JPH02250415A - 弾性表面波装置 - Google Patents
弾性表面波装置Info
- Publication number
- JPH02250415A JPH02250415A JP7150189A JP7150189A JPH02250415A JP H02250415 A JPH02250415 A JP H02250415A JP 7150189 A JP7150189 A JP 7150189A JP 7150189 A JP7150189 A JP 7150189A JP H02250415 A JPH02250415 A JP H02250415A
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- JP
- Japan
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- reflector
- acoustic wave
- surface acoustic
- wave device
- conductive strip
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 title claims abstract description 23
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 12
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は、インターデジタルトランスデユーサの側方に
反射器を配した弾性表面波装置の改良に関し、特に、反
射器の構造が改良されたものに関する。
反射器を配した弾性表面波装置の改良に関し、特に、反
射器の構造が改良されたものに関する。
第2図は、従来の弾性表面波装置の一例を示す平面図で
ある0弾性表面波装置1は、36°Y−X、LITaO
,からなる圧電基板2上に、互いに間挿し合ろくし歯電
極3.4を有するインターデジタルトランスデユーサ5
と、インターデジタルトランスデユーサ5の両側に配置
された反射器6.7とを有する。
ある0弾性表面波装置1は、36°Y−X、LITaO
,からなる圧電基板2上に、互いに間挿し合ろくし歯電
極3.4を有するインターデジタルトランスデユーサ5
と、インターデジタルトランスデユーサ5の両側に配置
された反射器6.7とを有する。
くし歯電極3,4の電極指3a、4aは、上述したよう
に互いに間挿し合うように配置されている。また、反射
器6.7は、互いに平行に配置された複数本の独立した
導電性ストリップ6a、7aからなる、いわゆる開放型
の反射器である。
に互いに間挿し合うように配置されている。また、反射
器6.7は、互いに平行に配置された複数本の独立した
導電性ストリップ6a、7aからなる、いわゆる開放型
の反射器である。
弾性表面波装置においても、他の電子部品と同様に、よ
り小型のものが求められている。そこで、従来の弾性表
面波装置1では、反射器6.7における反射効率を高め
ることにより、反射器6.7の表面波伝搬方向の大きさ
を低減し、それによって全体を小型化することが試みら
れている。
り小型のものが求められている。そこで、従来の弾性表
面波装置1では、反射器6.7における反射効率を高め
ることにより、反射器6.7の表面波伝搬方向の大きさ
を低減し、それによって全体を小型化することが試みら
れている。
すなわち、導電性ストリップ6a、7aの膜厚を厚くす
ることにより、導電性ストリップ1本当たりの反射率を
高め、それによって導電性ストリップの数を低減した構
造が採用されていた。
ることにより、導電性ストリップ1本当たりの反射率を
高め、それによって導電性ストリップの数を低減した構
造が採用されていた。
〔発明が解決しようとする技術的課題〕しかしながら、
導電性ストリップ6a、7aの膜厚を厚くした場合には
、その膜厚を一定に制御することが難しく、従って反射
効率にばらつきが生じがちであうた。よって、膜厚を厚
くするにも自ずと限度があった。
導電性ストリップ6a、7aの膜厚を厚くした場合には
、その膜厚を一定に制御することが難しく、従って反射
効率にばらつきが生じがちであうた。よって、膜厚を厚
くするにも自ずと限度があった。
他方、128°Y−X、LiNbO5からなる圧電基板
におけるレイリー波の反射に関しては、開放型の反射器
においては、導電性ストリップのデユーティ比、すなわ
ち導電性ストリップの幅の導電性ストリップ・ピッチに
対する割合dをd≧0.5とした場合に反射係数を高め
得ることが報告されている。
におけるレイリー波の反射に関しては、開放型の反射器
においては、導電性ストリップのデユーティ比、すなわ
ち導電性ストリップの幅の導電性ストリップ・ピッチに
対する割合dをd≧0.5とした場合に反射係数を高め
得ることが報告されている。
本発明の目的は、36@回転Y板、LiTa01からな
る圧電基板を用いた弾性表面波装置において、開放型の
反射器の反射効率を安定にかつ効果的に高め得るものを
提供することにある。
る圧電基板を用いた弾性表面波装置において、開放型の
反射器の反射効率を安定にかつ効果的に高め得るものを
提供することにある。
C技術的!i!!lを解決するための手段〕本発明の弾
性表面波装置は、36°回転’l。
