JPH02285081A - エッチング液 - Google Patents
エッチング液Info
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- JPH02285081A JPH02285081A JP10647389A JP10647389A JPH02285081A JP H02285081 A JPH02285081 A JP H02285081A JP 10647389 A JP10647389 A JP 10647389A JP 10647389 A JP10647389 A JP 10647389A JP H02285081 A JPH02285081 A JP H02285081A
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Links
- 238000005530 etching Methods 0.000 title claims abstract description 59
- XMPZTFVPEKAKFH-UHFFFAOYSA-P ceric ammonium nitrate Chemical compound [NH4+].[NH4+].[Ce+4].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O XMPZTFVPEKAKFH-UHFFFAOYSA-P 0.000 claims abstract description 28
- VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-N perchloric acid Chemical compound OCl(=O)(=O)=O VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 27
- 125000002947 alkylene group Chemical group 0.000 claims abstract description 16
- -1 perfluoroalkyl sulfonate Chemical compound 0.000 claims abstract description 12
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims abstract description 11
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 claims abstract description 11
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims abstract description 10
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- 229910021578 Iron(III) chloride Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K iron trichloride Chemical compound Cl[Fe](Cl)Cl RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K 0.000 claims abstract description 8
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 4
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims description 35
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 9
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 9
- WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N Trioxochromium Chemical compound O=[Cr](=O)=O WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910000423 chromium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000008280 blood Substances 0.000 claims description 6
- 210000004369 blood Anatomy 0.000 claims description 6
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 claims description 6
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 claims description 4
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 claims description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 5
