JPH0430198B2 - - Google Patents
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- JPH0430198B2 JPH0430198B2 JP10699583A JP10699583A JPH0430198B2 JP H0430198 B2 JPH0430198 B2 JP H0430198B2 JP 10699583 A JP10699583 A JP 10699583A JP 10699583 A JP10699583 A JP 10699583A JP H0430198 B2 JPH0430198 B2 JP H0430198B2
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 33
- 238000005253 cladding Methods 0.000 claims description 27
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 20
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 19
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 12
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims description 2
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 claims description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 7
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 5
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 4
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 3
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005672 electromagnetic field Effects 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/12—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region the resonator having a periodic structure, e.g. in distributed feedback [DFB] lasers
- H01S5/125—Distributed Bragg reflector [DBR] lasers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
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- General Physics & Mathematics (AREA)
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- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は埋め込み構造分布反射型半導体レーザ
及びその製造方法に関するものである。分布反射
型半導体レーザ及び分布帰還型半導体レーザは、
高速変調時にも単一軸姿態発振する事により長距
離広帯域光フアイバ通信用光源として有望視され
ている。
及びその製造方法に関するものである。分布反射
型半導体レーザ及び分布帰還型半導体レーザは、
高速変調時にも単一軸姿態発振する事により長距
離広帯域光フアイバ通信用光源として有望視され
ている。
分布反射型半導体レーザは利得を有する活性領
域と発振波長を決める分布反射領域の２領域を有
する。
域と発振波長を決める分布反射領域の２領域を有
する。
第１図は従来の埋め込み構造分布反射型半導体
レーザの構造及び製造過程を上記の２領域に分け
て示したウエフアの断面図であり、第１図ａはダ
ブルヘテロ構造のウエフアであり、基板１０１上
に活性層１０２が形成され、さらに、この上に１
