JPH0228502A - 位置合せ方法 - Google Patents
位置合せ方法Info
- Publication number
- JPH0228502A JPH0228502A JP63179675A JP17967588A JPH0228502A JP H0228502 A JPH0228502 A JP H0228502A JP 63179675 A JP63179675 A JP 63179675A JP 17967588 A JP17967588 A JP 17967588A JP H0228502 A JPH0228502 A JP H0228502A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- alignment
- diffracted light
- wafer
- polarizing plate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 16
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 31
- 230000010287 polarization Effects 0.000 claims description 17
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 3
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims 1
- 101100269850 Caenorhabditis elegans mask-1 gene Proteins 0.000 description 9
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 6
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70008—Production of exposure light, i.e. light sources
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[発明の目的〕
(産業上の利用分野)
本発明は、例えば半導体製造における露光工程の際にマ
スクとウェハとを位置合せする位置合せ方法に関する。
スクとウェハとを位置合せする位置合せ方法に関する。
(従来の技術)
第8図はかかる位置合せ装置の構成図であって、マスク
1とウェハ2とが対向配置され、これらマスク1とウェ
ハ2との間に対物レンズ3が配置されるとともに所定の
厚みを持った光透過体4が配置されている。この光透過
体4は検出感度を高めるために配置されるもので、矢印
(イ)方向に振動するものとなっている。又、ウェハ2
の上方にはミラー5が配置され、ウェハ2がらの反射光
をホトディテクタ6に導くようになっている。
1とウェハ2とが対向配置され、これらマスク1とウェ
ハ2との間に対物レンズ3が配置されるとともに所定の
厚みを持った光透過体4が配置されている。この光透過
体4は検出感度を高めるために配置されるもので、矢印
(イ)方向に振動するものとなっている。又、ウェハ2
の上方にはミラー5が配置され、ウェハ2がらの反射光
をホトディテクタ6に導くようになっている。
このような構成でマスク1とウェハ2とを位置合せする
場合、レーザビーム7がマスク1に照射され、これによ
り、このレーザビーム7はマスク1で回折されて例えば
±nn次回先光生じる。なお、ここでは±1次回折光に
ついて説明する。一方、このとき光透過体4は矢印(イ
)方向に振動しているので、±1次回折光はそれぞれ光
透過体4の振動に応じて光路が変更されて対物レンズ3
を通してウェハ2に照射される。そして、ウエノ12か
らの反射光がミラー5を介してホトディテクタ6に送ら
れる。従って、このホトディテクタ6は±1次回折光の
干渉光の光強度に応じたレベルの電気信号を出力する。
場合、レーザビーム7がマスク1に照射され、これによ
り、このレーザビーム7はマスク1で回折されて例えば
±nn次回先光生じる。なお、ここでは±1次回折光に
ついて説明する。一方、このとき光透過体4は矢印(イ
