JP2001060343A

JP2001060343A - 情報記録担体用基体の製造方法及び情報記録担体用基体

Info

Publication number: JP2001060343A
Application number: JP2000159805A
Authority: JP
Inventors: Tetsuya Kondo; 哲也近藤; Eiji Nakagawa; 栄治中川
Original assignee: Victor Company of Japan Ltd
Current assignee: Victor Company of Japan Ltd
Priority date: 1999-06-15
Filing date: 2000-05-30
Publication date: 2001-03-06

Abstract

(57)【要約】【課題】従来より一段と微細化された微細パターンを
形成することが可能な情報記録担体用基体の超微細な加
工方法を提供する。【解決手段】被触刻部材１上に形成したエネルギー線
感応層２上に、エネルギー線を照射して、所定の微細ト
ラックパターンに応じて、感応層２を露光する工程と、
露光部分２ａの下層に位置する部材１ａを露出する工程
と、触刻を行なって部材１の露出部分１ａを深さＥに刻
設すると同時に、感応層２上に堆積層４を厚さＤに形成
する工程と、感応層２及び堆積層４を除去する工程とを
備え、所定の微細トラックパターンのトラック幅Ｗ２よ
りも狭いトラック幅Ｗ４のトラックパターン３０を部材
１上に形成し、かつ触刻速度と堆積速度との比を調整し
て、トラックパターン３０のトラック幅Ｗ４を適宜設定
する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、光又は磁気を記録
再生に利用したディスク、カード、テープなどの情報記
録担体、特に再生専用型や光磁気や相変化などの記録再
生型情報記録担体に好適な情報記録担体用基体の製造方
法及び情報記録担体用基体に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来より、高密度に情報を再生または記
録再生する情報記録担体として、光カードや光ディス
ク、光テープがあった。特にディスク状であり、再生専
用型情報記録担体としては、音楽情報やプログラムなど
が記録されるＣＤ、画像情報が記録されるＬＤ、ビデオ
ＣＤなどが知られている。一方近年では記録再生に使用
する半導体レーザーが従来の８３０、７８０ｎｍに代わ
り６５０ｎｍ近傍の波長で登場し、記録パターン微細化
により７倍近い記録容量としたＤＶＤ（デジタルバーサ
タイルディスク）が開発された。このため市場ではＣＤ
はＤＶＤオーディオやＳＡＣＤに、またＬＤ、ビデオＣ
ＤはＤＶＤビデオに置き変わりつつある。このような事
情は記録再生型でも同様であり、光磁気ディスクは従来
のＭＯディスクから、ＧＩＧＡＭＯやＡＳＭＯに、相変
化ディスクはＰＤからＤＶＤ−ＲＡＭ、ＤＶＤ−ＲＷ、
ＤＶＤ＋ＲＷに置き変わりつつある。またＣＤ−Ｒのよ
うな追記型ディスクも同様に、ＤＶＤ−Ｒに置き換わり
つつある。

【０００３】更に、最近では半導体レーザーの波長が６
５０ｎｍから４００ｎｍへと、より短波長化したものが
開発されている。従来の６０％近い波長短縮が行われる
ので、記録容量が更に増大するものと期待されている。
これに伴って、より微細なパターンを刻み込むいわゆる
マスタリング技術の開発が進められている。しかしなが
ら今までのところ、波長短縮に見合った超微細なマスタ
リングはまだ達成されていない。

【０００４】ハードディスクに代表される磁気ディスク
でも事情は同じであり、高密度化が急ピッチで進められ
ている。ＰＥＲＭディスクに代表される、ガイド溝やア
ドレスピットを予めマスタリングするディスクが次世代
の候補であり、開発途上である。本発明人はこのよう
な、高密度時代、短波長時代に相応しいマスタリング技
術について鋭意検討を行い、本発明に至ったものであ
る。

【０００５】いわゆるマスタリング技術の一つに、触刻
反応を利用する技術がある。図５はそのような一連の工
程（ａ）〜（ｅ）を図示したものであり、この一連の工
程によって情報記録担体用の基体Ｆを製作する。

【０００６】工程（ａ）は、表面が光学グレード並みに
フラットな被触刻部材１を用意する工程である。ここで
はあらかじめ表面が調整された被触刻部材１を用意して
もよいし、不浄な被触刻部材１に対し、表面を平滑化、
洗浄化して、フラットな表面を用意してもよい。なお被
触刻部材１は、表面が後に部分的に触刻される材料であ
り、触刻材料（図示せず）との相性を考慮して選択され
る。例えば被触刻部材１は石英ガラスである。

【０００７】続いて、工程（ｂ）は、被触刻部材１の表
面にエネルギー線感応層２を形成する工程である。この
エネルギー線感応層２は例えばフォトレジストであり、
特定の波長に対して感光する性質を持っている。

【０００８】続いて、工程（ｃ）は、エネルギー線感応
層２に対して、エネルギー線（図示せず）を所定の微細
トラックパターンに応じて、部分的に照射する工程であ
る。部分的とは、情報記録担体Ａ（図６）に刻まれるべ
き微細パターン３の凹凸（トラック）に対応したもので
あり、例えば再生されるべき信号（例えばピット）であ
ったり、記録する際に必要なガイド（例えばグルーブ）
であったりする。ここでエネルギー線を照射した部分、
及び照射しなかった部分に対応して凹凸が形成される。
具体的には例えば４５８ｎｍのレーザーを変調して凹凸
を記録し、これにアルカリ水溶液処理を施すことによっ
て、露光部分のエネルギー線感応層２ａを除去すること
により凹凸を形成するものである。

【０００９】続いて、工程（ｄ）は、この記録表面に対
して触刻を行う工程である。例えば真空中で、触刻材料
であるＣＦ₄ガス（図示せず）を流し、プラズマを生成
して行う触刻反応である。このような処理により所定の
深さＥまで触刻され、反応を停止させる。

【００１０】最後に、工程（ｅ）は、エネルギー線感応
層２を剥離する工程である。例えばアッシング処理によ
ってフォトレジストを分解し、剥離する。こうして、情
報記録担体用基体Ｆが完成する。基体Ｆの片面には前記
した微細パターン３が形成されている。そして図６に示
した如く、情報記録担体用基体Ｆの微細パターン３の形
成面上に、記録層５、保護層６などを重ね形成して、情
報記録担体Ａが完成する。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】さて、前記した微細パ
ターン３の寸法という観点で一連の工程（ａ）〜（ｅ）
を詳しく見ると、エネルギー線感応層２に記録を行った
時点で、微細パターン３に対応する部分３Ａは断面方向
（厚み方向）にテーパーを有していることが多い。すな
わちエネルギー感応層２にはある程度厚みがあるため
に、工程（ｃ）では、エネルギー感応層２の開口部の幅
Ｗ１とその底部の幅Ｗ２は相違するものとなる。多くの
場合、エネルギー感応層２の内部でエネルギー線は吸収
されるので先細りとなり、Ｗ２＜Ｗ１となる。特定の材
料をエネルギー感応層２として使用しても、せいぜいＷ
２＝Ｗ１である。そして触刻反応を行う工程（ｄ）で
は、この微細パターン３に対応する部分の底部３Ｂの形
状が忠実に被触刻部材１に刻まれる。従って被触刻部材
１の開口部の幅Ｗ３とその底部の幅Ｗ４は略同じにな
り、しかもＷ３＝Ｗ４＝Ｗ２となる。この微細パターン
３に対応する部分の底部３Ｂの幅Ｗ４がトラック幅であ
る。

【００１２】このように、情報記録担体用基体Ｆに刻ま
れた微細パターン３（すなわち被触刻部材１の底部３Ｂ
に形成されたトラックパターン）は、前記したエネルギ
ー感応層２上に形成された凹凸に応じた微細パターン
（すなわち被触刻部材１の開口部）と同一か、やや小さ
く（細く、狭く）なる。この結果、前記した工程（ｄ）
における触刻反応は情報記録担体用基体Ｆに刻まれた微
細パターン３の微細化（狭トラック化）に若干ながら貢
献しているが、前記したように、微細パターン３の開口
部の幅Ｗ３とその底部の幅Ｗ４は、エネルギー感応層２
の底部の幅Ｗ２に依存しているから、この幅Ｗ２が一段
と狭くできないと、開口部の幅Ｗ３とその底部の幅Ｗ４
は一段と狭くできないため、微細パターン３の微細化は
これ以上なし得なかった。