０３はクラツド層１０３が形成されている。第１
図ａに示したウエフアで、分布反射領域１２０と
する部分のクラツド層１０３と活性層１０２を第
１図ｂの如く除去した後に、そこに導波路層１０
４及び分布反射領域１２０におけるクラツド層１
０５を積層し、第１図ｃのようにする。活性層１
０２とクラツド層１０３が残つている部分が活性
領域１１０となる。第１図ａ，ｂ，ｃは共振器方
向の断面図である。第１図ｃのウエフアをメサ加
工し、活性領域１１０においては第１図ｄ１、分
布反射領域１２０においては第１図ｄ２のように
し、埋め込み成長により各々の領域においてｅ
１，ｅ２のように、活性層１０２及び導波路層１
０４を第１の埋め込み層１０６及び第２の埋め込
み層１０７により完全に結晶内部に埋め込む。さ
らに分布反射領域１２０においては、第１図ｆの
ように導波路層１０４の上部が露出するようにエ
ツチングした後、その表面にグレーテイングを形
成する。以上が従来の埋め込み構造分布反射型半
導体レーザの導波路形状及び製造方法であるが、
第１図ｅ２からｆの工程において、導波路層１０
４とその導波路を埋め込んでいる結晶とで化学エ
ツチング特性に選択性をもつエツチング液を用い
てグレーテイング作製の表面を得ようとするた
め、導波路層１０４は結晶より突起してしまう事
が起こる。
レーザの構造及び製造過程を上記の２領域に分け
て示したウエフアの断面図であり、第１図ａはダ
ブルヘテロ構造のウエフアであり、基板１０１上
に活性層１０２が形成され、さらに、この上に１
０３はクラツド層１０３が形成されている。第１
図ａに示したウエフアで、分布反射領域１２０と
する部分のクラツド層１０３と活性層１０２を第
１図ｂの如く除去した後に、そこに導波路層１０
４及び分布反射領域１２０におけるクラツド層１
０５を積層し、第１図ｃのようにする。活性層１
０２とクラツド層１０３が残つている部分が活性
領域１１０となる。第１図ａ，ｂ，ｃは共振器方
向の断面図である。第１図ｃのウエフアをメサ加
工し、活性領域１１０においては第１図ｄ１、分
布反射領域１２０においては第１図ｄ２のように
し、埋め込み成長により各々の領域においてｅ
１，ｅ２のように、活性層１０２及び導波路層１
０４を第１の埋め込み層１０６及び第２の埋め込
み層１０７により完全に結晶内部に埋め込む。さ
らに分布反射領域１２０においては、第１図ｆの
ように導波路層１０４の上部が露出するようにエ
ツチングした後、その表面にグレーテイングを形
成する。以上が従来の埋め込み構造分布反射型半
導体レーザの導波路形状及び製造方法であるが、
第１図ｅ２からｆの工程において、導波路層１０
４とその導波路を埋め込んでいる結晶とで化学エ
ツチング特性に選択性をもつエツチング液を用い
てグレーテイング作製の表面を得ようとするた
め、導波路層１０４は結晶より突起してしまう事
が起こる。
このような導波路層１０４を含めた分布反射領
域１２０での導波路構造のばらつきは、導波路内
の波長のばらつきとなり、活性領域の利得のピー
ク波長に設定されるべきかつ所望する波長を決定
するグレーテイングのピツチの決定上大きな問題
となる。また導波路層１０４突起によるグレーテ
イング作製表面の平坦性の悪化はレジストの均一
塗布等に問題を起し、光の干渉露光によるグレー
テイングの作製の歩留りを悪化させる。エツチン
グ特性に選択性をもたないエツチング液により場
合は、いうまでもなく高精度なエツチング制御が
必要で、歩留りに影響する。さらに第１図ｅ２の
表面においても、結晶成長で上面を平坦にする事
は難しく、それはｆの表面にも影響する。
域１２０での導波路構造のばらつきは、導波路内
の波長のばらつきとなり、活性領域の利得のピー
ク波長に設定されるべきかつ所望する波長を決定
するグレーテイングのピツチの決定上大きな問題
となる。また導波路層１０４突起によるグレーテ
イング作製表面の平坦性の悪化はレジストの均一
塗布等に問題を起し、光の干渉露光によるグレー
テイングの作製の歩留りを悪化させる。エツチン
グ特性に選択性をもたないエツチング液により場
合は、いうまでもなく高精度なエツチング制御が
必要で、歩留りに影響する。さらに第１図ｅ２の
表面においても、結晶成長で上面を平坦にする事
は難しく、それはｆの表面にも影響する。
本発明の目的は上記の問題点を除き、作製が容
易な分布反射型半導体レーザ並びにその製造方法
を提供する事にある。
易な分布反射型半導体レーザ並びにその製造方法
を提供する事にある。
本発明の半導体レーザは、溝が形成された半導