- YAGKRVSRTSUGEY-UHFFFAOYSA-N ferricyanide Chemical compound [Fe+3].N#[C-].N#[C-].N#[C-].N#[C-].N#[C-].N#[C-] YAGKRVSRTSUGEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- IAYPIBMASNFSPL-UHFFFAOYSA-N Ethylene oxide Chemical compound C1CO1 IAYPIBMASNFSPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 22
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- CYEJMVLDXAUOPN-UHFFFAOYSA-N 2-dodecylphenol Chemical compound CCCCCCCCCCCCC1=CC=CC=C1O CYEJMVLDXAUOPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 5
- SNQQPOLDUKLAAF-UHFFFAOYSA-N nonylphenol Chemical compound CCCCCCCCCC1=CC=CC=C1O SNQQPOLDUKLAAF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- IGFHQQFPSIBGKE-UHFFFAOYSA-N Nonylphenol Natural products CCCCCCCCCC1=CC=C(O)C=C1 IGFHQQFPSIBGKE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- GOOHAUXETOMSMM-UHFFFAOYSA-N Propylene oxide Chemical compound CC1CO1 GOOHAUXETOMSMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 4
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 4
- 125000005010 perfluoroalkyl group Chemical group 0.000 description 4
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 4
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XTEFYUMHUHOILL-UHFFFAOYSA-N N-(2-aminoethyl)-2,2,3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,8-pentadecafluorooctanamide Chemical compound NCCNC(C(C(C(C(C(C(C(F)(F)F)(F)F)(F)F)(F)F)(F)F)(F)F)(F)F)=O XTEFYUMHUHOILL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 3
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 3
- XAEFZNCEHLXOMS-UHFFFAOYSA-M potassium benzoate Chemical compound [K+].[O-]C(=O)C1=CC=CC=C1 XAEFZNCEHLXOMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- HYWZIAVPBSTISZ-UHFFFAOYSA-N 1,1,2,2,3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,9,9,10,10,10-henicosafluorodecane-1-sulfonic acid Chemical compound OS(=O)(=O)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)F HYWZIAVPBSTISZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012190 activator Substances 0.000 description 2
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 2
- YFSUTJLHUFNCNZ-UHFFFAOYSA-N perfluorooctane-1-sulfonic acid Chemical compound OS(=O)(=O)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)F YFSUTJLHUFNCNZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 159000000000 sodium salts Chemical class 0.000 description 2
- BDHFUVZGWQCTTF-UHFFFAOYSA-M sulfonate Chemical compound [O-]S(=O)=O BDHFUVZGWQCTTF-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 2
