JPH02204023A - 光学式ディスク用スタンパー及びその製造方法 - Google Patents
光学式ディスク用スタンパー及びその製造方法Info
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（イ）産業上の利用分計
本発明は、光学式ディスク用スタンパ−及びその製造方
法に関し、光学式ビデオディスク、コンパクトディスク
、ＤＲＡＷディスク、ＥＤＲＡＷディスク等の製造に適
用できるものである。
法に関し、光学式ビデオディスク、コンパクトディスク
、ＤＲＡＷディスク、ＥＤＲＡＷディスク等の製造に適
用できるものである。
（ロ）従来の技術
現在使用されている光学式ディスクのスタンパ−はＮｉ
製スタンパ−であり、次のようにして製造されている。
製スタンパ−であり、次のようにして製造されている。
第３図に示すように、ガラス原盤１の表面にポジ型フォ
トレジスト２を塗布する第１工程と、フォトレジスト塗
膜２に情報信号に応じたレーザ光を照射し、その感光部
を現像により取り除く第２工程と、第２工程で残存する
フォトレジスト塗膜２の表面及びガラス原盤】の露出部
にｆｉｌｌ！３をスパッタリングにより形成する第３１
程と、銀膜３上にＮ１メツキによりＮｉ層４を形成する
第４工程と、Ｎｉ層４を剥離する第５工程とからなる。
トレジスト２を塗布する第１工程と、フォトレジスト塗
膜２に情報信号に応じたレーザ光を照射し、その感光部
を現像により取り除く第２工程と、第２工程で残存する
フォトレジスト塗膜２の表面及びガラス原盤】の露出部
にｆｉｌｌ！３をスパッタリングにより形成する第３１
程と、銀膜３上にＮ１メツキによりＮｉ層４を形成する
第４工程と、Ｎｉ層４を剥離する第５工程とからなる。
このＮｉ層４がスタンパーとなるものであるが、このス
タンパーの製造には、特に第、４］Ｌ程で７〜８時間要
し、長時間が必要となる欠点がある。一方、最近では光
学式ディスクの少量多棲種生産の要望が強くなっており
、この製造時間の短縮化の間組ヲ解決すべく、プラスチ
ック製スタンパーが考えられている（“光デイスク作製
用透明プラスチックスタンパ”宮村他、第４８回応用物
理学術講演会１８ａ−Ｚｐ−６，６２年Ｎｏ月参照）。
タンパーの製造には、特に第、４］Ｌ程で７〜８時間要
し、長時間が必要となる欠点がある。一方、最近では光
学式ディスクの少量多棲種生産の要望が強くなっており
、この製造時間の短縮化の間組ヲ解決すべく、プラスチ
ック製スタンパーが考えられている（“光デイスク作製
用透明プラスチックスタンパ”宮村他、第４８回応用物
理学術講演会１８ａ−Ｚｐ−６，６２年Ｎｏ月参照）。
これは、第３図の第２工程（レーザカッティング、現＠
）までは、前述の従来例と同じであるが、その後の工程
においては、７オトボリマー法（２Ｐ法）によりスタン
パーを製造するものである。このスタンパーの製造にお
いては、従来のＮｉメツキ工程を必要としないため、製
造時間が短くなるが、スタンパーの材質がプラスチック
であるため、スタンパーとしての寿命が短い。ずなりち
、プラスチックスタンパ−から２Ｐ法を用いてレプリカ
を成形することができる数はせいぜい数Ｍショットであ
る。現在使用されているＮｉ製スタンパーでは、射出成
形法を用いても、数万ショットの使用ができる。尚、プ
ラスチックスタンパーでは、Ｎｉ製スタンパーのように
射出成形１去でレプリカを成ＦＥＪｔＣない。
）までは、前述の従来例と同じであるが、その後の工程
においては、７オトボリマー法（２Ｐ法）によりスタン
パーを製造するものである。このスタンパーの製造にお
いては、従来のＮｉメツキ工程を必要としないため、製
造時間が短くなるが、スタンパーの材質がプラスチック
であるため、スタンパーとしての寿命が短い。ずなりち
、プラスチックスタンパ−から２Ｐ法を用いてレプリカ
