JPH02250415A - 弾性表面波装置 - Google Patents
弾性表面波装置Info
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- JPH02250415A JPH02250415A JP7150189A JP7150189A JPH02250415A JP H02250415 A JPH02250415 A JP H02250415A JP 7150189 A JP7150189 A JP 7150189A JP 7150189 A JP7150189 A JP 7150189A JP H02250415 A JPH02250415 A JP H02250415A
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- Japan
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- reflector
- acoustic wave
- surface acoustic
- wave device
- conductive strip
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- Pending
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- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 title claims abstract description 23
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 12
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、インターデジタルトランスデユーサの側方に
反射器を配した弾性表面波装置の改良に関し、特に、反
射器の構造が改良されたものに関する。
反射器を配した弾性表面波装置の改良に関し、特に、反
射器の構造が改良されたものに関する。
第２図は、従来の弾性表面波装置の一例を示す平面図で
ある０弾性表面波装置１は、３６°Ｙ−Ｘ、ＬＩＴａＯ
，からなる圧電基板２上に、互いに間挿し合ろくし歯電
極３．４を有するインターデジタルトランスデユーサ５
と、インターデジタルトランスデユーサ５の両側に配置
された反射器６．７とを有する。
ある０弾性表面波装置１は、３６°Ｙ−Ｘ、ＬＩＴａＯ
，からなる圧電基板２上に、互いに間挿し合ろくし歯電
極３．４を有するインターデジタルトランスデユーサ５
と、インターデジタルトランスデユーサ５の両側に配置
された反射器６．７とを有する。
くし歯電極３，４の電極指３ａ、４ａは、上述したよう
に互いに間挿し合うように配置されている。また、反射
器６．７は、互いに平行に配置された複数本の独立した
導電性ストリップ６ａ、７ａからなる、いわゆる開放型
の反射器である。
に互いに間挿し合うように配置されている。また、反射
器６．７は、互いに平行に配置された複数本の独立した
導電性ストリップ６ａ、７ａからなる、いわゆる開放型
の反射器である。
弾性表面波装置においても、他の電子部品と同様に、よ
り小型のものが求められている。そこで、従来の弾性表
面波装置１では、反射器６．７における反射効率を高め
ることにより、反射器６．７の表面波伝搬方向の大きさ
を低減し、それによって全体を小型化することが試みら
れている。
り小型のものが求められている。そこで、従来の弾性表
面波装置１では、反射器６．７における反射効率を高め
ることにより、反射器６．７の表面波伝搬方向の大きさ
を低減し、それによって全体を小型化することが試みら
れている。
すなわち、導電性ストリップ６ａ、７ａの膜厚を厚くす
ることにより、導電性ストリップ１本当たりの反射率を
高め、それによって導電性ストリップの数を低減した構
造が採用されていた。
ることにより、導電性ストリップ１本当たりの反射率を
高め、それによって導電性ストリップの数を低減した構
造が採用されていた。
〔発明が解決しようとする技術的課題〕しかしながら、
導電性ストリップ６ａ、７ａの膜厚を厚くした場合には
、その膜厚を一定に制御することが難しく、従って反射