性表面波装置は、36°回転’l。
LiTaO5からなる圧電基板を用い、該圧電基板に励
起される表面すべり波を利用したものである。圧電基板
上には、互いに間挿し合うくし歯電極を有するインター
デジタルトランスデユーサが形成されている。このイン
ターデジタルトランスデユーサの側方には、表面波浪伝
搬方向と直交する方向に延びる複数本の独立した導電性
ストリップを互いに平行に配置してなる開放型の反射器
が形成されている。
起される表面すべり波を利用したものである。圧電基板
上には、互いに間挿し合うくし歯電極を有するインター
デジタルトランスデユーサが形成されている。このイン
ターデジタルトランスデユーサの側方には、表面波浪伝
搬方向と直交する方向に延びる複数本の独立した導電性
ストリップを互いに平行に配置してなる開放型の反射器
が形成されている。
反射器における導電性ストリップのデユーティ比、すな
わち導電性ストリップの幅のピッチに対する割合dは、
1.0>d≧0.54とされている。
わち導電性ストリップの幅のピッチに対する割合dは、
1.0>d≧0.54とされている。
反射器における導電性ストリップの膜厚を厚(すること
により、反射係数を高めることには限度があることを考
慮し、本発明では、反射器のデユーティ比を上記のよう
に1.0>d≧0.54とすることにより、後述の実施
例に示すように反射効率が高められている。すなわち、
本発明は、デユーティ比を上述のように設定することに
より、反射器の反射効率を高め、それによって弾性表面
波装置の小型化を図ったことに特徴を有するものである
。
により、反射係数を高めることには限度があることを考
慮し、本発明では、反射器のデユーティ比を上記のよう
に1.0>d≧0.54とすることにより、後述の実施
例に示すように反射効率が高められている。すなわち、
本発明は、デユーティ比を上述のように設定することに
より、反射器の反射効率を高め、それによって弾性表面
波装置の小型化を図ったことに特徴を有するものである
。
第1図は、本発明の一実施例の弾性表面波装置の平面図
である。この弾性表面波装置11は、平面形状が矩形の
36” Y−X、L 1Taosからなる圧電基板12
を用いて構成されている。圧電基板12の中央には、互
いに間挿し合う(し歯電極13.14からなるインター
デジタルトランスデユーサ15が形成されている。<シ
歯電極13゜14は、それぞれ、互いに間挿し合う複数
本の電極指13a、14aを有する。
である。この弾性表面波装置11は、平面形状が矩形の
36” Y−X、L 1Taosからなる圧電基板12
を用いて構成されている。圧電基板12の中央には、互
いに間挿し合う(し歯電極13.14からなるインター
デジタルトランスデユーサ15が形成されている。<シ
歯電極13゜14は、それぞれ、互いに間挿し合う複数
本の電極指13a、14aを有する。
インターデジタルトランスデユーサ15の表面波伝搬方
向外側には、一対の反射器16.17が形成されている
0反射器16.17は、それぞれ、表面波伝搬方向と直
交する方向に延び、かつ互いに平行に配置された複数本
の独立した導電性ストリップ16a、17aを有する。
向外側には、一対の反射器16.17が形成されている
0反射器16.17は、それぞれ、表面波伝搬方向と直
交する方向に延び、かつ互いに平行に配置された複数本
の独立した導電性ストリップ16a、17aを有する。
導電性ストリップは、例えばAIt等の金属やその他の
適宜の導電材で構成されている。
適宜の導電材で構成されている。
本実施例の特徴は、この反射器16.ITを構成する複
数本の導電性ストリップ16a、17aのデユーティ比
にある。
数本の導電性ストリップ16a、17aのデユーティ比
にある。
すなわち、第3図に、反射器16の要部を拡大して断面
図で示すように、デユーティ比、すなわち反射器16の
導電性ストリップ16aの帽aのストリップ・ピッチ(
a+b)に対する割合d=a/(a+b)が、1.0>
d≧0.54とされていることにある。なお、反射器1
7側も同様のデユーティ比を有するように構成されてい
る。
図で示すように、デユーティ比、すなわち反射器16の
導電性ストリップ16aの帽aのストリップ・ピッチ(
a+b)に対する割合d=a/(a+b)が、1.0>
d≧0.54とされていることにある。なお、反射器1
7側も同様のデユーティ比を有するように構成されてい
る。
36 @Y−X、 L i T a Os圧電基板を
用いた従来構造(第2図)では、反射器のデユーティ比
は約0.5であったが、本発明においてデユーティ比d
を上述の範囲に設定したのは、該範囲内で反射器の導電
性ストリップ−本当たりの反射効率が効果的に高められ
、それによって反射器16゜17を小型化し得るからで
ある。これを、第4図及び第5図を参照して説明する。
用いた従来構造(第2図)では、反射器のデユーティ比
は約0.5であったが、本発明においてデユーティ比d
を上述の範囲に設定したのは、該範囲内で反射器の導電
性ストリップ−本当たりの反射効率が効果的に高められ
、それによって反射器16゜17を小型化し得るからで
ある。これを、第4図及び第5図を参照して説明する。
第4図は、第1図実施例の構造において、デエテーティ
比dを変化させた場合の導電性ストリップ1本当たりの
反射率を示す図である。なお、第4図では、反射器16
