JPH02283017A - ウェーハ加工装置 - Google Patents
ウェーハ加工装置Info
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- JPH02283017A JPH02283017A JP2000218A JP21890A JPH02283017A JP H02283017 A JPH02283017 A JP H02283017A JP 2000218 A JP2000218 A JP 2000218A JP 21890 A JP21890 A JP 21890A JP H02283017 A JPH02283017 A JP H02283017A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、複数のチャンバで半導体ウェーハを加工する
ことに関する。
ことに関する。
我々同一人に譲渡された1987年12月29日公告の
米国特許第4,715.921号、1986年4月18
日出願の米国特許出願第853.775号および198
7年10月30日出願の米国特許出願第115,774
号に示されているように、半導体ウェーハの加工に複数
のチャンバを使用することによって、プラズマ雰囲気で
の半導体ウェーハの加工をより効率よく、敏速かつ適応
性の高いものにすることができる。その開示において、
1個のカセットのウェーハをそのカセットと関連する加
工チャンバの異った1つまたは多数のウェーハにアドレ
スする能力が提供される。
米国特許第4,715.921号、1986年4月18
日出願の米国特許出願第853.775号および198
7年10月30日出願の米国特許出願第115,774
号に示されているように、半導体ウェーハの加工に複数
のチャンバを使用することによって、プラズマ雰囲気で
の半導体ウェーハの加工をより効率よく、敏速かつ適応
性の高いものにすることができる。その開示において、
1個のカセットのウェーハをそのカセットと関連する加
工チャンバの異った1つまたは多数のウェーハにアドレ
スする能力が提供される。
多数のチャンバを使用すると、1つ以上のチャンバを稼
動しなければならない。半導体ウェーハを加工するのに
必要な真空状態にチャンバをするために必要な周期の延
長によって、これらのチャンバを修理したり、他の機能
に変える過程で時間がなくなってしまう。
動しなければならない。半導体ウェーハを加工するのに
必要な真空状態にチャンバをするために必要な周期の延
長によって、これらのチャンバを修理したり、他の機能
に変える過程で時間がなくなってしまう。
本発明の教えるところに従えば、多数チャンバ多数加工
設備に関連する加工チャンバが、「ダウンタイム」を最
少にするために容易に交換でき、また、バッファー・ウ
ェーハ・記憶・エレベータ・カセット装置を加工チャン
バの数を拡張し、ウェーハ入力および出力アクセスを中
間点で与えるために利用する多数加工、多数チャンバ装
置が提供される。
設備に関連する加工チャンバが、「ダウンタイム」を最
少にするために容易に交換でき、また、バッファー・ウ
ェーハ・記憶・エレベータ・カセット装置を加工チャン
バの数を拡張し、ウェーハ入力および出力アクセスを中
間点で与えるために利用する多数加工、多数チャンバ装
置が提供される。
本発明の1つの実施例によれば、−iの加工チャンバが
ウェーハを運ぶために並べられる。1つ以上の加工チャ
ンバが輸送および他のチャンバ内の制御された環境を消
失することなく、また可動加工チャンバ自身の制御され
た環境を消失することなく、選択的にウェーハ運搬装置
に取り付け、取り外しのできる可動装置として提供され
る。各可動チャンバは、プラスバマやスパッタリングま
たは加工チャンバ内の他の加工条件をつくる電子装置と
ともに、自身を真空にする能力、およびチャンバに適当
な雰囲気ガスを供給するガス供給装置を備えている。チ
ャンバは可動するという特質をもっているので、多数チ
ャンバ設備を、1つのチャンバを異った加工方式のチャ
ンバに交換するか、またはチャンバを修理したい場合に
、完全にストップしないで運転を続けることができる。
ウェーハを運ぶために並べられる。1つ以上の加工チャ
ンバが輸送および他のチャンバ内の制御された環境を消
失することなく、また可動加工チャンバ自身の制御され
た環境を消失することなく、選択的にウェーハ運搬装置
に取り付け、取り外しのできる可動装置として提供され
る。各可動チャンバは、プラスバマやスパッタリングま
