JPH022519A - 液晶表示素子の製造方法 - Google Patents
液晶表示素子の製造方法Info
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- JPH022519A JPH022519A JP14905188A JP14905188A JPH022519A JP H022519 A JPH022519 A JP H022519A JP 14905188 A JP14905188 A JP 14905188A JP 14905188 A JP14905188 A JP 14905188A JP H022519 A JPH022519 A JP H022519A
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Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
この発明は、液晶表示素子の製造方法に関し、特に透明
導電膜と金属補助電極膜を積層した電極パターンを形成
するフォトプロセスに関するものである。
導電膜と金属補助電極膜を積層した電極パターンを形成
するフォトプロセスに関するものである。
〈従来の技術〉
心ノ
近年、ドツトマトリックス型液晶表示素子よる大容量の
フラット型情報表示装置が注目されている。ドットマ）
ＩＪフックス絵素数の増加に伴い、各ドラトラ構成す
る電極ストライプの抵抗値が問題になってきている。ガ
ラス基板上に構成されるＩ Ｔｏ （Ｉ ｎ２０３ ＋
Ｓ ｎ０２）等の透明導電膜の抵抗値（液晶表示素子
に用いる場合、およそ１０Ω〜３００Ω／口の値である
）を小さくするだめこの透明導電膜の上に細い金属の補
助電顆膜を積層して電極ストライプの抵抗値を下げる技
術が用いられるようになってきた。
フラット型情報表示装置が注目されている。ドットマ）
ＩＪフックス絵素数の増加に伴い、各ドラトラ構成す
る電極ストライプの抵抗値が問題になってきている。ガ
ラス基板上に構成されるＩ Ｔｏ （Ｉ ｎ２０３ ＋
Ｓ ｎ０２）等の透明導電膜の抵抗値（液晶表示素子
に用いる場合、およそ１０Ω〜３００Ω／口の値である
）を小さくするだめこの透明導電膜の上に細い金属の補
助電顆膜を積層して電極ストライプの抵抗値を下げる技
術が用いられるようになってきた。
第３図、第４図および第５図は、それぞ几従来の液晶表
示素子に用いらｎる積層電画の製造方法を説明する工程
図である。
示素子に用いらｎる積層電画の製造方法を説明する工程
図である。
第３図（Ａ）でガラス基板１１の上に金属薄膜１２を形
成し、同（Ｂ）に示″′ｒｔｌＵＪ＜この上にフォトレ
ジスト＋ｉ １４ ｆｊｒ：塗布しフォトマスク１５を
用いて露光・現像する。同（Ｃ）は金属膜をパターンエ
ツチングし金属薄膜Ｍ線の補助電層パターン１２′ 全
形成する工程全示す。同（Ｄ）はパターンの形成された
基板上に透明導電膜１３を形成する工程を示す。同（Ｅ
）はフォトプロセス工程で、フォトレジスト＋＋ｕ １
６ ＠コートし、フォトマスク１７′ｆｒ：用いて露光
・現像する。同（Ｆ）は透明導電膜１３のパもターン１
３′全形成する工程を示す。この場合、透明導電膜１３
のパターン１３′は金属細線の補助電極パターン１２′
をオーバーコートする構成となっている。
成し、同（Ｂ）に示″′ｒｔｌＵＪ＜この上にフォトレ
ジスト＋ｉ １４ ｆｊｒ：塗布しフォトマスク１５を
用いて露光・現像する。同（Ｃ）は金属膜をパターンエ
ツチングし金属薄膜Ｍ線の補助電層パターン１２′ 全
形成する工程全示す。同（Ｄ）はパターンの形成された
基板上に透明導電膜１３を形成する工程を示す。同（Ｅ
）はフォトプロセス工程で、フォトレジスト＋＋ｕ １
６ ＠コートし、フォトマスク１７′ｆｒ：用いて露光
・現像する。同（Ｆ）は透明導電膜１３のパもターン１
３′全形成する工程を示す。この場合、透明導電膜１３
のパターン１３′は金属細線の補助電極パターン１２′
をオーバーコートする構成となっている。
第４肉は同様なプロセスでガラス／透明電擺／金属■１
線電樺から成る構成の電極パターンを作るものである。
線電樺から成る構成の電極パターンを作るものである。
第４図（Ａ）はガラス基板１１の上に透明導電膜１３を
形成する工程であり、同（Ｂ）はこの上にフォトレジス
ト膜１４を塗布しフォトマスク１７全用いて露光・現象
する工程である。同（Ｃ）は透明導７は膜をパターンエ