)方向に振動しているので、±1次回折光はそれぞれ光
透過体4の振動に応じて光路が変更されて対物レンズ3
を通してウェハ2に照射される。そして、ウエノ12か
らの反射光がミラー5を介してホトディテクタ6に送ら
れる。従って、このホトディテクタ6は±1次回折光の
干渉光の光強度に応じたレベルの電気信号を出力する。
つまり、この電気信号はマスク1とウェハ2との位置関
係に応じた出力レベルでかつこの出力レベル上に光透過
体4の振動に応じたレベルが重畳されたものとなってい
る。しかるに、この電気信号レベルからマスク1とウェ
ハ2との位置ずれが求められて位置合せが行われる。な
お、光透過体4を振動させることによって外部からの光
の影響等によるノイズが無くなる。
係に応じた出力レベルでかつこの出力レベル上に光透過
体4の振動に応じたレベルが重畳されたものとなってい
る。しかるに、この電気信号レベルからマスク1とウェ
ハ2との位置ずれが求められて位置合せが行われる。な
お、光透過体4を振動させることによって外部からの光
の影響等によるノイズが無くなる。
ところが、以上のような構成では光透過体4を振動させ
なければならず、この振動のための機構が必要となる。
なければならず、この振動のための機構が必要となる。
従って、装置自体が大型化しかつ複雑化してしまう。
又、別の位置合せ装置として特開昭62−188902
号公報に示されている技術があるが、この技術もポリゴ
ンミラーを回転させなければならずその回転機構が必要
となる。従って、この技術でも装置自体が大型化しかつ
複雑化してしまう。
号公報に示されている技術があるが、この技術もポリゴ
ンミラーを回転させなければならずその回転機構が必要
となる。従って、この技術でも装置自体が大型化しかつ
複雑化してしまう。
(発明が解決しようとする課題)
以上のように振動や回転等の機構を備えなければならず
、装置が大型化、複雑化してしまう。
、装置が大型化、複雑化してしまう。
そこで本発明は、振動や回転機構等を使用せずに容易に
位置合せができる高精度な位置合せ方法を提供すること
を目的とする。
位置合せができる高精度な位置合せ方法を提供すること
を目的とする。
[発明の構成]
(課題を解決するための手段と作用)
本発明は、第1の物体と第2の物体とが対物レンズを介
して互いに結像関係に配置されている第1の物体と第2
の物体との相対位置合せをこれら第1の物体と第2の物
体とに形成された各回折格子を用いて行う位置合せ方法
において、それぞれ波長が異なりかつそれぞれ異なる偏
光角を有する少なくとも2波長のアライメント光線の干
渉光である第1の光ビートを得ると同時にアライメント
光線を第1の物体の回折格子に照射し、この第1の物体
で回折された少なくとも±n次回折光をそれぞれ互いに
異なる1波長のみにして第2の物体の回折格子に照射し
、第2の物体で回折されたアライメント光線に含む各波
長の干渉光である第2の光ビートを得て、第1の光ビー
トと第2の光ビートとの位相差から第1の物体と第2の
物体を位置合せする位置合せ方法である。
して互いに結像関係に配置されている第1の物体と第2
の物体との相対位置合せをこれら第1の物体と第2の物
体とに形成された各回折格子を用いて行う位置合せ方法
において、それぞれ波長が異なりかつそれぞれ異なる偏
光角を有する少なくとも2波長のアライメント光線の干
渉光である第1の光ビートを得ると同時にアライメント
光線を第1の物体の回折格子に照射し、この第1の物体
で回折された少なくとも±n次回折光をそれぞれ互いに
異なる1波長のみにして第2の物体の回折格子に照射し
、第2の物体で回折されたアライメント光線に含む各波
長の干渉光である第2の光ビートを得て、第1の光ビー
トと第2の光ビートとの位相差から第1の物体と第2の
物体を位置合せする位置合せ方法である。
(実施例)
以下、本発明の一実施例について図面を参照して説明す
る。
る。
第1図は位置合せ方法を適用した位置合せ装置の構成図
である。ステージ10上にはウエノS11が載置され、
又このウェハ11の上方にはマスク12がウェハ11と
対向する位置に配置されている。さらに、このマスク1
2の上方には露光用光源13が配置されるとともにこの
露光用光源13とマスク12との間にコンデンサレンズ