- KFAWTUKIWVPBPE-UHFFFAOYSA-N 2-dodecylphenol;oxirane Chemical compound C1CO1.CCCCCCCCCCCCC1=CC=CC=C1O KFAWTUKIWVPBPE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DYBIGIADVHIODH-UHFFFAOYSA-N 2-nonylphenol;oxirane Chemical compound C1CO1.CCCCCCCCCC1=CC=CC=C1O DYBIGIADVHIODH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 description 1
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 235000014113 dietary fatty acids Nutrition 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000000194 fatty acid Substances 0.000 description 1
- 229930195729 fatty acid Natural products 0.000 description 1
- 150000004665 fatty acids Chemical class 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 description 1
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000005361 soda-lime glass Substances 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 229940124530 sulfonamide Drugs 0.000 description 1
- 150000003871 sulfonates Chemical class 0.000 description 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
- C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
- C23F1/10—Etching compositions
- C23F1/14—Aqueous compositions
- C23F1/32—Alkaline compositions
- C23F1/38—Alkaline compositions for etching refractory metals
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、クロム膜および/または酸化クロム膜の湿式
エツチングに用いられるエツチング液に関するものであ
る。
エツチングに用いられるエツチング液に関するものであ
る。
フォトマスクやハードマスクを製造する工程は、マスク
ブランクスやプリント基板にレジストを塗布、乾燥(プ
リベーク)後、紫外線または電子線などを照射し、現像
、水洗後クロム膜および/または酸化クロム膜をエツチ
ングし、残ったレジストを剥離し乾燥するのが一般的で
ある。時としては、紫外線または電子線などによる現像
、水洗後レジストをボストベークのため、50〜150
℃で10〜60分間乾燥させた後、クロム膜および/ま
たは酸化クロム膜をエツチングすることもある。
ブランクスやプリント基板にレジストを塗布、乾燥(プ
リベーク)後、紫外線または電子線などを照射し、現像
、水洗後クロム膜および/または酸化クロム膜をエツチ
ングし、残ったレジストを剥離し乾燥するのが一般的で
ある。時としては、紫外線または電子線などによる現像
、水洗後レジストをボストベークのため、50〜150
℃で10〜60分間乾燥させた後、クロム膜および/ま
たは酸化クロム膜をエツチングすることもある。
この工程中、クロム膜および/または酸化クロム膜のエ
ツチングに関しては、エツチング液として従来より、硝
酸第2セリウムアンモニウム、塩化第2鉄、赤血塩、過
塩素酸および過マンガン酸が用いられている。
ツチングに関しては、エツチング液として従来より、硝
酸第2セリウムアンモニウム、塩化第2鉄、赤血塩、過
塩素酸および過マンガン酸が用いられている。
近年、半導体用ICチップの高集積化に伴ってシリコン
ウェハーの加工に用いるレジストパターンの超微細加工
が必要とされる事例が増えてきている。このため、従来
から用いられている硝酸第2セリウムアンモニウム、塩
化第2鉄、赤血塩、過塩素酸および過マンガン酸などで
はエツチングが不十分でいわゆる切れ残りが生じるとい
う問題点がある。
ウェハーの加工に用いるレジストパターンの超微細加工
が必要とされる事例が増えてきている。このため、従来
から用いられている硝酸第2セリウムアンモニウム、塩
化第2鉄、赤血塩、過塩素酸および過マンガン酸などで
はエツチングが不十分でいわゆる切れ残りが生じるとい
う問題点がある。
本発明者らは、クロム膜および/または酸化クロム膜の
超微細加工が可能なエツチング液について鋭意検討した
結果本発明に到達した。
超微細加工が可能なエツチング液について鋭意検討した
結果本発明に到達した。
すなわち本発明は、硝酸第2セリウムアンモニウム、塩
化第2鉄、赤血塩、過塩素酸、弗酸、硝酸、燐酸および