【００１３】そこで、本発明はこのような課題に対して
打開策を提案するものである。具体的には、前記した工
程（ｄ）における触刻工程を、後述する触刻及び堆積工
程に置換するものである。これ以外の工程（ａ）〜
（ｃ），（ｅ）は変更しない。この触刻及び堆積工程
は、エネルギー感応層２の開口部を通して行われる触刻
反応によって、被触刻部材１上に微細パターン３を刻設
するのと並行して、エネルギー感応層２上に堆積層を堆
積させるものである。この工程では触刻の速度と堆積層
の堆積速度とを適宜調整することが重要となる。この触
刻及び堆積工程によって、刻設途中の微細パターン３の
上方に位置するエネルギー感応層２の開口部の周縁近傍
に亘り、新たな堆積層が堆積されるから、この結果、こ
の堆積の度合いに応じて、開口部の幅Ｗ１及び底部の幅
Ｗ２が従来よりも狭められることになる。一方、前述し
たように、触刻反応を行う過程では、この微細パターン
に対応する部分の底部の形状が忠実に被触刻部材１に刻
まれる。従って被触刻部材１の開口部の幅Ｗ３とその底
部の幅Ｗ４は、従来よりもその幅が狭められたエネルギ
ー感応層２の底部の幅Ｗ２に比例して、従来よりもその
幅を一段と狭めることができるのである。こうして、本
発明は、従来よりも一段と微細化された微細パターンを
形成することが可能な超微細な加工方法である情報記録
担体用基体の製造方法及び情報記録担体用基体を提供す
ることを目的とする。

【００１４】

【課題を解決するための手段】上記した課題を解決する
ために、本発明は、下記（１），（２）の構成になる情
報記録担体用基体の製造方法及び情報記録担体用基体を
提供する。（１）図１〜図４に示すように、被触刻部材１上に形
成したエネルギー線感応層２上に、エネルギー線を照射
して、所定の微細トラックパターンに応じて、前記エネ
ルギー線感応層２を露光する第１工程（工程（ａ），
（ｂ））と、次に、露光部分又は未露光部分２ａの前記
エネルギー線感応層２を除去して、下層に位置する前記
被触刻部材１ａを、前記微細トラックパターンのトラッ
ク幅Ｗ２で露出する第２工程（工程（ｃ））と、次に、
前記被触刻部材１の露出部分１ａを所定の深さＥに触刻
すると同時に、前記エネルギー線感応層２上に所定の厚
さＤの堆積層４を形成する第３工程（工程（ｄ），（ｄ
１）〜（ｄ３），（ｄ１１）〜（ｄ３１））と、次に、
前記エネルギー線感応層２及び堆積層４を除去する第４
工程（工程（ｅ））とを備え、前記第３工程における触
刻速度と堆積速度との比を調整して、前記被触刻部材１
上に、前記所定の微細トラックパターンのトラック幅Ｗ
２よりも狭いトラック幅Ｗ４のトラックパターンを形成
することを特徴とする情報記録担体用基体の製造方法。（２）請求項１記載の情報記録担体用基体の製造方法
によって製造された情報記録担体用基体であって、前記
被触刻部材１上に形成されている前記トラックパターン
３０は、前記所定の微細トラックパターンのトラック幅
Ｗ２よりも狭いトラック幅Ｗ４を有することを特徴とす
る情報記録担体用基体。

【００１５】また、本発明は、下記（Ａ）〜（Ｇ）の構
成になる情報記録担体用基体の製造方法及び情報記録担
体用基体を提供できる。（Ａ）図１〜図４に示すように、被触刻部材１上に形
成したエネルギー線感応層２上に、エネルギー線を照射
して、所定の微細トラックパターンに応じて、前記エネ
ルギー線感応層２を露光する第１工程（工程（ａ），
（ｂ））と、次に、露光部分又は未露光部分の前記エネ
ルギー線感応層２を除去して、下層に位置する前記被触
刻部材を、前記微細トラックパターンのトラック幅で露
出する第２工程（工程（ｃ））と、次に、触刻と同時に
堆積を行う第３工程（工程（ｄ），（ｄ１）〜（ｄ
３），（ｄ１１）〜（ｄ３１））と、次に、前記エネル
ギー線感応層２及び堆積層４を除去する第４工程（工程
（ｅ））とを少なくとも備えたことを特徴とする情報記
録担体用基体の製造方法。（Ｂ）上記（Ａ）記載の情報記録担体用基体の製造方
法であって、第３工程が、触刻を行なって前記被触刻部
材１の露出部分を所定の深さＥに刻設すると同時に、堆
積を行って前記エネルギー線感応層２上に堆積層４を所
定の厚さＤに形成する工程であることを特徴とする情報
記録担体用基体の製造方法。（Ｃ）上記（Ａ）又は（Ｂ）記載の情報記録担体用基
体の製造方法であって、第２工程において露出した被触
刻部材のトラック幅Ｗ２を形成し、第３工程において、
前記トラック幅Ｗ２よりも狭いトラック幅Ｗ４のトラッ
クパターンを前記被触刻部材上に形成し、かつ触刻速度
と堆積速度との比を調整して、前記被触刻部材上に形成
された前記トラックパターンのトラック幅Ｗ４を適宜設
定することを特徴とする情報記録担体用基体の製造方
法。（Ｄ）上記（Ａ）〜（Ｃ）のいずれか記載の情報記録
担体用基体の製造方法であって、第３工程が、真空装置
中で、特定の反応環境条件の下、特定の反応材料中でグ
ロー放電することによって、触刻と同時に堆積を行う工
程であることを特徴とする情報記録担体用基体の製造方
法。（Ｅ）上記（Ｄ）記載の情報記録担体用基体の製造方
法であって、特定の反応環境条件が１〜５００ｍｔｏｒ
ｒのガス圧であり、特定のガスが、フッ素または塩素ま
たは臭素を含むガスと水素を含むガスを混合又は化合し
たガスとしたことを特徴とする情報記録担体用基体の製
造方法。（Ｆ）上記（Ａ）〜（Ｅ）のいずれか記載の情報記録
担体用基体の製造方法によって製造された情報記録担体
用基体であって、前記被触刻部材１上に形成されている
前記トラックパターン３０は、前記所定の微細トラック
パターンのトラック幅Ｗ２よりも狭いトラック幅Ｗ４を
有することを特徴とする情報記録担体用基体。

【００１６】

【発明の実施の態様】以下、本発明の情報記録担体用基
体の製造方法及び情報記録担体用基体の実施例を、図１
〜図４を用いて詳しく説明する。前述したものと同一の
ものには同一符号を付し、その説明を省略する。

【００１７】本発明者は上記問題点に鑑み、前述したよ
うに、被触刻部材１の底部の幅Ｗ４がエネルギー感応層
２の底部の幅Ｗ２（従来のトラック幅）を下回る微細な
加工方法を鋭意検討した結果、本発明に至ったものであ
る。即ち、本発明は、従来の触刻反応を行う図５に示し
た工程（ｄ）の触刻工程に置き換えて、触刻反応と同時
に堆積反応を行う触刻・堆積工程を導入することによっ
て、前記微細な加工方法を達成するものである。

【００１８】図１は本発明になる情報記録担体用基体を
製作する工程を図示したものであり、一連の工程（ａ）
〜（ｅ）を図示したものであり、この一連の工程によっ
て情報記録担体用基体Ｂを製作する。この工程（ａ）〜
（ｃ），（ｅ）は上述した図５に示した工程（ａ）〜
（ｃ），（ｅ）と同様である。

【００１９】工程（ａ）は、表面が光学グレード並みに
フラットな被触刻部材１を用意する工程である。ここで
はあらかじめ表面が調整された被触刻部材１を用意して
もよいし、不浄な被触刻部材１に対し、表面を平滑化、
洗浄化して、フラットな表面を用意してもよい。被触刻
部材１は、表面が後に部分的に触刻される材料であり、
触刻材料との相性を考慮して選択される。例えば被触刻
部材１は、シリコン、タンタル、モリブデン、クロム、
アルミニウム、金、白金、ニオブ、チタン、タングステ
ンやこれらの合金（酸化物、窒化物、炭化物の例を含
む）などから選ばれる。この被触刻部材１に対し、直接
光を入射して信号を読み出し、または記録する場合に
は、その光波長に対し略透明（透過率５０％以上）であ
ることが必要である。

【００２０】続いて、工程（ｂ）は、被触刻部材１の表
面にエネルギー線感応層２を形成する工程である。この
エネルギー線感応層２は例えば波長１０〜１５００ｎｍ
の電磁波（γ線、Ｘ線、極端紫外線、遠紫外線、紫外
線、可視光、赤外線など）に感応する材料や、粒子線
（α線、β線、陽子線、中性子線、電子線など）に感応
する材料から選ばれ、薄く塗布する。前者の代表例とし
て紫外線感光型のいわゆるフォトレジストや、感光性色
素、相変化材料、低融点材料があり、後者の代表例とし
て電子線（ＥＢ）レジストなどが挙げられる。エネルギ
ー線感応層２は一層に限らず、複層であってもよく、例
えば光学的なコントラストを増強する意味で、退色性色
素などと二層化してもよい。また被触刻部材１とエネル
ギー線感応層２の間に密着性を向上させる目的で、極薄
い密着剤膜、望ましくは単分子膜を介在させてもよい。
例えばエネルギー線感応層２がいわゆるレジストや感光
性色素である場合は、シランカップリング剤、チタネー
ト系カップリング剤、アルミネート系カップリング剤を
用いることができる。特にシランカップリング剤の例と
して、ヘキサメチルジシラザンやγ−２−アミノエチル
−アミノプロピルトリメトキシシランが効果的である。