を成形することができる数はせいぜい数Ｍショットであ
る。現在使用されているＮｉ製スタンパーでは、射出成
形法を用いても、数万ショットの使用ができる。尚、プ
ラスチックスタンパーでは、Ｎｉ製スタンパーのように
射出成形１去でレプリカを成ＦＥＪｔＣない。
また、光学式ピイスク用スタンパーの製造において、石
笈基楡の表面に反応性イオンエツチングを用いて情報信
号ピットを形成するものも提案ξれている（“ドラ・ｆ
エツチングを用いた光デイスク廃盤”加藤他、第４８回
応用物理学術講演会、１８ａ−Ｚｐ−５，６２年］Ｏ月
参照）。
笈基楡の表面に反応性イオンエツチングを用いて情報信
号ピットを形成するものも提案ξれている（“ドラ・ｆ
エツチングを用いた光デイスク廃盤”加藤他、第４８回
応用物理学術講演会、１８ａ−Ｚｐ−５，６２年］Ｏ月
参照）。
このスタンパーの製造においても、Ｎｉメツキ工程が不
要なため、製造時間がＮｉメツキ工程を必要とする従来
法に比し短くなるが、基板が石英であるため、割れやす
く薄くすることができない欠点がある。
要なため、製造時間がＮｉメツキ工程を必要とする従来
法に比し短くなるが、基板が石英であるため、割れやす
く薄くすることができない欠点がある。
（ハ）発明が解決しようとする課題
本発明はかかる背景の下に発明されたものにして、Ｎｉ
メツキ工程を要することなく形成され、射出成形に耐え
るスタンパー及びその製造方法を提供しようとするもの
である。
メツキ工程を要することなく形成され、射出成形に耐え
るスタンパー及びその製造方法を提供しようとするもの
である。
（ニ）課題を解決するための手段
第１の発明は、金属又はＳｉの基板上に設けられた５ｉ
Ｏｔ、５ｉｊＮ＋又はＡｌの膜の表面に情報信号ピット
又はプリグルーブが形成されてなる光学式ディスク用ス
タンパーである。
Ｏｔ、５ｉｊＮ＋又はＡｌの膜の表面に情報信号ピット
又はプリグルーブが形成されてなる光学式ディスク用ス
タンパーである。
第２の発明は、Ｓｉ又はＡＩ！の基板表面に情報信号ピ
ット又はプリグルーブが形成されてなる光学式ディスク
用スタンパーである。
ット又はプリグルーブが形成されてなる光学式ディスク
用スタンパーである。
第３の発明は、Ｎｉ基板上にネガ型フォトレジストを塗
布する第１工程と、このフォトレジストに対してレーザ
カッティングと現像を行う第２工程と、第２工程で得ら
れたフォトレジストの残存部をマスクとして、ハロゲン
化炭素の反応ガスを使用して、反応性イオンエツチング
によりＮｉ基板表面に情報信号ピット又はプリグルーブ
を形成する第３工程と、前記残存部を除去する第４工程
と、を具備する光学式ディスク用スタンパーの製造方法
である。
布する第１工程と、このフォトレジストに対してレーザ
カッティングと現像を行う第２工程と、第２工程で得ら
れたフォトレジストの残存部をマスクとして、ハロゲン
化炭素の反応ガスを使用して、反応性イオンエツチング
によりＮｉ基板表面に情報信号ピット又はプリグルーブ
を形成する第３工程と、前記残存部を除去する第４工程
と、を具備する光学式ディスク用スタンパーの製造方法
である。
（ホ）作 用
金属又はＳｉの基板上のＳ ｉ（Ｌ、 Ｓ ｉ ！Ｎ４
又はＡｌ膜よりなるスタンパーあるいは、Ｓｉ又はＡ！
基板よりなるスタンパーは、従来例のような長時間のメ
ツキ工程を必要としないので、製造時間が短いものであ
る。これらのスタンパーはプラスチックスタンパーに比
し長寿命であり、又、石英製スタンパーに比し、割れに
くく薄くすることもできる。従って、Ｎｉスタンパーと
同様に射出成形にてレプリカを大量に成形することがで
きる。
又はＡｌ膜よりなるスタンパーあるいは、Ｓｉ又はＡ！
基板よりなるスタンパーは、従来例のような長時間のメ
ツキ工程を必要としないので、製造時間が短いものであ
る。これらのスタンパーはプラスチックスタンパーに比
