JPH0222973A - 固体撮像装置 - Google Patents
固体撮像装置Info
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- JPH0222973A JPH0222973A JP63174489A JP17448988A JPH0222973A JP H0222973 A JPH0222973 A JP H0222973A JP 63174489 A JP63174489 A JP 63174489A JP 17448988 A JP17448988 A JP 17448988A JP H0222973 A JPH0222973 A JP H0222973A
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- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
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- VLJQDHDVZJXNQL-UHFFFAOYSA-N 4-methyl-n-(oxomethylidene)benzenesulfonamide Chemical compound CC1=CC=C(S(=O)(=O)N=C=O)C=C1 VLJQDHDVZJXNQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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Landscapes
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、固体撮像装置に関するもので、特に赤外線
を撮像するものの構成に関するものである。
を撮像するものの構成に関するものである。
第５図は、従来の赤外線固体撮像装置の構成の一例を示
したものである０図において、１は第１の赤外線固体撮
像素子、２は赤外線固体撮像素子の赤外線検出器アレイ
、３は第２の赤外線固体撮像素子、４は赤外線固体撮像
素子２の赤外線検出器アレイ、５は赤外線用のレンズ、
１３は赤外線用のハーフミラ−である。
したものである０図において、１は第１の赤外線固体撮
像素子、２は赤外線固体撮像素子の赤外線検出器アレイ
、３は第２の赤外線固体撮像素子、４は赤外線固体撮像
素子２の赤外線検出器アレイ、５は赤外線用のレンズ、
１３は赤外線用のハーフミラ−である。
次に動作について説明する。赤外線用のハーフミラ−１
３は赤外線レンズ５からの赤外光を素子ｌと素子３の方
へ２つに分ける。そのため赤外線レンズ５によって素子
１と素子３の両方に赤外像が結像される。
３は赤外線レンズ５からの赤外光を素子ｌと素子３の方
へ２つに分ける。そのため赤外線レンズ５によって素子
１と素子３の両方に赤外像が結像される。
ここで素子１と３の赤外線検出器アレイ２と４が画素ピ
ンチの半ピッチ分だけずれるように配置すると、赤外線
レンズ５の側から見ると、素子ｌの赤外線検出器アレイ
２の画素の間に素子３の赤外線検出器アレイ４が配置さ
れることになる。これにより、赤外線固体撮像素子を１
個だけ使用した場合に比べ倍の解像度を得ることが可能
になる。
ンチの半ピッチ分だけずれるように配置すると、赤外線
レンズ５の側から見ると、素子ｌの赤外線検出器アレイ
２の画素の間に素子３の赤外線検出器アレイ４が配置さ
れることになる。これにより、赤外線固体撮像素子を１
個だけ使用した場合に比べ倍の解像度を得ることが可能
になる。
また、赤外線固体撮像素子１，３の上に赤外線フィルタ
を設けたり、赤外線固体撮像素子１，３が互いに異なっ
た分光感度特性の赤外線検出器を持つようにすれば、異
なった波長の光信号を取出すことも可能になる。
を設けたり、赤外線固体撮像素子１，３が互いに異なっ
た分光感度特性の赤外線検出器を持つようにすれば、異
なった波長の光信号を取出すことも可能になる。
従来の固体撮像装置は以上のように構成されているので
、２個の赤外線固体撮像素子を使って解像度を上げたり
異なった波長の光信号を別々に取出すためには、複雑な
光学系が必要であった。また光学系も大きなスペースが
必要であった。
、２個の赤外線固体撮像素子を使って解像度を上げたり
異なった波長の光信号を別々に取出すためには、複雑な
光学系が必要であった。また光学系も大きなスペースが
必要であった。
この発明は、上記のような従来のものの問題点を解消す
るためになされたもので、２個の固体撮像素子を用いて
解像度を上げたり異なった波長の光信号を別々に取出す
ようにする際、光学系を簡単かつスペースの小さいもの
とすることができる固体撮像装置を得ることを目的とす
る。
るためになされたもので、２個の固体撮像素子を用いて
解像度を上げたり異なった波長の光信号を別々に取出す
ようにする際、光学系を簡単かつスペースの小さいもの
とすることができる固体撮像装置を得ることを目的とす
る。
この発明に係る固体撮像装置は、２つの赤外線固体撮像
素子の検出器形成面を互いに向がい合わせて配置したも
のである。
素子の検出器形成面を互いに向がい合わせて配置したも
のである。
この発明は、上述のように構成したので、上部の赤外線