【００２１】続いて、工程（ｃ）は、エネルギー線感応
層２に対して、エネルギー線（図示せず）を所定の微細
トラックパターンに応じて、部分的に照射する工程であ
る。部分的とは、情報記録担体Ａ（図６）に刻まれるべ
き微細パターン３０の凹凸（トラック）に対応したもの
であり、例えば再生されるべき信号（例えばピット）で
あったり、記録する際に必要なガイド（例えばグルー
ブ）であったりする。ここでエネルギー線を照射した部
分、及び照射しなかった部分に対応して凹凸が形成され
る。なお、ここで照射した瞬間に凹凸が形成されなくと
も、照射後の液相処理または気相処理によって凹凸が形
成されるものも含む。具体的には例えばエネルギー線感
応層２として、感光性色素、相変化材料、低融点材料を
選択した場合には、エネルギー線の照射により加熱溶融
し、穴が空いたり、気化したりして直ちに凹凸が形成さ
れるので、照射後の液相処理または気相処理は不要であ
る。しかし、エネルギー線感応層２としていわゆるレジ
ストを選択した場合には、照射自体では形状が変わら
ず、後にアルカリ現像処理または有機溶剤処理といった
液相中処理、または酸素プラズマ処理といった気相中処
理を施すことによって、凹凸を形成することになる。こ
のときいわゆるポジ型レジストでは露光部分のエネルギ
ー線感応層２ａが除去される。また、いわゆるネガ型レ
ジストでは未露光部分のエネルギー線感応層が除去され
る。このようにして微細パターン３０に対応してその下
層の被触刻部材１ａは露出し、それ以外の部分はエネル
ギー線感応層２が残存する。なお、以下の説明では２が
ポジ型レジストであるとして説明する。

【００２２】続いて、工程（ｄ）は、この記録表面に対
して触刻と堆積反応とを同時に行う。この反応は液相
中、気相中を問わないが、特に気相中での処理が微細パ
ターン３０の形成に相応しい。ここで触刻とは露出した
被触刻部材１を選択的に触刻することを意味する。また
堆積とは、反応による生成物を残存したエネルギー線感
応層２の表面に選択的に堆積させることを意味する。す
なわち、エネルギー線感応層２の表面には堆積が起こ
り、堆積層４が生成するが、被触刻部材１には実質的に
堆積しない。一方、被触刻部材１の表面は選択的に触刻
されるので、堆積と触刻が同時に進行する。このような
特殊な選択性は後述する反応材料（触刻・堆積材料、図
示せず）や反応環境条件（触刻・堆積動作条件）により
与えられるものである。堆積層４が生成するために、エ
ネルギー線感応層２の開口部の幅Ｗ１及びその底部の幅
Ｗ２の寸法は、見かけ上従来よりも小さくなる。従っ
て、触刻が所定深さＥ、堆積層４の厚みがＤに達したと
き、被触刻部材１の底部の幅Ｗ４は、エネルギー線感応
層２の底部の幅Ｗ２よりも小さくなっている。

【００２３】最後に、工程（ｅ）は、エネルギー線感応
層２及び堆積層４を剥離する工程である。これらは同時
に剥離してもよいし、堆積層４、エネルギー線感応層２
の順に剥離してもよい。これらエネルギー線感応層２及
び堆積層４の剥離は化学的、または物理的に分解する材
料によって行うことができる。例えば化学的方法として
は硫酸、硝酸、塩酸、燐酸、酢酸や、無機アルカリ、有
機アルカリ、過酸化水素水などによる液相分解反応（例
えば摂氏３０〜２００度の温度環境下）や、酸素、オゾ
ンガスを主とするプラズマ雰囲気中での気相分解反応に
よって達成することができる。また、物理的な方法とし
てはミクロンオーダーの粒子によるブラスト法がある。
こうして、情報記録担体の基体Ｂが完成する。基体Ｂの
片面には前記した微細パターン３０が形成されており、
その微細パターン３０の寸法（即ち被触刻部材１の底部
の幅Ｗ４）は、エネルギー線感応層２の底部の幅Ｗ２よ
りも小さくなり、微細化が行われる。この形成面に対し
て公知の方法で記録層５や保護層６などを重ね形成し
て、高密度の情報記録担体Ａを完成することができる
（図６）。

【００２４】ここで触刻と堆積とを同時に行う前記した
工程（ｄ）について詳しく図説しておく。本発明の主点
は、被触刻部材１の表面には従来どおり触刻を行うと同
時に、エネルギー線感応層２の表面では反応生成物を堆
積させて堆積層４を形成させることである。特に堆積層
４の形成は残存したエネルギー線感応層２の表面、側面
全面に起こり、あたかも後天的にエネルギー線感応層２
の露出面全体をマスクしたようになる。その位置精度は
極めて正確であり、自己整合的な形成が行われる。触刻
と堆積、この２つの過程は同時に起こる競争過程である
が、その２つの過程の速度比により、微細パターン形成
の模様がやや異なる。

【００２５】図３は図１に示した工程（ｄ）を、触刻反
応及び堆積の進行に対応して、３段階の工程（ｄ１）〜
（ｄ３）に分けて図示したものであり、堆積速度よりも
触刻速度の方が速い場合の例示である。ただし説明を平
易なものとするために、エネルギー線感応層２の微細パ
ターン３０の位置に対応する凹部は略垂直な断面形状で
ある（即ち、エネルギー線感応層２の開口部の幅Ｗ１＝
その底部の幅Ｗ２とする）。

【００２６】工程（ｄ１）は触刻の初期であり、触刻の
深さがＥ１進むと同時に堆積の厚さがＤ１起こってい
る。ここで触刻の深さＥ１＞堆積の厚さＤ１であるの
で、堆積開始より前に触刻は開始され、触刻の起点はエ
ネルギー線感応層２の底部（幅Ｗ２）となる。

【００２７】工程（ｄ２）では時間が経過し、触刻の深
さがＥ２（Ｅ２＞Ｅ１）、堆積の厚さがＤ２（Ｄ２＞Ｄ
１）まで進行した模様を表している。触刻・堆積の進行
によって、堆積は微細パターン３０の内壁３０Ａまで進
行し、このため微細パターン３０の内壁はテーパーの付
いた形状となる。

【００２８】最後の工程（ｄ３）では、触刻の深さが所
定の寸法Ｅまで進んでいる（Ｅ３＞Ｅ２＞Ｅ１）。この
とき、堆積も所定の厚さＤまで進んでおり（Ｄ３＞Ｄ２
＞Ｄ１）、被触刻部材１上の微細パターン３０の寸法
は、Ｗ３＝Ｗ２、Ｗ４＝Ｗ２−２×Ｄ３となる。

【００２９】このように、図３に示すように堆積速度よ
りも触刻速度の方が速い場合には、被触刻部材１の開口
部の幅Ｗ３がエネルギー線感応層２の底部の幅Ｗ２と同
一になるという特徴と、微細パターン３０の内壁のテー
パー角度が比較的急峻になるという特徴がある。

【００３０】一方、図４は図１に示した工程（ｄ）を、
触刻反応及び堆積の進行に対応して、３段階の工程（ｄ
１１）〜（ｄ３１）に分けて図示したものであり、堆積
速度よりも触刻速度の方が遅い場合の例示である。ここ
でも説明を平易なものとするために、エネルギー線感応
層２の微細パターン３０の位置に対応する凹部は略垂直
な断面形状である（即ち、エネルギー線感応層２の開口
部の幅Ｗ１＝その底部の幅Ｗ２とする）。

【００３１】工程（ｄ１１）は触刻の初期であり、触刻
の深さがＥ１１進むと同時に堆積の厚さがＤ１１起こっ
ている。ここで触刻の深さＥ１１＜堆積の厚さＤ１１で
あるので、触刻開始より前に堆積は開始され、触刻の起
点はエネルギー線感応層２の底部（幅Ｗ２）よりも内側
となる。

【００３２】工程（ｄ２１）では時間が経過し、触刻の
深さがＥ２１（Ｅ２１＞Ｅ１１）、堆積の深さがＤ２１
（Ｄ２１＞Ｄ１１）まで進行した模様を表している。触
刻・堆積の進行によって、堆積は微細パターン３０の内
壁３０Ａまで進行し、ここでも微細パターン３０の内壁
はテーパーの付いた形状となる。