し長寿命であり、又、石英製スタンパーに比し、割れに
くく薄くすることもできる。従って、Ｎｉスタンパーと
同様に射出成形にてレプリカを大量に成形することがで
きる。
また、本発明の製造方法は、メツキ工程を必要としない
ので、Ｎｉ製スタンパーを短時間で作製することができ
る。
ので、Ｎｉ製スタンパーを短時間で作製することができ
る。
（へ）実施例
本発明の実施例を図面に基づいて説明する。
［第１実施例コ
第１図は実施例の製造工程を示す図である。この図面に
おいて、金属又はＳｉの基板１０上に５ＩＯＩＩｌ何１
１をＣＶＤ法により形成し、このＳｉｎ、膜１１を洗浄
した後この膜上にネガ型フォトレジスト嘆１２をスピン
コードで２００〜３００ｎｍの厚さに塗布形成し、プリ
ベークを行う（第１工程）。
おいて、金属又はＳｉの基板１０上に５ＩＯＩＩｌ何１
１をＣＶＤ法により形成し、このＳｉｎ、膜１１を洗浄
した後この膜上にネガ型フォトレジスト嘆１２をスピン
コードで２００〜３００ｎｍの厚さに塗布形成し、プリ
ベークを行う（第１工程）。
第２行程でレジスト膜１２にパワー１５ｍ〜Ｖのアルゴ
ンガスレーザ光を集光し、基板１０を線速１，２〜１
、４ ｍ 、、７秒の一定速度で回転させなからレーザ
光を基板ｌＯの半径方向に移動させながら、幅約ｏ、ｇ
ｌ、ピンチ１．６１の螺旋状の案内溝を記録し、現像す
る。この現像によりレジスト膜１２の感光部が残存する
。
ンガスレーザ光を集光し、基板１０を線速１，２〜１
、４ ｍ 、、７秒の一定速度で回転させなからレーザ
光を基板ｌＯの半径方向に移動させながら、幅約ｏ、ｇ
ｌ、ピンチ１．６１の螺旋状の案内溝を記録し、現像す
る。この現像によりレジスト膜１２の感光部が残存する
。
第３工程では、レジスト膜１２の残存部をマスクとして
、（、Ｆ ＋プラズマを用いて、露出している５ｉＣ）
ｚｌｌｔ！１１を反応性イオンエツチングする。このエ
ツチング工程は、エツチング装置を必要な真空度にして
ＣＦ、ガスをこの装置内に導入し、この装置の陰極上に
基板１０を置き、高周波放電により、エツチング深さ１
０００−１５００人にエツチングする。エツチングレー
トは反応によっても異なるが数百〜数千人／′分である
ため、数分内で工／チングが完了する。このエツチング
工程時に揮発性生成物ＳｉＦ４が生じ、このガスを吸引
しながら行う。
、（、Ｆ ＋プラズマを用いて、露出している５ｉＣ）
ｚｌｌｔ！１１を反応性イオンエツチングする。このエ
ツチング工程は、エツチング装置を必要な真空度にして
ＣＦ、ガスをこの装置内に導入し、この装置の陰極上に
基板１０を置き、高周波放電により、エツチング深さ１
０００−１５００人にエツチングする。エツチングレー
トは反応によっても異なるが数百〜数千人／′分である
ため、数分内で工／チングが完了する。このエツチング
工程時に揮発性生成物ＳｉＦ４が生じ、このガスを吸引
しながら行う。
第４工程では、レジスト膜１２の残存部は、エツチング
装置内で０．プラズマにより灰化し除去する。この場合
、フォトレジスト材料によっても異なるが、数百〜数千
入／分のアッシング速度を有しているので、この工程も
数分内に完了する。
装置内で０．プラズマにより灰化し除去する。この場合
、フォトレジスト材料によっても異なるが、数百〜数千
入／分のアッシング速度を有しているので、この工程も
数分内に完了する。
かくして、ピット１３を有するスタンパーが形成される
。
。
この実施例では、基板ＩＯ上にＳｉｎ、慢１１を設けた
が、このＳ ｒ Ｏを膜に代わってＳｉ＊Ｎｉ膜又は／
ｌ膜を使用してもよい、Ａｌ膜を用いるときには、エツ
チング装置におけるＣＦ、プラズマにに代わってＣＣ１
，プラズマを使用する。尚、この場合には、揮発性生成
物Ａ Ｉ Ｃｌ 、が生ずる。
が、このＳ ｒ Ｏを膜に代わってＳｉ＊Ｎｉ膜又は／
