JPH02210749A - 荷電二次粒子の検出装置 - Google Patents

荷電二次粒子の検出装置

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JPH02210749A
JPH02210749A JP1295183A JP29518389A JPH02210749A JP H02210749 A JPH02210749 A JP H02210749A JP 1295183 A JP1295183 A JP 1295183A JP 29518389 A JP29518389 A JP 29518389A JP H02210749 A JPH02210749 A JP H02210749A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ この発明は荷電二次粒子の検出装置に関する。
〔従来の技術］ 検出器と一次放射線により試料上に遊離した二次粒子を
偏向する偏向ユニットとを備えた荷電二次粒子の検出装
置は、ドイツ連邦共和国特許出願公開第３５９０１４ｆ
ｉ号公報から知られている。
粒子線が試料上に当たると、−成粒子と固体との相互作
用に基づき二次粒子が放出され、この二次粒子のエネル
ギー分布と角度分布とはとりわけ相互作用領域の中に存
在する化学・物理的組成と表面構造と試料上に存在する
電位分布とに関係する０表面近くの層中に遊離した二次
電子は走査形電子顕微鏡における像形成と電位測定とに
対して特に重要であり、二次電子は通常試料の上側側方
に配置された検出器で検出される。検出器は特に著しく
非対称の吸引電界を発生させるので、定量的な電位測定
は非常に小さい走査望域の内部でしか実施できない。
遊離点と放出角度とに無関係な二次電子の検出を保証す
るために、−次放射線軸線に対し対称に配置された複数
の検出器が用いられる０例えば特開昭第５８−３５８５
４号明細書から知られたこの複数検出器装置は特に、単
一検出器に比べて多重化された検出面に基づき後方散乱
電子により発生した干渉信号が二次電子信号に重畳され
るという欠点を有する。この検出器装置においても定量
的測定に利用可能な走査領域は数ｍ　ｍ　２に制限され
る。
［発明が解決しようと・する課題］ この発明の課題は、試料上に遊離した二次粒子に対する
検出確率が大面積の走査領域の内部の測定個所の位置に
無関係であるような、前記の種類の装置を提供すること
にある。特にこのような装置をプリント配線板の電子線
検査に適したものにしようとするものである。
［課題を解決するための手段］ この課題はこの発明に基づき、一次放射線方向に偏向ユ
ニットの下方に配置されｉｆの電位に置かれた筒形電極
を備え、この筒形電極の長手軸線が偏向ユニットの対称
軸線に平行に向けられている検出装置により解決される
。
［発明の効果］ この発明により得られる長所は特に、検出器の形状寸法
により引き起こされ位置に関係する干渉が、発生電位又
は図形又は材料のコントラスト信号に重畳されないとい
ういことにある。更に後方散乱させられた一次電子の信
号に対する影響が著しく低減される。
［実施例］ 次にこの発明に基づく荷電二次粒子の検出装置の一実施
例を示す図面により、この発明の詳細な説明する。
第１図に示された二次電子の検出装置は特に。
プリント配線板及び配線モジュールを検査する電子線測
定器に用いることができる。この３１一定装置は従来の
検出器装置の代わりとなるもので、検査しようとするプ
リント配線板ＬＰの上方に一次数射線軸線ＯＡに関して
調整可能な台Ｔ上の真空引きされた室にの中に配置され
る。導体回路網を帯電させ回路網の形状寸法に応じて生
じる電位分布を走査する電子線は通常のように走査形電
子顕微鏡で発生させられる。この顕微鏡の鏡筒は電子銃
と一つ又は複数の集束レンズと対物レンズと２０Ｘ２０
ｃｍ２以下の大きさの走査領域内に一次電子線を位置決
