JPH02207487A - 薄膜ｅｌ素子の形成方法 - Google Patents
薄膜ｅｌ素子の形成方法Info
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- JPH02207487A JPH02207487A JP1026901A JP2690189A JPH02207487A JP H02207487 A JPH02207487 A JP H02207487A JP 1026901 A JP1026901 A JP 1026901A JP 2690189 A JP2690189 A JP 2690189A JP H02207487 A JPH02207487 A JP H02207487A
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Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明はキャラクタやグラフィックスなどの表示に用い
る薄膜ＥＬ素子の形成方法に関するものである。
る薄膜ＥＬ素子の形成方法に関するものである。
従来の技術
従来より電場発光蛍光体を用いた固体映像表示装置とし
てＸ−Ｙマトリックス表示装置が知られている。この装
置は電場発光層の両面に水平電極群と垂直電極群とを互
いに直交するように配置し、それぞれの電極群に接続さ
れた給電線により切り換え装置を通して信号を加えて画
電極の交点部分の電場発光層（以下ＥＬ発光体層と称す
る）を発光させ（この交点の発光部分を絵素と称する）
、発光した絵素の組み合わせによって文字や図形などを
表示させるものである。
てＸ−Ｙマトリックス表示装置が知られている。この装
置は電場発光層の両面に水平電極群と垂直電極群とを互
いに直交するように配置し、それぞれの電極群に接続さ
れた給電線により切り換え装置を通して信号を加えて画
電極の交点部分の電場発光層（以下ＥＬ発光体層と称す
る）を発光させ（この交点の発光部分を絵素と称する）
、発光した絵素の組み合わせによって文字や図形などを
表示させるものである。
ここで用いられる固体映像装置の表示板としては、通常
ガラスなどの透光性基板上に透明な平行電極群を形成し
、その上に第１誘電体層、ＥＬ発光体層、第２誘電体層
を順次積層し、さらにその上に背面電極群を下層の透明
電極群に直交する配置で積層して形成する。一般に透明
平行電極としては平滑なガラス基板上に酸化錫や錫添加
酸化インジウム（以下ＩＴＯと称する）を被着する。対
交する背面電極としてはアルミニウムなどの金属膜が真
空蒸着などにより形成される。
ガラスなどの透光性基板上に透明な平行電極群を形成し
、その上に第１誘電体層、ＥＬ発光体層、第２誘電体層
を順次積層し、さらにその上に背面電極群を下層の透明
電極群に直交する配置で積層して形成する。一般に透明
平行電極としては平滑なガラス基板上に酸化錫や錫添加
酸化インジウム（以下ＩＴＯと称する）を被着する。対
交する背面電極としてはアルミニウムなどの金属膜が真
空蒸着などにより形成される。
端子電極としては透明電極と背面電極の端子電極が形成
される部分に金属膜を形成し、透明電極のパターン形成
時に同時にフォトリソ法を用いて端子電極のパターン形
成を行う方法がとられていた。これは、フォトリソプロ
セスを用いないで端子電極をメタルマスクによって直接
蒸着時にパターン形成した場合に生じる、マスクの熱ひ
ずみによるパターンの位置ずれを防止することができる
ためである。
される部分に金属膜を形成し、透明電極のパターン形成
時に同時にフォトリソ法を用いて端子電極のパターン形
成を行う方法がとられていた。これは、フォトリソプロ
セスを用いないで端子電極をメタルマスクによって直接
蒸着時にパターン形成した場合に生じる、マスクの熱ひ
ずみによるパターンの位置ずれを防止することができる
ためである。
発明が解決しようとする課題
ところが透明電極と同時に端子電極を形成するこの方法
の場合は、誘電体膜の成膜プロセスなどにおいて金属膜
表面が酸化されてしまうという問題があった。