【００３３】最後の段階（工程（ｄ３１））では、触刻
の深さが所定の寸法Ｅまで進んでいる（Ｅ３２＞Ｅ２２
＞Ｅ１１）。このとき、堆積も所定の厚さＤまで進んで
おり（Ｄ３１＞Ｄ２１＞Ｄ１１）、エネルギー線感応層
２の開口部はかなり狭く、被触刻部材１上の微細パター
ン３０の底部の幅Ｗ４も同様にかなり狭いものになっ
て、Ｗ３＜Ｗ２、Ｗ４＝Ｗ２−２×Ｄ３１となる。

【００３４】このように、図４に示すような堆積速度よ
りも触刻速度の方が遅い場合には、微細パターン３０の
内壁のテーパー角度が緩やかになるという特徴があるも
のの、被触刻部材１の開口部の幅Ｗ３がエネルギー線感
応層２の底部の幅Ｗ２より小さくなり、図３の工程に比
較して、微細化には有利である。

【００３５】このように、触刻と堆積との速度比によっ
て、得られる微細パターン３０の形状は若干異なるもの
となる。しかしながらいずれにしても、エネルギー線感
応層２の元の微細パターン（開口部の幅Ｗ１、底部の幅
Ｗ２）よりも小さな、被触刻部材１上の微細パターン３
０の底部の幅Ｗ４を得ることができる（即ち、エネルギ
ー線感応層２上で露光した微細トラックパターン幅の微
細トラックパターンのトラック幅Ｗ４）。特に堆積の速
度が触刻速度を上回った場合には、開口部の幅Ｗ３、底
部の幅Ｗ４は共に元の微細パターン（Ｗ１、Ｗ２）より
も小さくすることができる。

【００３６】次に、このような触刻と堆積を同時に行え
る化学反応について、反応装置（触刻・堆積装置）、反
応材料（触刻・堆積材料）、反応環境条件（触刻・堆積
動作条件）の順で説明する。触刻、堆積とも同時に発生
させるのは特定の化学反応を利用する。

【００３７】気相中での反応装置（触刻・堆積装置）
は、真空装置の一種であるグロー放電装置を用いること
ができる。すなわち排気部材と少なくとも２枚の電極と
高電圧印加部材を有した真空装置である。本発明の製造
方法では、このうち特に少なくとも５ｍｔｏｒｒまでの
排気能力、望ましくは０．０１ｍｔｏｒｒ、より望まし
くは０．００１ｍｔｏｒｒまでの排気能力のある排気部
材を内蔵したものを使用する。例えば回転ポンプ、拡散
ポンプ、ターボ分子ポンプ、回転ブースターポンプなど
から選択して１つまたは複数内蔵したものである。そし
てガス導入部材（例えばガスボンベ）と高電圧印加部材
（例えば高電圧電源）を内蔵したものである。

【００３８】本発明ではガス導入部材に後述する反応材
料（触刻・堆積材料）のボンベを接続し、流量計を介し
て導入できるようにしておく。

【００３９】動作手順は、主に３つの工程１）〜３）か
らなる。すなわち、工程１）装置中に、前記した工程（ｃ）の微細パター
ン化した被触刻部材１を投入し、片側の電極上に設置す
る。工程２）次に、真空排気後、反応材料（触刻・堆積材
料）を装置内部に導入し、後述する反応環境条件（触刻
・堆積動作条件）を形成する。工程３）２枚の電極間に高電圧を印加し、グロー放電
を発生させる。この３つの工程の結果、本発明が達成さ
れ、選択的な堆積と、選択的な触刻を同時に発生させる
ことができる。

【００４０】次に反応材料（触刻・堆積材料）について
説明する。反応材料（触刻・堆積材料）は、被触刻部材
１やエネルギー線感応層２と選択的な反応をするのであ
るから、被触刻部材１と反応材料（触刻・堆積材料）と
の組み合わせはある程度限定される。例えば被触刻部材
１にシリコン、タンタル、モリブデン、金、白金、ニオ
ブ、チタン、タングステンやこれらの合金（酸化物、窒
化物、炭化物の例を含む）から選択し、エネルギー線感
応層２にいわゆるレジストや感光性色素などの有機物を
選択した場合、触刻性ガスとしてフッ素を含むガスを、
堆積性ガスとして水素を含むガスが適当である。フッ素
を含むガスの例としては、ＣＦ₄、Ｃ₂Ｆ ₄、Ｃ₂Ｆ₆、Ｃ₃
Ｆ₆、Ｃ₃Ｆ₈、Ｃ₄Ｆ₈、Ｃ₄Ｆ₁₀、Ｃ₅Ｆ₈、Ｃ₆Ｆ₁₄、Ｃ
Ｆ₃ＣＦＯＣＦ₂、Ｃ₆Ｆ₅ＣＦ₂ＣＦＣＦ₂、ＣＦ₃Ｂｒ、
ＣＦ₃Ｉ、Ｃ₂Ｆ₅Ｉ、ＳＦ₆、ＮＦ₃、ＷＦ₆、ＣＦ₃Ｂ
ｒ、Ｃ₂Ｆ₅Ｃｌ、Ｃ₂Ｆ₄Ｃｌ₂、ＣＦ₃Ｃｌ、ＣＦ₂Ｃ
ｌ₂、ＣＦＣｌ₃などがある。水素を含むガスとしては、
Ｈ₂、ＣＨ₄、ＣＨ₃ＣＨ₃、ＣＨ₃ＣＨ₂ＣＨ₃、ＣＨ₃ＣＨ
₂ＣＨ₂ＣＨ₃、ＣＨ₂ＣＨ₂、ＣＨ₂ＣＨＣＨ₃、ＣＨ₂ＣＨ
₂ＣＨ₂ＣＨ₂、ＨＣＣＨ、ＣＨ₃ＣＣＨなどがある。

【００４１】また、被触刻部材１にクロム、アルミニウ
ム、金やこれらの合金（酸化物、窒化物、炭化物の例を
含む）を選択し、エネルギー線感応層２にいわゆるレジ
ストや感光性色素などの有機物を選択した場合、触刻性
ガスとして塩素または臭素を含むガスを、堆積性ガスと
して水素を含むガスが適当である。塩素または臭素を含
むガスの例としては、Ｃｌ₂、ＣＣｌ₄、ＳｉＣｌ₄、Ｂ
Ｃｌ₃、ＰＣｌ₃、ＣＢｒＦ₃、ＢＢｒ₃、Ｃ₂ＣｌＦ₅、Ｃ
₂Ｃｌ₂Ｆ₄、ＣＣｌＦ₃、ＣＣｌ₂Ｆ₂、ＣＣｌ₃Ｆなどが
ある。水素を含むガスとしては、Ｈ₂、ＣＨ₄，ＣＨ₃Ｃ
Ｈ₃、ＣＨ₃ＣＨ₂ＣＨ₃、ＣＨ₃ＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₃、ＣＨ₂
ＣＨ₂、ＣＨ₂ＣＨＣＨ₃、ＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂、ＨＣ
ＣＨ、ＣＨ₃ＣＣＨなどがある。いずれの場合にして
も、これらを所定の混合比とすることによって、触刻と
堆積を同時に発生させることができる。またこの混合比
を、調整することにより、堆積速度と触刻速度の比を変
えることができる。なお被触刻部材１上とエネルギー線
感応層２上の反応が、それぞれ異なる理由については明
確なメカニズムが現時点で分かっていない。しかしなが
らＸ線光電子スペクトル分析（ＸＰＳ）を用いた堆積層
４の分析などから、ガス中のハロゲンと被触刻部材１が
親和性が良いために触刻反応になり、ガス中の水素とエ
ネルギー線感応層２が親和性が良いために堆積反応に結
びついていると推定している。

【００４２】次に反応環境条件（触刻・堆積動作条件）
について説明する。気相反応の場合、本発明を達成する
反応環境条件は真空中であり、ガスの種類や流量にもよ
るが例えば圧力は１〜５００ｍｔｏｒｒの間で達成する
ことができる。そしてこの範囲の中で、ガス流量や圧
力、電源種、電力をコントロールすることによって、堆
積と触刻の速度比を可変することができる。先述の反応
材料は大流量、高圧条件下では堆積の性質が強く、低流
量、低圧力では触刻の性質が強く出る。なお、グロー放
電を発生させる高電圧は、直流または交流であり、後者
の場合０．１〜１００００ＭＨｚの高周波を用いること
ができる。必要に応じてバイアスした交流であってもよ
いし、パルス変調したものであってもよい。また使用す
るガスに、希釈や反応の安定化、速度調整を目的として
Ｈｅ、Ｎ₂、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅ、Ｏ₂、Ｏ₃、Ｃ
Ｏ、ＣＯ₂、Ｈ₂Ｏ（水蒸気）などを適量添加してもよ
い。

