JPH02224386A - λ／４シフト型回折格子の製造方法 - Google Patents
λ／４シフト型回折格子の製造方法Info
- Publication number
- JPH02224386A JPH02224386A JP1046254A JP4625489A JPH02224386A JP H02224386 A JPH02224386 A JP H02224386A JP 1046254 A JP1046254 A JP 1046254A JP 4625489 A JP4625489 A JP 4625489A JP H02224386 A JPH02224386 A JP H02224386A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- diffraction grating
- resist
- substrate
- insulating film
- shift type
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title abstract description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 55
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 13
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 20
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 abstract 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 abstract 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 15
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 231100000989 no adverse effect Toxicity 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B5/00—Optical elements other than lenses
- G02B5/18—Diffraction gratings
- G02B5/1847—Manufacturing methods
- G02B5/1857—Manufacturing methods using exposure or etching means, e.g. holography, photolithography, exposure to electron or ion beams
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S359/00—Optical: systems and elements
- Y10S359/90—Methods
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Diffracting Gratings Or Hologram Optical Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明はλ／４シフト型回折格子の製造方法に関する
ものである。
ものである。
半導体レーザにおいて単一波長で発振することは実用上
極めて重要である。このため、従来種々の方法で半導体
レーザを単一波長で発振させる工夫がなされている。そ
のうちの１つに共振器内部の活性層近傍に共振器長方向
に一定の周期をもつ回折格子を形成した分布帰還型ＣＤ
Ｆ Ｂ ： Ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｅｄ Ｆｅｅｄｂａ
ｃｋ） レーザがある。このＤＦＢレーザでは回折格
子の効果により活性層で発光した光のうちブラッグ反射
条件を満たす波長の光のみが導波路構造の中で反射を繰
り返し発振する。しかしこのような一定周期の回折格子
をもったＤ’Ｆ Ｂレーザは実際には単一のブラッグ波
長では発振せず、該ブラッグ波長からやや長波長側と短
波長側にずれた２つの波長で発振する。ＤＦＢレーザを
単一波長で発振させるためには形成する回折格子の素子
中央部に、逆方向に導波される光の位相をずらすための
λ／４シフト領域を設ける必要がある。
極めて重要である。このため、従来種々の方法で半導体
レーザを単一波長で発振させる工夫がなされている。そ
のうちの１つに共振器内部の活性層近傍に共振器長方向
に一定の周期をもつ回折格子を形成した分布帰還型ＣＤ
Ｆ Ｂ ： Ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｅｄ Ｆｅｅｄｂａ
ｃｋ） レーザがある。このＤＦＢレーザでは回折格
子の効果により活性層で発光した光のうちブラッグ反射
条件を満たす波長の光のみが導波路構造の中で反射を繰
り返し発振する。しかしこのような一定周期の回折格子
をもったＤ’Ｆ Ｂレーザは実際には単一のブラッグ波
長では発振せず、該ブラッグ波長からやや長波長側と短
波長側にずれた２つの波長で発振する。ＤＦＢレーザを
単一波長で発振させるためには形成する回折格子の素子
中央部に、逆方向に導波される光の位相をずらすための
λ／４シフト領域を設ける必要がある。
第２図（＆）〜（ｆｌは従来のλ／４シフト型回折格子
の製造方法を示す工程図であり、図において、■は半導
体基板、２は絶縁膜、３は第１のレジスト、５は第３の