の場合は、誘電体膜の成膜プロセスなどにおいて金属膜
表面が酸化されてしまうという問題があった。
本発明は、このような従来の課題を解決することを目的
とする。
とする。
課題を解決するための手段
本発明によれば、透光性基板上に透明電極、端子電極、
第１誘電体層、ＥＬ発光層を順次積層してなる薄膜ＥＬ
素子において、第１あるいは第２誘電体層を形成する前
にＳｎ又はＩｎからなる金属膜を端子電極上に形成し、
誘電体層を形成した後前記金属膜を除去することにより
、誘電体層形成時に端子電極の表面が酸化される事なく
信頼性の高い薄膜ＥＬ素子を提供することができる。
第１誘電体層、ＥＬ発光層を順次積層してなる薄膜ＥＬ
素子において、第１あるいは第２誘電体層を形成する前
にＳｎ又はＩｎからなる金属膜を端子電極上に形成し、
誘電体層を形成した後前記金属膜を除去することにより
、誘電体層形成時に端子電極の表面が酸化される事なく
信頼性の高い薄膜ＥＬ素子を提供することができる。
また背面電極のパターン形成前に除去することにより、
背面電極と酸化防止層間に生じる電池現象を防止するこ
とができる。
背面電極と酸化防止層間に生じる電池現象を防止するこ
とができる。
作用
薄膜ＥＬ素子の端子電極部分上に表面の酸化防止層を設
けることにより、素子を形成するプロセス中に端子電極
表面が受けるダメージをなくすることができる。
けることにより、素子を形成するプロセス中に端子電極
表面が受けるダメージをなくすることができる。
実施例
以下に、本発明の実施例を図面を参照して説明する。
第１図（ａ）〜（ｆ）は、本発明による薄膜ＥＬ素子の
作成プロセス順に素子の断面構造を示した工程図である
。
作成プロセス順に素子の断面構造を示した工程図である
。
ガラス基板ｌ上にスパッタリング法により基板温度４５
０℃で厚さ６００ｎｍのＩＴＯ透明導電膜２を形成し、
次に透明電極と背面電極の端子電極部分にＣｒ膜３とＮ
ｉ膜４を真空蒸着法によって基板温度２００℃で順次形
成した（第１図（ａ））。膜厚は５０ｎｍと４００ｎｍ
である。その後で所定のマスクを用いてフォトリソグラ
フィーとエツチングによりＮｉ膜４とＣｒ膜３とＩＴＯ
膜２をストライブ状に加工した。Ｎｉ膜４は５０％のＨ
ＮＯ３水溶液を用い、室温で３〜５分閏でエツチングし
、Ｃｒ膜は硝酸セリウム・アンモニウムと過塩素酸の混
合水溶液を用いて室温でエツチングした。
０℃で厚さ６００ｎｍのＩＴＯ透明導電膜２を形成し、
次に透明電極と背面電極の端子電極部分にＣｒ膜３とＮ
ｉ膜４を真空蒸着法によって基板温度２００℃で順次形
成した（第１図（ａ））。膜厚は５０ｎｍと４００ｎｍ
である。その後で所定のマスクを用いてフォトリソグラ
フィーとエツチングによりＮｉ膜４とＣｒ膜３とＩＴＯ
膜２をストライブ状に加工した。Ｎｉ膜４は５０％のＨ
ＮＯ３水溶液を用い、室温で３〜５分閏でエツチングし
、Ｃｒ膜は硝酸セリウム・アンモニウムと過塩素酸の混
合水溶液を用いて室温でエツチングした。
ＩＴ○膜は５５％ヨウ化水素酸を用い４０℃に加熱して
１０分間エツチングした。以上のプロセスにより、端子
電極と透明電極を同時に形成した。
１０分間エツチングした。以上のプロセスにより、端子
電極と透明電極を同時に形成した。
その上にアルミナ膜Ａ Ｉ ２０３を基板温度２００℃
でスパッタリングすることにより、厚さ３００ ｎ ｍ
の第１１誘電体層５を形成した（第１図（ｂ））。
でスパッタリングすることにより、厚さ３００ ｎ ｍ
の第１１誘電体層５を形成した（第１図（ｂ））。
その上に共蒸着法により、基板温度２００℃で厚さ５０
０ｎｍのマンガン添加硫化亜鉛膜からなるＥＬ蛍光体層
６を形成した（第１図（Ｃ））。４５０℃の真空中で１
時間熱処理した後、その上にＳｎ膜７を真空蒸着法によ
って端子電極部分上にのみ厚さ３００ｎｍ形成したく第
１図（ｄ））。次にタンタル酸バリウム［ＢａＴａ２０
ｅｌを、基板温度１５０℃でスパッタリングすることに
より厚さ２００ｎｍの第２誘電体層８を形成した（第１
図（ｅ））。Ｓｎ膜をテトラメチルアンモニウムを主成
分とするアルカリ水溶液を用いてエツチング除去し、最