めする偏向装置ＦＡとを備える。それぞれの測定個所で
遊離した二次電子は、−・次放射線軸線ＯＡに関して回
転対称な電界の中で筒形電極ＲＥの上方に配置された偏
向ユニットＳＡの方向へ加速され、はぼ半球形の二つの
電極に１とに２との間に形成された逆向き電界の中で減
速され、約１０ｋＶの高い正の電位に置かれたシンチレ
ータ、先導波路及び光電子増倍管から成る検出器ＤＴの
方向へ吸引される。
プリント配線板ＬＰのすぐ上方に一次数射線軸線ＯＡに
対し対称に配置された筒形電極ＲＥは円形断面を有する
のが有利であり、その筒型径はプリント配線板の対角線
より幾分大きく選ばれている。基準電位又は例えばＩＪ
＊ｔ＝−５Ｖ〜−５０ｖの低い負電位ＵＩＩＥに置かれ
たこの筒形電極ＲＥは、複数のスタッドにより結合され
た二つのアルミニウム製支持リングＲ１、Ｒ２と案内レ
ールに保持された合金鋼線の網ＤＮ（練直径ｄ中０．２
５ｍｍ、網目幅Ｗ中１ｍｍ）とから成る。筒形電極ＲＥ
と偏向ユニッ）ＳＡとを室壁Ｗにねじ止めされたアルミ
ニウム板ＴＰに固定するためにスタッドＧ１ないしＧ４
が用いられ、これらのスタッドはそれぞれ架橋ポリスチ
ロールから成るブー、シュと座金とにより絶縁されて支
持リングＲ２又はＲ３に結合されている。
偏向ユニットＳＡとして一次数射線軸線ＯＡに対称に配
置された電気式八極子が用いられる。この八極子の二つ
のアルミニウムリングＲ３、Ｒ４から成る枠は、アルミ
ニウム板ＴＰと同様に例えばＵＡ＝１〜３１ｃＶの吸引
電位Ｕ＾に置かれている。八極子の偏向板ＡＰのそれぞ
れの短辺には架橋ポリスチロールから成る帯ＩＳが取り
付けられ、この帯が支持りングＲ３、Ｒ４にそれぞれ設
けられた案内溝に正確に係合する０機械的な安定性を高
めるために、支持リングＲ３、Ｒ４はここでもスタッド
により相互に結合されている。
回転対称な吸引電界中に発生した二次電子束を、八極子
ＳＡの上側側方に配置された検出器ＤＴの方向へ偏向さ
せるために、望ましくは金網から成る偏向板ＡＰが第２
図に示された電位を加えられる。その際偏向電位Ｕ、又
はＵ、には更に正の吸引電位ＵＡが重畳される。
静電式八極子ＳＡの電界中で偏向後に（第２図に偏向方
向が矢印により示されている）、二次電子はほぼ半球形
の二つの電極に１とに２どの間に形成された逆向き電界
を通過する。上側の支持リングＲ４上に配置されたこれ
らの電極に１、Ｒ２はそれぞれ硬ろう付けされた線材リ
ングと線材織物から成り、線材織物は約１．６ｍｍの網
目幅と約０．２２ｍｍの線材径とを有する。支持リング
Ｒ４に導電結合された電極に１は吸引電位Ｕ＾に置かれ
るが、網電極に２はＵｉｉ中−１５Ｖ〜＋１５Ｖの電位
ＵＧを加えられるので、電位Ｕ６により設定可能なしき
い値を超えるエネルギーを有する二次電子だけが検出器
に到達する（電位コントラスト信号の改善）。
第３図はこの発明に基づく装置内部の測定された電界分
布を示す、その際筒形電極ＲＥはＵＲ［＝−１８Ｖの電
位に置かれ、また偏向ユニッ）ＳＡはＵＡ　＝３ｋＶの
電位に置かれている（ＵＸ　＝Ｕｙ　＝ＵＧ＝　ＯＶ）
と仮定した。検査しようとする試料のすぐ上方の吸引電
界の均一性が図から明瞭に分かる。
一次数射線軸線ＯＡに関して回転対称な吸引電界の集束
効果を第４図及び第５図により説明する。それぞれ二次
電子ＳＥがプリント配線板の中央又は中央から約１０ｃ
ｍはずれた対角線上で２０ｅＶのエネルギーとプリント
配線板の面に対して４０°ないし１８０°の角度とを持
たせて放出される、という場合に対して測定された軌跡
が示されている。遊離個所に無関係に二次電子ＳＥはほ
ぼ垂直に電極に１とに２との間に形成された逆向き電界
の中に入る。更に一次数射線軸線ＯＡに対しほぼ垂直に
放出された二次電子ＳＥも捕そくされ、偏向ユニットＳ
Ａの方向へ加速されることが分かる。
自明のようにこの発明は前記実施例に制限されない、磁