レジスト、６は第４のレジストである。
の製造方法を示す工程図であり、図において、■は半導
体基板、２は絶縁膜、３は第１のレジスト、５は第３の
レジスト、６は第４のレジストである。
次に工程について説明する。
まず、半導体基板１上に第１のレジスト３を塗布し、第
２図（ａ）に示すように、−船釣な干渉露光法を用いて
回折格子のパターンを形成する。
２図（ａ）に示すように、−船釣な干渉露光法を用いて
回折格子のパターンを形成する。
次に第１のレジスト３の回折格子が形成された基板上に
ＥＣＲプラズマＣＶＤ法等の低温成長法を用いてＳ ｉ
ＮＸ等の絶縁膜２を第２図（ｂ）に示すように形成す
る。
ＥＣＲプラズマＣＶＤ法等の低温成長法を用いてＳ ｉ
ＮＸ等の絶縁膜２を第２図（ｂ）に示すように形成す
る。
次に第２図（Ｃ）に示すように共振器長方向の長さの略
半分を第３のレジスト５で覆い、第３のレジスト５で覆
われていない部分の絶縁膜２をフン酸系のエッチャント
を用いたウェットエッチ或いはＣＦ ａによるプラズマ
エッチ等により除去した後、第１のレジスト３によるパ
ターンを用いて適当なエツチング方法により基ｖｉ、１
をエツチングする。
半分を第３のレジスト５で覆い、第３のレジスト５で覆
われていない部分の絶縁膜２をフン酸系のエッチャント
を用いたウェットエッチ或いはＣＦ ａによるプラズマ
エッチ等により除去した後、第１のレジスト３によるパ
ターンを用いて適当なエツチング方法により基ｖｉ、１
をエツチングする。
次に第２図（ｄ）に示すように第３のレジスト５を除去
し、第３のレジストの下に形成されている絶縁膜２のう
ち第１のレジスト３の上部のみをエツチング除去し、レ
ジスト３の回折格子の間に絶縁膜２を残した状態でレジ
スト３を露出させる。ここでは基板１上の絶縁膜２より
、レジスト３上の絶縁膜２の方がエツチングレートが速
いという性質を用いている。
し、第３のレジストの下に形成されている絶縁膜２のう
ち第１のレジスト３の上部のみをエツチング除去し、レ
ジスト３の回折格子の間に絶縁膜２を残した状態でレジ
スト３を露出させる。ここでは基板１上の絶縁膜２より
、レジスト３上の絶縁膜２の方がエツチングレートが速
いという性質を用いている。
次に露出した第１のレジスト３の回折格子を除去し、第
２図（Ｃ）の工程でエツチング形成した基板の回折格子
の部分上に第４のレジスト６を形成し、絶縁膜２のパタ
ーンを用いて基板をエツチングする。
２図（Ｃ）の工程でエツチング形成した基板の回折格子
の部分上に第４のレジスト６を形成し、絶縁膜２のパタ
ーンを用いて基板をエツチングする。
この後、絶縁膜２、第４のレジスト６を除去することに
より第２図（ｆ）に示す、中央部にλ／４シフト領域を
備えた回折格子が完成する。
より第２図（ｆ）に示す、中央部にλ／４シフト領域を
備えた回折格子が完成する。
従来のλ／４シフト型回折格子の製造方法は以上のよう
になされており、第２図（ｂ）の工程では回折格子を形
成する第１のレジスト３の変質を防ぐために低温成長法
により絶縁膜２が形成される。
になされており、第２図（ｂ）の工程では回折格子を形
成する第１のレジスト３の変質を防ぐために低温成長法
により絶縁膜２が形成される。
しかし、このように低温成長法を用いても、絶縁。
膜２の形成時の第１のレジスト３の変質を十分防ぐこと
はできず、この工程においてレジストの硬化が生じ、後
の工程で除去しにくくなる。このためレジスト除去工程
において基板に負荷がかかり、できあがった回折格子の
品質が劣化するという問題点があった。
はできず、この工程においてレジストの硬化が生じ、後
の工程で除去しにくくなる。このためレジスト除去工程
において基板に負荷がかかり、できあがった回折格子の
品質が劣化するという問題点があった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、レジストが変質する工程の無いλ／４シフト
型回折格子の製造方法を得ることを目的とする。
たもので、レジストが変質する工程の無いλ／４シフト
型回折格子の製造方法を得ることを目的とする。
この発明に係るλ／４シフト型回折格子の製造方法は、
基板上に該基板と選択エツチングが可能な物質により回
折格子を形成した後、該回折格子が形成された基板上に
レジストを塗布し、上記回折格子を形成している物質の
表面の一部が露出するように上記レジストを表面から一
部除去し、基板上の一部のみ上記回折格子を除去し、基
板上の該部分に直接接触している残りの上記レジストの
パターンを用いて基板をエツチングした後、上記回折格
子を形成している物質のパターンを用いて、基板の残り
の部分をエツチングするようにしたものである。
基板上に該基板と選択エツチングが可能な物質により回
折格子を形成した後、該回折格子が形成された基板上に
レジストを塗布し、上記回折格子を形成している物質の
表面の一部が露出するように上記レジストを表面から一
部除去し、基板上の一部のみ上記回折格子を除去し、基
板上の該部分に直接接触している残りの上記レジストの
パターンを用いて基板をエツチングした後、上記回折格
子を形成している物質のパターンを用いて、基板の残り
の部分をエツチングするようにしたものである。
この発明においては、上記のようにして回折格子を形成
するようにしたから、レジスト上に絶縁膜を形成する工
程がなく、これによりレジストの変質が避けられ、良好
なλ／４シフト型回折格子を製造できる。
するようにしたから、レジスト上に絶縁膜を形成する工
程がなく、これによりレジストの変質が避けられ、良好
なλ／４シフト型回折格子を製造できる。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。
第１図は本発明の一実施例によるλ／４回折格子の製造