後に厚さ１５０ｎｍのＡ１を基板温１度２゜０℃で所定
の成膜領域に真空蒸着した。フォトリソとエツチング法
によってストライブ状にし背面電極９とした（第１図（
ｆ））。
０ｎｍのマンガン添加硫化亜鉛膜からなるＥＬ蛍光体層
６を形成した（第１図（Ｃ））。４５０℃の真空中で１
時間熱処理した後、その上にＳｎ膜７を真空蒸着法によ
って端子電極部分上にのみ厚さ３００ｎｍ形成したく第
１図（ｄ））。次にタンタル酸バリウム［ＢａＴａ２０
ｅｌを、基板温度１５０℃でスパッタリングすることに
より厚さ２００ｎｍの第２誘電体層８を形成した（第１
図（ｅ））。Ｓｎ膜をテトラメチルアンモニウムを主成
分とするアルカリ水溶液を用いてエツチング除去し、最
後に厚さ１５０ｎｍのＡ１を基板温１度２゜０℃で所定
の成膜領域に真空蒸着した。フォトリソとエツチング法
によってストライブ状にし背面電極９とした（第１図（
ｆ））。
以上のプロセスで本発明の実施例の薄膜ＥＬ素子を完成
した。
した。
第２実施例
本発明の第２実施例を第２図を参照しながら説明する。
ガラス基板ｌ上にスパッタリング法により、基板温度４
５０℃で厚さ６００ｎｍのＩＴＯ透明導電膜２を形成し
、次に透明電極と背面電極の端子電極部分にＣ「膜３と
Ｎ１膜４を真空蒸着法によって基板温度２００℃で順次
形成した（第２図（ｇ））。膜厚は５０ｎｍと４００ｎ
ｍである。その後で所定のマスクを用いてフォトリソグ
ラフィーとエツチングによりＮｉ膜４とＣｒ膜３とＩＴ
Ｏ膜２をストライブ状に加工した。Ｎｉ膜４は５０％の
ＨＮＯ３水溶液を用い、室温で３〜５分間でエツチング
し、Ｃｒ膜は硝酸セリウム・アンモニウムと過塩素酸の
混合水溶液を用いて室温でエツチングした。
５０℃で厚さ６００ｎｍのＩＴＯ透明導電膜２を形成し
、次に透明電極と背面電極の端子電極部分にＣ「膜３と
Ｎ１膜４を真空蒸着法によって基板温度２００℃で順次
形成した（第２図（ｇ））。膜厚は５０ｎｍと４００ｎ
ｍである。その後で所定のマスクを用いてフォトリソグ
ラフィーとエツチングによりＮｉ膜４とＣｒ膜３とＩＴ
Ｏ膜２をストライブ状に加工した。Ｎｉ膜４は５０％の
ＨＮＯ３水溶液を用い、室温で３〜５分間でエツチング
し、Ｃｒ膜は硝酸セリウム・アンモニウムと過塩素酸の
混合水溶液を用いて室温でエツチングした。
ＩＴＯ膜は５５％ヨウ化水素酸を用い４０℃に加熱して
１０分間エツチングした。以上のプロセスにより、端子
電極と透明電極を同時に形成した。
１０分間エツチングした。以上のプロセスにより、端子
電極と透明電極を同時に形成した。
その上にＩｎ膜７を端子電極上に真空蒸着法を用いて約
３００ｎｍの膜厚になるように形成した（第２図（ｈ）
）。次にタンタル酸バリウム［ＢａＴａ２０ｓｌを、基
板温度１５０℃でスパッタリングすることにより厚さ３
００ｎｍの第１誘電体層５を形成しか（第２図（ｉ））
、 その上に共蒸着法により、基板温度２００℃で厚さ
５００ｎｍのマンガン添加硫化亜鉛膜からなるＥＬ蛍光
体層６を形成した（第２図（Ｊ））。４５０’Ｃの真空
中で１時間熱処理した後、タンタル酸バリウム［ＢａＴ
ａ２０ｓｌを、基板温度１５０℃でスパッタリングする
ことにより厚さ２００ｎｍの第２誘電体Ｎ８を形成した
（第２図（ｋ））。Ｉｎ膜７をテトラメチルアンモニウ
ムを主成分とするアルカリ水溶液を用いてエツチング除
去し、最後に厚さ１５０ｎｍのＡＩを基板温度２００℃
で所定の成膜領域に真空蒸着した。フォトリソとエツチ
ング法によってストライブ状にし背面電極９とした（第
２図（１））。以上のプロセスで本発明の第２実施例の
薄膜ＥＬ素子を完成した。
３００ｎｍの膜厚になるように形成した（第２図（ｈ）
）。次にタンタル酸バリウム［ＢａＴａ２０ｓｌを、基
板温度１５０℃でスパッタリングすることにより厚さ３
００ｎｍの第１誘電体層５を形成しか（第２図（ｉ））
、 その上に共蒸着法により、基板温度２００℃で厚さ
５００ｎｍのマンガン添加硫化亜鉛膜からなるＥＬ蛍光
体層６を形成した（第２図（Ｊ））。４５０’Ｃの真空
中で１時間熱処理した後、タンタル酸バリウム［ＢａＴ
ａ２０ｓｌを、基板温度１５０℃でスパッタリングする