ツチングし透明電極パターン１３′を形成する工程であ
る。同（Ｄ）はその基板上に金属薄膜１２を形成する工
程である。同（Ｅ）はフォトプロセス工程で、フォトレ
ジスト膜１６をコートし、フォトマスク１５を用いて露
光・現像する。同（Ｆ）は金属薄膜の補助電極パターン
１２′を形成する工程を示す。この場合、金属細線の補
助重版パターン１２′は透明導電膜の上に積層された１
１″４成となっている。
形成する工程であり、同（Ｂ）はこの上にフォトレジス
ト膜１４を塗布しフォトマスク１７全用いて露光・現象
する工程である。同（Ｃ）は透明導７は膜をパターンエ
ツチングし透明電極パターン１３′を形成する工程であ
る。同（Ｄ）はその基板上に金属薄膜１２を形成する工
程である。同（Ｅ）はフォトプロセス工程で、フォトレ
ジスト膜１６をコートし、フォトマスク１５を用いて露
光・現像する。同（Ｆ）は金属薄膜の補助電極パターン
１２′を形成する工程を示す。この場合、金属細線の補
助重版パターン１２′は透明導電膜の上に積層された１
１″４成となっている。
第５図は、第４図と同じく、ガラス／透明＠極／金属薄
膜の積層構造を有する電極パターンを作るものである。
膜の積層構造を有する電極パターンを作るものである。
第５図（Ａ）でガラス基板１１の上に透明導電膜１３お
よび金属薄膜１２を形成し、同（Ｂ）でこの上にフォト
レジスト膜１４を塗布しフォトマスク１５に用いて１回
目の露光・現像をする。次に同（Ｃ）で金属薄膜１２全
パターンエツチングし金属補助電極パターン１２′ を
形成する。
よび金属薄膜１２を形成し、同（Ｂ）でこの上にフォト
レジスト膜１４を塗布しフォトマスク１５に用いて１回
目の露光・現像をする。次に同（Ｃ）で金属薄膜１２全
パターンエツチングし金属補助電極パターン１２′ を
形成する。
同（Ｄ）はこの上に再度フォトレジスト１漢１４を塗布
しフォトマスク１７を用いて２回目の露光・現象をする
工程を示す。同（Ｅ）は透明導電膜をパターンエツチン
グし透明電極パターン１３”ｅ形成する工程を示す。こ
の場合、金属＃Ｉ線の補助重鎖パターン１２′は透明導
電膜の電極パターン１３′の上に積層された構成となっ
ており２回のフォトプロセスが必要となる。
しフォトマスク１７を用いて２回目の露光・現象をする
工程を示す。同（Ｅ）は透明導電膜をパターンエツチン
グし透明電極パターン１３”ｅ形成する工程を示す。こ
の場合、金属＃Ｉ線の補助重鎖パターン１２′は透明導
電膜の電極パターン１３′の上に積層された構成となっ
ており２回のフォトプロセスが必要となる。
〈発明が解決しようとする課題〉
前述の製造工程において、ガラス基板上の透明導電膜と
金属薄膜のパターン形状が同一の場合であっでも２回の
フォトプロセスが用いられ、ｔた高い精度を必要としな
い液晶表示素子の非表示部分のパターン形状の場合であ
っても２回のフォトプロセスが用いられていた。その結
果、ハターン精度を向上させることが困難である。
金属薄膜のパターン形状が同一の場合であっでも２回の
フォトプロセスが用いられ、ｔた高い精度を必要としな
い液晶表示素子の非表示部分のパターン形状の場合であ
っても２回のフォトプロセスが用いられていた。その結
果、ハターン精度を向上させることが困難である。
く課題全解決するだめの手段〉
本発明は上述のような点に鑑みてなされたもので、透明
導電膜と金属補助電顕のフォトリングラフィを１回のプ
ロセスで行い、２層に積層された宙曙膜の位置ずれ金な
くシ、精度の高いかつ生産性の優れた液晶表示素子の製
造プロセスを提供することを目的とするものである。
導電膜と金属補助電顕のフォトリングラフィを１回のプ
ロセスで行い、２層に積層された宙曙膜の位置ずれ金な
くシ、精度の高いかつ生産性の優れた液晶表示素子の製
造プロセスを提供することを目的とするものである。
即ち、本発明は液晶用ガラス基板上に形成される透明導
電膜電極／金属薄１模補助電極の２層溝造のパターン形
状の形成プロセスにおいて、金属薄ｊ漠のエツチング溶
液にリン酸−酢酸−硝酸を主体とするエンチング液を採
用し、さらにフォトレジスト膜の処理方法を改良するこ
とにより、１回のフォトレジス！−１１ｊｉｌｌの塗布
で、２回の露光・現像処理音引き続いて行なう製造方法
である。
電膜電極／金属薄１模補助電極の２層溝造のパターン形
状の形成プロセスにおいて、金属薄ｊ漠のエツチング溶
液にリン酸−酢酸−硝酸を主体とするエンチング液を採
用し、さらにフォトレジスト膜の処理方法を改良するこ
