JPH02212789A - 磁気センサ - Google Patents
磁気センサInfo
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- JPH02212789A JPH02212789A JP1034045A JP3404589A JPH02212789A JP H02212789 A JPH02212789 A JP H02212789A JP 1034045 A JP1034045 A JP 1034045A JP 3404589 A JP3404589 A JP 3404589A JP H02212789 A JPH02212789 A JP H02212789A
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- circuit board
- circuit
- element chip
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- Pending
Links
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Landscapes
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- Measuring Magnetic Variables (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業１．の伺用條野〕
本発明は磁気センサに関する。
〔従来の技術、１
一般に、磁気センサは回転体の回転数検出４回転位置検
出あるいは移動体の位置の検出に、更には磁界有無の検
出用センサとして多く用いられる。
出あるいは移動体の位置の検出に、更には磁界有無の検
出用センサとして多く用いられる。
第４図は従来（７）磁気センサの一例の斜視図、第５図
は第、１図の磁気センサの断面図、第６図は第５図のＢ
部拡大断面図である。なお、第・・１図及び第６目は封
止樹脂を除去して示す。
は第、１図の磁気センサの断面図、第６図は第５図のＢ
部拡大断面図である。なお、第・・１図及び第６目は封
止樹脂を除去して示す。
第・４図へ、第６図に示すように、絶縁性のアルミナ基
板Ｉ−にスクリーン印刷法により銀・パラノウ１１系の
厚膜導体回路を形成し、史に保護膜としてカラスコー１
〜を行い、回路基板１３を形成する。
板Ｉ−にスクリーン印刷法により銀・パラノウ１１系の
厚膜導体回路を形成し、史に保護膜としてカラスコー１
〜を行い、回路基板１３を形成する。
この上に磁気抵抗素子チップ３ａとチップ抵抗７１ヒ集
積回路素子３をずＩ＼、て十、向きに搭載する。
積回路素子３をずＩ＼、て十、向きに搭載する。
二・力々゛イホンテイング工程完ｒした回路基板１６は
り一トフし・−ム７＋に接着剤８て固定される２、 次に、ボンデインクワイヤ１０によりり−１〜フレーｌ
、７と回路基板１ａの電極部を接続し、次に、それぞれ
集積回路素子５の’４極部と回路基板つ １ａ上に設けた電極部をボンディングワイヤ１０により
接続し、更に、磁気抵抗素子チップ３８上に設けた電極
と回路基板１８上に設けた電極部との間を接続する。
り一トフし・−ム７＋に接着剤８て固定される２、 次に、ボンデインクワイヤ１０によりり−１〜フレーｌ
、７と回路基板１ａの電極部を接続し、次に、それぞれ
集積回路素子５の’４極部と回路基板つ １ａ上に設けた電極部をボンディングワイヤ１０により
接続し、更に、磁気抵抗素子チップ３８上に設けた電極
と回路基板１８上に設けた電極部との間を接続する。
この後、低圧成型用のエポキシ樹脂９によりトランスフ
ァーモールド成型を行い、樹脂封止が完了する。この後
、リードフレーム７のリード端子の不要部分を切除して
完成される。
ァーモールド成型を行い、樹脂封止が完了する。この後
、リードフレーム７のリード端子の不要部分を切除して
完成される。
上述した従来の磁気センサは、樹脂封止によるパッケー
ジング方法では、エポキシ樹脂によるトランスファーモ
ールド成型法が多く用いられ成型時における樹脂圧力は
通常３０〜６０ ｋｇ ／ ｃｍ ２になる。この為、
組立てられた磁気抵抗素子チップ上の回路パターンにそ
の圧力がかかり、薄膜の磁歪によりブリッジ回路を構成
している抵抗素子が変化し、これによりブリッジオフセ
ラ１〜が変化する。これは集積回路素子の入力条件が変
化することになり、出力パルス波形の変化を発生すると