効率にばらつきが生じがちであうた。よって、膜厚を厚
くするにも自ずと限度があった。
導電性ストリップ６ａ、７ａの膜厚を厚くした場合には
、その膜厚を一定に制御することが難しく、従って反射
効率にばらつきが生じがちであうた。よって、膜厚を厚
くするにも自ずと限度があった。
他方、１２８°Ｙ−Ｘ、ＬｉＮｂＯ５からなる圧電基板
におけるレイリー波の反射に関しては、開放型の反射器
においては、導電性ストリップのデユーティ比、すなわ
ち導電性ストリップの幅の導電性ストリップ・ピッチに
対する割合ｄをｄ≧０．５とした場合に反射係数を高め
得ることが報告されている。
におけるレイリー波の反射に関しては、開放型の反射器
においては、導電性ストリップのデユーティ比、すなわ
ち導電性ストリップの幅の導電性ストリップ・ピッチに
対する割合ｄをｄ≧０．５とした場合に反射係数を高め
得ることが報告されている。
本発明の目的は、３６＠回転Ｙ板、ＬｉＴａ０１からな
る圧電基板を用いた弾性表面波装置において、開放型の
反射器の反射効率を安定にかつ効果的に高め得るものを
提供することにある。
る圧電基板を用いた弾性表面波装置において、開放型の
反射器の反射効率を安定にかつ効果的に高め得るものを
提供することにある。
Ｃ技術的！ｉ！！ｌを解決するための手段〕本発明の弾
性表面波装置は、３６°回転’ｌ。
性表面波装置は、３６°回転’ｌ。
ＬｉＴａＯ５からなる圧電基板を用い、該圧電基板に励
起される表面すべり波を利用したものである。圧電基板
上には、互いに間挿し合うくし歯電極を有するインター
デジタルトランスデユーサが形成されている。このイン
ターデジタルトランスデユーサの側方には、表面波浪伝
搬方向と直交する方向に延びる複数本の独立した導電性
ストリップを互いに平行に配置してなる開放型の反射器
が形成されている。
起される表面すべり波を利用したものである。圧電基板
上には、互いに間挿し合うくし歯電極を有するインター
デジタルトランスデユーサが形成されている。このイン
ターデジタルトランスデユーサの側方には、表面波浪伝
搬方向と直交する方向に延びる複数本の独立した導電性
ストリップを互いに平行に配置してなる開放型の反射器
が形成されている。
反射器における導電性ストリップのデユーティ比、すな
わち導電性ストリップの幅のピッチに対する割合ｄは、
１．０＞ｄ≧０．５４とされている。
わち導電性ストリップの幅のピッチに対する割合ｄは、
１．０＞ｄ≧０．５４とされている。
反射器における導電性ストリップの膜厚を厚（すること
により、反射係数を高めることには限度があることを考
慮し、本発明では、反射器のデユーティ比を上記のよう
に１．０＞ｄ≧０．５４とすることにより、後述の実施
例に示すように反射効率が高められている。すなわち、
本発明は、デユーティ比を上述のように設定することに
より、反射器の反射効率を高め、それによって弾性表面
波装置の小型化を図ったことに特徴を有するものである
。
により、反射係数を高めることには限度があることを考
慮し、本発明では、反射器のデユーティ比を上記のよう
に１．０＞ｄ≧０．５４とすることにより、後述の実施
例に示すように反射効率が高められている。すなわち、
本発明は、デユーティ比を上述のように設定することに
より、反射器の反射効率を高め、それによって弾性表面
波装置の小型化を図ったことに特徴を有するものである
。
第１図は、本発明の一実施例の弾性表面波装置の平面図
である。この弾性表面波装置１１は、平面形状が矩形の
３６” Ｙ−Ｘ、Ｌ １Ｔａｏｓからなる圧電基板１２
を用いて構成されている。圧電基板１２の中央には、互
いに間挿し合う（し歯電極１３．１４からなるインター
デジタルトランスデユーサ１５が形成されている。＜シ
歯電極１３゜１４は、それぞれ、互いに間挿し合う複数
本の電極指１３ａ、１４ａを有する。
である。この弾性表面波装置１１は、平面形状が矩形の
３６” Ｙ−Ｘ、Ｌ １Ｔａｏｓからなる圧電基板１２
を用いて構成されている。圧電基板１２の中央には、互
いに間挿し合う（し歯電極１３．１４からなるインター
デジタルトランスデユーサ１５が形成されている。＜シ
歯電極１３゜１４は、それぞれ、互いに間挿し合う複数
本の電極指１３ａ、１４ａを有する。
インターデジタルトランスデユーサ１５の表面波伝搬方
向外側には、一対の反射器１６．１７が形成されている