過マンガン酸からなる群より選ばれる1種または2種以
上の化合物(エツチング主剤)と、アルキルフェノール
のアルキレンオキシド付加物、パーフルオロアルキルス
ルフォネート、パーフルオロアルキルスルホンアミドア
ルコールのアルキレンオキシド付加物およびN−(パー
フルオロアシル)−アルキレンジアミンのアルキレンオ
キシド付加物からなる群より選ばれる1種または2種以
上の界面活性剤とを含有した水溶液からなることを特徴
とするクロム膜および/または酸化クロム膜のエツチン
グ液である。
化第2鉄、赤血塩、過塩素酸、弗酸、硝酸、燐酸および
過マンガン酸からなる群より選ばれる1種または2種以
上の化合物(エツチング主剤)と、アルキルフェノール
のアルキレンオキシド付加物、パーフルオロアルキルス
ルフォネート、パーフルオロアルキルスルホンアミドア
ルコールのアルキレンオキシド付加物およびN−(パー
フルオロアシル)−アルキレンジアミンのアルキレンオ
キシド付加物からなる群より選ばれる1種または2種以
上の界面活性剤とを含有した水溶液からなることを特徴
とするクロム膜および/または酸化クロム膜のエツチン
グ液である。
本発明のエツチング液に含有されるエツチング主剤とし
ては、硝酸第2セリクムアンモニウム、塩化第2鉄、赤
血塩、過塩素酸、弗酸、硝酸、燐酸、および過マンガン
酸およびこれらの2種以上の混合物、例えば硝酸第2セ
リウムアンモニウムと過塩素酸、硝酸第2セリウムアン
モニウムと過マンガン酸、塩化第2鉄と過塩素酸、塩化
第2鉄と過マンガン酸、赤血塩と過塩素酸と過マンガン
酸の混合物などがあげられる。これらのうちで好ましい
ものは、硝酸第2セリウムアンモニウム、硝酸第2セリ
ウムアンモニウムと過塩素酸の混合物である。
ては、硝酸第2セリクムアンモニウム、塩化第2鉄、赤
血塩、過塩素酸、弗酸、硝酸、燐酸、および過マンガン
酸およびこれらの2種以上の混合物、例えば硝酸第2セ
リウムアンモニウムと過塩素酸、硝酸第2セリウムアン
モニウムと過マンガン酸、塩化第2鉄と過塩素酸、塩化
第2鉄と過マンガン酸、赤血塩と過塩素酸と過マンガン
酸の混合物などがあげられる。これらのうちで好ましい
ものは、硝酸第2セリウムアンモニウム、硝酸第2セリ
ウムアンモニウムと過塩素酸の混合物である。
本発明のエツチング液に含有される界面活性剤としては
、アルキル(アルキル基の炭素数は通常6〜14)フェ
ノールのアルキレンオキシド(アルキレンオキシドの炭
素数は通常2〜4)付加物(付加モル数は通常4〜30
);例えばノニルフェノールのエチレンオキシド8モル
付加物、ノニルフェノールのエチレンオキシド8モル・
プロピレンオキシド2モル付加物、ノニルフェノールの
エチレンオキシド10モル付加物、ノニルフェノールの
エチレンオキシド20モル付加物、オクチルフェノール
のエチレンオキシド8モル付加物、オクチルフェノール
のエチレンオキシド8七ループロピレンオキシド4モル
付加物、オクチルフェノールのエチレン、t−1−シ)
’1[iモル付加物、オクチルフェノールのエチレンオ
キシド20モル付加物、ドデシルフェノールのエチレン
オキシド8モル付加物、ドデシルフェノールのエチレン
オキシド10モル・プロピレンオキシド2モル付加物、
ドデシルフェノールのエチレンオキシド16モル付加物
、およびドデシルフェノールのエチレンオキシド20モ
ル付加物など、パーフルオロアルキル(パーフルオロア
ルキルの炭素数は通常6〜14)スルフォネート;例え
ばパーフルオロオクチルスルフォネートのカリウム塩、
パーフルオロデシルスルフォネートのカリウム塩、パー
フルオロオクチルスルフォネートのナトリウム塩、およ
びパーフルオロデシルスルフォネートのナトリウム塩な
ど、パーフルオロアルキル(パーフルオロアルキルの炭
素数は6〜14)スルホンアミドアルコールのアルキレ
ンオキシド付加物;例えばパーフルオロオクチルスルホ
ンアミドエタノールのエチレンオキシド8モル付加物、
パーフルオロオクチルスルホンアミドエタノールレンオ
キシド20モル付加物、パーフルオロオクチルスルホン
アミドエタノールのプロピレンオキシド2七ルOエチレ
ンオキシド20モル付加物など、N−(パーフルオロア
シル)−アルキレンジアミンのアルキレンオキシド付加
物;例えばN−(バ−フルオロオクタノイル)−エチレ
ンジアミンのエチレンオキシド8モル付加物、N−(パ
ーフルオロオクタノイル)−エチレンジアミンのエチレ
ンオキシド8モル・プロピレンオキシド2モル付加物、
N−(パーフルオロオクタノイル アミンのエチレンオキシド10モル付加物、N−(パー
フルオロオクタノイル)−エチレンジアミンのエチレン
オキシド20モル付加物など、およびこれらの2種以上
の混合物などがあげられる。これらのうちで好ましいも
のはアルキルフェノールのアルキレンオキシド付加物、
パーフルオロアルキルスルフォネートおよびパーフルオ
ロアルキルスルホンアミドアルコールのアルキレンオキ
シド付加物であり、とくに好ましいものはノニルフェノ
ールのエチレンオキシド10モル付加物、ドデシルフェ
ノールのエチレンオキシド10モル・プロピレンオキシ
ド2モル付加物、パーフルオロデシルスルフォネートの
カリウム塩およびパーフルオロオクチルスルホンアミド
エタノールのエチレンオキシド20モル付加物である。
、アルキル(アルキル基の炭素数は通常6〜14)フェ
ノールのアルキレンオキシド(アルキレンオキシドの炭
素数は通常2〜4)付加物(付加モル数は通常4〜30
);例えばノニルフェノールのエチレンオキシド8モル
付加物、ノニルフェノールのエチレンオキシド8モル・
プロピレンオキシド2モル付加物、ノニルフェノールの