方法を示す図であり、図において、１は半導体基板、２
は絶縁膜、３は第１のレジスト、４は第２のレジスト、
５は第３のレジスト、６は第４のレジストである。
方法を示す図であり、図において、１は半導体基板、２
は絶縁膜、３は第１のレジスト、４は第２のレジスト、
５は第３のレジスト、６は第４のレジストである。
次に製造工程について説明する。
まず、半導体基板１上にＥＣＲプラズマＣＶＤ法等でＳ
ｉＮｘ等の絶縁膜２を形成し、該絶縁膜２上に第１のレ
ジスト３を塗布した後、一般の干渉露光を用いて第１図
（ａ）に示すように、第１のレジスト３からなる回折格
子のパターンを形成する。
ｉＮｘ等の絶縁膜２を形成し、該絶縁膜２上に第１のレ
ジスト３を塗布した後、一般の干渉露光を用いて第１図
（ａ）に示すように、第１のレジスト３からなる回折格
子のパターンを形成する。
次にこの第１のレジスト３からなる回折格子のパターン
を用いて絶縁膜２をエツチングした後レジスト３を除去
し、第１図（′ｂ）に示すように、絶縁膜２からなる回
折格子のパターンを形成する。
を用いて絶縁膜２をエツチングした後レジスト３を除去
し、第１図（′ｂ）に示すように、絶縁膜２からなる回
折格子のパターンを形成する。
次に第１図（Ｃ１に示すように絶縁膜２からなる回折格
子のパターンが形成された基板上に第２のレジスト４を
塗布する。そして第１図＋ｄ）に示すように少な（とも
絶縁膜２からなる回折格子のパターンの表面の一部が露
出するように第２のレジスト４をライトエッチする。
子のパターンが形成された基板上に第２のレジスト４を
塗布する。そして第１図＋ｄ）に示すように少な（とも
絶縁膜２からなる回折格子のパターンの表面の一部が露
出するように第２のレジスト４をライトエッチする。
次に第１図（ｅ）に示すように共振器長方向の長さの略
半分を第３のレジスト５で覆い、第３のレジスト５で覆
われていない部分の絶縁膜２をフッ酸系のエッチャント
を用いたウェットエッチ或いはＣＦ ａによるプラズマ
エッチ等により除去し、リフトオフにより該絶縁膜２上
に残ったレジスト４も除去した後、残った第２のレジス
ト４によるパターンを用いて適当なエツチング方法によ
り基板１をエツチングする。この後、すべてのレジスト
を除去し、第１図（ｅ）の工程でエツチング形成した基
板の回折格子の部分を第１図（ｆｌに示すように第４の
レジスト６を形成して覆い、絶縁膜２のパターンを用い
て基板をエツチングする。
半分を第３のレジスト５で覆い、第３のレジスト５で覆
われていない部分の絶縁膜２をフッ酸系のエッチャント
を用いたウェットエッチ或いはＣＦ ａによるプラズマ
エッチ等により除去し、リフトオフにより該絶縁膜２上
に残ったレジスト４も除去した後、残った第２のレジス
ト４によるパターンを用いて適当なエツチング方法によ
り基板１をエツチングする。この後、すべてのレジスト
を除去し、第１図（ｅ）の工程でエツチング形成した基
板の回折格子の部分を第１図（ｆｌに示すように第４の
レジスト６を形成して覆い、絶縁膜２のパターンを用い
て基板をエツチングする。
この後、第４のレジスト６、絶縁膜２を除去することに
より第１図（幻に示すλ／４シフト型回折格子が完成す
る。
より第１図（幻に示すλ／４シフト型回折格子が完成す
る。
このように本実施例では、基板１上にＳＩＮ。
等の絶縁膜２により回折格子を形成した後、該回折格子
が形成された基板上に第１のレジスト３を塗布し、少な
くとも上記絶縁膜２による回折格子の表面の一部が露出
するようにレジスト３を表面から一部除去し、基板１上
の共振器長方向の長さの略半分の部分上の上記回折格子
を除去し、基板上の該部分に直接接触している残りのレ
ジスト３のパターンを用いて基板をエツチングした後、
基板の残りの部分上の上記絶縁膜２による回折格子のパ
ターンを用いて基板をエツチングして回折格子を形成す
るようにしたから、レジスト上に絶縁膜を形成する工程
がなく、これによりレジストの変質が避けられ、良好な
λ／４シフト型回折格子を製造できる。このため、その
後の結晶成長及び素子を形成した際に、悪影響を及ぼす
ことがなく、素子劣化の少ない高品質の単一波長発振レ
ーザを得ることができる。
が形成された基板上に第１のレジスト３を塗布し、少な
くとも上記絶縁膜２による回折格子の表面の一部が露出
するようにレジスト３を表面から一部除去し、基板１上
の共振器長方向の長さの略半分の部分上の上記回折格子
を除去し、基板上の該部分に直接接触している残りのレ
ジスト３のパターンを用いて基板をエツチングした後、
基板の残りの部分上の上記絶縁膜２による回折格子のパ
ターンを用いて基板をエツチングして回折格子を形成す
るようにしたから、レジスト上に絶縁膜を形成する工程
がなく、これによりレジストの変質が避けられ、良好な
λ／４シフト型回折格子を製造できる。このため、その
後の結晶成長及び素子を形成した際に、悪影響を及ぼす
ことがなく、素子劣化の少ない高品質の単一波長発振レ
ーザを得ることができる。
なお、上記実施例では第１図（ｄ）の工程でレジスト４
が絶縁膜２上に残るようにライトエッチするものを示し
たが、絶縁膜２による回折格子間のレジスト４を残して
絶縁膜２上のレジスト４をすべて取り除くようにしても
よい。
が絶縁膜２上に残るようにライトエッチするものを示し
たが、絶縁膜２による回折格子間のレジスト４を残して
絶縁膜２上のレジスト４をすべて取り除くようにしても
よい。
また、上記実施例ではλ／４シフト型回折格子が形成さ
れる基板について具体的に述べなかったが、これは半導
体レーザの基板に直接回折格子を形成する場合は、該半
導体レーザ基板が該基板となり、半導体レーザの基板上
に光ガイド層を設は該光ガイド層に回折格子を形成する
場合は、該半導体レーザ基板上に光ガイド層となる半導