14が配置されている。そして、ウェハ11とマスク1
2との間に対物レンズ15が配置されている。なお、ウ
ェハ11とマスク12は倍率Mの結像関係に配置されて
いる。ウェハ11にはピッチP 11%又マスク12に
はウェハ11のピッチのM倍のピッチM−Pmiの回折
格子11a、12aがそれぞれ形成されている。
である。ステージ10上にはウエノS11が載置され、
又このウェハ11の上方にはマスク12がウェハ11と
対向する位置に配置されている。さらに、このマスク1
2の上方には露光用光源13が配置されるとともにこの
露光用光源13とマスク12との間にコンデンサレンズ
14が配置されている。そして、ウェハ11とマスク1
2との間に対物レンズ15が配置されている。なお、ウ
ェハ11とマスク12は倍率Mの結像関係に配置されて
いる。ウェハ11にはピッチP 11%又マスク12に
はウェハ11のピッチのM倍のピッチM−Pmiの回折
格子11a、12aがそれぞれ形成されている。
一方、16はゼーマンレーザ発振器(以下、レーザ発振
器と省略する)であって、このレーザ発振器16は、露
光用光源13から放射される露光用光線の波長と異なる
波長でしかもそれぞれ互いに異なる波長λl、λ2を有
しかつこれら波長λ1.λ2の光の偏光面が互いに直交
するアライメントレーザ光Qを放出するものである。な
お、同図では偏光面の方向を矢印fl−f8で示してい
る。
器と省略する)であって、このレーザ発振器16は、露
光用光源13から放射される露光用光線の波長と異なる
波長でしかもそれぞれ互いに異なる波長λl、λ2を有
しかつこれら波長λ1.λ2の光の偏光面が互いに直交
するアライメントレーザ光Qを放出するものである。な
お、同図では偏光面の方向を矢印fl−f8で示してい
る。
このレーザ発振器16の光路上でかつマスク12の上方
にはビームスプリッタ17が配置され、さらに同光路上
に偏光板18及び光検出器19が配置されている。偏光
板18は、その偏光方向を波長λ1.λ2の光の偏光面
それぞれに対し略45″に傾けて設置し、波長λl、λ
2のアライメントレーザ光Qの各波長光を干渉させるも
のである。
にはビームスプリッタ17が配置され、さらに同光路上
に偏光板18及び光検出器19が配置されている。偏光
板18は、その偏光方向を波長λ1.λ2の光の偏光面
それぞれに対し略45″に傾けて設置し、波長λl、λ
2のアライメントレーザ光Qの各波長光を干渉させるも
のである。
又、ビームスプリッタ17で分岐された他方のアライメ
ントレーザ光はマスク12の回折格子12aに照射され
、この回折格子12aで±nn次回先光生じる。なお、
本方法では±1次回折光を使用する。そこで、この±1
次回折光の各光路上にはそれぞれ偏光板20.21が配
置されている。このうち偏光板20は一1次回折光の波
長λ2のみを通過させるものであり、又偏光板21は+
1次回折光の波長λ1のみを通過させる作用を持ったも
のである。一方、ウェハ11からの反射回折光のうち波
長λ1の光の一1次回折光と波長λ2の光の+1次回折
光は同一光路を進むようになる。そして、この光路上に
は全反射ミラー22が配置され、この全反射ミラー22
の反射光路上には偏光板23及び光検出器24が配置さ
れている。なお、偏光板23は偏光板18と同様に各波
長の光の偏光軸に対し45°傾けて置かれ各波長λ1.
λ2を干渉させるものである。
ントレーザ光はマスク12の回折格子12aに照射され
、この回折格子12aで±nn次回先光生じる。なお、
本方法では±1次回折光を使用する。そこで、この±1
次回折光の各光路上にはそれぞれ偏光板20.21が配
置されている。このうち偏光板20は一1次回折光の波
長λ2のみを通過させるものであり、又偏光板21は+
1次回折光の波長λ1のみを通過させる作用を持ったも
のである。一方、ウェハ11からの反射回折光のうち波
長λ1の光の一1次回折光と波長λ2の光の+1次回折
光は同一光路を進むようになる。そして、この光路上に
は全反射ミラー22が配置され、この全反射ミラー22
の反射光路上には偏光板23及び光検出器24が配置さ
れている。なお、偏光板23は偏光板18と同様に各波
長の光の偏光軸に対し45°傾けて置かれ各波長λ1.