エチレンオキシド10モル付加物、ノニルフェノールの
エチレンオキシド20モル付加物、オクチルフェノール
のエチレンオキシド8モル付加物、オクチルフェノール
のエチレンオキシド8七ループロピレンオキシド4モル
付加物、オクチルフェノールのエチレン、t−1−シ)
’1[iモル付加物、オクチルフェノールのエチレンオ
キシド20モル付加物、ドデシルフェノールのエチレン
オキシド8モル付加物、ドデシルフェノールのエチレン
オキシド10モル・プロピレンオキシド2モル付加物、
ドデシルフェノールのエチレンオキシド16モル付加物
、およびドデシルフェノールのエチレンオキシド20モ
ル付加物など、パーフルオロアルキル(パーフルオロア
ルキルの炭素数は通常6〜14)スルフォネート;例え
ばパーフルオロオクチルスルフォネートのカリウム塩、
パーフルオロデシルスルフォネートのカリウム塩、パー
フルオロオクチルスルフォネートのナトリウム塩、およ
びパーフルオロデシルスルフォネートのナトリウム塩な
ど、パーフルオロアルキル(パーフルオロアルキルの炭
素数は6〜14)スルホンアミドアルコールのアルキレ
ンオキシド付加物;例えばパーフルオロオクチルスルホ
ンアミドエタノールのエチレンオキシド8モル付加物、
パーフルオロオクチルスルホンアミドエタノールレンオ
キシド20モル付加物、パーフルオロオクチルスルホン
アミドエタノールのプロピレンオキシド2七ルOエチレ
ンオキシド20モル付加物など、N−(パーフルオロア
シル)−アルキレンジアミンのアルキレンオキシド付加
物;例えばN−(バ−フルオロオクタノイル)−エチレ
ンジアミンのエチレンオキシド8モル付加物、N−(パ
ーフルオロオクタノイル)−エチレンジアミンのエチレ
ンオキシド8モル・プロピレンオキシド2モル付加物、
N−(パーフルオロオクタノイル アミンのエチレンオキシド10モル付加物、N−(パー
フルオロオクタノイル)−エチレンジアミンのエチレン
オキシド20モル付加物など、およびこれらの2種以上
の混合物などがあげられる。これらのうちで好ましいも
のはアルキルフェノールのアルキレンオキシド付加物、
パーフルオロアルキルスルフォネートおよびパーフルオ
ロアルキルスルホンアミドアルコールのアルキレンオキ
シド付加物であり、とくに好ましいものはノニルフェノ
ールのエチレンオキシド10モル付加物、ドデシルフェ
ノールのエチレンオキシド10モル・プロピレンオキシ
ド2モル付加物、パーフルオロデシルスルフォネートの
カリウム塩およびパーフルオロオクチルスルホンアミド
エタノールのエチレンオキシド20モル付加物である。
本発明のエツチング液には必要により他の7ニオン系活
性剤たとえば高級アルコールのアルキレンオキシド付加
物を併用してもよい。
性剤たとえば高級アルコールのアルキレンオキシド付加
物を併用してもよい。
エツチング主剤の本発明のエツチング液への配合量は、
エツチング液全体の重量に基づいて、通常5〜40%、
好ましくは10〜30%である。エツチング主剤の配合
量が5x未溝もしくは40%を越えると、エツチング速
度が遅くなったりまたパターン精度がか劣る。他のノニ
オン系活性剤の配合量は通常0〜0、5%、好ましくは
O〜0.1%である。
エツチング液全体の重量に基づいて、通常5〜40%、
好ましくは10〜30%である。エツチング主剤の配合
量が5x未溝もしくは40%を越えると、エツチング速
度が遅くなったりまたパターン精度がか劣る。他のノニ
オン系活性剤の配合量は通常0〜0、5%、好ましくは
O〜0.1%である。
界面活性剤の本発明のエツチング液への配合量は、エツ
チング液全体の重量に基づいて、通常o.ooos 〜
o.sx1 好ましくは0.001 〜0.25%で
ある。
チング液全体の重量に基づいて、通常o.ooos 〜
o.sx1 好ましくは0.001 〜0.25%で
ある。
界面活性剤の配合量が0 、0005%未満もしくは0
.5%を越えると、切れ残り率が大きくなったりまたパ
ターン精度が劣る。
.5%を越えると、切れ残り率が大きくなったりまたパ
ターン精度が劣る。
また、本発明のエツチング液に公知の添加剤(例えば、
メタノール、エタノール、プロパツール、1、2−エタ
ンジオールなど)などを配合することができる。これら
の添加剤を配合した場合は、その切れ残り率を減少させ
る効果がさらに相乗的に増大する場合がある。これら添
加剤の配合量は、エツチング液の重量に基づいて、通常
5〜50x1 好ましくは10〜30%である。
メタノール、エタノール、プロパツール、1、2−エタ
ンジオールなど)などを配合することができる。これら
の添加剤を配合した場合は、その切れ残り率を減少させ
る効果がさらに相乗的に増大する場合がある。これら添
加剤の配合量は、エツチング液の重量に基づいて、通常
5〜50x1 好ましくは10〜30%である。
本発明のエツチング液はエツチング主剤、界面活性剤を
任意の順序で水に溶解させて製造することができる。例
えば、水を約30℃に加熱しておき、これにエツチング
主剤、界面活性剤の順に加えて溶解させても良く、また
エツチング主剤、界面活性剤を一度に水に加えて溶解さ
せても良い。
任意の順序で水に溶解させて製造することができる。例
えば、水を約30℃に加熱しておき、これにエツチング
主剤、界面活性剤の順に加えて溶解させても良く、また
エツチング主剤、界面活性剤を一度に水に加えて溶解さ
せても良い。
本発明のエツチング液は、例えば次の工程で使用するこ
とができる。まず、クロムメツキをしたガラス基板(マ
スクブランクス)にフォトレジストを塗布しプレベーク