ｌ膜を使用してもよい、Ａｌ膜を用いるときには、エツ
チング装置におけるＣＦ、プラズマにに代わってＣＣ１
，プラズマを使用する。尚、この場合には、揮発性生成
物Ａ Ｉ Ｃｌ 、が生ずる。
［第２実施例］
第２図にこの実施例の製造工程を示す。この図面を第１
図と比較すれば明らかなように、この実施例は基板２０
上にネガ型フォトレジストｌＩ％１２を形成しだらので
あり、基板２０がＳｉ板からなるものであり、この点を
除いて第１実施例と同じ条件でスタンパーを形成した。
図と比較すれば明らかなように、この実施例は基板２０
上にネガ型フォトレジストｌＩ％１２を形成しだらので
あり、基板２０がＳｉ板からなるものであり、この点を
除いて第１実施例と同じ条件でスタンパーを形成した。
この第２実施例では、基板２０の表面がイオンエツチン
グされる。
グされる。
また基板２０として、Ｓｉに代わってＡｌ板を使用して
らよい。
らよい。
［第３実施例］
第２実施例に比して、基板２０としてＮｉ板を用いる点
を除いて第２実施例と同様にしてＮｉ製スタンパーを形
成した。
を除いて第２実施例と同様にしてＮｉ製スタンパーを形
成した。
Ｓｉ系基板の場合には、実施例では反応ガスとして、Ｃ
Ｆ、を用いたが、その他Ｃ，Ｆ６．ＣＩＦ＊、 ＣＣ
Ｉ Ｆ Ｉｉ ＣＢ ｒ Ｆ Ｈ等のハロゲン化炭素
を用いることができる。また、Ａｌ基板の実施例では、
ｃｃｇ、を用いたが、その他ＢＣ１，，（：、（：ｌ。
Ｆ、を用いたが、その他Ｃ，Ｆ６．ＣＩＦ＊、 ＣＣ
Ｉ Ｆ Ｉｉ ＣＢ ｒ Ｆ Ｈ等のハロゲン化炭素
を用いることができる。また、Ａｌ基板の実施例では、
ｃｃｇ、を用いたが、その他ＢＣ１，，（：、（：ｌ。
Ｆ８等の塩素系ガスを用いることができる。Ｎｉ基板の
場合には、ハロゲン化炭素（ＣＸ、、Ｘはハロゲン元素
を示す）を用いることができる。
場合には、ハロゲン化炭素（ＣＸ、、Ｘはハロゲン元素
を示す）を用いることができる。
（ト）発明の効果
本発明では、スタンパーの製造に際して、従来必要であ
った長時間のメノキ工程を必要としなく、短時間に製造
されるものであり、また、プラスチンクスタンバーに比
して長寿命であり、石英製スタンパーに比し、割れにく
く薄くすることが可能で、射出成形法でレプリカを作製
することができる。また、本発明により形成されたスタ
ンパーは、従来例のＮｉ製スタンパーに比べてスタンパ
ー表面の平滑度がよく、レプリカの作製精度を高めるこ
とができる。
った長時間のメノキ工程を必要としなく、短時間に製造
されるものであり、また、プラスチンクスタンバーに比
して長寿命であり、石英製スタンパーに比し、割れにく
く薄くすることが可能で、射出成形法でレプリカを作製
することができる。また、本発明により形成されたスタ
ンパーは、従来例のＮｉ製スタンパーに比べてスタンパ
ー表面の平滑度がよく、レプリカの作製精度を高めるこ
とができる。
第１図（Ａ、）乃至（Ｄ）及び第２図（Ａ）乃至（Ｄ）
は異なる実施例のスタンパーの製造工程図、第３図（Ａ
）乃至（Ｅ）は従来のスタンパーの製造工程図である。 １０、２０・・・基板、１１・・・膜、１２・・・フォ
トレジスト膜。
は異なる実施例のスタンパーの製造工程図、第３図（Ａ
）乃至（Ｅ）は従来のスタンパーの製造工程図である。 １０、２０・・・基板、１１・・・膜、１２・・・フォ
トレジスト膜。
Claims (3)
- （１）金属またはＳｉの基板上に設けられたＳｉＯ＿２
、Ｓｉ＿３Ｎ＿４またはＡｌの膜の表面に情報信号ピッ
ト又はプリグルーブが形成されてなる光学式ティスク用
スタンパー。 - （２）Ｓｉ又はＡｌの基板表面に、情報信号ピット又は
プリグルーブが形成されてなる光学式ディスク用スタン
パー。 - （３）Ｎｉ基板上にネガ型フォトレジストを塗布する第
１工程と、 このフォトレジストに対してレーザカッティングと現像