たは加工チャンバ内の他の加工条件をつくる電子装置と
ともに、自身を真空にする能力、およびチャンバに適当
な雰囲気ガスを供給するガス供給装置を備えている。チ
ャンバは可動するという特質をもっているので、多数チ
ャンバ設備を、1つのチャンバを異った加工方式のチャ
ンバに交換するか、またはチャンバを修理したい場合に
、完全にストップしないで運転を続けることができる。
さらに、多数チャンバ設備に選択的に取りつけられるよ
うに前もって真空状態にしたバックアップ・チャンバを
準備しておくことによって、装置を止めるに必要な長い
ダウンタイムが、残りの他の加工装置を制御された環境
、典型的には低圧の状態に保つことによってさけられる
。一方、選択的に取りつけられる前もって真空にされた
チャンバは適当に制御された環境で取りつけと取り外さ
れる。
うに前もって真空状態にしたバックアップ・チャンバを
準備しておくことによって、装置を止めるに必要な長い
ダウンタイムが、残りの他の加工装置を制御された環境
、典型的には低圧の状態に保つことによってさけられる
。一方、選択的に取りつけられる前もって真空にされた
チャンバは適当に制御された環境で取りつけと取り外さ
れる。
これは、典型的には、多数チャンバ多数加工設備へ可動
チャンバを選択的に取りつける連結機構を通して装置ま
たは可動チャンバに入り込むほんの少しの望まないガス
を取り除くことを必要にする。
チャンバを選択的に取りつける連結機構を通して装置ま
たは可動チャンバに入り込むほんの少しの望まないガス
を取り除くことを必要にする。
発明のもう1つの実施例において、多数チャンバ多数加
工設備の融通性は、複数のそれらの設備を中間ウェーハ
・バッファー記録カセットおよびエレベータ装置を介し
て結合することにより強められる。さらに、閉ざされた
環境に入っているつ工−ハ運搬路は、中間ウェーハを人
出させる運搬路に沿って、アクセス・エレベータととも
にエレベータの間に設けられる。
工設備の融通性は、複数のそれらの設備を中間ウェーハ
・バッファー記録カセットおよびエレベータ装置を介し
て結合することにより強められる。さらに、閉ざされた
環境に入っているつ工−ハ運搬路は、中間ウェーハを人
出させる運搬路に沿って、アクセス・エレベータととも
にエレベータの間に設けられる。
本発明は、個々の加工チャンバが、完全に装置を空にす
るためのダウンタイムを必要とせず容易に加工チャンバ
の交換ができるように可動であり、さらにウェーハの挿
入および全加工装置からの取り外しを可能にする中間バ
ッファー記憶を含むつ工−ハ・バッファー・記録カセッ
トとエレベータ装置を介して加工能力を融通をもって拡
大させるために可動であるような半導体ウェーハの多数
チャンバ多数加工を提供するためのシステムを意図して
いる。
るためのダウンタイムを必要とせず容易に加工チャンバ
の交換ができるように可動であり、さらにウェーハの挿
入および全加工装置からの取り外しを可能にする中間バ
ッファー記憶を含むつ工−ハ・バッファー・記録カセッ
トとエレベータ装置を介して加工能力を融通をもって拡
大させるために可動であるような半導体ウェーハの多数
チャンバ多数加工を提供するためのシステムを意図して
いる。
そのようなシステムは、第1図で説明される。
多数チャンバ多数加工設備10は、中間カセット装置1
4を介して、第2の多数チャンバ多数加工段6ii12
に連結されている。中間カセット装置14は典型的には
、カセット中の各ウェーハ・スロットを、多数加工設備
10および12のそれぞれの運搬機構16および18内
に入っている運搬アームにより接近させられる点に位置
ぎめするカセットとエレベータを含んでいる多数のウェ
ーハから成っている。各運搬機構16および18は、典
型的には、少くとも運搬機構16の内部を真空にするこ
とのできる真空ポンプ20を設備している。
4を介して、第2の多数チャンバ多数加工段6ii12
に連結されている。中間カセット装置14は典型的には
、カセット中の各ウェーハ・スロットを、多数加工設備
10および12のそれぞれの運搬機構16および18内
に入っている運搬アームにより接近させられる点に位置
ぎめするカセットとエレベータを含んでいる多数のウェ
ーハから成っている。各運搬機構16および18は、典
型的には、少くとも運搬機構16の内部を真空にするこ
とのできる真空ポンプ20を設備している。
各運搬機構16には複数の多数加工チャンバが整えられ
ている。運搬機構16のこれらのチャンバは典型的な1
つの多数加工設備で説明される。
ている。運搬機構16のこれらのチャンバは典型的な1