気式八極子ＳＡＭを二次電子の偏向のために用いること
も容易に可能である。第６図に示すようにこの八極子Ｓ
ＡＭは電位Ｕａに置かれた８個の内側磁極片ＰＩから成
り、これらの磁極片は絶縁リングＩＲにより基準電位又
は大Ｊ１！！電位に置かれ、それぞれ励磁巻線Ｓを備え
る外側磁極片から分離されている。矢印により示された
方向への二次電子の偏向のために、それぞれ図示された
電流を励磁巻線Ｓの中に流さなければならない。
検査しようとする試料をイオン線又はレーザ光線により
走査する場合に、前記の＊ａを自明のようにイオン又は
光電子の検出のために用いることもできる。
筒形電極ＲＥの断面は任意の形状を有することができる
。その場合には特に、走査領域の内部の電界が引き続き
一次数射線軸線ＯＡに関して回転対称性を有するように
、筒直径を選ばなければならない。
【図面の簡単な説明】
第１図はこの発明に基づく検出装置の一実施例の縦断面
図、第２図は第１図に示す静電式八極子の平面図、第３
図は第１図に示す装置内部の電位分布図、第４図及び第
５図はそれぞれ第１図に示す装置内部の二次電子の軌跡
を示す図、第６図は磁気式八極子の平面図である。 ＡＰ・・・偏向板 ＤＴ・・・検出器 Ｋ１．に２・・・電極 ＬＰ・・・試料（プリント配線板） ＯＡ・・・対称軸線 ＰＩ・・・磁極 Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３，Ｒ４・・・支持リングＲＥ・・・筒
形電極 ＳＡ・・・偏向ユニット（多極子） ＳＡＭ・・・磁気式多極子 ＳＥ・・・二次粒子 ＩＧ２ ＩＧ　６ ＩＧ３

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １）検出器（ＤＴ）と一次放射線により試料（ＬＰ）上
    に遊離した二次粒子（ＳＥ）を偏向する偏向ユニット（
    ＳＡ）とを備えた荷電二次粒子の検出装置において、一
    次放射線方向に偏向ユニット（ＳＡ）の下方に配置さ れ第１の電位（Ｕ＿Ｒ＿Ｅ）に置かれた筒形電極（ＲＥ
    ）を備え、この筒形電極の長手軸線が偏向ユニット（Ｓ
    Ａ）の対称軸線（ＯＡ）に平行に向けられていることを
    特徴とする荷電二次粒子の検出装置。 ２）静電式又は磁気式多極子（Ｒ３、Ｒ４、ＡＰ）が偏
    向ユニット（ＳＡ）として用いられることを特徴とする
    請求項１記載の装置。 ３）静電式又は磁気式八極子（Ｒ３、Ｒ４、ＡＰ）が偏
    向ユニット（ＳＡ）として用いられることを特徴とする
    請求項２記載の装置。 ４）偏向ユニット（ＳＡ）がそれぞれ正の第２の電位（
    Ｕ＿Ａ）に置かれた上側及び下側の支持要素（Ｒ３、Ｒ
    ４）を有し、第２の電位 （Ｕ＿Ａ）を加えられた第２の電極（Ｋ１）が上側の支
    持要素（Ｒ４）上に配置されていることを特徴とする請
    求項１ないし３の一つに記載の装置。 ５）第２の電極（Ｋ１）の上方に第３の電極（Ｋ２）が
    配置され、第３の電極（Ｋ２） が第３の電位（Ｕ＿Ｇ）を加えられること により、第２の電極（Ｋ１）と第３の電極 （Ｋ２）との間の空間領域の中に二次粒子 （ＳＥ）を減速する電界が形成されることを特徴とする
    請求項４記載の装置。 ６）第２及び第３の電極（Ｋ１、Ｋ２）がほぼ球面対称
    の形状を有することを特徴とする請求項５記載の装置。 ７）静電式多極子（ＳＡ）の電極（ＡＰ）が第２の電位
    （Ｕ＿Ａ）に置かれ、第２の電位（Ｕ＿Ａ）にそれぞれ
    偏向電位（Ｕ＿ｘ、Ｕ＿ｙ）が重畳されることを特徴と
    する請求項２ないし６の一つに記載の装置。 ８）磁気式多極子（ＳＡＭ）の磁極（ＰＩ）が第２の電
    位（Ｕ＿Ａ）に置かれることを特徴とする請求項２ない
    し６の一つに記載の装置。
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