とにより、１回のフォトレジス！−１１ｊｉｌｌの塗布
で、２回の露光・現像処理音引き続いて行なう製造方法
である。
〈作 用〉
上述の工程プロセスにより、１回のフォトプロセスで、
精度が高くかつ生産性の高い２層の積層型パターン形状
が得られる。
精度が高くかつ生産性の高い２層の積層型パターン形状
が得られる。
〈実施例〉
以下図面に従って本発明の一実施例を説明する。
第１図は、本発明の一実施例による液晶表示素子のガラ
スパターン基板の製造プロセスを示す図である。ｇ１図
（Ａ）は透明導電、１模および金属膜の形成、同（Ｂ）
はフォトプロセス、同（Ｃ）は透明導電１摸のパターン
形成、同ＣＤ）はフォトプロセス、同（Ｅ）は金属膜の
パターン形成の各工程を示す。
スパターン基板の製造プロセスを示す図である。ｇ１図
（Ａ）は透明導電、１模および金属膜の形成、同（Ｂ）
はフォトプロセス、同（Ｃ）は透明導電１摸のパターン
形成、同ＣＤ）はフォトプロセス、同（Ｅ）は金属膜の
パターン形成の各工程を示す。
以下各工程の手順について詳細に説明する。
「Ａ工程」：洗浄したガラス基板１の上に酸化インジウ
ム（Ｉｎ２０：＋）９５％、酸化スズ（Ｓｎ０２ ）５
形の混合酸化物のターゲラトラ用い、スパッター法によ
り膜厚約１００ＯＡの薄膜全堆積させ、シート抵抗約３
０Ω／口の透明導電膜（ＩＴＯ）２全形成する。次にこ
の禮明導電嘆２の上にモリブデン（Ｍｏ）のターゲット
を用い、スパッター法により膜厚的３００ＯＡ、シート
抵抗値約０．５Ω／口のモリブデン金属薄膜を形成する
。
ム（Ｉｎ２０：＋）９５％、酸化スズ（Ｓｎ０２ ）５
形の混合酸化物のターゲラトラ用い、スパッター法によ
り膜厚約１００ＯＡの薄膜全堆積させ、シート抵抗約３
０Ω／口の透明導電膜（ＩＴＯ）２全形成する。次にこ
の禮明導電嘆２の上にモリブデン（Ｍｏ）のターゲット
を用い、スパッター法により膜厚的３００ＯＡ、シート
抵抗値約０．５Ω／口のモリブデン金属薄膜を形成する
。
「Ｂ工程」：形成された２層の導電膜上にポジ型フォト
レジスト（−例として東京応化（株）の商品名０ＦＰＲ
−８００）膜０．５〜４．０μ霞厚をコーティングし、
１００℃３０分のボストベークを行い、レジスト＠ヲ強
くする。次に線幅１００μｍ。
レジスト（−例として東京応化（株）の商品名０ＦＰＲ
−８００）膜０．５〜４．０μ霞厚をコーティングし、
１００℃３０分のボストベークを行い、レジスト＠ヲ強
くする。次に線幅１００μｍ。
線間距離１０μｍのフォトマスクパターン５を介して露
光する。
光する。
［Ｃ工程Ｊ：０．１〜１．５％の苛性カリＫＯＨ溶液で
数分間現像処理する。（苛性ソーダ溶液を用いる場合も
ある。）現像後、モリブデン膜のエツチング液として［
濃リン酸（６０〜１００％）硝酸（０，１〜５％）−酢
酸（１〜１５％）−界面活性剤（場合により添加する）
の混合溶液を用い、透明導電膜（ＩＴＯ）のエツチング
液として濃臭化水素酸（ＨＢｒ）溶液を用いてそれぞれ
約３分間づつ室温で浸漬エツチングを行う。
数分間現像処理する。（苛性ソーダ溶液を用いる場合も
ある。）現像後、モリブデン膜のエツチング液として［
濃リン酸（６０〜１００％）硝酸（０，１〜５％）−酢
酸（１〜１５％）−界面活性剤（場合により添加する）
の混合溶液を用い、透明導電膜（ＩＴＯ）のエツチング
液として濃臭化水素酸（ＨＢｒ）溶液を用いてそれぞれ
約３分間づつ室温で浸漬エツチングを行う。
「Ｄ工程」：水洗洗浄の後、非表示部がマスクされ、か
つ表示部のみ線幅的１０μｍ、線間距離的ｉｏｏμｍで
形成されているフォトマスクパターン（第２図参照）全
用い、再度露光現像処理およびモリブデン膜のエツチン
グ液として「濃リン酸（６０〜１００Φ）−硝酸（０，
１〜５％）−酢酸（１〜１５％）−界面活性剤（場合に
より添加する）の混合溶液を用いてモリブデン膜のエツ
チングを行う。
つ表示部のみ線幅的１０μｍ、線間距離的ｉｏｏμｍで
形成されているフォトマスクパターン（第２図参照）全
用い、再度露光現像処理およびモリブデン膜のエツチン
グ液として「濃リン酸（６０〜１００Φ）−硝酸（０，
１〜５％）−酢酸（１〜１５％）−界面活性剤（場合に
より添加する）の混合溶液を用いてモリブデン膜のエツ
チングを行う。
「Ｅ工程」：その後、１〜１０％の苛性カリ（ＫＯＨ）
水溶液でレジスト摸４を剥離すると、表示部はＩＴＯの
線幅的１００ μｍ （６）、Ｍｏの線幅的１０μｒｒ
Ｌ（７）、非表示部はＩＴＯ層（８）とＭｏ層（９）と