λ2を干渉させるものである。
前記各光検出器19.24は共に干渉光を受光して光ビ
ートを検出する機能を有するもので、各光ビート検出信
号は位相計25に送られるようになっている。この位相
計25は各光ビート検出信号を受けてこれら光ビートの
位相を検出する機能を有するものである。
ートを検出する機能を有するもので、各光ビート検出信
号は位相計25に送られるようになっている。この位相
計25は各光ビート検出信号を受けてこれら光ビートの
位相を検出する機能を有するものである。
次に上記の如く構成された装置での位置合せ作用につい
て説明する。
て説明する。
レーザ発振器16から放出されたアライメントレーザ光
Qはビームスプリッタ17で分岐され、一方のアライメ
ントレーザ光が偏光板18に送られるとともに他方のア
ライメントレーザ光がマスク12の回折格子12aに照
射される。そこで、偏光板18はアライメントレーザ光
Qの互いに直交する各偏光面の波長λ1.λ2の光を干
渉させて、その干渉光を光検出器19に送る。しかるに
、光検出器19は干渉光を受光して光ビートを検出して
その光ビート検出信号を位相計25に送出する。
Qはビームスプリッタ17で分岐され、一方のアライメ
ントレーザ光が偏光板18に送られるとともに他方のア
ライメントレーザ光がマスク12の回折格子12aに照
射される。そこで、偏光板18はアライメントレーザ光
Qの互いに直交する各偏光面の波長λ1.λ2の光を干
渉させて、その干渉光を光検出器19に送る。しかるに
、光検出器19は干渉光を受光して光ビートを検出して
その光ビート検出信号を位相計25に送出する。
これとともにビームスプリッタ17で分岐された他方の
アライメントレーザ光がマスク12の回折格子12aに
照射されると、この回折格子12aの作用により±nn
次回先光生じる。そして、これら±nn次回先光うち±
1次回折光がそれぞれ偏光板20.21に到達する。こ
のうち、偏光板20は一1次回折光の中の波長λl、λ
2のうち波長λ2のみを通過させ、又偏光板21は+1
次回折光の中の波長λ1.λ2のうち波長λlのみを通
過させる。従って、これら偏光板20.21を通過した
各アライメントレーザ光は互いに直交方向の偏光面を有
するものとなる。
アライメントレーザ光がマスク12の回折格子12aに
照射されると、この回折格子12aの作用により±nn
次回先光生じる。そして、これら±nn次回先光うち±
1次回折光がそれぞれ偏光板20.21に到達する。こ
のうち、偏光板20は一1次回折光の中の波長λl、λ
2のうち波長λ2のみを通過させ、又偏光板21は+1
次回折光の中の波長λ1.λ2のうち波長λlのみを通
過させる。従って、これら偏光板20.21を通過した
各アライメントレーザ光は互いに直交方向の偏光面を有
するものとなる。
そうして、これらアライメントレーザ光は対物レンズ1
5で集光されてウェハ11上の回折格子11aに照射さ
れ、この回折格子11aで土n次回折光が生じる。この
うちウェハ11の回折格子11aで生じる波長λ1の光
の一1次回折光と波長λ2の光の+1次回折光とは同一
光路を通り、この2つの光が対物レンズ15を通して全
反射ミラー22に到達し、この全反射ミラー22で反射
して偏光板23に送られる。この偏光板23は0次回舌
先の互いに直交する各偏光面の波長λ1゜λ2の光を干
渉させて、その干渉光を光検出器24に送る。しかるに
、この光検出器24は干渉光を受光して光ビートを検出
してその光ビート検出信号を位相計25に送出する。こ
の位相計25は光検出器19.24の各光ビート検出信
号を受けて各光ビートの位相差を求める。ゆえに、この
位相計25から出力される位相信号は第2図に示すよう
に−180@〜+ 180”となっておりマスク12と
ウェハ11との相対位置に対応している。
5で集光されてウェハ11上の回折格子11aに照射さ
れ、この回折格子11aで土n次回折光が生じる。この
うちウェハ11の回折格子11aで生じる波長λ1の光
の一1次回折光と波長λ2の光の+1次回折光とは同一
光路を通り、この2つの光が対物レンズ15を通して全
反射ミラー22に到達し、この全反射ミラー22で反射
して偏光板23に送られる。この偏光板23は0次回舌
先の互いに直交する各偏光面の波長λ1゜λ2の光を干
渉させて、その干渉光を光検出器24に送る。しかるに
、この光検出器24は干渉光を受光して光ビートを検出
してその光ビート検出信号を位相計25に送出する。こ
の位相計25は光検出器19.24の各光ビート検出信
号を受けて各光ビートの位相差を求める。ゆえに、この
位相計25から出力される位相信号は第2図に示すよう
に−180@〜+ 180”となっておりマスク12と
ウェハ11との相対位置に対応している。
しかるに、この位相信号に基づいてマスク12ウエハ1
1との位置合せが行われる。
1との位置合せが行われる。
このように上記一実施例においては、露光用光線と波長
が異なるとともにそれぞれ互いに波長及び偏光角が異な
るアライメント光線をマスク12に照射して回折された