いう欠点がある。又、ブリッジオフセットの変化か］、
ＯＯｍ Ｖを越えれは波形出力が見られなくなるとい
う欠点がある。
ジング方法では、エポキシ樹脂によるトランスファーモ
ールド成型法が多く用いられ成型時における樹脂圧力は
通常３０〜６０ ｋｇ ／ ｃｍ ２になる。この為、
組立てられた磁気抵抗素子チップ上の回路パターンにそ
の圧力がかかり、薄膜の磁歪によりブリッジ回路を構成
している抵抗素子が変化し、これによりブリッジオフセ
ラ１〜が変化する。これは集積回路素子の入力条件が変
化することになり、出力パルス波形の変化を発生すると
いう欠点がある。又、ブリッジオフセットの変化か］、
ＯＯｍ Ｖを越えれは波形出力が見られなくなるとい
う欠点がある。
本発明の磁気センサは、絶縁性基板上に電子回路パター
ンを形成した回路基板と、該回路基板上に固定される圧
電性基板上に強磁性金属による回路パターンを形成した
磁気抵抗素子チップとを備える磁気センサにおいて、前
記回路基板上に形成され前記磁気抵抗素子チップと前記
回路基板の上面との間に密閉空間を形成し前記回路パタ
ーンを前記回路基板側に向けて前記磁気抵抗素子チップ
を固定する封止枠を有している。
ンを形成した回路基板と、該回路基板上に固定される圧
電性基板上に強磁性金属による回路パターンを形成した
磁気抵抗素子チップとを備える磁気センサにおいて、前
記回路基板上に形成され前記磁気抵抗素子チップと前記
回路基板の上面との間に密閉空間を形成し前記回路パタ
ーンを前記回路基板側に向けて前記磁気抵抗素子チップ
を固定する封止枠を有している。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例の斜視図、第２図は第１図の
実施例の断面図、第３図は第２図のＡ部拡大断面図であ
る。なお、第１図及び第３図は封止樹脂を除去して示す
。
実施例の断面図、第３図は第２図のＡ部拡大断面図であ
る。なお、第１図及び第３図は封止樹脂を除去して示す
。
第１図〜第３図に示すように、アルミナ又は水晶等の絶
縁性基板上にＣｒ・Ｐｄ−ＡｕあるいはＴｉ−Ｐｔ・Ａ
ｕ等の導体薄膜を形成し、フォトリソグラフィ技術によ
り導体回路を形成し、更に、磁気抵抗素子チップ３の搭
載部にフォトレジストで封止枠２を形成する。これはフ
ォ１へリンクラフィ技術で公知の方法により形成できる
。
縁性基板上にＣｒ・Ｐｄ−ＡｕあるいはＴｉ−Ｐｔ・Ａ
ｕ等の導体薄膜を形成し、フォトリソグラフィ技術によ
り導体回路を形成し、更に、磁気抵抗素子チップ３の搭
載部にフォトレジストで封止枠２を形成する。これはフ
ォ１へリンクラフィ技術で公知の方法により形成できる
。
このようにして完成した回路基板１上に磁気抵抗素子チ
ップ３を回路パターンを回路基板１側に向けて封止枠２
で固定する。ここで、磁気抵抗素子チップ３は絶縁性シ
リコン基板又は水晶基板等の圧電性基板上に強磁性金属
による回路パターンを形成したものである。更に、チッ
プ抵抗４及び集積回路素子５を回路基板１上に搭載し、
それぞれの部品に対応して半田又は銀ペースト等の導電
性金属６で回路基板１に接続する。
ップ３を回路パターンを回路基板１側に向けて封止枠２
で固定する。ここで、磁気抵抗素子チップ３は絶縁性シ
リコン基板又は水晶基板等の圧電性基板上に強磁性金属
による回路パターンを形成したものである。更に、チッ
プ抵抗４及び集積回路素子５を回路基板１上に搭載し、
それぞれの部品に対応して半田又は銀ペースト等の導電
性金属６で回路基板１に接続する。
この時点で封止枠２と磁気抵抗素子チップ３の回路パタ
ーン形成面と回路基板１の上面とで囲まれる密閉空間１
１が形成されることとなる。このようにして完成した回
路基板１をリードフレーム７上に接着剤８で接着し乾燥
する。この後、ボンデインクワイヤ１０で回路基板１上
に設けた電極部とリードフレーム７を接続し、又、集積
回路素子５上の電極部と回路基板１上に設けた電極部を
接続する。
ーン形成面と回路基板１の上面とで囲まれる密閉空間１
１が形成されることとなる。このようにして完成した回
路基板１をリードフレーム７上に接着剤８で接着し乾燥
する。この後、ボンデインクワイヤ１０で回路基板１上
に設けた電極部とリードフレーム７を接続し、又、集積
回路素子５上の電極部と回路基板１上に設けた電極部を
接続する。
最後に、低圧成型用のエポキシ樹脂９によりトランスフ
ァーモールド成型を行い、樹脂封止が完了する。この後
、リードフレーム７の不要リード端子部分を切除して磁
気センサとして完成させる。