体結晶上の前記溝の前記溝の長手方向に部分的に
前記溝を平坦に埋める前記半導体結晶より屈折率
の大きな第１の導波路層を有し、前記第１の導波
路層によつて埋め込まれていない部分の前記溝の
少なくとも内部から上部にかけて、第１のクラツ
ド層、前記第１の導波路層の端面に接する端面を
具備する活性層、前記活性層より屈折率が小さな
第２のクラツド層、第２のクラツド層より屈折率
が等しいかあるいは小さい第３のクラツド層を含
んた多層構造を備え、かつ前記第１の導波路層あ
るいは前記第１の導波路層上に積層された少なく
とも１つの半導体層上に凹凸の周期構造を有する
構成となつている。また本発明の製造方法は、溝
を形成した半導体結晶上全面に、前記溝を含め表
面が平坦になるように、前記半導体結晶より屈折
率が大きい第１の導波路層を積層し、前記第１の
導波路層のみ選択的に除去するエツチング液を用
いて前記溝の長手方向の少なくとも１部分の前記
第１の導波路層を除去して、前記第１の溝を再現
し、その後に、少なくとも第１のクラツド層、活
性層、第２のクラツド層、第３のクラツド層をこ
の順に積層する工程を含む構成となつている。
体結晶上の前記溝の前記溝の長手方向に部分的に
前記溝を平坦に埋める前記半導体結晶より屈折率
の大きな第１の導波路層を有し、前記第１の導波
路層によつて埋め込まれていない部分の前記溝の
少なくとも内部から上部にかけて、第１のクラツ
ド層、前記第１の導波路層の端面に接する端面を
具備する活性層、前記活性層より屈折率が小さな
第２のクラツド層、第２のクラツド層より屈折率
が等しいかあるいは小さい第３のクラツド層を含
んた多層構造を備え、かつ前記第１の導波路層あ
るいは前記第１の導波路層上に積層された少なく
とも１つの半導体層上に凹凸の周期構造を有する
構成となつている。また本発明の製造方法は、溝
を形成した半導体結晶上全面に、前記溝を含め表
面が平坦になるように、前記半導体結晶より屈折
率が大きい第１の導波路層を積層し、前記第１の
導波路層のみ選択的に除去するエツチング液を用
いて前記溝の長手方向の少なくとも１部分の前記
第１の導波路層を除去して、前記第１の溝を再現
し、その後に、少なくとも第１のクラツド層、活
性層、第２のクラツド層、第３のクラツド層をこ
の順に積層する工程を含む構成となつている。
本構成によれば、溝を埋める第１の導波路層
は、分布反射領域の導波路となり、光は溝部分の
第１の導波路層でのみ導波され分布反射領域で光
は広がらず活性領域に有効に光を帰還する事がで
きる。そして、第１の導波路層上面は平坦で、か
つ、第１の導波路層は分布反射領域全体に存在す
るため、半導体組成によりエツチング特性の異な
るエツチング液により、再現性よく第１の導波路
層上面を露出させる事が容易で再現性よく良好な
グレーテイングを形成できる。さらに本発明の製
造方法によればさらに次のような効果が得られ
る。第１図に示した従来の製造方法から容易に類
推されるように、活性層を除去し、分布反射領域
とする部分に溝を形成して分布反射領域の導波路
を形成すると活性領域の光軸と分布反射領域の光
軸を一致させなければならない。この欠点を回避
する方法としてはあらかじめ形成した溝の中に形
成する方法がある。しかし、この方法でも通常の
やり方だと下記のような欠点がある。第２図は埋
め込まれた活性層２０１を示す活性領域の断面図
の一例を示す。
は、分布反射領域の導波路となり、光は溝部分の
第１の導波路層でのみ導波され分布反射領域で光
は広がらず活性領域に有効に光を帰還する事がで
きる。そして、第１の導波路層上面は平坦で、か
つ、第１の導波路層は分布反射領域全体に存在す
るため、半導体組成によりエツチング特性の異な
るエツチング液により、再現性よく第１の導波路
層上面を露出させる事が容易で再現性よく良好な
グレーテイングを形成できる。さらに本発明の製
造方法によればさらに次のような効果が得られ
る。第１図に示した従来の製造方法から容易に類
推されるように、活性層を除去し、分布反射領域
とする部分に溝を形成して分布反射領域の導波路
を形成すると活性領域の光軸と分布反射領域の光
軸を一致させなければならない。この欠点を回避
する方法としてはあらかじめ形成した溝の中に形
成する方法がある。しかし、この方法でも通常の
やり方だと下記のような欠点がある。第２図は埋
め込まれた活性層２０１を示す活性領域の断面図
の一例を示す。
埋め込まれた活性層の幅は2μｍ程度あるいは
それ以下であり、それに合わして分布反射領域の
光の導波路を決定する溝を形成する事は難しく、