体層を形成したものが該基板となり、また半導体レーザ
の活性層の上に形成される層に回折格子を形成する場合
は、該半導体レーザ基板上に回折格子が形成される半導
体層まで形成したものが該基板となるものである。
れる基板について具体的に述べなかったが、これは半導
体レーザの基板に直接回折格子を形成する場合は、該半
導体レーザ基板が該基板となり、半導体レーザの基板上
に光ガイド層を設は該光ガイド層に回折格子を形成する
場合は、該半導体レーザ基板上に光ガイド層となる半導
体層を形成したものが該基板となり、また半導体レーザ
の活性層の上に形成される層に回折格子を形成する場合
は、該半導体レーザ基板上に回折格子が形成される半導
体層まで形成したものが該基板となるものである。
以上のように、この発明によればλ／４シフト型回折格
子の製造方法において、基板上に該基板と選択エツチン
グが可能な物質により回折格子を形成した後、該回折格
子が形成された基板上にレジストを塗布し、上記回折格
子を形成している物質の表面の一部が露出するように上
記レジストを表面から一部除去し、基板上の一部のみ上
記回折格子を除去し、基板上の該部分に直接接触してい
る残りの上記レジストのパターンを用いて基板をエツチ
ングした後、上記回折格子を形成している物質のパター
ンを用いて、基板の残りの部分のエツチングを行なうよ
うにしたから、レジスト上に絶縁膜を形成する工程がな
く、これによりレジストの変質が避けられ、良好なλ／
４シフト型回折格子を製造でき、劣化しにくいλ／４シ
フト型ＤＦＢレーザを得ることができる効果がある。
子の製造方法において、基板上に該基板と選択エツチン
グが可能な物質により回折格子を形成した後、該回折格
子が形成された基板上にレジストを塗布し、上記回折格
子を形成している物質の表面の一部が露出するように上
記レジストを表面から一部除去し、基板上の一部のみ上
記回折格子を除去し、基板上の該部分に直接接触してい
る残りの上記レジストのパターンを用いて基板をエツチ
ングした後、上記回折格子を形成している物質のパター
ンを用いて、基板の残りの部分のエツチングを行なうよ
うにしたから、レジスト上に絶縁膜を形成する工程がな
く、これによりレジストの変質が避けられ、良好なλ／
４シフト型回折格子を製造でき、劣化しにくいλ／４シ
フト型ＤＦＢレーザを得ることができる効果がある。
第１図（ａ）〜（幻はこの発明の一実施例によるλ／４
シフト型回折格子の製造方法を示す工程図、第２図（ａ
）〜（ｆ）は従来のλ／４シフト型回折格子の製造方法
を示す工程図である。 ｌは半導体基板、２は絶縁膜、３は第１のレジスト、４
は第２のレジスト、５は第３のレジスト、６は第４のレ
ジストである。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
シフト型回折格子の製造方法を示す工程図、第２図（ａ
）〜（ｆ）は従来のλ／４シフト型回折格子の製造方法
を示す工程図である。 ｌは半導体基板、２は絶縁膜、３は第１のレジスト、４
は第２のレジスト、５は第３のレジスト、６は第４のレ
ジストである。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
Claims (1)
- （１）基板上に該基板と選択エッチングが可能な物質で
回折格子を形成する第１の工程と、 該回折格子が形成された基板上に該回折格子を埋めるよ
うにレジストを塗布した後少なくとも上記回折格子を形
成している物質の表面の一部が露出するように該レジス
トを表面から一部除去する第２の工程と、 基板の一部分上の上記回折格子を除去し、基板上の該部
分に直接接触している残りの上記レジストのパターンを
用いて基板の該部分をエッチングする第３の工程と、 基板の残りの部分上の上記回折格子を形成している物質
のパターンを用いて基板の該残りの部分をエッチングす
る第４の工程とを含む事を特徴とするλ／４シフト型回
折格子の製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1046254A JPH02224386A (ja) | 1989-02-27 | 1989-02-27 | λ／４シフト型回折格子の製造方法 |
| US07/447,850 US5024726A (en) | 1989-02-27 | 1989-12-08 | Method for producing a λ/4 shift type diffraction grating |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1046254A JPH02224386A (ja) | 1989-02-27 | 1989-02-27 | λ／４シフト型回折格子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02224386A true JPH02224386A (ja) | 1990-09-06 |
Family
ID=12742045
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1046254A Pending JPH02224386A (ja) | 1989-02-27 | 1989-02-27 | λ／４シフト型回折格子の製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5024726A (ja) |
| JP (1) | JPH02224386A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0513755A3 (en) * | 1991-05-14 | 1994-05-18 | Canon Kk | A method for producing a diffraction grating |