固体撮像素子と下部の赤外線固体撮像素子の画素を半ピ
ツチずらせて配置したり、さらには２つの固体撮像素子
の間に赤外線フィルタを設けたり互いに異なった分光感
度特性を持った赤外線固体撮像素子を用いたりすること
により、１つの赤外線固体撮像素子を使用した場合に比
べ倍の解像度を持った赤外線固体撮像装置を実現したり
、さらには２つの赤外線固体撮像素子から異なった波長
の赤外線信号を取出すことも単純な光学系で可能になる
。
固体撮像素子と下部の赤外線固体撮像素子の画素を半ピ
ツチずらせて配置したり、さらには２つの固体撮像素子
の間に赤外線フィルタを設けたり互いに異なった分光感
度特性を持った赤外線固体撮像素子を用いたりすること
により、１つの赤外線固体撮像素子を使用した場合に比
べ倍の解像度を持った赤外線固体撮像装置を実現したり
、さらには２つの赤外線固体撮像素子から異なった波長
の赤外線信号を取出すことも単純な光学系で可能になる
。
以下、この発明の実施例を図について説明する。
第１図は本発明の一実施例による固体撮像装置を示し、
図において、１は第１の赤外線固体撮像素子、２は赤外
線固体撮像素子１の赤外線検出器アレイ、３は第２の赤
外線固体撮像素子、４は赤外線固体撮像素子２の赤外線
検出器アレイ、５は赤外線用のレンズである。
図において、１は第１の赤外線固体撮像素子、２は赤外
線固体撮像素子１の赤外線検出器アレイ、３は第２の赤
外線固体撮像素子、４は赤外線固体撮像素子２の赤外線
検出器アレイ、５は赤外線用のレンズである。
赤外線固体撮像素子１，３はお互いに検出器形成面が向
かい合っている。このような構成を実現する実装方法と
して赤外線固体撮像素子１．３を接着剤等ではり合わせ
てもよいし、また第２図に示すようにバンプを使っては
り合わせてもよい。
かい合っている。このような構成を実現する実装方法と
して赤外線固体撮像素子１．３を接着剤等ではり合わせ
てもよいし、また第２図に示すようにバンプを使っては
り合わせてもよい。
この第２図において、６はチップｌのＩ１０パッド、７
．８はチップ３上に形成されたパッド、９はパッド６と
７とを結びなおかつチップ１と３を固定するＩｎバンブ
である。パッド７．８はチップ１のＩ１０パッドとなる
。１０はチップ３の■１０パッドである。
．８はチップ３上に形成されたパッド、９はパッド６と
７とを結びなおかつチップ１と３を固定するＩｎバンブ
である。パッド７．８はチップ１のＩ１０パッドとなる
。１０はチップ３の■１０パッドである。
次に動作について説明する。赤外線レンズ５の焦点面は
チップ１．３の検出器面と一致している。
チップ１．３の検出器面と一致している。
赤外線レンズ５で結像された赤外像は赤外線固体撮像素
子１．３で撮像される。一般にＳｉ半導体上にシヲソト
キバリアダイオードの赤外線検出器アレイとその光信号
を読出す手段とをモノリシックに形成した赤外線固体撮
像素子は、Ｓｉ半導体が赤外光に対し透明であることか
ら、光の入射方向は検出器面でもその裏面でも良い、赤
外線レンズからの赤外光は、チップ１の裏面より入射し
、チップ１で赤外像が撮像される。チップ１で吸収され
なかった赤外光はチップ３で撮像される。
子１．３で撮像される。一般にＳｉ半導体上にシヲソト
キバリアダイオードの赤外線検出器アレイとその光信号
を読出す手段とをモノリシックに形成した赤外線固体撮
像素子は、Ｓｉ半導体が赤外光に対し透明であることか
ら、光の入射方向は検出器面でもその裏面でも良い、赤
外線レンズからの赤外光は、チップ１の裏面より入射し
、チップ１で赤外像が撮像される。チップ１で吸収され
なかった赤外光はチップ３で撮像される。
第３図は赤外線固体撮像素子の画素部の拡大図である。
１１は垂直電荷転送部で、赤外線検出器２の光信号を転
送する。垂直電荷転送部１１は赤外光に感度を持たず、
赤外光の吸収も少ない、従って第１図に示したように、
赤外線固体撮像素子１と３の赤外線検出器２と４を半ピ
ツチずらせて配置することにより、チップ１の垂直電荷
転送部を透過した赤外光をチップ３の赤外線検出器４で
検出することが可能となる。
送する。垂直電荷転送部１１は赤外光に感度を持たず、
赤外光の吸収も少ない、従って第１図に示したように、
赤外線固体撮像素子１と３の赤外線検出器２と４を半ピ
ツチずらせて配置することにより、チップ１の垂直電荷
転送部を透過した赤外光をチップ３の赤外線検出器４で
検出することが可能となる。
このように、本実施例によれば、２つの赤外線固体撮像
素子を互いに半ピッチ分ずらせて配置するようにしたの
で、赤外像に対する解像度の向上を構成簡単な光学系で
実現することができる。
素子を互いに半ピッチ分ずらせて配置するようにしたの
で、赤外像に対する解像度の向上を構成簡単な光学系で
実現することができる。
また上記実施例では解像度の向上のみについて説明した
が、第４図に示すようにチップ１とチップ３との間に赤
外線フィルタ１２を挟んでチップ１とチップ３とが互い
に異なった分光感度特性を持つようにすることにより、
互いに異なった波長の光信号を別々に取出せるようにす
ることも可能である。
が、第４図に示すようにチップ１とチップ３との間に赤
外線フィルタ１２を挟んでチップ１とチップ３とが互い
に異なった分光感度特性を持つようにすることにより、
互いに異なった波長の光信号を別々に取出せるようにす