さらには、活性層は結晶内部にあるため、まず活
性層位置を検出しなければならないため工程も複
雑となる。活性層はわん曲し、かつ、部分的にと
ぎれているため活性層の除去の工程も難しくな
る。しかしながら、本発明の製造方法によれば、
容易に上記の問題を解決できる。活性領域におい
て活性層をその屈折率より小さな結晶中に埋め込
む溝と分布反射領域の光の導波を決める溝を同一
の溝するため、活性領域の光軸と分布反射領域の
光軸を自動的に一致する。よつて分布反射領域と
活性領域の結合は容易となる。
それ以下であり、それに合わして分布反射領域の
光の導波路を決定する溝を形成する事は難しく、
さらには、活性層は結晶内部にあるため、まず活
性層位置を検出しなければならないため工程も複
雑となる。活性層はわん曲し、かつ、部分的にと
ぎれているため活性層の除去の工程も難しくな
る。しかしながら、本発明の製造方法によれば、
容易に上記の問題を解決できる。活性領域におい
て活性層をその屈折率より小さな結晶中に埋め込
む溝と分布反射領域の光の導波を決める溝を同一
の溝するため、活性領域の光軸と分布反射領域の
光軸を自動的に一致する。よつて分布反射領域と
活性領域の結合は容易となる。
以下、本発明を実施例を用いて詳細に説明す
る。
る。
第３図は本発明の半導体レーザを共振器方向の
溝内部で割つたときの断面図であり、第５図は活
性領域及び分布反射領域の製造工程を含めた断面
図である。図中２は第１の導波路層でその共振器
方向に垂直な断面図は第５図ｃであり、分布反射
領域４０での導波路を形成する。また第３図中３
は活性層であり、その共振器方向に垂直な断面図
は第５図ｂに示してある。活性層３は活性層の屈
折率よりも屈折率が小さな半導体結晶中に完全に
埋め込まれ、分布反射領域４０と活性領域３０の
境界５０で端面を第１の導波層端面に接してい
る。以下製造工程に従つて順次説明する。
溝内部で割つたときの断面図であり、第５図は活
性領域及び分布反射領域の製造工程を含めた断面
図である。図中２は第１の導波路層でその共振器
方向に垂直な断面図は第５図ｃであり、分布反射
領域４０での導波路を形成する。また第３図中３
は活性層であり、その共振器方向に垂直な断面図
は第５図ｂに示してある。活性層３は活性層の屈
折率よりも屈折率が小さな半導体結晶中に完全に
埋め込まれ、分布反射領域４０と活性領域３０の
境界５０で端面を第１の導波層端面に接してい
る。以下製造工程に従つて順次説明する。
第４図ａ，ｂ，ｃは本発明の半導体レーザの製
造工程の一部を表わす。
造工程の一部を表わす。
第４図ａにおいて図中１は半導体結晶でInPを
用いた。１０は溝である。溝の幅はほぼ2μｍで
でＶ字形とした。その後第４図ｂに示すように、
その上に1.3μｍ組成のInGaAsPの４元結晶を表
面が平坦になるように積層した。さらに、通常の
ホトリソグラフイによりエツチングマスクを形成
し、第４図ｃに示すように溝１０の長手方向の一
部分のInGaAsP層をH2SO4とH2OとH2O2の混液
により除去した。ｃ中の３０は活性領域、４０は
グレーデイング２０が形成されている分布反射領
域である。その上に第１のクラツド層３になるｎ
型InP、活性層４になる1.5μｍ組成のInGaAsP4
元結晶、第２のクラツド層５となる活性層４より
屈折率の小さく、バンドギヤツプの大きな（1.3μ
ｍ組成の）InGaAsP層、第３のクラツド層６に
なるInP層、さらにオーミツクコンタクトをとる
ためのキヤツプ層７になるInGaAsP層を積層し
た。第５図ａ，ｂは各々活性領域３０における第
１のクラツド層３を積層する前とキヤツプ層７を
積層した後の断面図である。
用いた。１０は溝である。溝の幅はほぼ2μｍで
でＶ字形とした。その後第４図ｂに示すように、
その上に1.3μｍ組成のInGaAsPの４元結晶を表
面が平坦になるように積層した。さらに、通常の
ホトリソグラフイによりエツチングマスクを形成
し、第４図ｃに示すように溝１０の長手方向の一
部分のInGaAsP層をH2SO4とH2OとH2O2の混液
により除去した。ｃ中の３０は活性領域、４０は
グレーデイング２０が形成されている分布反射領
域である。その上に第１のクラツド層３になるｎ
型InP、活性層４になる1.5μｍ組成のInGaAsP4
元結晶、第２のクラツド層５となる活性層４より
屈折率の小さく、バンドギヤツプの大きな（1.3μ
ｍ組成の）InGaAsP層、第３のクラツド層６に
なるInP層、さらにオーミツクコンタクトをとる
ためのキヤツプ層７になるInGaAsP層を積層し