.17における導電性ストリップ16a、17aの膜厚
/波長(単位はいずれもμm)を1%、2%及び3%と
した場合の3種類の特性を示した。
比dを変化させた場合の導電性ストリップ1本当たりの
反射率を示す図である。なお、第4図では、反射器16
.17における導電性ストリップ16a、17aの膜厚
/波長(単位はいずれもμm)を1%、2%及び3%と
した場合の3種類の特性を示した。
第4図から明らかなように、膜厚/波長が1゜2及び3
%の何れの場合においても、導電性ストリップ16a、
17a1本当たりの反射率は、デユーティ比dが0,3
付近から0.8までは単調に増大することがわかる。
%の何れの場合においても、導電性ストリップ16a、
17a1本当たりの反射率は、デユーティ比dが0,3
付近から0.8までは単調に増大することがわかる。
また、第5図は、導電性ストリッ゛プ168.17aの
膜厚/波長を3%以下の範囲で変化させ、デユーティ比
を1.0までの範囲で変化させた場合の反射係数が最大
となる組み合わせ(実線Aで示す、)、並びに反射係数
が最大の場合から一1O%の範囲の領域(斜線でハツチ
ングを付した領域B)並びにデユーティ比0.5の場合
の反射係数の20%増しの反射係数を示す領域Cを示す
。
膜厚/波長を3%以下の範囲で変化させ、デユーティ比
を1.0までの範囲で変化させた場合の反射係数が最大
となる組み合わせ(実線Aで示す、)、並びに反射係数
が最大の場合から一1O%の範囲の領域(斜線でハツチ
ングを付した領域B)並びにデユーティ比0.5の場合
の反射係数の20%増しの反射係数を示す領域Cを示す
。
第4図及び第5図から、(膜厚/波長)が3%以下の範
囲では、従来の構造すなわち導電性ストリップのデユー
ティ比0.5の場合に比べて、デユーティ比を0.54
以上とした場合には反射係数を20%高め得ることがわ
かる。従って、本発明では、デユーティ比は、0.54
以上とされている。
囲では、従来の構造すなわち導電性ストリップのデユー
ティ比0.5の場合に比べて、デユーティ比を0.54
以上とした場合には反射係数を20%高め得ることがわ
かる。従って、本発明では、デユーティ比は、0.54
以上とされている。
なお、より好ましくは、すなわち、より高い反射係数を
求める場合には、第5図の領域Bの範囲にデユーティ比
を選べばよい、すなわち、膜厚O〜3%の範囲で、デユ
ーティ比dを0.65〜0゜9の範囲に設定すれば、導
電性ストリップ1本当たりの反射率をより効果的に高め
得る。
求める場合には、第5図の領域Bの範囲にデユーティ比
を選べばよい、すなわち、膜厚O〜3%の範囲で、デユ
ーティ比dを0.65〜0゜9の範囲に設定すれば、導
電性ストリップ1本当たりの反射率をより効果的に高め
得る。
なお、例としてインターデジタルトランスデユーサ1個
を用いた1ポ一ト型弾性表面波装置を示したが、2個の
インターデジタルトランスデユーサを用いた2ポ一ト型
表面波共振器や、反射器を用いて低損失化を図ったフィ
ルタ等、反射器を利用した弾性表面波装置−触に本発明
を適用できる。
を用いた1ポ一ト型弾性表面波装置を示したが、2個の
インターデジタルトランスデユーサを用いた2ポ一ト型
表面波共振器や、反射器を用いて低損失化を図ったフィ
ルタ等、反射器を利用した弾性表面波装置−触に本発明
を適用できる。
なお、インターデジタルトランスデユーサのみで反射器
が設けられていない共振器では、インターデジタルトラ
ンスデユーサ内部での弾性表面波の反射率を上げるため
に、インターデジタルトランスデユーサのデユーティ比
を大きくすれば有効であるが、反射器を用いた本発明装
置のような構造では、インターデジタルトランスデユー
サのデユーティ比を高めることにより表面波の閉込め効
率も高められる。
が設けられていない共振器では、インターデジタルトラ
ンスデユーサ内部での弾性表面波の反射率を上げるため
に、インターデジタルトランスデユーサのデユーティ比
を大きくすれば有効であるが、反射器を用いた本発明装
置のような構造では、インターデジタルトランスデユー
サのデユーティ比を高めることにより表面波の閉込め効
率も高められる。
以上のように、本発明では、複数本の互いに平行な独立
した導電性ストリップからなる反射器において、デユー
ティ比dが1.O>d≧0.54の範囲に設定されてい
るので、反射器における反射効率が効果的に高められる
。よって、反射器の導電性ストリップ数を低減し、より
小さな弾性表面波装置を実現することができる。しかも
、導電性ストリップの膜厚を増大させて反射係数を高め
た場合のような反射効率のばらつきも生じ難い。
した導電性ストリップからなる反射器において、デユー
ティ比dが1.O>d≧0.54の範囲に設定されてい
るので、反射器における反射効率が効果的に高められる
。よって、反射器の導電性ストリップ数を低減し、より
小さな弾性表面波装置を実現することができる。しかも
、導電性ストリップの膜厚を増大させて反射係数を高め
た場合のような反射効率のばらつきも生じ難い。
第1図は本発明の一実施例の弾性表面波装置の平面図、
第2図は従来の弾性表面波装置の平面図、第3図は第1
図の■−■線に沿う部分を拡大して示す断面図、第4図
はデユーティ比dと反射器の導電性ストリップ1本当た
りの反射率との関係を示す図、第5図は反射係数が高め