し、所望のパターンを有するフィルムを通して紫外線ま
たは電子線を露光し、現像後硬化していないフォトレジ
ストを洗浄後、ポストベークする。ここで本発明のエツ
チング液を用いて、クロム層をエツチングする。この場
合の、エツチング方法としては、浸漬法でもスプレー法
でもよい。浸漬法の場合は、温度は20〜25℃、浸漬
時間は40〜80秒が適当である。その後、レジストを
剥離し製品としてのフォトマスクを得る。
とができる。まず、クロムメツキをしたガラス基板(マ
スクブランクス)にフォトレジストを塗布しプレベーク
し、所望のパターンを有するフィルムを通して紫外線ま
たは電子線を露光し、現像後硬化していないフォトレジ
ストを洗浄後、ポストベークする。ここで本発明のエツ
チング液を用いて、クロム層をエツチングする。この場
合の、エツチング方法としては、浸漬法でもスプレー法
でもよい。浸漬法の場合は、温度は20〜25℃、浸漬
時間は40〜80秒が適当である。その後、レジストを
剥離し製品としてのフォトマスクを得る。
本発明のエツチング液は、液の表面張力が低く、濡れ性
が良いため、微細なパターン精度グを必要とするフォト
マスクをエツチングした場合でも、フォトレジスト層で
エツチング液がはじかれることなく、クロム層までエツ
チング液が浸透し、優れた切れ味を示す。
が良いため、微細なパターン精度グを必要とするフォト
マスクをエツチングした場合でも、フォトレジスト層で
エツチング液がはじかれることなく、クロム層までエツ
チング液が浸透し、優れた切れ味を示す。
[実施例コ
以下、実施例により本発明をさらに説明するが、本発明
はこれに限定されるものではない。実施例中の部は重量
部である。
はこれに限定されるものではない。実施例中の部は重量
部である。
比較例1
次に示す組成のエツチング液を調合した。
純水
78部
硝酸第二セリウムアンモニウム 15部過塩素酸(6
0%品) 7部 比較例2 表− 次に示す組成のエツチング液を調合した。
0%品) 7部 比較例2 表− 次に示す組成のエツチング液を調合した。
純水
79部
硝酸第二セリウムアンモニウム
15部
過塩素酸
(GOx品)
6部
比較例3
次に示す組成のエツチング液を調合した。
純水
80部
硝酸第二セリウムアンモニウム
14部
過塩素酸
(80%品)
6部
比較例4〜9
Xイ:
ネ°リエチレンク°リコール (分子量的1000)
表−
1に示す組成のエツチング液を調合した。
X口:
脂肪酸フルカッ−ルアミド。
(工注化成工業製)
本ハ:
芳香族系スルネン酸ソータ゛
(工注化成工業製)
表−
(続き)
表−2
表−2
(続き)
実施例1〜9
表−2に示す組成のエツチング液を調合した。
表−2(続き)
錦: ノニルフェノールエチレンオキ号イト’10モル
イ寸加物 (工注化成工業製) 本へ:ドテ゛シルフェノールエチレンオキ号イド10千
ル付加物(工注化成工業製) 朴: ハ゛−フルオロテ°シルスルフォネートのカリウ
ム埋木チ: バーフルオaオクチルスルネンアミト°エ
タノールのエチレンオキシド20モル付加物 寧す: N−(へ′−フルオロオクタノイル)−エチ
レンジアミンのエチレンオキシド8王ル付加物 評価例1 次にエツチング液としての性能を評価するため比較例1
〜9、実施例1〜9の切れ残り率を測定した。評価方法
は次の通りである。測定結果を表−3に示す。
イ寸加物 (工注化成工業製) 本へ:ドテ゛シルフェノールエチレンオキ号イド10千
ル付加物(工注化成工業製) 朴: ハ゛−フルオロテ°シルスルフォネートのカリウ
ム埋木チ: バーフルオaオクチルスルネンアミト°エ
タノールのエチレンオキシド20モル付加物 寧す: N−(へ′−フルオロオクタノイル)−エチ
レンジアミンのエチレンオキシド8王ル付加物 評価例1 次にエツチング液としての性能を評価するため比較例1
〜9、実施例1〜9の切れ残り率を測定した。評価方法
は次の通りである。測定結果を表−3に示す。
[評価方法]
パターニングされたレジストの付いたフォトマスク(ソ
ーダライムガラス)を21℃のエツチング液に60秒間
浸漬し、純水を5秒間シャワーした。この後、エツチン
グ状態を、顕微鏡で観察し不良率(切れ残り率)を測定
した。またエツチング液を、21℃で3力月間保存した
後の性能についても同様に評価した。
ーダライムガラス)を21℃のエツチング液に60秒間
浸漬し、純水を5秒間シャワーした。この後、エツチン
グ状態を、顕微鏡で観察し不良率(切れ残り率)を測定
した。またエツチング液を、21℃で3力月間保存した
後の性能についても同様に評価した。
表−3
表−3
棒:エツチング液外観かすみがあり、
評価せず。
[発明の効果コ
本発明のエツチング液は、従来のエツチング液に比べ、
液の表面張力が低く、・慣れ性が良いため、微細なパタ
ーニングを必要とするフォトマスクをエツチングした場
合でも、フォトレジスト層でエツチング液がはじかれる
ことなく、クロム層までエツチング液が浸透し、優れた
切れ味を示す。
液の表面張力が低く、・慣れ性が良いため、微細なパタ
ーニングを必要とするフォトマスクをエツチングした場
合でも、フォトレジスト層でエツチング液がはじかれる
ことなく、クロム層までエツチング液が浸透し、優れた
切れ味を示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、硝酸第2セリウムアンモニウム、塩化第2鉄、赤血
塩、過塩素酸、弗酸、硝酸、燐酸および過マンガン酸か
らなる群より選ばれる1種または2種以上の化合物(エ
ッチング主剤)と、アルキルフェノールのアルキレンオ
キシド付加物、パーフルオロアルキルスルフォネート、