た。第５図ａ，ｂは各々活性領域３０における第
１のクラツド層３を積層する前とキヤツプ層７を
積層した後の断面図である。
活性層４は、溝１０内部に液相成長条件を選ぶ
事により完全に埋め込まれる。第５図ｃ，ｄは分
布反射領域４０における第１のクラツド層３を積
層する前とキヤツプ層７を積層した後の断面であ
る。分布反射領域４０の表面はｃに示すように平
坦であるため順次平坦に積層されるだけである。
ｄに示されたウエフアをInGaAsP層に対しては
H2SO4とH2O2とH2Oの混液、InP層に対しては
HClとH2Oの混液を用いて第１の導波路層２の表
面までエツチングし分布反射領域はｃに示した断
面構造にもどした。この際第１のクラツド層３を
HClとH2Oの混液でエツチングする際HClとH2O
の混液はInGaAsPをほとんどエツチングしない
ため自動的に第１の導波路層表面でエツチングは
停止し、平坦な導波路層３の表面が出る。したが
つてその上には、グレーテイングを容易に作製で
きた。分布反射領域４０では光は第５図ｃの溝１
０内部の第１の導波路層２の内部でほとんど導波
し、さらに活性領域３０では、同じ溝１０の中に
活性層４が位置するため光は活性層４へ十分結合
する。さらに第２クラツド層５の組成及び層厚を
最適化し、第２図中の境界５０における両領域の
電磁界分布を一致させればさらに結合は大きくな
る。最後にＰ側、ｎ側にそれぞれ電極を形成し半
導体レーザとした。ここでは、溝の形状をＶ字型
としたがＶ字型である必要はない。
事により完全に埋め込まれる。第５図ｃ，ｄは分
布反射領域４０における第１のクラツド層３を積
層する前とキヤツプ層７を積層した後の断面であ
る。分布反射領域４０の表面はｃに示すように平
坦であるため順次平坦に積層されるだけである。
ｄに示されたウエフアをInGaAsP層に対しては
H2SO4とH2O2とH2Oの混液、InP層に対しては
HClとH2Oの混液を用いて第１の導波路層２の表
面までエツチングし分布反射領域はｃに示した断
面構造にもどした。この際第１のクラツド層３を
HClとH2Oの混液でエツチングする際HClとH2O
の混液はInGaAsPをほとんどエツチングしない
ため自動的に第１の導波路層表面でエツチングは
停止し、平坦な導波路層３の表面が出る。したが
つてその上には、グレーテイングを容易に作製で
きた。分布反射領域４０では光は第５図ｃの溝１
０内部の第１の導波路層２の内部でほとんど導波
し、さらに活性領域３０では、同じ溝１０の中に
活性層４が位置するため光は活性層４へ十分結合
する。さらに第２クラツド層５の組成及び層厚を
最適化し、第２図中の境界５０における両領域の
電磁界分布を一致させればさらに結合は大きくな
る。最後にＰ側、ｎ側にそれぞれ電極を形成し半
導体レーザとした。ここでは、溝の形状をＶ字型
としたがＶ字型である必要はない。
以上のように本発明の埋め込み構造分布反射型
半導体レーザは通常の埋め込み構造半導体レーザ
と同程度に容易に製造でき、かつグレーテイング
作製表面が平坦でグレーテイング作製歩留りが高
い埋め込み構造分布反射型半導体レーザである。
半導体レーザは通常の埋め込み構造半導体レーザ
と同程度に容易に製造でき、かつグレーテイング
作製表面が平坦でグレーテイング作製歩留りが高
い埋め込み構造分布反射型半導体レーザである。
第１図は従来の埋め込み構造分布反射型半導体
レーザの構造及び製造工程の図であり、図中、１
０１は基板、１０２は活性層、１０３はクラツド
層、１０４は導波路層、１０５は分布反射領域の
クラツド層、１０６は第１の埋め込み層、１０７
は第２の埋め込み層、１１０は活性領域、１２０
は分布反射領域である。第２図は代表的な溝の中
に活性層を成長する型の活性層の形状を示す図で
あり２０１は活性層である。第３図は本発明の埋
め込み構造分布反射型半導体レーザの共振器方向
の断面図であり、第４図、第５図は作製工程の一
部を示す概略図である。図中１は半導体結晶、２
は第１の導波路層、３は第２のスラツド層、４は
活性層、５は第２のクラツド層、６は第３のクラ
ツド層、７はキヤツプ層、１０は溝、２０はグレ
ーテイング、３０は活性領域、４０は分布反射領
域、５０は活性領域と分布反射領域の境界、１０
０は活性層、２００は分布反射領域の導波路層、
３００は半導体結晶。
レーザの構造及び製造工程の図であり、図中、１
０１は基板、１０２は活性層、１０３はクラツド
層、１０４は導波路層、１０５は分布反射領域の
クラツド層、１０６は第１の埋め込み層、１０７