【００４３】なお、本発明はこの要点に基づいた種々改
変が可能である。例えば反応材料は、触刻性ガスと堆積
性ガスを別々に用意する以外に、予め混合されたガスを
用いてもよい。またこれらが化学的に結合されたガスで
あってもよい。このような化合ガスは、堆積性と触刻性
の両方の性質を併せ持っており、ガス流量や、ガス圧
力、放電電源種、放電電力などの環境によって、両者の
性質の比率を変えることができるものである。例えば被
触刻部材１にシリコン、タンタル、モリブデン、金、白
金、ニオブ、チタン、タングステンやこれらの合金（酸
化物、窒化物、炭化物の例を含む）を選択し、エネルギ
ー線感応層２にレジストや感光性色素などの有機物を選
択した場合、ＣＨＦ₃、ＣＨ₂Ｆ₂、ＣＨＦ₂ＣＦ₃、ＣＨ₂
ＦＣＦ₃、ＣＨ₃ＣＨＦ₂、Ｃ₂Ｈ₃Ｆ₃、Ｃ₃ＨＦ₇、ＣＦ₃
ＣＨ₂ＣＦ₃、Ｃ₆Ｆ₅ＣＨＣＨ₂、などが代表例である。
また被触刻部材１にクロム、アルミニウム、金やこれら
の合金（酸化物、窒化物、炭化物の例を含む）を選択
し、エネルギー線感応層２にレジストや感光性色素など
の有機物を選択した場合、ＨＣｌ、ＣＨ₂Ｃｌ₂、ＣＨＣ
ｌ₃、ＨＢｒなどが代表例である。この場合も反応環境
条件（触刻・堆積動作条件）については、やはりガスの
種類や流量にもよるが、例えば圧力は１〜５００ｍｔｏ
ｒｒの間で達成することができる。

【００４４】また、例えば被触刻部材１をそのまま情報
記録担体の基体Ｂとなる例について説明してきたが、本
発明はこれに限るものではない。例えば触刻とは無関係
な平板１０を用意し、この上に被触刻部材１を被着させ
てもよい。そしてこの被触刻部材１に対し、同様な触刻
・堆積処理を行って本発明を達成してもよい。なおここ
で被触刻部材１の厚みを予めＥと同じにしておくと、安
定した深さＥを得ることができ、好適である。また被触
刻部材１が高価な場合であっても材料コストを低くする
ことができる。なおこの工程については後述する実施例
２〜５で具体的に説明を行う。

【００４５】また、公知のスタンパー製作手法に乗っ取
って、本発明なる基体Ｂをガラスマスターに見立てて、
スタンパーを作製してもよい。この場合、製作したスタ
ンパーから情報記録担体の基体（例えばプラスチック成
形による）を多量に複製することができ、大量配布が可
能となる。なおこの工程については後述する実施例４、
５で具体的に説明を行う。

【００４６】実施例１図１に従って、実施例１を説明する。表面があらかじめ
光学グレード並みに調整された被触刻部材１、石英ガラ
スを用意した。なお石英ガラスはシリコンの酸化物Ｓｉ
Ｏ２が９９％以上を占めるものである。そしてサイズは
外径１２０ミリ、内径１５ミリ、厚み０．６ミリのドー
ナツ状とした（工程（ａ））。

【００４７】続いて、被触刻部材１の表面にエネルギー
線感応層２を形成した。ここでは波長４００ｎｍ台の可
視光に感光するナフトキノンジアジド系ポジ型フォトレ
ジスト、ＴＳＭＲ−Ｖ３（東京応化工業（株）製）を使
用した（工程（ｂ））。続いて、エネルギー線感応層２
に対して、４１３ｎｍのエネルギー線（クリプトンレー
ザーの輝線の１つ、図示せず）を部分的に照射した。情
報記録担体Ａに刻まれるべきは微細パターン３０であ
り、ここでは螺旋状にＥＦＭ変調信号を記録した。この
信号は、３Ｔ〜１１Ｔまでの整数長、すなわち合計９種
類の長さの信号からなるものである。なお螺旋の間隔
（トラックピッチ）は０．４８５ミクロンとした。この
記録を施したエネルギー線感応層２に対してアルカリ水
溶液である燐酸水素ナトリウム水溶液を塗布して、現像
処理を行った。この結果得られた凹凸は、記録時の微細
パターン３０に対応しており、最短ピット（３Ｔ）の場
合、最短ピット長は０．２６ミクロン（開口部は０．２
６５ミクロン、底部が０．２６０ミクロン）、開口部の
幅であるピット幅Ｗ１は０．３５ミクロン、底部の幅Ｗ
２は０．３０ミクロンであった（工程（ｃ））。続い
て、この記録表面に対して気相中で触刻・堆積を行っ
た。ここでは装置に高周波グロー放電装置ＣＳＥ−１１
１０（日本真空技術（株）製）を用い、チャンバーのカ
ソード電極に設置した後、真空に排気した。続いて触刻
性ガスとしてＣＦ₄を５０ｓｃｃｍ、堆積性ガスとして
Ｈ₂を２ｓｃｃｍ流し、全ガス圧が１００ｍｔｏｒｒと
なるように排気量を調節した。続いて１３．５６ＭＨｚ
の高周波を印加して、グロー放電を行った。この結果石
英ガラス１に対し触刻と、ポジ型レジスト２に対し堆積
が開始された。２．３分の処理の後にそれぞれの反応結
果を測定した。触刻深さＥは８０ｎｍであり、堆積層４
の厚みＤは９０ｎｍ（０．０９ミクロン）であった。な
お堆積層４の材料について、Ｘ線光電子スペクトル分析
（ＸＰＳ）により分析を行ったところ、ＰＴＦＥ（４フ
ッ化エチレン）と類似したフッ素系ポリマーであった。
続いて寸法の計測を行い、開口部の幅Ｗ３は０．２５ミ
クロン、底部の幅Ｗ４は０．１２ミクロンであった。こ
れらはポジ型レジスト上の微細寸法の開口部の幅Ｗ１、
底部の幅Ｗ２を下回っており、微細化ができていた。ま
たＷ３＜Ｗ２であり、またＷ４＝Ｗ２−２Ｄの関係を満
足していた（工程（ｄ））。言い換えれば図４のモデル
に従って、反応が進行したことが確認できた。最後に摂
氏１１０度に加温した硫酸、過酸化水素水混合液に浸漬
して、堆積層４とエネルギー線感応層２を同時に剥離
し、基体Ｂを完成させた。被触刻部材１に微細パターン
３が刻まれており、寸法Ｗ３，Ｗ４も工程（ｄ）と同じ
であることを確認した。

【００４８】続いてこの基体Ｂの表面上に、再生専用デ
ィスク用記録層５としてアルミニウムを７０ｎｍ形成
し、保護層６として紫外線硬化樹脂ＸＲ１１（住友化学
工業（株）製）を７ミクロン形成した（図６）。このよ
うにして得た情報記録担体に対し、基体１側より、収束
した紫レーザーを照射して信号再生を行った。レーザー
の波長は４３０ｎｍ（ＳＨＧ光）、対物レンズ開口数Ｎ
Ａは０．６である。この結果、ＥＦＭの信号が良好に再
生でき、ジッター６．４％の低ノイズ信号が得られた。
これより再生波長に見合ったディスクであることが確認
できた。なお半径２２〜５８ｍｍまで記録した場合、そ
の記録容量は１０ＧＢと大容量になるものである。

【００４９】なお、ここで記録層５を、アルミニウムに
変えてアルミニウム・チタン合金、アルミニウム・タン
タル合金、多元素系アルミニウム合金Ａ６０６１、銀と
してもほぼ同様な信号特性が得られた。また金とした場
合は７．９％であった。

【００５０】実施例２図２に従って、実施例２を説明する。外径１２０ミリ、
内径１５ミリ、厚み１．２ミリのドーナツ状とした平板
１０を用意した。ここではソーダー石灰ガラスを用い
た。この表面にオルガノシラザン（例えば東京応化工業
（株）製ＴＣＰＳ）を光学グレード並みの平坦度でコー
ティングし、窒素雰囲気中で焼成することによって８０
ｎｍの被触刻部材１を形成した。なおオルガノシラザン
は、非酸素雰囲気中で焼成することによってシリコンの
窒化物と炭化物が三次元編み目構造を取るものである
（工程（ａ））。続いて被触刻部材１の表面にエネルギ
ー線感応層２を形成した。ここでは波長３００ｎｍ台の
紫外線に感光するナフトキノンジアジド系ポジ型フォト
レジスト、ＴＨＭＲ−ｉＰ３１００（東京応化工業
（株）製）を使用した（工程（ｂ））。