パーフルオロアルキルスルホンアミドアルコールのアル
キレンオキシド付加物およびN−(パーフルオロアシル
)−アルキレンジアミンのアルキレンオキシド付加物か
らなる群より選ばれる1種または2種以上の界面活性剤
とを含有した水溶液からなることを特徴とするクロム膜
および/または酸化クロム膜のエッチング液。 2、界面活性剤の配合量がエッチング液全体の重量に基
づいて5〜5000ppmである請求項1記載のエッチ
ング液。 3、エッチング主剤が硝酸第2セリウムアンモニウムと
過塩素酸の混合物である請求項1または2記載のエッチ
ング液。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10647389A JPH02285081A (ja) | 1989-04-25 | 1989-04-25 | エッチング液 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10647389A JPH02285081A (ja) | 1989-04-25 | 1989-04-25 | エッチング液 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02285081A true JPH02285081A (ja) | 1990-11-22 |
Family
ID=14434493
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP10647389A Pending JPH02285081A (ja) | 1989-04-25 | 1989-04-25 | エッチング液 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02285081A (ja) |
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100484847B1 (ko) * | 2001-08-24 | 2005-04-22 | 샤프 가부시키가이샤 | 매립 구조를 갖는 기판, 그 기판을 포함하는 표시장치, 그기판의 제조 방법 및 그 표시장치의 제조방법 |
WO2006002610A1 (de) * | 2004-06-30 | 2006-01-12 | Siemens Aktiengesellschaft | Verfahren zum abtragen einer beschichtung von einem bauteil |
US7077918B2 (en) | 2004-01-29 | 2006-07-18 | Unaxis Balzers Ltd. | Stripping apparatus and method for removal of coatings on metal surfaces |
JP2009032914A (ja) * | 2007-07-27 | 2009-02-12 | The Inctec Inc | エッチング液 |
JP2009105341A (ja) * | 2007-10-25 | 2009-05-14 | Micro Process:Kk | エッチング剤組成物及びそれを用いた半導体装置の製造方法 |
JP2010165887A (ja) * | 2009-01-16 | 2010-07-29 | Dnp Fine Chemicals Co Ltd | 導電膜用エッチング液および導電膜のエッチング方法 |
KR101119821B1 (ko) * | 2004-10-14 | 2012-02-28 | 주식회사 동진쎄미켐 | 크롬 식각용 에천트 |
CH705281B1 (de) * | 2004-01-29 | 2013-01-31 | Oerlikon Trading Ag | Entschichtungsverfahren. |
JP2013040375A (ja) * | 2011-08-15 | 2013-02-28 | Adeka Corp | Cr含有基材用エッチング剤組成物及び該エッチング剤を用いたエッチング方法 |
JP2016504482A (ja) * | 2013-01-29 | 2016-02-12 | スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー | 界面活性剤並びにその製造及び使用方法 |
CN109082665A (zh) * | 2018-09-20 | 2018-12-25 | 绵阳致知高新科技有限责任公司 | 一种蚀刻液组合物及其镍铬硅薄膜的湿法刻蚀方法 |
-
1989
- 1989-04-25 JP JP10647389A patent/JPH02285081A/ja active Pending
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2009105341A (ja) * | 2007-10-25 | 2009-05-14 | Micro Process:Kk | エッチング剤組成物及びそれを用いた半導体装置の製造方法 |
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CN109082665A (zh) * | 2018-09-20 | 2018-12-25 | 绵阳致知高新科技有限责任公司 | 一种蚀刻液组合物及其镍铬硅薄膜的湿法刻蚀方法 |
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