ることも可能である。
また、チップ１とチップ３そのものがお互いに異なった
分光感度特性を持つようにしてもよく、例えば金属と半
導体で形成されるショットキ接合を赤外線検出器とした
場合、金属と半導体の種類によりショットキ接合のバリ
ヤ高が異なるため、色々な種類の分光感度特性を持った
赤外線検出器が作れる。−例としてチップ１の赤外線検
出器２をＰｔＳｉとＰ形Ｓｔ半導体のショットキ接合で
形成し、チップ３の赤外線検出器４をＰｄＳ ｉまたは
ＩｒＳｉとＰ形Ｓｉ半導体のショットキ接合で形成すれ
ばよく、この場合赤外線フィルタなしで異なった波長の
赤外線を光電変換することができる。
分光感度特性を持つようにしてもよく、例えば金属と半
導体で形成されるショットキ接合を赤外線検出器とした
場合、金属と半導体の種類によりショットキ接合のバリ
ヤ高が異なるため、色々な種類の分光感度特性を持った
赤外線検出器が作れる。−例としてチップ１の赤外線検
出器２をＰｔＳｉとＰ形Ｓｔ半導体のショットキ接合で
形成し、チップ３の赤外線検出器４をＰｄＳ ｉまたは
ＩｒＳｉとＰ形Ｓｉ半導体のショットキ接合で形成すれ
ばよく、この場合赤外線フィルタなしで異なった波長の
赤外線を光電変換することができる。
（発明の効果〕
以上のように、この発明に係る固体撮像素子によれば、
２つの赤外線固体撮像素子を検出器形成面を互いに向か
い合わせて配置するようにしたので、上部の赤外線固体
撮像素子と下部の赤外線固体撮像素子を半ピツチずらせ
て配置したり、さらに２つの赤外線固体撮像素子の間に
赤外線フィルタを設けたり、互いに異なった分光感度特
性を持った赤外線検出器を用いたりすることにより、単
純な光学系により解像度を倍にしたり、異った波長の光
信号を別々に取出したりすることが可能となる。
２つの赤外線固体撮像素子を検出器形成面を互いに向か
い合わせて配置するようにしたので、上部の赤外線固体
撮像素子と下部の赤外線固体撮像素子を半ピツチずらせ
て配置したり、さらに２つの赤外線固体撮像素子の間に
赤外線フィルタを設けたり、互いに異なった分光感度特
性を持った赤外線検出器を用いたりすることにより、単
純な光学系により解像度を倍にしたり、異った波長の光
信号を別々に取出したりすることが可能となる。
第１図はこの発明の一実施例による赤外線固体描像装置
の構成を示す図、第２図は第１図の構成を実現する実装
方法の一例を示す図、第３図は赤外線固体撮像素子の画
素部を示す拡大図、第４図はこの発明の他の実施例を示
す図、第５図は従来の赤外線固体描像装置の構成を示す
図である。 図において、１．３は固体撮像素子、２．４は赤外線検
出器、５は赤外線レンズ、６．７はパッド、８．１０は
Ｉ１０パッド、９はバンブである。
の構成を示す図、第２図は第１図の構成を実現する実装
方法の一例を示す図、第３図は赤外線固体撮像素子の画
素部を示す拡大図、第４図はこの発明の他の実施例を示
す図、第５図は従来の赤外線固体描像装置の構成を示す
図である。 図において、１．３は固体撮像素子、２．４は赤外線検
出器、５は赤外線レンズ、６．７はパッド、８．１０は
Ｉ１０パッド、９はバンブである。
Claims (1)
- （１）固体撮像装置において、 半導体基板上に１次元または２次元に配列され赤外線に
対し感度を有する光電変換部と該光電変換部からの電気
信号を読出す機構とを有する第１、第２の固体撮像素子
を備え、 第１の固体撮像素子上に第２の固体撮像素子を、互いに
光電変換部形成面を向かい合わせて配置してなることを
特徴とする固体撮像装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63174489A JPH0222973A (ja) | 1988-07-12 | 1988-07-12 | 固体撮像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63174489A JPH0222973A (ja) | 1988-07-12 | 1988-07-12 | 固体撮像装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0222973A true JPH0222973A (ja) | 1990-01-25 |
Family
ID=15979380
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63174489A Pending JPH0222973A (ja) | 1988-07-12 | 1988-07-12 | 固体撮像装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0222973A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0597327A (ja) * | 1991-08-27 | 1993-04-20 | Takashi Funabiki | カバリング用ボビン |
| WO2000062344A1 (fr) * | 1999-04-13 | 2000-10-19 | Hamamatsu Photonics K.K. | Dispositif à semiconducteur |