【００５１】続いてエネルギー線感応層２に対して、３
６４ｎｍのエネルギー線（アルゴンレーザーの輝線の１
つ、図示せず）を部分的に照射した。情報記録担体Ａに
刻まれるべき微細パターン３０であり、ここでは螺旋状
にＥＦＭプラスの変調信号（８−１６変調）を記録し
た。この信号は、３Ｔ〜１１Ｔまでの整数長及び１４Ｔ
の合計１０種類の長さの信号からなるものである。なお
記録にあたっては３Ｔ信号の強度を他よりも上げ、強調
して記録した。また螺旋の間隔（トラックピッチ）は
０．３５０ミクロンとした。この記録を施したエネルギ
ー線感応層２に対してアルカリ水溶液であるテトラメチ
ルアンモニウムヒドリド水溶液を塗布して、現像処理を
行った。この結果得られた凹凸は、記録時の微細パター
ン３に対応しており、最短ピット（３Ｔ）の場合、最短
ピット長は０．２６ミクロン（開口部は０．２６５ミク
ロン、底部が０．２６０ミクロン）、開口部の幅である
ピット幅Ｗ１は０．２９ミクロン、底部の幅Ｗ２は０．
２６ミクロンであった（工程（ｃ））。続いてこの記録
表面に対して気相中で触刻・堆積を行った。ここでは装
置に高周波グロー放電装置ＣＳＥ−１１１０（日本真空
技術（株）製）を用い、チャンバーのカソード電極に設
置した後、真空に排気した。続いて触刻性と堆積性を兼
ね備えたガスとしてＣＨＦ３を４０ｓｃｃｍ流し、全ガ
ス圧が４５ｍｔｏｒｒとなるように排気量を調節した。
続いて１３．５６ＭＨｚの高周波を印加して、グロー放
電を行った。この結果被触刻部材１上に触刻と、エネル
ギー線感応層２上に堆積が開始された。１．４分の処理
の後にそれぞれの反応結果を測定した。触刻深さＥは８
０ｎｍであり、堆積層４の厚みは８５ｎｍ（０．０８５
ミクロン）であった。なお堆積層４の材料について、Ｘ
線光電子スペクトル分析（ＸＰＳ）により分析を行った
ところ、ＰＴＦＥ（４フッ化エチレン）と類似したフッ
素系ポリマーであった。続いて寸法の計測を行い、開口
部の幅Ｗ３は０．２４ミクロン、底部の幅Ｗ４は０．０
９ミクロンであった。これらはポジ型レジスト上の微細
寸法、開口部の幅Ｗ１、底部の幅Ｗ２を下回っており、
微細化ができていた。またＷ３＜Ｗ２であり、またＷ４
＝Ｗ２−２Ｄの関係を満足していた（工程（ｄ））。言
い換えれば図４のモデルに従って、反応が進行したこと
が確認できた。最後に加温した有機アミン系洗浄剤、剥
離液１０５（東京応化）に浸漬して、堆積層４とエネル
ギー線感応層２を同時に剥離し、基体Ｃを完成させた。
被触刻部材１に微細パターン３が刻まれており、寸法Ｗ
３，Ｗ４も工程（ｄ）と同じであることを確認した。

【００５２】続いてこの基体Ｃ表面上に記録層５とし
て、銀を５０ｎｍ形成し、保護層６としてアクリルシー
ト１００ミクロンを、紫外線硬化型接着剤ＸＲ−９８
（住友化学工業（株）製）２０ミクロンを介して形成し
た（図６）。このようにして得た情報記録担体Ａに対
し、保護層６側より、収束した紫レーザーを照射して信
号再生を行った。４３０ｎｍ（ＳＨＧ光）、対物レンズ
開口数ＮＡは０．７である。この結果、ＥＦＭプラスの
信号が良好に再生でき、ジッター８．５％の低ノイズ信
号が得られた。なおここでジッターは、ＤＶＤ規格のジ
ッター測定法（ＪＩＳ−Ｘ−６２４１附属書Ｆ）に乗っ
取って測定した。これより再生波長に見合ったディスク
であることが確認できた。なお半径２２〜５８ｍｍまで
記録した場合、その記録容量は１５ＧＢと大容量になる
ものである。

【００５３】実施例３図２に従って、実施例３を説明する。外径１２０ミリ、
内径１５ミリ、厚み１．１ミリのドーナツ状とした平板
１０を用意した。ここでは硼珪酸ガラス３を使用した。
この表面にはオルガノシラザン（例えば東京応化工業
（株）製ＴＣＰＳ）を光学グレード並みの平坦度でコー
ティングし、酸素雰囲気中で焼成することによって８５
ｎｍの被触刻部材１を形成した。なおオルガノシラザン
は、酸素雰囲気中で焼成することによってシリコンの酸
化物と炭化物が三次元編み目構造を取るものである（工
程（ａ））。続いて被触刻部材１の表面にエネルギー線
感応層２を形成した。ここでは波長３００ｎｍ台の紫外
線に感光するポジ型フォトレジスト、ＴＨＭＲ−ｉＰ３
６００（東京応化工業（株）製）を使用した（工程
（ｂ））。続いてエネルギー線感応層２に対して、３５
１ｎｍのエネルギー線（クリプトンレーザーの輝線の１
つ、図示せず）を部分的に照射した。情報記録担体Ａに
刻まれるべき微細パターン３０であり、ここでは螺旋状
に８−１５変調信号を記録した。なお記録にあたっては
３Ｔ信号の強度を他よりも上げ、強調して記録した。ま
た螺旋の間隔（トラックピッチ）は０．３４１ミクロン
とした。この記録を施したエネルギー線感応層２に対し
てアルカリ水溶液であるテトラメチルアンモニウムヒド
リド及び微量の界面活性剤を添加した水溶液を塗布し
て、現像処理を行った。この結果得られた凹凸は、記録
時の微細パターン３０に対応しており、最短ピット（３
Ｔ）の場合、最短ピット長は０．２４ミクロン（開口部
は０．２４５ミクロン、底部が０．２４０ミクロン）、
開口部の幅であるピット幅Ｗ１は０．２８ミクロン、底
部の幅Ｗ２は０．２５ミクロンであった（工程
（ｃ））。続いてこの記録表面に対して気相中で触刻・
堆積を行った。ここでは装置に高周波グロー放電装置Ｃ
ＳＥ−１１１０（日本真空技術（株）製）を用い、チャ
ンバーのカソード電極に設置した後、真空に排気した。
続いて触刻性と堆積性を兼ね備えたガスとしてＣＨＦ₃
を３０ｓｃｃｍ流し、全ガス圧が１０ｍｔｏｒｒとなる
ように排気量を調節した。続いて１３．５６ＭＨｚの高
周波を印加して、グロー放電を行った。この結果被触刻
部材１上に触刻と、エネルギー線感応層２上に堆積が開
始された。１．８分の処理の後にそれぞれの反応結果を
測定した。触刻深さＥは８５ｎｍであり、堆積層４の厚
みは８５ｎｍ（０．０８５ミクロン）であった。続いて
寸法の計測を行い、開口部の幅Ｗ３は０．２５ミクロ
ン、底部の幅Ｗ４は０．０８ミクロンであった。これら
はポジ型レジスト上の微細寸法Ｗ１、Ｗ２を下回ってお
り、微細化ができていた。またＷ３とＷ２はほぼ同じで
あり、またＷ４＝Ｗ２−２Ｄの関係を満足していた（工
程（ｄ））。言い換えれば図３のモデルに従って、反応
が進行したことが確認できた。最後にオゾンガスプラズ
マによるアッシッグを行って、堆積層４とエネルギー線
感応層２を同時に剥離し、基体Ｃを完成させた。被触刻
部材１に微細パターン３が刻まれており、寸法Ｗ３，Ｗ
４も工程（ｄ）と同じであることを確認した。続いてこ
の基体Ｃ表面上に記録層５としてアルミ・タンタル合金
を５０ｎｍ形成し、保護層６として紫外線硬化樹脂ＳＫ
−７０００（ソニーケミカル（株）製）を１２０ミクロ
ン形成した（図６）。このようにして得た情報記録担体
Ａに対し、保護層５側より、収束した紫レーザーを照射
して信号再生を行った。レーザーの波長は４００ｎｍ
（半導体レーザー）、対物レンズ開口数ＮＡは０．７で
ある。この結果、ＥＦＭプラスの信号が良好に再生で
き、ジッター９．８％の低ノイズ信号が得られた。これ
より再生波長に見合ったディスクであることが確認でき
た。なお半径２２〜５８ｍｍまで記録した場合、その記
録容量は１８ＧＢと大容量になるものである。