つの多数加工設備で説明される。
そこに示されていてるように、加工モジュール22およ
び24は、常に運搬機構16と結合している形のもので
あり、一方、加工モジュール26および28は可動の加
工モジュールで、第2図の下の方にもっと詳しく説明さ
れている。
び24は、常に運搬機構16と結合している形のもので
あり、一方、加工モジュール26および28は可動の加
工モジュールで、第2図の下の方にもっと詳しく説明さ
れている。
各チャンバ22,24.26または28は、第2図にさ
らに詳しく図示されている、スリット・アクセス弁のあ
る第1の部分32からなる連結機構と弁のあるアクセス
口を介して運搬機溝16に連結されており、32を通っ
て半導体ウェーハは、アーム34の上の運搬機構16か
ら、各チャンバ22.24,26.28 (または機構
18用の可動チャンバ30)に出入りでき、さらに弁お
よび連結機構36を介して各チャンバ22,24゜26
、 28 (および(または)機構18用の30)と連
結している。カセット・エレベータ14は、同様に弁と
運搬機構16と連結した同じ型の連結機構18およびカ
セット・エレベータ14と連結したスペーサ・カラー4
0を介して結合している。
らに詳しく図示されている、スリット・アクセス弁のあ
る第1の部分32からなる連結機構と弁のあるアクセス
口を介して運搬機溝16に連結されており、32を通っ
て半導体ウェーハは、アーム34の上の運搬機構16か
ら、各チャンバ22.24,26.28 (または機構
18用の可動チャンバ30)に出入りでき、さらに弁お
よび連結機構36を介して各チャンバ22,24゜26
、 28 (および(または)機構18用の30)と連
結している。カセット・エレベータ14は、同様に弁と
運搬機構16と連結した同じ型の連結機構18およびカ
セット・エレベータ14と連結したスペーサ・カラー4
0を介して結合している。
カセット・エレベータ14は、ガス状のウェーハ加工雰
囲気を含んでいないので、スペーサ4oはそれに連結し
た弁をもっている必要が通常はない。
囲気を含んでいないので、スペーサ4oはそれに連結し
た弁をもっている必要が通常はない。
しかしスペーサ40はカセット14の中のウェーハとア
ーム34のピボットの間の距離をそのピボットとウェー
ハが各加工チャンバ22. 2426.28および30
の中に置かれる点との間の距離に等しくするために設け
られる。
ーム34のピボットの間の距離をそのピボットとウェー
ハが各加工チャンバ22. 2426.28および30
の中に置かれる点との間の距離に等しくするために設け
られる。
1987年12月29日公告の米国特許第4.715,
921号、1986年4月18日出願の米国特許出願通
し番号節853,775号および1987年10月30
日出願の米国特許出願通し番号115,774号を参考
として追加する。
921号、1986年4月18日出願の米国特許出願通
し番号節853,775号および1987年10月30
日出願の米国特許出願通し番号115,774号を参考
として追加する。
その中には第1図の装置の一部が追加して図解されてい
る。可動加工チャンバ26.28および30の詳細は、
第2図について、以下により完全に図解される。
る。可動加工チャンバ26.28および30の詳細は、
第2図について、以下により完全に図解される。
第2図に示す通り、各チャンバ26.28および30に
はハウジング50がある。ハウジング50にはモジュー
ル52が取りつけられており、それには陰極58を支え
る台56のあるチャンバ54がある。ウェーハ60は、
典型的には、陰極の上、そして陽極62の下に置かれる
。プラズマ加工の例では、陽極からウェーハ60を加り
するプラズマ放電を発生させるために電界が生じる。
はハウジング50がある。ハウジング50にはモジュー
ル52が取りつけられており、それには陰極58を支え
る台56のあるチャンバ54がある。ウェーハ60は、
典型的には、陰極の上、そして陽極62の下に置かれる
。プラズマ加工の例では、陽極からウェーハ60を加り
するプラズマ放電を発生させるために電界が生じる。
モジュール52にはさらに、ブラスバマ放電の場合に陽
極62と陰極58の間に適当な電界を起こす。公知の電
子装置64がある。モジュール52には、?、らにまた
、プラズマ・エツチングの場合の適当なエツチング・ガ
ス、または、以下に述べる他のt”l的用のガスを供給
する雰囲気ガス制御装置66>(あってもよい。電子装
置04および雰囲気ガス供給66の制御は、ハウジ〕/