ァーモールド成型を行い、樹脂封止が完了する。この後
、リードフレーム７の不要リード端子部分を切除して磁
気センサとして完成させる。
このように構成することにより、磁気抵抗素子チップ３
の回路パターンはトランスファーモールド工程時の樹脂
圧力の影響を受けることを防止できる。
の回路パターンはトランスファーモールド工程時の樹脂
圧力の影響を受けることを防止できる。
以上説明したように本発明は、フォトレジストで封止枠
を形成し、磁気抵抗素子チップと組合せて密閉空間を形
成し、磁気抵抗素子チップ上に加圧れなエポキシ樹脂の
付着することを防止することにより、磁気抵抗素子の磁
歪による変化、特に、ブリッジオフセットの変化を防止
することができるので、性能の劣化を防止し−で製造ト
ｅ）ル留りを向１−できる効果がある。
を形成し、磁気抵抗素子チップと組合せて密閉空間を形
成し、磁気抵抗素子チップ上に加圧れなエポキシ樹脂の
付着することを防止することにより、磁気抵抗素子の磁
歪による変化、特に、ブリッジオフセットの変化を防止
することができるので、性能の劣化を防止し−で製造ト
ｅ）ル留りを向１−できる効果がある。
第１「２１は本発明の一実施例の斜視１′１１、第２図
は第１図の実施例の断面図、第３図は第２図のＡ部拡大
断面図、第一１図は従来の磁気セ〉リーの一例θ）斜視
図、第５１４は第４国の磁気センサの断面図、第６国は
第５１４（７） Ｂ部拡大断面し１である。 １．１ａ 回路基板、２ 月１１枠、３．ニー３□磁気
抵抗素子チツプ、・トチ・・ｒブ抵抗、５ 隼積回路素
γ−１６・・導電性金属、７− リードフレーム、８・
・接着剤、９・エポキシ樹脂、１０・・ポンティングワ
イＡ・、１１・・密閉空間、代理友 弁理士 内 原
音
は第１図の実施例の断面図、第３図は第２図のＡ部拡大
断面図、第一１図は従来の磁気セ〉リーの一例θ）斜視
図、第５１４は第４国の磁気センサの断面図、第６国は
第５１４（７） Ｂ部拡大断面し１である。 １．１ａ 回路基板、２ 月１１枠、３．ニー３□磁気
抵抗素子チツプ、・トチ・・ｒブ抵抗、５ 隼積回路素
γ−１６・・導電性金属、７− リードフレーム、８・
・接着剤、９・エポキシ樹脂、１０・・ポンティングワ
イＡ・、１１・・密閉空間、代理友 弁理士 内 原
音
Claims (1)
- 絶縁性基板上に電子回路パターンを形成した回路基板と
、該回路基板上に固定される圧電性基板上に強磁性金属
による回路パターンを形成した磁気抵抗素子チップとを
備える磁気センサにおいて、前記回路基板上に形成され
前記磁気抵抗素子チップと前記回路基板の上面との間に
密閉空間を形成し前記回路パターンを前記回路基板側に
向けて前記磁気抵抗素子チップを固定する封止枠を有す
ることを特徴とする磁気センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1034045A JPH02212789A (ja) | 1989-02-13 | 1989-02-13 | 磁気センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1034045A JPH02212789A (ja) | 1989-02-13 | 1989-02-13 | 磁気センサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02212789A true JPH02212789A (ja) | 1990-08-23 |
Family
ID=12403347
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1034045A Pending JPH02212789A (ja) | 1989-02-13 | 1989-02-13 | 磁気センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02212789A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009524053A (ja) * | 2006-01-20 | 2009-06-25 | アレグロ・マイクロシステムズ・インコーポレーテッド | 集積化センサの配列 |
| JP2014174170A (ja) * | 2013-03-08 | 2014-09-22 | Melexis Technologies Nv | 電流センサ |