【００５４】実施例４図２に従って、実施例４を説明する。外径１８５ミリ、
内径２０ミリ、厚み６ミリのドーナツ状とした平板１０
を用意した。ここではソーダ石灰ガラスを用いた。この
表面にオルガノシロキサン（例えば東京応化工業（株）
製ＯＣＤｔｙｐｅ７）を光学グレード並みの平坦度でコ
ーティングし、焼成することによって８０ｎｍの被触刻
部材１を用意した。なおオルガノシロキサンは焼成する
ことによってシリコンの酸化物と炭化物が三次元編み目
構造を取るものである（工程（ａ））。続いて被触刻部
材１の表面にエネルギー線感応層２を形成した。ここで
は波長４００ｎｍ台の可視光に感光するナフトキノンジ
アジド系ポジ型フォトレジスト、ＡＺＰ１３５０（クラ
リアントジャパン（株）製）を使用した（工程
（ｂ））。続いてエネルギー線感応層２に対して、４５
８ｎｍのエネルギー線（図示せず）を部分的に照射し
た。情報記録担体Ａに刻まれるべき微細パターン３０で
あり、ここでは螺旋状にグルーブを記録（ＤＣ記録）し
た。また螺旋の間隔（トラックピッチ）は０．５６ミク
ロンとした。この記録を施したエネルギー線感応層２に
対してアルカリ水溶液である燐酸水素ナトリウムの水溶
液を塗布して、現像処理を行った。この結果得られた凹
凸は、記録時の微細パターン３０に対応しており、開口
部の幅であるグルーブ幅Ｗ１は０．４６ミクロン、底部
の幅Ｗ２は０．３６ミクロンであった（工程（ｃ））。
続いてこの記録表面に対して気相中で触刻・堆積を行っ
た。ここでは装置に高周波グロー放電装置ＣＳＥ−１１
１０（日本真空技術（株）製）を用い、チャンバーのカ
ソード電極に設置した後、真空に排気した。続いて触刻
性ガスとしてＣ₅Ｆ₈を６０ｓｃｃｍ、堆積性ガスとして
ＣＨ ₂を１０ｓｃｃｍ流し、更に反応安定化のためにＯ₂
を３ｓｃｃｍ流し、全ガス圧が６５ｍｔｏｒｒとなるよ
うに排気量を調節した。続いて１３．５６ＭＨｚの高周
波を印加して、グロー放電を行った。この結果被触刻部
材１上に触刻と、エネルギー線感応層２上に堆積が開始
された。４分の処理の後にそれぞれの反応結果を測定し
た。触刻深さＥは８０ｎｍであり、堆積層４の厚みは２
０ｎｍ（０．０２ミクロン）であった。続いて寸法の計
測を行い、開口部の幅Ｗ３は０．０８ミクロン、底部の
幅Ｗ４は０．０４ミクロンであった。これらはエネルギ
ー線感応層２上の微細寸法Ｗ１、Ｗ２を下回っており、
微細化ができていた。またＷ３＜Ｗ２であり、Ｗ４＝Ｗ
２−２Ｄの関係を満足していた（工程（ｄ））。言い換
えれば図４のモデルに従って、反応が進行したことが確
認できた。最後に酸素ガスプラズマによるアッシッグを
行って、堆積層４を除去し、続いてアセトンに浸漬し
て、エネルギー線感応層２を剥離し、基体Ｃを完成させ
た。被触刻部材１上に微細パターン３が刻まれており、
寸法Ｗ３，Ｗ４も工程（ｄ）と同じであることを確認し
た。

【００５５】続いてこの基体Ｃをガラスマスターと見立
てて、公知のスタンパー工程により、スタンパーを製作
した。そしてスタンパーから、ポリカーボネート樹脂を
用いて公知の射出成形することによって、外径１２０ミ
リ、内径１５ミリ、厚み１．２ミリのドーナツ状のディ
スク基板（図示せず）を得た。この表面には微細パター
ン３が転写されており、その寸法は工程（ｄ）と同じで
あった。

【００５６】次に、この基板に記録層５と保護層６を形
成した。記録層５は記録再生型光磁気記録膜として、Ｄ
ＷＤＤ型４層膜（ＧｄＦｅＣｏＡｌ，ＴｂＦｅ，ＴｂＦ
ｅＡｌ，ＴｂＦｅＣｏ）をＳｉＮ誘電体層でサンドイッ
チし、更に反射膜であるアルミ・チタンを積層した構造
とした。次に保護層６として紫外線硬化樹脂であるＳＤ
−１７００（大日本インキ化学工業（株）製）を４ミク
ロン厚で形成した（図６）。このようにして得た情報記
録担体Ａに対し、グルーブ側をアニールすることで磁気
分断して記録再生に供した。そして基板側より収束した
赤レーザーを照射し、磁界変調記録により信号の記録、
そして再生を行った。記録装置は波長６５０ｎｍ（半導
体レーザー）、レンズ開口数０．６であり、記録パワー
は４ｍＷ、再生パワーは２ｍＷとした。記録信号はマー
ク長０．１ミクロンの単一周波数信号とした。この結果
信号は良好に再生でき、Ｃ／Ｎ（搬送波対雑音比）３６
ｄＢと低ノイズの信号が得られた。

【００５７】実施例５図２に従って、実施例５を説明する。外径２００ミリ、
厚み１０ミリの円盤状とした平板１０を用意した。ここ
ではアルミノ珪酸ガラスを用いた。この表面にはスパッ
タリング法を用い、光学グレード並みの平坦度で酸化シ
リコンを形成することによって４５ｎｍの被触刻部材１
を形成した（工程（ａ））。続いて被触刻部材１の表面
にエネルギー線感応層２を形成した。ここでは波長２０
０ｎｍ台の遠紫外線に感光する化学増幅型ポジ型フォト
レジスト、ＴＤＵＲ−Ｐ００７（東京応化工業（株）
製）を使用した（工程（ｂ））。続いてエネルギー線感
応層２に対して、２６６ｎｍのエネルギー線（５３２ｎ
ｍレーザーのＳＨＧ、図示せず）を部分的に照射した。
情報記録担体Ａに刻まれるべき微細パターン３０であ
り、ここでは螺旋状にグルーブを記録（ＤＣ記録）し
た。また螺旋の間隔（トラックピッチ）は０．５ミクロ
ンとした。この記録を施したエネルギー線感応層２に対
してアルカリ水溶液であるテトラメチルアンモニウムヒ
ドリド及び微量の界面活性剤の水溶液を塗布して、現像
処理を行った。この結果得られた凹凸は、記録時の微細
パターン３に対応しており、開口部の幅であるグルーブ
幅Ｗ１は０．１５ミクロン、底部の幅Ｗ２は０．０９ミ
クロンであった（工程（ｃ））。続いてこの記録表面に
対して気相中で触刻・堆積を行った。ここでは装置に高
周波グロー放電装置ＣＳＥ−１１１０（日本真空技術
（株）製）を用い、チャンバーのカソード電極に設置し
た後、真空に排気した。続いて触刻性ガスとしてＣＦ₄
を５ｓｃｃｍ、堆積性ガスとしてＨ₂を０．５ｓｃｃｍ
流し、全ガス圧が１ｍｔｏｒｒとなるように排気量を調
節した。続いて１３．５６ＭＨｚの高周波を印加して、
グロー放電を行った。この結果被触刻部材１上に触刻
と、エネルギー線感応層２上に堆積が開始された。１．
５分の処理の後にそれぞれの反応結果を測定した。触刻
深さＥは４５ｎｍであり、堆積層４の厚みは２０ｎｍ
（０．０２ミクロン）であった。続いて寸法の計測を行
い、開口部の幅Ｗ３は０．０９ミクロン、底部の幅Ｗ４
は０．０５ミクロンであった。これらはエネルギー線感
応層２上の微細寸法Ｗ１、Ｗ２を下回っており、微細化
ができていた。またＷ３とＷ２は同じであり、またＷ４
＝Ｗ２−２Ｄの関係を満足していた（工程（ｄ））。言
い換えれば図３のモデルに従って、反応が進行したこと
が確認できた。最後に水蒸気を混合した酸素ガスプラズ
マによるアッシッグを行って、堆積層４を除去し、続い
てＮメチル−２−ピロリドンに浸漬して、エネルギー線
感応層２を剥離し、基体Ｃを完成させた。被触刻部材１
上に微細パターン３が刻まれており、寸法Ｗ３，Ｗ４も
工程（ｄ）と同じであることを確認した。続いてこの基
体Ｃをガラスマスターと見立てて、公知のスタンパー工
程により、スタンパーを製作した。そしてスタンパーか
ら、ポリカーボネート樹脂を用いて公知の射出成形する
ことによって、外径１３０ミリ、内径１５ミリ、厚み
０．６ミリのドーナツ状のディスク基板（図示せず）を
得た。この表面には微細パターン３が転写されており、
その寸法は工程（ｄ）と同じであった。次に、この基板
に記録層５と保護層６を形成した。記録層５は記録再生
型相変化記録膜ＧｅＳｂＴｅＮを、ＺｎＳ・ＳｉＯ誘電
体層でサンドイッチし、更に反射膜であるアルミ・チタ
ンを積層した構造とした。次に保護層６として紫外線硬
化樹脂であるＳＤ−１７００（大日本インキ化学工業
（株）製）を８ミクロン厚で形成した（図６）。このよ
うにして得た情報記録担体Ａに対し、公知のイニシャラ
イズ（初期化）を行って記録再生に供した。そして基板
側より、収束した緑レーザーを照射して信号の記録・再
生を行った。記録装置は波長５３２ｎｍ（ＳＨＧ光）、
レンズ開口数０．６であり、記録パワーは８ｍＷ、消去
パワーは３．５ｍＷ、再生パワーは１ｍＷであった。記
録信号は８−１６変調のランダム信号を使用し、最短マ
ーク長である３Ｔは０．３５ミクロンとした。この結
果、ＥＦＭプラスの信号が良好に再生でき、再生ジッタ
ーは７．９％と低ノイズ信号が得られた。これより再生
波長に見合ったディスクであることが確認できた。