が積層さｎた線間距離的１０μｍαのの液晶表示素子用
の電極パターンが形成される。
水溶液でレジスト摸４を剥離すると、表示部はＩＴＯの
線幅的１００ μｍ （６）、Ｍｏの線幅的１０μｒｒ
Ｌ（７）、非表示部はＩＴＯ層（８）とＭｏ層（９）と
が積層さｎた線間距離的１０μｍαのの液晶表示素子用
の電極パターンが形成される。
これ全第２図に示す。非表示部の幅は約８ｍｍである。
１回のフォトリソグラフィーによるパターン誤差をΔＸ
とすると、従来の方法による２回のフォトリソグラフィ
ーによるパターン誤差は加算されて２・ΔＸとなり、パ
ターン間隔の誤差Δｙ≧２・ΔＸとなる。本実施例によ
る１回のフォトリングラフイーでは、Δｙ≧ΔＸとなり
、パターン間隔の誤差を半分（１／２ ）にすることが
でき、また１回のフィトレジスト塗布に２回のパターン
露光を用いることができ、プロセスの簡素化と製造工程
での材料使用量の低減が可能となった。また透明導電膜
と金属薄膜電極との位置ずれ全減少でき、この金属薄膜
補助電極を設計通りの位置に形成することができ、その
結果として、液晶表示素子の表示品位を向上させること
ができた。
とすると、従来の方法による２回のフォトリソグラフィ
ーによるパターン誤差は加算されて２・ΔＸとなり、パ
ターン間隔の誤差Δｙ≧２・ΔＸとなる。本実施例によ
る１回のフォトリングラフイーでは、Δｙ≧ΔＸとなり
、パターン間隔の誤差を半分（１／２ ）にすることが
でき、また１回のフィトレジスト塗布に２回のパターン
露光を用いることができ、プロセスの簡素化と製造工程
での材料使用量の低減が可能となった。また透明導電膜
と金属薄膜電極との位置ずれ全減少でき、この金属薄膜
補助電極を設計通りの位置に形成することができ、その
結果として、液晶表示素子の表示品位を向上させること
ができた。
〈発明の効果〉
以上のように本発明によルば、液晶表示用の電極パター
ンの形成プロセスを簡略化でき、かつ精度の高いパター
ン形成方法が提供できる。
ンの形成プロセスを簡略化でき、かつ精度の高いパター
ン形成方法が提供できる。
第１図（Ａ）〜（Ｅ）は本発明の一実施例を示す工程プ
ロセスの断面図、第２図は本発明の一実施例により作製
さｎた液晶表示素子用電極パターンの平面図、第３図（
Ａ）〜（Ｆ）、第４図（Ａ）〜（Ｆ）および第５図（Ａ
）〜（Ｅ）は従来例による液晶表示素子用電極パターン
の工程プロセスを示す断面図である。 １・・ガラス基板、 ２・・・透明導電膜、 ２′・・
・透明導電膜電極パターン、 ３・・・モリブデン金属
薄膜、 ３′・・・金属膜電極パターン、 ４・・・レ
ジスト膜、 ５・・・フォトマスク 代理人 弁理士 杉 山 毅 至（他１名）彰べ （Ａ） 第１ 図 嘉３図 、ｌ２ （８，ｑ ス２図 （Ａ） φナナ ψψ１１ ノぐ７−ン彬Ａ （Ｃ） 第４ 図
ロセスの断面図、第２図は本発明の一実施例により作製
さｎた液晶表示素子用電極パターンの平面図、第３図（
Ａ）〜（Ｆ）、第４図（Ａ）〜（Ｆ）および第５図（Ａ
）〜（Ｅ）は従来例による液晶表示素子用電極パターン
の工程プロセスを示す断面図である。 １・・ガラス基板、 ２・・・透明導電膜、 ２′・・
・透明導電膜電極パターン、 ３・・・モリブデン金属
薄膜、 ３′・・・金属膜電極パターン、 ４・・・レ
ジスト膜、 ５・・・フォトマスク 代理人 弁理士 杉 山 毅 至（他１名）彰べ （Ａ） 第１ 図 嘉３図 、ｌ２ （８，ｑ ス２図 （Ａ） φナナ ψψ１１ ノぐ７−ン彬Ａ （Ｃ） 第４ 図
Claims (1)
- １、ガラス基板上に表示用透明導電膜の電極とその上に
積層して形成される補助用金属薄膜電極との２層構造で
電極パターンが構成される液晶表示素子の製造方法にお
いて、前記電極パターンの形成を同一の感光性フォトレ
ジストによってフォトリソグラフィーで作製することを
特徴とする液晶表示素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14905188A JPH022519A (ja) | 1988-06-15 | 1988-06-15 | 液晶表示素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14905188A JPH022519A (ja) | 1988-06-15 | 1988-06-15 | 液晶表示素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH022519A true JPH022519A (ja) | 1990-01-08 |