グ50の中にあるマイクロ・プロセッサ68の指令によ
り行われる。
極62と陰極58の間に適当な電界を起こす。公知の電
子装置64がある。モジュール52には、?、らにまた
、プラズマ・エツチングの場合の適当なエツチング・ガ
ス、または、以下に述べる他のt”l的用のガスを供給
する雰囲気ガス制御装置66>(あってもよい。電子装
置04および雰囲気ガス供給66の制御は、ハウジ〕/
グ50の中にあるマイクロ・プロセッサ68の指令によ
り行われる。
第2図の特別の図解で、モジュール52は、つニーハロ
0の表面のプラズマ・エツチングを意図している。他の
加工技術を行う他の七−′ニールを提供することができ
る。他の加工技術とjよ例えば化学蒸着法、スパッタリ
ング、急速熱加工、急速アニーリング、プラズマ・クリ
ーニングなどが挙げられ、また公知の技術と装置の利用
などがある。
0の表面のプラズマ・エツチングを意図している。他の
加工技術を行う他の七−′ニールを提供することができ
る。他の加工技術とjよ例えば化学蒸着法、スパッタリ
ング、急速熱加工、急速アニーリング、プラズマ・クリ
ーニングなどが挙げられ、また公知の技術と装置の利用
などがある。
モジュール52は、ハウジング50の中に取りつけられ
た時、ウェーハの交換と運搬のために、カップリング3
2と連結弁36によってウェーハ運搬機構18とかみ合
う。特にそのような弁には導管70および72があり、
それぞれ機構18およびモジュール52に固定されてい
る。導管70および72には外側に、勾配をつけたフラ
ンジ74および76がある。これらは、典型的にはヒン
ジ80の所で取りつけられ、クランプ82で連結される
急速接続バンド78により結合される。
た時、ウェーハの交換と運搬のために、カップリング3
2と連結弁36によってウェーハ運搬機構18とかみ合
う。特にそのような弁には導管70および72があり、
それぞれ機構18およびモジュール52に固定されてい
る。導管70および72には外側に、勾配をつけたフラ
ンジ74および76がある。これらは、典型的にはヒン
ジ80の所で取りつけられ、クランプ82で連結される
急速接続バンド78により結合される。
典型的には、導管70および72を正確にそろえ、そし
て、モジュール52を運搬機構18に対して正確に整え
るためにビン84を取りつける。したがって、ウェーハ
は導管70および72を通って、チャンバ54に入り、
陰極58のところまで挿入される。
て、モジュール52を運搬機構18に対して正確に整え
るためにビン84を取りつける。したがって、ウェーハ
は導管70および72を通って、チャンバ54に入り、
陰極58のところまで挿入される。
この心合せを容易にするために、モジュール50は移動
台86にのせて動かす。移動台のモジュール50は底で
調節ねじ88で調節できるように支えられている。導管
70および72は典型的には、半導体ウェーハの全幅に
適応できるように、ページの外側へ寸法が延長できる。
台86にのせて動かす。移動台のモジュール50は底で
調節ねじ88で調節できるように支えられている。導管
70および72は典型的には、半導体ウェーハの全幅に
適応できるように、ページの外側へ寸法が延長できる。
運搬機構18およびチャンバ54をシールするために、
導管70および72内にそれぞれ弁90および92を設
けて、アクセス口91および93をそれぞれの内部に対
してシールしている。この型の弁は、上述の我々同一人
に譲渡された特許と出願の中に説明されている。
導管70および72内にそれぞれ弁90および92を設
けて、アクセス口91および93をそれぞれの内部に対
してシールしている。この型の弁は、上述の我々同一人
に譲渡された特許と出願の中に説明されている。
シール94は導管70および72のあわさる面に追加し
て設けてもよい。
て設けてもよい。
チャンバ54の内部は、マニホルド100、連の導管1
02,104,106およびコンピュータで制御される
弁108を経由してターボ・ポンプ110に接続する。
02,104,106およびコンピュータで制御される
弁108を経由してターボ・ポンプ110に接続する。
ターボ・ポンプは、出口の導管112、排出マニホルド
114、コンピュータで制御される排出弁116を経由
して排出管118に接続する。排出配管118は取付用
ハウジングを通して、さらに排出および真空ポンプ、そ
して排出ガス処理装置へ接続する。
114、コンピュータで制御される排出弁116を経由
して排出管118に接続する。排出配管118は取付用