０反射器１６．１７は、それぞれ、表面波伝搬方向と直
交する方向に延び、かつ互いに平行に配置された複数本
の独立した導電性ストリップ１６ａ、１７ａを有する。
向外側には、一対の反射器１６．１７が形成されている
０反射器１６．１７は、それぞれ、表面波伝搬方向と直
交する方向に延び、かつ互いに平行に配置された複数本
の独立した導電性ストリップ１６ａ、１７ａを有する。
導電性ストリップは、例えばＡＩｔ等の金属やその他の
適宜の導電材で構成されている。
適宜の導電材で構成されている。
本実施例の特徴は、この反射器１６．ＩＴを構成する複
数本の導電性ストリップ１６ａ、１７ａのデユーティ比
にある。
数本の導電性ストリップ１６ａ、１７ａのデユーティ比
にある。
すなわち、第３図に、反射器１６の要部を拡大して断面
図で示すように、デユーティ比、すなわち反射器１６の
導電性ストリップ１６ａの帽ａのストリップ・ピッチ（
ａ＋ｂ）に対する割合ｄ＝ａ／（ａ＋ｂ）が、１．０＞
ｄ≧０．５４とされていることにある。なお、反射器１
７側も同様のデユーティ比を有するように構成されてい
る。
図で示すように、デユーティ比、すなわち反射器１６の
導電性ストリップ１６ａの帽ａのストリップ・ピッチ（
ａ＋ｂ）に対する割合ｄ＝ａ／（ａ＋ｂ）が、１．０＞
ｄ≧０．５４とされていることにある。なお、反射器１
７側も同様のデユーティ比を有するように構成されてい
る。
３６ ＠Ｙ−Ｘ、 Ｌ ｉ Ｔ ａ Ｏｓ圧電基板を
用いた従来構造（第２図）では、反射器のデユーティ比
は約０．５であったが、本発明においてデユーティ比ｄ
を上述の範囲に設定したのは、該範囲内で反射器の導電
性ストリップ−本当たりの反射効率が効果的に高められ
、それによって反射器１６゜１７を小型化し得るからで
ある。これを、第４図及び第５図を参照して説明する。
用いた従来構造（第２図）では、反射器のデユーティ比
は約０．５であったが、本発明においてデユーティ比ｄ
を上述の範囲に設定したのは、該範囲内で反射器の導電
性ストリップ−本当たりの反射効率が効果的に高められ
、それによって反射器１６゜１７を小型化し得るからで
ある。これを、第４図及び第５図を参照して説明する。
第４図は、第１図実施例の構造において、デエテーティ
比ｄを変化させた場合の導電性ストリップ１本当たりの
反射率を示す図である。なお、第４図では、反射器１６
．１７における導電性ストリップ１６ａ、１７ａの膜厚
／波長（単位はいずれもμｍ）を１％、２％及び３％と
した場合の３種類の特性を示した。
比ｄを変化させた場合の導電性ストリップ１本当たりの
反射率を示す図である。なお、第４図では、反射器１６
．１７における導電性ストリップ１６ａ、１７ａの膜厚
／波長（単位はいずれもμｍ）を１％、２％及び３％と
した場合の３種類の特性を示した。
第４図から明らかなように、膜厚／波長が１゜２及び３
％の何れの場合においても、導電性ストリップ１６ａ、
１７ａ１本当たりの反射率は、デユーティ比ｄが０，３
付近から０．８までは単調に増大することがわかる。
％の何れの場合においても、導電性ストリップ１６ａ、
１７ａ１本当たりの反射率は、デユーティ比ｄが０，３
付近から０．８までは単調に増大することがわかる。
また、第５図は、導電性ストリッ゛プ１６８．１７ａの
膜厚／波長を３％以下の範囲で変化させ、デユーティ比
を１．０までの範囲で変化させた場合の反射係数が最大
となる組み合わせ（実線Ａで示す、）、並びに反射係数
が最大の場合から一１Ｏ％の範囲の領域（斜線でハツチ
ングを付した領域Ｂ）並びにデユーティ比０．５の場合
の反射係数の２０％増しの反射係数を示す領域Ｃを示す
。
膜厚／波長を３％以下の範囲で変化させ、デユーティ比
を１．０までの範囲で変化させた場合の反射係数が最大
となる組み合わせ（実線Ａで示す、）、並びに反射係数
が最大の場合から一１Ｏ％の範囲の領域（斜線でハツチ
ングを付した領域Ｂ）並びにデユーティ比０．５の場合
の反射係数の２０％増しの反射係数を示す領域Ｃを示す
。
第４図及び第５図から、（膜厚／波長）が３％以下の範
囲では、従来の構造すなわち導電性ストリップのデユー
ティ比０．５の場合に比べて、デユーティ比を０．５４
以上とした場合には反射係数を２０％高め得ることがわ
かる。従って、本発明では、デユーティ比は、０．５４
以上とされている。
囲では、従来の構造すなわち導電性ストリップのデユー