を行う第２工程と、 第２工程で得られたフォトレジストの残存部をマスクと
して、ハロゲン化炭素の反応ガスを使用して、反応性イ
オンエッチングによりＮｉ基板表面に情報信号ピット又
はプリグルーブを形成する第３工程と、 前記残存部を除去する第４工程と、 を具備する光学式ディスク用スタンパーの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1024951A JP2708847B2 (ja) | 1989-02-02 | 1989-02-02 | 光学式ディスク用スタンパー及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1024951A JP2708847B2 (ja) | 1989-02-02 | 1989-02-02 | 光学式ディスク用スタンパー及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02204023A true JPH02204023A (ja) | 1990-08-14 |
| JP2708847B2 JP2708847B2 (ja) | 1998-02-04 |
Family
ID=12152306
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1024951A Expired - Lifetime JP2708847B2 (ja) | 1989-02-02 | 1989-02-02 | 光学式ディスク用スタンパー及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2708847B2 (ja) |
Cited By (4)
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|---|---|---|---|---|
| JP2000231011A (ja) * | 1999-02-09 | 2000-08-22 | Sharp Corp | 光学素子およびその製造に用いるスタンパ |
| US7067238B2 (en) * | 2000-06-26 | 2006-06-27 | Singulus Mastering B.V. | Method for manufacturing a substrate for use in a stamper manufacturing process, as well as a substrate obtained by using such a method |
| US7548505B2 (en) * | 2001-07-18 | 2009-06-16 | Sony Corporation | Optical recording medium having a relationship between groove width and track pitch |
| CN104516138A (zh) * | 2013-09-29 | 2015-04-15 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 硅基液晶面板的制作方法 |
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-
1989
- 1989-02-02 JP JP1024951A patent/JP2708847B2/ja not_active Expired - Lifetime
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| JP2708847B2 (ja) | 1998-02-04 |
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