| WO2015015539A1 (ja) * | 2013-07-30 | 2015-02-05 | 旭化成エレクトロニクス株式会社 | 電流センサ |
| US10935612B2 (en) | 2018-08-20 | 2021-03-02 | Allegro Microsystems, Llc | Current sensor having multiple sensitivity ranges |
| US11567108B2 (en) | 2021-03-31 | 2023-01-31 | Allegro Microsystems, Llc | Multi-gain channels for multi-range sensor |
-
1989
- 1989-02-13 JP JP1034045A patent/JPH02212789A/ja active Pending
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9859489B2 (en) | 2006-01-20 | 2018-01-02 | Allegro Microsystems, Llc | Integrated circuit having first and second magnetic field sensing elements |
| JP2015108640A (ja) * | 2006-01-20 | 2015-06-11 | アレグロ・マイクロシステムズ・エルエルシー | 集積化センサの配列 |
| JP2009524053A (ja) * | 2006-01-20 | 2009-06-25 | アレグロ・マイクロシステムズ・インコーポレーテッド | 集積化センサの配列 |
| US10069063B2 (en) | 2006-01-20 | 2018-09-04 | Allegro Microsystems, Llc | Integrated circuit having first and second magnetic field sensing elements |
| US8952471B2 (en) | 2006-01-20 | 2015-02-10 | Allegro Microsystems, Llc | Arrangements for an integrated sensor |
| US9082957B2 (en) | 2006-01-20 | 2015-07-14 | Allegro Microsystems, Llc | Arrangements for an integrated sensor |
| JP2014132269A (ja) * | 2006-01-20 | 2014-07-17 | Allegro Microsystems Llc | 集積化センサの配列 |
| JP2014174170A (ja) * | 2013-03-08 | 2014-09-22 | Melexis Technologies Nv | 電流センサ |
| US9529013B2 (en) | 2013-03-08 | 2016-12-27 | Melexis Technologies Nv | Current sensor |
| JP2015045634A (ja) * | 2013-07-30 | 2015-03-12 | 旭化成エレクトロニクス株式会社 | 電流センサ |
| WO2015015539A1 (ja) * | 2013-07-30 | 2015-02-05 | 旭化成エレクトロニクス株式会社 | 電流センサ |
| US10215781B2 (en) | 2013-07-30 | 2019-02-26 | Asahi Kasei Microdevices Corporation | Current sensor |
| US10935612B2 (en) | 2018-08-20 | 2021-03-02 | Allegro Microsystems, Llc | Current sensor having multiple sensitivity ranges |
| US11567108B2 (en) | 2021-03-31 | 2023-01-31 | Allegro Microsystems, Llc | Multi-gain channels for multi-range sensor |
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