Families Citing this family (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5283690A (en) * | 1989-04-04 | 1994-02-01 | Sharp Kabushiki Kaisha | Optical diffraction grating element |
| JP2809809B2 (ja) * | 1990-04-19 | 1998-10-15 | 株式会社東芝 | 位相シフト型回折格子の製造方法 |
| US5367403A (en) * | 1992-04-08 | 1994-11-22 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical element and method of fabricating the same |
| JP2738623B2 (ja) * | 1992-04-23 | 1998-04-08 | 三菱電機株式会社 | 回折格子の形成方法 |
| US5225035A (en) * | 1992-06-15 | 1993-07-06 | Micron Technology, Inc. | Method of fabricating a phase-shifting photolithographic mask reticle having identical light transmittance in all transparent regions |
| AU5548294A (en) * | 1992-11-06 | 1994-06-08 | Paton Tek, Inc. | Method for applying nonmetal coatings to the surface of a part |
| US5411824A (en) * | 1993-01-21 | 1995-05-02 | Sematech, Inc. | Phase shifting mask structure with absorbing/attenuating sidewalls for improved imaging |
| US5418095A (en) * | 1993-01-21 | 1995-05-23 | Sematech, Inc. | Method of fabricating phase shifters with absorbing/attenuating sidewalls using an additive process |
| WO1994017449A1 (en) * | 1993-01-21 | 1994-08-04 | Sematech, Inc. | Phase shifting mask structure with multilayer optical coating for improved transmission |
| JP2837063B2 (ja) * | 1993-06-04 | 1998-12-14 | シャープ株式会社 | レジストパターンの形成方法 |
| US5498444A (en) * | 1994-02-28 | 1996-03-12 | Microfab Technologies, Inc. | Method for producing micro-optical components |
| US5465859A (en) * | 1994-04-28 | 1995-11-14 | International Business Machines Corporation | Dual phase and hybrid phase shifting mask fabrication using a surface etch monitoring technique |
| JP3366441B2 (ja) * | 1994-06-21 | 2003-01-14 | 三菱電機株式会社 | λ／４シフト回折格子の製造方法 |
| US6805902B1 (en) | 2000-02-28 | 2004-10-19 | Microfab Technologies, Inc. | Precision micro-optical elements and the method of making precision micro-optical elements |
| US6869754B2 (en) * | 2001-10-23 | 2005-03-22 | Digital Optics Corp. | Transfer of optical element patterns on a same side of a substrate already having a feature thereon |
| US6642068B1 (en) | 2002-05-03 | 2003-11-04 | Donald J. Hayes | Method for producing a fiber optic switch |
| CA2385118A1 (en) * | 2002-05-07 | 2003-11-07 | Teraxion Inc | Method for fabricating phase masks having a phase-shift based apodisation profile |