ティ比０．５の場合に比べて、デユーティ比を０．５４
以上とした場合には反射係数を２０％高め得ることがわ
かる。従って、本発明では、デユーティ比は、０．５４
以上とされている。
なお、より好ましくは、すなわち、より高い反射係数を
求める場合には、第５図の領域Ｂの範囲にデユーティ比
を選べばよい、すなわち、膜厚Ｏ〜３％の範囲で、デユ
ーティ比ｄを０．６５〜０゜９の範囲に設定すれば、導
電性ストリップ１本当たりの反射率をより効果的に高め
得る。
求める場合には、第５図の領域Ｂの範囲にデユーティ比
を選べばよい、すなわち、膜厚Ｏ〜３％の範囲で、デユ
ーティ比ｄを０．６５〜０゜９の範囲に設定すれば、導
電性ストリップ１本当たりの反射率をより効果的に高め
得る。
なお、例としてインターデジタルトランスデユーサ１個
を用いた１ポ一ト型弾性表面波装置を示したが、２個の
インターデジタルトランスデユーサを用いた２ポ一ト型
表面波共振器や、反射器を用いて低損失化を図ったフィ
ルタ等、反射器を利用した弾性表面波装置−触に本発明
を適用できる。
を用いた１ポ一ト型弾性表面波装置を示したが、２個の
インターデジタルトランスデユーサを用いた２ポ一ト型
表面波共振器や、反射器を用いて低損失化を図ったフィ
ルタ等、反射器を利用した弾性表面波装置−触に本発明
を適用できる。
なお、インターデジタルトランスデユーサのみで反射器
が設けられていない共振器では、インターデジタルトラ
ンスデユーサ内部での弾性表面波の反射率を上げるため
に、インターデジタルトランスデユーサのデユーティ比
を大きくすれば有効であるが、反射器を用いた本発明装
置のような構造では、インターデジタルトランスデユー
サのデユーティ比を高めることにより表面波の閉込め効
率も高められる。
が設けられていない共振器では、インターデジタルトラ
ンスデユーサ内部での弾性表面波の反射率を上げるため
に、インターデジタルトランスデユーサのデユーティ比
を大きくすれば有効であるが、反射器を用いた本発明装
置のような構造では、インターデジタルトランスデユー
サのデユーティ比を高めることにより表面波の閉込め効
率も高められる。
以上のように、本発明では、複数本の互いに平行な独立
した導電性ストリップからなる反射器において、デユー
ティ比ｄが１．Ｏ＞ｄ≧０．５４の範囲に設定されてい
るので、反射器における反射効率が効果的に高められる
。よって、反射器の導電性ストリップ数を低減し、より
小さな弾性表面波装置を実現することができる。しかも
、導電性ストリップの膜厚を増大させて反射係数を高め
た場合のような反射効率のばらつきも生じ難い。
した導電性ストリップからなる反射器において、デユー
ティ比ｄが１．Ｏ＞ｄ≧０．５４の範囲に設定されてい
るので、反射器における反射効率が効果的に高められる
。よって、反射器の導電性ストリップ数を低減し、より
小さな弾性表面波装置を実現することができる。しかも
、導電性ストリップの膜厚を増大させて反射係数を高め
た場合のような反射効率のばらつきも生じ難い。
第１図は本発明の一実施例の弾性表面波装置の平面図、
第２図は従来の弾性表面波装置の平面図、第３図は第１
図の■−■線に沿う部分を拡大して示す断面図、第４図
はデユーティ比ｄと反射器の導電性ストリップ１本当た
りの反射率との関係を示す図、第５図は反射係数が高め
られる範囲を示す図である。 図において、１１は弾性表面波装置、１２は圧電基板、
１３．１４はくし歯電極、１５はインターデジタルトラ
ンスデユーサ、１６．１７は反射器、１６ａ、１７ａは
導電性ストリップを示す。 第３図 １Ａ ｚ 第４図 丁ヱーティに。
第２図は従来の弾性表面波装置の平面図、第３図は第１
図の■−■線に沿う部分を拡大して示す断面図、第４図
はデユーティ比ｄと反射器の導電性ストリップ１本当た
りの反射率との関係を示す図、第５図は反射係数が高め
られる範囲を示す図である。 図において、１１は弾性表面波装置、１２は圧電基板、
１３．１４はくし歯電極、１５はインターデジタルトラ
ンスデユーサ、１６．１７は反射器、１６ａ、１７ａは
導電性ストリップを示す。 第３図 １Ａ ｚ 第４図 丁ヱーティに。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ３６°回転Ｙ板，ＬｉＴａＯ＿３からなる圧電基板と、 前記圧電基板上にＸ軸と平行に表面波を伝搬させるよう