±1次回折光をそれぞれ互いに異なる波長のみにしてウ
ェハ11に照射し、アライメント光線による干渉光と、
ウェハ11から反射してくる0次回舌先で得られる光ビ
ートからマスク12とウェハ11とを位置合せするよう
にしたので、振動や回転を行なうための機構を備えずに
簡単な構成で位置合せを行なうことができる。又、マス
ク12とウェハ11との位置ずれは位相計25の光ビー
ト信号により検出するので、高速応答が可能となりさら
に外乱の影響に対する変動も少なくなる。従って、高精
度に位置合せができる。
が異なるとともにそれぞれ互いに波長及び偏光角が異な
るアライメント光線をマスク12に照射して回折された
±1次回折光をそれぞれ互いに異なる波長のみにしてウ
ェハ11に照射し、アライメント光線による干渉光と、
ウェハ11から反射してくる0次回舌先で得られる光ビ
ートからマスク12とウェハ11とを位置合せするよう
にしたので、振動や回転を行なうための機構を備えずに
簡単な構成で位置合せを行なうことができる。又、マス
ク12とウェハ11との位置ずれは位相計25の光ビー
ト信号により検出するので、高速応答が可能となりさら
に外乱の影響に対する変動も少なくなる。従って、高精
度に位置合せができる。
なお、本発明は上記一実施例に限定されるものでなくそ
の主旨を逸脱しない範囲で変形してもよい。例えば、第
3図乃至第5図に示す構成としてもよい。なお、第1図
と同一部分には同一符号を付しである。第3図に示す装
置は、レーザ発振器30から放出される露光用光線と異
なるとともにそれぞれ互いに異なる波長でかつ互いに直
交する偏光面を有するアライメント光線を全反射ミラー
31を介してウェハ11の回折格子11aに照射し、こ
の回折格子11aで生じる±1次回折光を対物レンズ1
5を通してマスク12の回折格子12aに導く。そして
、この回折格子12aで生じた干渉光を全反射ミラー3
2等を介して光検出器に導くものとなっている。
の主旨を逸脱しない範囲で変形してもよい。例えば、第
3図乃至第5図に示す構成としてもよい。なお、第1図
と同一部分には同一符号を付しである。第3図に示す装
置は、レーザ発振器30から放出される露光用光線と異
なるとともにそれぞれ互いに異なる波長でかつ互いに直
交する偏光面を有するアライメント光線を全反射ミラー
31を介してウェハ11の回折格子11aに照射し、こ
の回折格子11aで生じる±1次回折光を対物レンズ1
5を通してマスク12の回折格子12aに導く。そして
、この回折格子12aで生じた干渉光を全反射ミラー3
2等を介して光検出器に導くものとなっている。
次に第4図に示す装置は、参照光を得るものでレーザ発
振器33から放出されるアライメント光線を全反射ミラ
ー34を介してマスク12の回折格子12aに照射し、
この回折格子12aで生じる0次回舌先を全反射ミラー
35を介して偏光板36さらに光検出器37に導くよう
にしたものである。
振器33から放出されるアライメント光線を全反射ミラ
ー34を介してマスク12の回折格子12aに照射し、
この回折格子12aで生じる0次回舌先を全反射ミラー
35を介して偏光板36さらに光検出器37に導くよう
にしたものである。
さらに第5図に示す装置は第3図に示す装置で参照光を
得るもので、回折格子11aで生じる0次回舌先を対物
レンズ15.ハーフミラ−38を介して偏光板39に導
き、さらにこの偏光板39を通して光検出器40に導く
ようにしたものである。
得るもので、回折格子11aで生じる0次回舌先を対物
レンズ15.ハーフミラ−38を介して偏光板39に導
き、さらにこの偏光板39を通して光検出器40に導く
ようにしたものである。
又、第1図に示す各偏光板20.21はウェハ11と対
物レンズ15との間に配置してもよい。
物レンズ15との間に配置してもよい。
ところで、ウェハに付けられている回折格子の断面形状
によりては、偏光面の方向に対して回折光の偏光特性が
変化する場合があり、この場合、位置合せ誤差を生じる
恐れがある。この対策として第1図の偏光板23を第6
図に示すように偏光板20.21と対物レンズ15との
間に配置すると良い。これにより、波長λ1とλ2の各
光の偏光面は同図f7. f8に示すように45@方向
に揃い、ウェハ11上の回折格子11aによる偏光特性
変化が相殺される。
によりては、偏光面の方向に対して回折光の偏光特性が
変化する場合があり、この場合、位置合せ誤差を生じる
恐れがある。この対策として第1図の偏光板23を第6
図に示すように偏光板20.21と対物レンズ15との
間に配置すると良い。これにより、波長λ1とλ2の各
光の偏光面は同図f7. f8に示すように45@方向
に揃い、ウェハ11上の回折格子11aによる偏光特性
変化が相殺される。
又、別の対策として第7図に示すように′m1図の光学
系に対し4分の1波長板26を偏光板20゜21と対物
レンズ15との間に追加配置してもよい。このようにす
ると4分の1波長板を出た波長λ1.λ2の光は互いに
逆回りの円偏光f9. rlGに変換される。この場合
もウエノ1の回折格子11aによる偏光特性変化は波長