| FR2945159B1 (fr) * | 2009-04-29 | 2016-04-01 | Horiba Jobin Yvon Sas | Reseau de diffraction metallique en reflexion a haute tenue au flux en regime femtoseconde, systeme comprenant un tel reseau et procede d'amelioration du seuil d'endommagement d'un reseau de diffraction metallique |
| CN101799569B (zh) * | 2010-03-17 | 2011-10-26 | 苏州大学 | 一种制作凸面双闪耀光栅的方法 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58154285A (ja) * | 1982-03-10 | 1983-09-13 | Agency Of Ind Science & Technol | 回折格子の製造方法 |
| JPS61156003A (ja) * | 1984-12-27 | 1986-07-15 | Sharp Corp | 回折格子の製造方法 |
| CA1270934C (en) * | 1985-03-20 | 1990-06-26 | SPATIAL PHASE MODULATED MASKS AND METHODS FOR MAKING THESE MASKS AND PHASE DIFFRACTION GRATINGS | |
| JPH0672962B2 (ja) * | 1985-07-19 | 1994-09-14 | 株式会社日立製作所 | 回折格子形成方法及び装置 |
| US4774164A (en) * | 1987-04-06 | 1988-09-27 | Tegal Corporation | Chrome mask etch |
| US4842633A (en) * | 1987-08-25 | 1989-06-27 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method of manufacturing molds for molding optical glass elements and diffraction gratings |
| JPH073909B2 (ja) * | 1987-09-08 | 1995-01-18 | 三菱電機株式会社 | 半導体レーザの製造方法 |
-
1989
- 1989-02-27 JP JP1046254A patent/JPH02224386A/ja active Pending
- 1989-12-08 US US07/447,850 patent/US5024726A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0513755A3 (en) * | 1991-05-14 | 1994-05-18 | Canon Kk | A method for producing a diffraction grating |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5024726A (en) | 1991-06-18 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH02224386A (ja) | λ／４シフト型回折格子の製造方法 | |
| JPH06201909A (ja) | 回折格子の製造方法 | |
| JP2738623B2 (ja) | 回折格子の形成方法 | |
| US5221429A (en) | Method of manufacturing phase-shifted diffraction grating | |
| JP2700312B2 (ja) | 分布帰還型半導体レーザ装置 | |
| JP2003075619A (ja) | 回折格子の形成方法 | |
| JP3338150B2 (ja) | 回折格子の製造方法 | |
| JPH02196202A (ja) | 位相シフト型回折格子の形成方法 | |
| JPH06317704A (ja) | 回折格子の作成方法 | |
| JPH0829606A (ja) | 位相シフト回折格子の作製方法 | |
| US6897080B2 (en) | Method for manufacturing diffraction grating of Laser Diode | |
| JP2002319739A (ja) | リブ型光導波路分布反射型半導体レーザの製造方法 | |
| JPS62165392A (ja) | 回折格子の製造方法 | |
| JPS627001A (ja) | 回折格子の製造方法 | |
| JP2002270946A (ja) | 半導体光集積素子の製造方法 | |
| JPH0430198B2 (ja) | ||
| JPH05343806A (ja) | 位相シフト型回折格子の製造方法 | |
| JP2786229B2 (ja) | 回折格子の製造方法 | |
| JP2965023B2 (ja) | 多波長分布帰還型半導体レーザアレイおよびその製造方法 | |
| JPH07297492A (ja) | 回折格子の製造方法 | |
| JPH0983073A (ja) | グレーティングの作製方法 | |
| JPH10107388A (ja) | 位相シフト回折格子の作製方法 | |
| JPH01225189A (ja) | 回折格子の製造方法 | |
| JPH04356001A (ja) | 回折格子の製造方法 | |
| JPH065979A (ja) | 半導体レーザ及び半導体レーザ作成方法 |