ハウジングを通して、さらに排出および真空ポンプ、そ
して排出ガス処理装置へ接続する。
導管120は導管102から直接マニホルド114につ
ながり、制御弁116を経て出口118に接続する。
ながり、制御弁116を経て出口118に接続する。
運転中は、コンピュータ68が、弁108および116
およびチャンバ54の大ざっばの最終排出をするハウジ
ング50の外部の別の真空ポンプと連係して、ターボ・
ポンプ110およびその電源供給122を制御する。真
空ポンプ20は導管70および72を連結後に真空にす
る。
およびチャンバ54の大ざっばの最終排出をするハウジ
ング50の外部の別の真空ポンプと連係して、ターボ・
ポンプ110およびその電源供給122を制御する。真
空ポンプ20は導管70および72を連結後に真空にす
る。
第3図は、一対のカセット・エレベータ140および1
42が上述の機構32および36に相当する連合バルブ
・インターフェイス148および150を介してそれぞ
れ一対の運搬機構144および146と結合しているこ
の発明のもう一つの実施例を示している。ウェーハは導
管152を介してエレベータ装置140および142の
間を動かされる。運搬導管152の中間には、加工前ま
たは加工後のウェーハの挿入および取り外し用の導管1
50へのアクセスを与えるエレベータ・カセット154
がある。
42が上述の機構32および36に相当する連合バルブ
・インターフェイス148および150を介してそれぞ
れ一対の運搬機構144および146と結合しているこ
の発明のもう一つの実施例を示している。ウェーハは導
管152を介してエレベータ装置140および142の
間を動かされる。運搬導管152の中間には、加工前ま
たは加工後のウェーハの挿入および取り外し用の導管1
50へのアクセスを与えるエレベータ・カセット154
がある。
導管152の中の実際の運搬機構が、きわめて詳細に第
4図に示されている。そこに示す通り、まっすぐなガイ
ド160には駆動機構164によりそれに沿って動かさ
れるスライド162がある。
4図に示されている。そこに示す通り、まっすぐなガイ
ド160には駆動機構164によりそれに沿って動かさ
れるスライド162がある。
スライド162の上には、アーム166とその上を動く
もう1つのスライド168があって、駆動機構164で
位置制御されている。スライド168には、半導体ウェ
ーハを取り外したり、挿入したりするためのエレベータ
のカセット140゜142および154の中へ延ばせる
ウェーハ・アーム170がある。アーム166は、それ
ぞれの方向を向いて、ガイド160に平行であるか、ま
たは、中央のハウジング172の中に導管152に沿っ
て位置した時エレベータ・カセット154に直角になる
ように位置ぎめされる。ガイド・アーム166の位置は
回転できる取手174により制御される。取手174は
、コンピュータ制御により自動的にまたは手動操作機に
よる駆動および昇降機構178(第3図)の制御のもと
で、アーム166を中央の点176にあわせるよう昇降
できる。
もう1つのスライド168があって、駆動機構164で
位置制御されている。スライド168には、半導体ウェ
ーハを取り外したり、挿入したりするためのエレベータ
のカセット140゜142および154の中へ延ばせる
ウェーハ・アーム170がある。アーム166は、それ
ぞれの方向を向いて、ガイド160に平行であるか、ま
たは、中央のハウジング172の中に導管152に沿っ
て位置した時エレベータ・カセット154に直角になる
ように位置ぎめされる。ガイド・アーム166の位置は
回転できる取手174により制御される。取手174は
、コンピュータ制御により自動的にまたは手動操作機に
よる駆動および昇降機構178(第3図)の制御のもと
で、アーム166を中央の点176にあわせるよう昇降
できる。
このようにして、カセットをエレベータ154から導管
152を通して対応するカセット・エレベータ装置14
0および146にロードすることにより運搬機構144
および146と連繋して、多数チャンバ多数加工装置に
適用することができる。このようにして、ウェーハは、
どのような望みの順序でも、運搬機構144および14
6と連繋して各多数加工装置内でウェーハ加工能力の広
い範囲を発揮するように、エレベータ140゜142お
よび154の間で交換することができる。
152を通して対応するカセット・エレベータ装置14
0および146にロードすることにより運搬機構144
および146と連繋して、多数チャンバ多数加工装置に