は第２の埋め込み層、１１０は活性領域、１２０
は分布反射領域である。第２図は代表的な溝の中
に活性層を成長する型の活性層の形状を示す図で
あり２０１は活性層である。第３図は本発明の埋
め込み構造分布反射型半導体レーザの共振器方向
の断面図であり、第４図、第５図は作製工程の一
部を示す概略図である。図中１は半導体結晶、２
は第１の導波路層、３は第２のスラツド層、４は
活性層、５は第２のクラツド層、６は第３のクラ
ツド層、７はキヤツプ層、１０は溝、２０はグレ
ーテイング、３０は活性領域、４０は分布反射領
域、５０は活性領域と分布反射領域の境界、１０
０は活性層、２００は分布反射領域の導波路層、
３００は半導体結晶。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 溝が形成された半導体結晶上の前記溝の長手
方向に部分的に前記溝を平坦に埋める前記半導体
結晶より屈折率の大きな第１の導波路層を有し、
前記第１の導波路層によつて埋め込まれていない
部分の前記溝の少なくとも内部から上部にかけ
て、第１のクラツド層、前記第１の導波路層の端
面に端面が接する活性層、前記活性層より屈折率
の小さな第２のクラツド層、第２のクラツド層よ
り屈折率が等しいかあるいは小さい第３のクロツ
ド層を含んだ多層構造を備え、かつ、前記第１の
導波路層あるいは前記第１の導波路層上に積層さ
れた少なくとも１つの半導体層上に凹凸の周期構
造を有する事を特徴とする埋め込み構造分布反射
型半導体レーザ。 ２ 溝を形成した半導体結晶上全面に、前記溝を
含め表面が平坦になるように、前記半導体結晶よ
り屈折率が大きい第１の導波路層を積層し、前記
第１の導波路層のみ選択的に除去するエツチング
液を用いて前記溝の長手方向の少なくとも１部分
の前記第１の導波路層を除去して前記第１の溝を
再現し、その後に、少なくとも第１のクラツド
層、活性層、第２のクラツド層、第３のクラツド
層を順次に積層する工程を含むことを特徴とする
半導体レーザの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10699583A JPS59232478A (ja) | 1983-06-15 | 1983-06-15 | 埋め込み構造分布反射型半導体レ−ザ及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10699583A JPS59232478A (ja) | 1983-06-15 | 1983-06-15 | 埋め込み構造分布反射型半導体レ−ザ及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59232478A JPS59232478A (ja) | 1984-12-27 |
| JPH0430198B2 true JPH0430198B2 (ja) | 1992-05-21 |
Family
ID=14447803
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10699583A Granted JPS59232478A (ja) | 1983-06-15 | 1983-06-15 | 埋め込み構造分布反射型半導体レ−ザ及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59232478A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61295684A (ja) * | 1985-06-25 | 1986-12-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体レ−ザ |
| CN106785829B (zh) * | 2017-01-10 | 2019-09-27 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 | 一种分布反馈激光器及其制作方法、分布反馈激光器阵列 |
-
1983
- 1983-06-15 JP JP10699583A patent/JPS59232478A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59232478A (ja) | 1984-12-27 |
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