ことにより厚さ２００ｎｍの第２誘電体Ｎ８を形成した
（第２図（ｋ））。Ｉｎ膜７をテトラメチルアンモニウ
ムを主成分とするアルカリ水溶液を用いてエツチング除
去し、最後に厚さ１５０ｎｍのＡＩを基板温度２００℃
で所定の成膜領域に真空蒸着した。フォトリソとエツチ
ング法によってストライブ状にし背面電極９とした（第
２図（１））。以上のプロセスで本発明の第２実施例の
薄膜ＥＬ素子を完成した。
発明の効果
以上のように本発明によれば、端子電極表面を酸化させ
ることがないため高信頼性の接続を得ることができる。
ることがないため高信頼性の接続を得ることができる。
第１図及び第２図は本発明の薄膜ＥＬ素子の作成プロセ
スを示す工程断面図である。 ｌ・・・ガラス基板、２・・・ＩＴＯ膜、３・・・Ｃｒ
Ｍ、４・・・Ｎｉ膜、５・・・第１誘電体層、６・・・
蛍光体層、７・・・ＳｎまたはＩｎ膜、８・・・第２誘
電体層、９・・・背面電極。
スを示す工程断面図である。 ｌ・・・ガラス基板、２・・・ＩＴＯ膜、３・・・Ｃｒ
Ｍ、４・・・Ｎｉ膜、５・・・第１誘電体層、６・・・
蛍光体層、７・・・ＳｎまたはＩｎ膜、８・・・第２誘
電体層、９・・・背面電極。
Claims (1)
- 透光性基板上に、透明電極、端子電極、第１誘電体層
、ＥＬ発光体層、第２誘電体層、背面電極を順次積層し
てなる薄膜ＥＬ素子の形成方法において、前記第１誘電
体層あるいは前記第２誘電体層のうち少なくとも一方を
形成する前にＳｎまたはＩｎを主成分とする金属膜を前
記端子電極上に形成し、続いて所定の領域に前記誘電体
層を形成し、最後に前記背面電極を形成する前に前記Ｓ
ｎまたはＩｎを除去するプロセスを有することを特徴と
する薄膜ＥＬ素子の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1026901A JPH0685353B2 (ja) | 1989-02-06 | 1989-02-06 | 薄膜ｅｌ素子の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1026901A JPH0685353B2 (ja) | 1989-02-06 | 1989-02-06 | 薄膜ｅｌ素子の形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02207487A true JPH02207487A (ja) | 1990-08-17 |
| JPH0685353B2 JPH0685353B2 (ja) | 1994-10-26 |
Family
ID=12206138
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1026901A Expired - Fee Related JPH0685353B2 (ja) | 1989-02-06 | 1989-02-06 | 薄膜ｅｌ素子の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0685353B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11144865A (ja) * | 1997-11-05 | 1999-05-28 | Casio Comput Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 |
-
1989
- 1989-02-06 JP JP1026901A patent/JPH0685353B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11144865A (ja) * | 1997-11-05 | 1999-05-28 | Casio Comput Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0685353B2 (ja) | 1994-10-26 |
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