 1999-03-08 | 2002-11-19 | シーゲイト テクノロジィ リミテッド ライアビリティ カンパニー | 微細加工ミラーの改良型光レフレクタ |
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CN112684527A (zh) * | 2020-12-29 | 2021-04-20 | 青岛海信激光显示股份有限公司 | 一种反射镜、镜头及激光投影设备 |
US11892660B2 (en) | 2020-03-19 | 2024-02-06 | Ricoh Company, Ltd. | Reflecting element, light deflecting device, image projection device, optical writing device, object recognition device, mobile object, and head-mounted display |
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-
1989
- 1989-04-27 JP JP1108972A patent/JPH02287301A/ja active Pending
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