| JP2011238773A (ja) * | 2010-05-11 | 2011-11-24 | Panasonic Corp | 複合型撮像素子およびそれを備えた撮像装置 |
| JP2012104759A (ja) * | 2010-11-12 | 2012-05-31 | Fujitsu Ltd | 赤外線イメージセンサ及び赤外線撮像装置 |
| WO2012111851A1 (ja) * | 2011-02-18 | 2012-08-23 | 日本電気株式会社 | 赤外線検知センサアレイおよび赤外線検知装置 |
| JP2012216584A (ja) * | 2011-03-31 | 2012-11-08 | Hamamatsu Photonics Kk | フォトダイオードアレイモジュール及びその製造方法 |
| WO2013064753A1 (fr) * | 2010-11-03 | 2013-05-10 | Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives | Imageur monolithique multispectral visible et infrarouge |
| JP2021525896A (ja) * | 2018-05-31 | 2021-09-27 | ソル・インコーポレイテッドＳｏｌ Ｉｎｃ． | 映像基盤の大面積試料分析装置、媒質の特性差を用いた映像基盤の試料分析装置及びこれを用いて試料を測定して分析する方法 |
-
1988
- 1988-07-12 JP JP63174489A patent/JPH0222973A/ja active Pending
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0597327A (ja) * | 1991-08-27 | 1993-04-20 | Takashi Funabiki | カバリング用ボビン |
| WO2000062344A1 (fr) * | 1999-04-13 | 2000-10-19 | Hamamatsu Photonics K.K. | Dispositif à semiconducteur |
| US6872992B2 (en) | 1999-04-13 | 2005-03-29 | Hamamatsu Photonics K.K. | Semiconductor device for detecting wide wavelength ranges |
| JP4786035B2 (ja) * | 1999-04-13 | 2011-10-05 | 浜松ホトニクス株式会社 | 半導体装置 |
| JP2011238773A (ja) * | 2010-05-11 | 2011-11-24 | Panasonic Corp | 複合型撮像素子およびそれを備えた撮像装置 |
| US9245915B2 (en) | 2010-11-03 | 2016-01-26 | Commissariat à l'Energie Atomique et aux Energies Alternatives | Monolithic multispectral visible and infrared imager |
| WO2013064753A1 (fr) * | 2010-11-03 | 2013-05-10 | Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives | Imageur monolithique multispectral visible et infrarouge |
| JP2012104759A (ja) * | 2010-11-12 | 2012-05-31 | Fujitsu Ltd | 赤外線イメージセンサ及び赤外線撮像装置 |
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| US9496298B2 (en) | 2011-03-31 | 2016-11-15 | Hamamatsu Photonics K.K. | Photodiode array module and method for manufacturing same |
| JP2021525896A (ja) * | 2018-05-31 | 2021-09-27 | ソル・インコーポレイテッドＳｏｌ Ｉｎｃ． | 映像基盤の大面積試料分析装置、媒質の特性差を用いた映像基盤の試料分析装置及びこれを用いて試料を測定して分析する方法 |
| US11624899B2 (en) | 2018-05-31 | 2023-04-11 | Sol Inc. | Device for analyzing large-area sample based on image, device for analyzing sample based on image by using difference in medium characteristic, and method for measuring and analyzing sample using the same |
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