適用することができる。このようにして、ウェーハは、
どのような望みの順序でも、運搬機構144および14
6と連繋して各多数加工装置内でウェーハ加工能力の広
い範囲を発揮するように、エレベータ140゜142お
よび154の間で交換することができる。
154の型の複数の追加中間エレベータ・カセット15
0を導管通路または導管152の通路に沿って、望みの
数だけ多数の多数加工設備を含ませるために適用するこ
とができる。
0を導管通路または導管152の通路に沿って、望みの
数だけ多数の多数加工設備を含ませるために適用するこ
とができる。
第1図は、複数の多数チャンバ設備と、多数チャンバ設
備の間にウェーハ・バッファー・記憶カセットとエレベ
ータ装置をもつ可動加工チャンバとを持つ多数チャンバ
多数加工装置を上から見た図、第2図は、第1図の実施
例で使用する連結された可動チャンバの、一部分は内部
、一部分は断面を示す縦断面、第3図は、ウェーハをバ
ッファー・記憶カセット・エレベータ装置の間に運搬し
、ウェーハ挿入および取り外し用運搬路に沿って接近さ
せるウェーハ運搬装置の説明図、第4図は、第3図の制
御された環境の囲いの中の運搬機構の図である。 10・・・多数チャンバ多数加工設備、12・・・第2
の多数チャンバ多数加工設備、14・・・中間カセット
装置、16.18・・・運搬機構、20・・・真空ポン
プ、22,24,26,28.30・・・加工モジュー
ル(チャンバ)、32・・・カップリング、34・・・
アーム、36・・・連結弁、40・・・スペーサ・カラ
ー50・・・ハウジング、52・・・モジュール、54
・・・チャンバ、56・・・支台、58・・・陰極、6
0・・・ウェーハ、64・・・電子装置、66・・・雰
囲気ガス制御装置、68・・・マイクロプロセッサ、7
0.72・・・導管、74.36・・・フランジ、80
・・・ヒンジ、82・・・クランプ、84・・・ビン、
86・・・移動台、88・・・調節ネジ、90.92・
・・弁、91.93・・・アクセス口、100・・・マ
ニホルド、102,104,106・・・導管、108
・・・弁、110・・・ターボポンプ、112・・・出
口の導管、114・・・排出マニホルド、116・・・
排出弁、118・・・排出配管、120・・・導管。
備の間にウェーハ・バッファー・記憶カセットとエレベ
ータ装置をもつ可動加工チャンバとを持つ多数チャンバ
多数加工装置を上から見た図、第2図は、第1図の実施
例で使用する連結された可動チャンバの、一部分は内部
、一部分は断面を示す縦断面、第3図は、ウェーハをバ
ッファー・記憶カセット・エレベータ装置の間に運搬し
、ウェーハ挿入および取り外し用運搬路に沿って接近さ
せるウェーハ運搬装置の説明図、第4図は、第3図の制
御された環境の囲いの中の運搬機構の図である。 10・・・多数チャンバ多数加工設備、12・・・第2
の多数チャンバ多数加工設備、14・・・中間カセット
装置、16.18・・・運搬機構、20・・・真空ポン
プ、22,24,26,28.30・・・加工モジュー
ル(チャンバ)、32・・・カップリング、34・・・
アーム、36・・・連結弁、40・・・スペーサ・カラ
ー50・・・ハウジング、52・・・モジュール、54
・・・チャンバ、56・・・支台、58・・・陰極、6
0・・・ウェーハ、64・・・電子装置、66・・・雰
囲気ガス制御装置、68・・・マイクロプロセッサ、7
0.72・・・導管、74.36・・・フランジ、80
・・・ヒンジ、82・・・クランプ、84・・・ビン、
86・・・移動台、88・・・調節ネジ、90.92・
・・弁、91.93・・・アクセス口、100・・・マ
ニホルド、102,104,106・・・導管、108
・・・弁、110・・・ターボポンプ、112・・・出
口の導管、114・・・排出マニホルド、116・・・
排出弁、118・・・排出配管、120・・・導管。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、可動ハウジングによって特長づけられる運搬可能な
半導体加工チャンバ組立品に於て、その可動ハウジング
が、前記ハウジングを表面の上で移動できる手段、半導
体ウェーハの制御された加工環境のための前記ハウジン
グにより支持されたチャンバ、前記チャンバ内の制御さ
れた環境を確立するための前記ハウジングと連係した手
段、前記チャンバを半導体ウェーハ運搬機構と、前記運
搬機構と前記チャンバの間の半導体ウェーハの運搬を閉
じ込められた環境によって結合させる手段をもっている