λ1とλ2の光それぞれに同等に生じ、光検出器24上
では互いに相殺される。
系に対し4分の1波長板26を偏光板20゜21と対物
レンズ15との間に追加配置してもよい。このようにす
ると4分の1波長板を出た波長λ1.λ2の光は互いに
逆回りの円偏光f9. rlGに変換される。この場合
もウエノ1の回折格子11aによる偏光特性変化は波長
λ1とλ2の光それぞれに同等に生じ、光検出器24上
では互いに相殺される。
なお、第6図及び第7図に示す各実施例ではウェハとマ
スクとの位置合せについて説明したが、例えばリニアス
ケールの位置検出等にも応用可能である。又、ウェハと
マスクとの位置合せに限らず他の物体間の位置合せにも
適用できる。
スクとの位置合せについて説明したが、例えばリニアス
ケールの位置検出等にも応用可能である。又、ウェハと
マスクとの位置合せに限らず他の物体間の位置合せにも
適用できる。
[発明の効果]
以上詳記したように本発明によれば、振動や回転機構等
を使用せずに容易に位置合せができる高精度な位置合せ
方法を提供できる。
を使用せずに容易に位置合せができる高精度な位置合せ
方法を提供できる。
第1図は本発明に係わる位置合せ方法を適用した位置合
せ装置の一実施例を示す構成図、第2図は同装置の位相
計出力を示す図、第3図乃至第7図は同装置の変形例を
示す構成図、第8図は従来技術を説明するための図であ
る。 11・・・ウェハ、12・・・マスク、13・・・露光
用光源、14・・・コンデンサレンズ、15・・・対物
レンズ、16・・・レーザ発振器、17・・・ビームス
プリッタ、18.23・・・偏光板、19.24・・・
光検出器、20.21・・・偏光板、22・・・全反射
ミラー25・・・位相計。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 /I\ 第1 図 第2図 第3図 /1゛\ /1\
せ装置の一実施例を示す構成図、第2図は同装置の位相
計出力を示す図、第3図乃至第7図は同装置の変形例を
示す構成図、第8図は従来技術を説明するための図であ
る。 11・・・ウェハ、12・・・マスク、13・・・露光
用光源、14・・・コンデンサレンズ、15・・・対物
レンズ、16・・・レーザ発振器、17・・・ビームス
プリッタ、18.23・・・偏光板、19.24・・・
光検出器、20.21・・・偏光板、22・・・全反射
ミラー25・・・位相計。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 /I\ 第1 図 第2図 第3図 /1゛\ /1\
Claims (1)
- 節1の物体と第2の物体とが対物レンズを介して互いに
結像関係に配置されている前記第1の物体と前記第2の
物体との相対位置合せをこれら第1の物体と第2の物体
とに形成された各回折格子を用いて行う位置合せ方法に
おいて、それぞれ波長が異なりかつそれぞれ異なる偏光
角を有する少なくとも2波長のアライメント光線の干渉
光である第1の光ビートを得ると同時に前記アライメン
ト光線を前記第1の物体の回折格子に照射し、この第1
の物体で回折された少なくとも±n次回折光をそれぞれ
互いに異なる1波長のみにして前記第2の物体の回折格
子に照射し、前記第2の物体で回折された前記アライメ
ント光線に含む各波長の干渉光である第2の光ビートを
得て、前記第1の光ビートと前記第2の光ビートとの位
相差から前記第1の物体と前記第2の物体を位置合せす
ることを特徴とする位置合せ方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63179675A JPH0228502A (ja) | 1988-07-19 | 1988-07-19 | 位置合せ方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63179675A JPH0228502A (ja) | 1988-07-19 | 1988-07-19 | 位置合せ方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0228502A true JPH0228502A (ja) | 1990-01-30 |
Family
ID=16069910
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63179675A Pending JPH0228502A (ja) | 1988-07-19 | 1988-07-19 | 位置合せ方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0228502A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03232216A (ja) * | 1989-12-27 | 1991-10-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 位置合わせ装置 |