られる範囲を示す図である。 図において、11は弾性表面波装置、12は圧電基板、
13.14はくし歯電極、15はインターデジタルトラ
ンスデユーサ、16.17は反射器、16a、17aは
導電性ストリップを示す。 第3図 1A z 第4図 丁ヱーティに。
第2図は従来の弾性表面波装置の平面図、第3図は第1
図の■−■線に沿う部分を拡大して示す断面図、第4図
はデユーティ比dと反射器の導電性ストリップ1本当た
りの反射率との関係を示す図、第5図は反射係数が高め
られる範囲を示す図である。 図において、11は弾性表面波装置、12は圧電基板、
13.14はくし歯電極、15はインターデジタルトラ
ンスデユーサ、16.17は反射器、16a、17aは
導電性ストリップを示す。 第3図 1A z 第4図 丁ヱーティに。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 36°回転Y板,LiTaO_3からなる圧電基板と、 前記圧電基板上にX軸と平行に表面波を伝搬させるよう
に形成されており、互いに間挿し合うくし歯電極を有す
るインターデジタルトランスデューサと、 前記インターデジタルトランスデューサの側方において
、表面波伝搬方向と直交する方向に延びる複数本の独立
した導電性ストリップを互いに平行に配置してなる反射
器とを備え、表面すべり波を利用した弾性表面波装置に
おいて、 前記反射器における導電性ストリップの幅の導電性スト
リップ・ピッチに対する割合dが、1.0>d≧0.5
4とされていることを特徴とする、弾性表面波装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7150189A JPH02250415A (ja) | 1989-03-23 | 1989-03-23 | 弾性表面波装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7150189A JPH02250415A (ja) | 1989-03-23 | 1989-03-23 | 弾性表面波装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02250415A true JPH02250415A (ja) | 1990-10-08 |
Family
ID=13462488
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP7150189A Pending JPH02250415A (ja) | 1989-03-23 | 1989-03-23 | 弾性表面波装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02250415A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
USRE37102E1 (en) | 1994-04-13 | 2001-03-20 | Murata Manufacturing Co, Ltd | Saw filter with specified electrode dimensions |
US6940208B2 (en) * | 2001-07-24 | 2005-09-06 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Surface acoustic wave device |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62128605A (ja) * | 1985-11-29 | 1987-06-10 | Alps Electric Co Ltd | 弾性表面波素子 |
-
1989
- 1989-03-23 JP JP7150189A patent/JPH02250415A/ja active Pending
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62128605A (ja) * | 1985-11-29 | 1987-06-10 | Alps Electric Co Ltd | 弾性表面波素子 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
USRE37102E1 (en) | 1994-04-13 | 2001-03-20 | Murata Manufacturing Co, Ltd | Saw filter with specified electrode dimensions |
US6940208B2 (en) * | 2001-07-24 | 2005-09-06 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Surface acoustic wave device |
US7132779B2 (en) | 2001-07-24 | 2006-11-07 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Surface acoustic wave device |
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