チャンバ組立品。 2、請求項1記載の運搬可能な半導体加工チャンバ組立
品に於て、そのハウジングが精確な連結ができるように
前記ハウジングの高さと姿勢を調節する手段を備えてい
ることを特徴とする半導体加工チャンバ組立品。 3、請求項1記載の運搬可能な半導体加工チャンバ組立
品に於て、前記チャンバ内の制御された環境を確立する
手段が、前記チャンバのガスを取り除くために前記ハウ
ジングにより支持されている手段を備えていることを特
徴とする半導体加工チャンバ組立品。 4、請求項3記載の運搬可能な半導体加工チャンバ組立
品に於て、ガス排出をする手段がさらなる排出手段と結
合する手段を備えていることを特徴とする半導体加工チ
ャンバ組立品。 5、請求項1記載の運搬可能な半導体加工チャンバ組立
品に於て、前記連結手段が導管と前記導管を前記運搬機
構上の対の導管とかみあう手段とを含み、かつ前記導管
と対の導管とを敏速に接続または切離す手段を有してい
ることを特徴とする半導体加工チャンバ組立品。 6、半導体ウェーハ多数加工装置であって、運搬ステー
ション、半導体ウェーハを格納する手段、および前記格
納手段と前記加工チャンバの間を半導体ウェーハを運搬
することを可能にする運搬ステーションと連繋した複数
の半導体加工チャンバを特徴とする加工装置。 7、半導体ウェーハ多数加工装置であって、半導体ウェ
ーハを格納する手段、第1の運搬ステーション、前記格
納手段と第1の複数の加工チャンバの間を半導体ウェー
ハを運搬することを可能にする前記第1運搬ステーショ
ンと連繋した第1の複数の半導体加工チャンバ、第2運
搬ステーションおよび前記格納手段と第2の複数の加工
チャンバの間を半導体ウェーハを運搬することを可能に
する前記第2運搬ステーションと連係した第2の複数の
半導体加工チャンバを特徴とする加工装置。 8、半導体ウェーハ多数加工装置であって、第1、第2
、および第3の半導体ウェーハを格納する手段、第1運
搬ステーション、前記第1と第3および前記第2と第3
の格納手段の間をそれぞれ半導体ウェーハを運搬する運
搬機構、前記格納手段と前記第1の複数の加工チャンバ
との間を半導体を運搬することを可能にする前記第1運
搬ステーションと連係した第1の複数の半導体加工チャ
ンバ、第2運搬ステーション、および前記格納手段と前
記第2の複数の加工チャンバとの間を半導体を運搬する
ことを可能にする前記第2運搬ステーションと連係した
第2の複数の半導体加工チャンバを特徴とする加工装置
。 9、請求項8記載の半導体ウェーハ多数加工装置に於て
、運搬機構がアーム、軌道、前記アームを前記第3格納
手段を通る前記第1および第2格納手段の間の軌道に沿
って案内する手段、および前記アームを前記軌道から前
記第1、第2および第3の格納手段へ延ばす手段を含ん
でいることを特徴とする加工装置。 10、請求項9記載の半導体ウェーハ多数加工装置に於
て、前記アームの方向を、前記軌道に沿って前記第1ま
たは第2格納手段に向けることから、前記軌道から前記
第3格納手段にはなすように変更する手段を有すること
を特徴とする加工装置。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US294278 | 1989-01-06 | ||
US07/294,278 US5076205A (en) | 1989-01-06 | 1989-01-06 | Modular vapor processor system |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02283017A true JPH02283017A (ja) | 1990-11-20 |
Family
ID=23132696
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000218A Pending JPH02283017A (ja) | 1989-01-06 | 1990-01-04 | ウェーハ加工装置 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5076205A (ja) |
EP (1) | EP0377464B1 (ja) |
JP (1) | JPH02283017A (ja) |
CA (1) | CA2005571A1 (ja) |
DE (1) | DE69030330T2 (ja) |
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