JPH07123108B2 (ja) * | 1990-10-31 | 1995-12-25 | インターナシヨナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーシヨン | 偏光と2重共役投映レンズを使った近接位置合せシステム |
JP2007180548A (ja) * | 2005-12-27 | 2007-07-12 | Asml Netherlands Bv | パターンアライメント方法およびリソグラフィ装置 |
-
1988
- 1988-07-19 JP JP63179675A patent/JPH0228502A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03232216A (ja) * | 1989-12-27 | 1991-10-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 位置合わせ装置 |
JPH07123108B2 (ja) * | 1990-10-31 | 1995-12-25 | インターナシヨナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーシヨン | 偏光と2重共役投映レンズを使った近接位置合せシステム |
JP2007180548A (ja) * | 2005-12-27 | 2007-07-12 | Asml Netherlands Bv | パターンアライメント方法およびリソグラフィ装置 |
JP4543026B2 (ja) * | 2005-12-27 | 2010-09-15 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | パターンアライメント方法およびリソグラフィ装置 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101876816B1 (ko) | 변위 검출 장치 | |
US4710026A (en) | Position detection apparatus | |
US5369486A (en) | Position detector for detecting the position of an object using a diffraction grating positioned at an angle | |
KR20210149828A (ko) | 변위 측정 장치, 변위 측정 방법 및 포토리소그래피 장치 | |
EP0309281B1 (en) | Apparatus for controlling relation in position between a photomask and a wafer | |
US5610718A (en) | Apparatus and method for detecting a relative displacement between first and second diffraction gratings arranged close to each other wherein said gratings have different pitch sizes | |
JPH06188176A (ja) | ギャップ制御装置及びギャップ制御方法 | |
JP2004144581A (ja) | 変位検出装置 | |
JP4077637B2 (ja) | 格子干渉型変位測定装置 | |
US9612104B2 (en) | Displacement detecting device | |
JP2007163479A (ja) | 干渉計 | |
JPWO2007077855A1 (ja) | エンコーダ | |
JP2560513B2 (ja) | 回析干渉型エンコーダ | |
JPH1038517A (ja) | 光学式変位測定装置 | |
JPH0794969B2 (ja) | 位置合せ方法及びその装置 | |
USRE34010E (en) | Position detection apparatus | |
JPH0228502A (ja) | 位置合せ方法 | |
WO2007074752A1 (ja) | チルトセンサ及びエンコーダ | |
JPH09166414A (ja) | 光計測装置 | |
JPH04361103A (ja) | 相対位置検出方法及び装置 | |
JPH03200002A (ja) | 位置測定装置 | |
KR100531693B1 (ko) | 광학식 변위측정장치 | |
US5025168A (en) | Alignment apparatus including three beams and three gratings | |
JP2514699B2 (ja) | 回折格子による位置ずれ検出方法および位置ずれ検出装置 | |
JP2773779B2 (ja) | 回折格子を用いた変位測定方法と変位測定装置 |