に形成されており、互いに間挿し合うくし歯電極を有す
るインターデジタルトランスデューサと、 前記インターデジタルトランスデューサの側方において
、表面波伝搬方向と直交する方向に延びる複数本の独立
した導電性ストリップを互いに平行に配置してなる反射
器とを備え、表面すべり波を利用した弾性表面波装置に
おいて、 前記反射器における導電性ストリップの幅の導電性スト
リップ・ピッチに対する割合ｄが、１．０＞ｄ≧０．５
４とされていることを特徴とする、弾性表面波装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7150189A JPH02250415A (ja) | 1989-03-23 | 1989-03-23 | 弾性表面波装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7150189A JPH02250415A (ja) | 1989-03-23 | 1989-03-23 | 弾性表面波装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02250415A true JPH02250415A (ja) | 1990-10-08 |
Family
ID=13462488
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7150189A Pending JPH02250415A (ja) | 1989-03-23 | 1989-03-23 | 弾性表面波装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02250415A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| USRE37102E1 (en) | 1994-04-13 | 2001-03-20 | Murata Manufacturing Co, Ltd | Saw filter with specified electrode dimensions |
| US6940208B2 (en) * | 2001-07-24 | 2005-09-06 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Surface acoustic wave device |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62128605A (ja) * | 1985-11-29 | 1987-06-10 | Alps Electric Co Ltd | 弾性表面波素子 |
-
1989
- 1989-03-23 JP JP7150189A patent/JPH02250415A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62128605A (ja) * | 1985-11-29 | 1987-06-10 | Alps Electric Co Ltd | 弾性表面波素子 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| USRE37102E1 (en) | 1994-04-13 | 2001-03-20 | Murata Manufacturing Co, Ltd | Saw filter with specified electrode dimensions |
| US6940208B2 (en) * | 2001-07-24 | 2005-09-06 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Surface acoustic wave device |
| US7132779B2 (en) | 2001-07-24 | 2006-11-07 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Surface acoustic wave device |
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