Family
ID=15466581
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14905188A Pending JPH022519A (ja) | 1988-06-15 | 1988-06-15 | 液晶表示素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH022519A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5124743A (en) * | 1990-09-12 | 1992-06-23 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Photographic printer with apparatus for straightening curl of developed photographic film |
| US5149168A (en) * | 1990-06-25 | 1992-09-22 | Tokai Kogyo Co. Ltd. | Window molding for automobile |
| EP0660381A1 (en) * | 1993-12-21 | 1995-06-28 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Method of manufacturing a transparent conductor pattern and a liquid crystal display device |
| US6850307B2 (en) | 2000-02-18 | 2005-02-01 | Seiko Epson Corporation | Display device substrate, method for manufacturing the display device substrate, liquid-crystal display device, and electronic equipment |
| JP2012169335A (ja) * | 2011-02-10 | 2012-09-06 | Shin Etsu Polymer Co Ltd | 導電パターン形成基板の製造方法 |
| WO2014084126A1 (ja) * | 2012-11-30 | 2014-06-05 | 株式会社Ｊｖｃケンウッド | 表示素子、及びその製造方法 |
-
1988
- 1988-06-15 JP JP14905188A patent/JPH022519A/ja active Pending
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| US6922225B2 (en) | 2000-02-18 | 2005-07-26 | Seiko Epson Corporation | Display device substrate, method for manufacturing the display device substrate, liquid-crystal device, and electronic equipment |
| US6924867B2 (en) | 2000-02-18 | 2005-08-02 | Seiko Epson Corporation | Display device substrate, method for manufacturing the display device substrate, liquid-crystal device, and electronic equipment |
| JP2012169335A (ja) * | 2011-02-10 | 2012-09-06 | Shin Etsu Polymer Co Ltd | 導電パターン形成基板の製造方法 |
| WO2014084126A1 (ja) * | 2012-11-30 | 2014-06-05 | 株式会社Ｊｖｃケンウッド | 表示素子、及びその製造方法 |
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