【００５８】実施例６図２に従って、実施例６を説明する。外径２４０ミリ、
厚み６ミリの円盤状とした平板１０を用意した。ここで
は光学グレード並みの平坦度で作られた無アルカリガラ
スを用いた。この表面にはスパッタリング法を用い、光
学グレード並みの平坦度でクロムを形成することによっ
て６０ｎｍの被触刻部材１を形成した（工程（ａ））。
続いて被触刻部材１の表面にエネルギー線感応層２を形
成した。ここでは波長４００ｎｍ台の紫外線に感光し、
穴が形成される昇華型感光性樹脂を使用した（工程
（ｂ））。続いてエネルギー線感応層２に対して、４０
７ｎｍのエネルギー線（図示せず）を部分的に照射し
た。情報記録担体Ａに刻まれるべき微細パターン３０で
あり、ここでは螺旋状にグルーブを記録（ＤＣ記録）し
た。また螺旋の間隔（トラックピッチ）は０．５０ミク
ロンとした。この記録によって、感光と像形成が同時に
行われて、凹凸が得られた。この結果得られた凹凸は、
記録時の微細パターン３に対応しており、開口部の幅で
あるグルーブ幅Ｗ１は０．３３ミクロン、底部の幅Ｗ２
は０．２９ミクロンであった（工程（ｃ））。続いてこ
の記録表面に対して気相中で触刻・堆積を行った。ここ
では装置に高周波グロー放電装置ＣＳＥ−１１１０（日
本真空技術（株）製）を用い、チャンバーのカソード電
極に設置した後、真空に排気した。続いて触刻性ガスと
してＣＣｌ４を１００ｓｃｃｍ、堆積性ガスとしてＣＨ
４を３０ｓｃｃｍ流し、全ガス圧が８０ｍｔｏｒｒとな
るように排気量を調節した。続いて１３．５６ＭＨｚの
高周波を印加して、グロー放電を行った。この結果被触
刻部材１上に触刻と、エネルギー線感応層２上に堆積が
開始された。１．５分の処理の後にそれぞれの反応結果
を測定した。触刻深さＥは６０ｎｍであり、堆積層４の
厚みは９５ｎｍ（０．０９５ミクロン）であった。続い
て寸法の計測を行い、開口部の幅Ｗ３は０．２３ミクロ
ン、底部の幅Ｗ４は０．１０ミクロンであった。これら
はエネルギー線感応層２上の微細寸法Ｗ１、Ｗ２を下回
っており、微細化ができていた。またＷ３＜Ｗ２であ
り、またＷ４＝Ｗ２−２Ｄの関係を満足していた（工程
（ｄ））。言い換えれば図４のモデルに従って、反応が
進行したことが確認できた。最後に摂氏１２０度に加温
した硫酸、過酸化水素水混合液に浸漬して、堆積層４と
エネルギー線感応層２を同時に剥離し、基体Ｃを完成さ
せた。被触刻部材１に微細パターン３０が刻まれてお
り、寸法Ｗ３，Ｗ４も工程（ｄ）と同じであることを確
認した。

【００５９】実施例７図２に従って、実施例７を説明する。外径２００ミリ、
厚み６ミリの円盤状とした平板１０を用意した。ここで
は光学グレード並みの平坦度で作られたバリウム硼珪酸
ガラスを用いた。この表面にはスパッタリング法を用
い、光学グレード並みの平坦度で酸化シリコンを形成す
ることによって１６ｎｍの被触刻部材１を形成した（工
程（ａ））。続いて被触刻部材１の表面にエネルギー線
感応層２を形成した。ここでは波長３００ｎｍ台の紫外
線に感光するポジ型フォトレジスト、ＴＨＭＲ−ｉＰ３
６５０（東京応化工業（株）製）を使用した（工程
（ｂ））。続いてエネルギー線感応層２に対して、３２
５ｎｍのエネルギー線を部分的に照射した。情報記録担
体Ａに刻まれるべき微細パターン３０であり、ここでは
同芯円状にグルーブを記録（ＤＣ記録）した。また同芯
円の間隔（トラックピッチ）は０．４０ミクロンとし
た。この記録を施したエネルギー線感応層２に対してア
ルカリ水溶液である水酸化カリウム水溶液を塗布して、
現像処理を行った。この結果得られた凹凸は、記録時の
微細パターン３０に対応しており、開口部の幅であるグ
ルーブ幅Ｗ１は０．２０ミクロン、底部の幅Ｗ２は０．
１７ミクロンであった（工程（ｃ））。続いてこの記録
表面に対して気相中で触刻・堆積を行った。ここでは装
置に高周波グロー放電装置ＣＳＥ−１１１０（日本真空
技術（株）製）を用い、チャンバーのカソード電極に設
置した後、真空に排気した。続いて触刻性と堆積性を兼
ね備えたガスとしてＣＨ２Ｆ２を２０ｓｃｃｍ流し、全
ガス圧が１５ｍｔｏｒｒとなるように排気量を調節し
た。続いて１３．５６ＭＨｚの高周波を印加して、グロ
ー放電を行った。この結果被触刻部材１上に触刻と、エ
ネルギー線感応層２上に堆積が開始された。０．３分の
処理の後にそれぞれの反応結果を測定した。触刻深さＥ
は１８ｎｍであり、堆積層４の厚みは３５ｎｍ（０．０
３５ミクロン）であった。続いて寸法の計測を行い、開
口部の幅Ｗ３は０．１３ミクロン、底部の幅Ｗ４は０．
１０ミクロンであった。これらはエネルギー線感応層２
上の微細寸法Ｗ１、Ｗ２を下回っており、微細化ができ
ていた。またＷ３＜Ｗ２であり、またＷ４＝Ｗ２−２Ｄ
の関係を満足していた（工程（ｄ））。言い換えれば図
４のモデルに従って、反応が進行したことが確認でき
た。最後に摂氏１１０度に加温した硫酸、過酸化水素水
混合液に浸漬して、堆積層４とエネルギー線感応層２を
同時に剥離し、基体Ｃを完成させた。被触刻部材１に微
細パターン３０が刻まれており、寸法Ｗ３，Ｗ４も工程
（ｄ）と同じであることを確認した。

【００６０】実施例８図２に従って、実施例８を説明する。外径２４０ミリ、
厚み１０ミリの円盤状とした平板１０を用意した。ここ
では光学グレード並みの平坦度で作られたアルミニウム
を用いた。この表面にはスパッタリング法を用い、光学
グレード並みの平坦度でモリブデンシリサイドを形成す
ることによって２５ｎｍの被触刻部材１を形成した（工
程（ａ））。続いて被触刻部材１の表面にエネルギー線
感応層２を形成した。ここでは電子線に露光するポジ型
フォトレジスト、ＺＥＰ１００（日本ゼオン（株）製）
を使用した（工程（ｂ））。続いてエネルギー線感応層
２に対して、電子線を部分的に照射した。情報記録担体
Ａに刻まれるべき微細パターン３０であり、ここでは螺
旋状にグルーブを記録（ＤＣ記録）した。また螺旋の間
隔（トラックピッチ）は０．２０ミクロンとした。この
記録を施したエネルギー線感応層２に対してアルカリ水
溶液である水酸化ナトリウム水溶液を塗布して、現像処
理を行った。この結果得られた凹凸は、記録時の微細パ
ターン３０に対応しており、開口部の幅であるグルーブ
幅Ｗ１は０．１０ミクロン、底部の幅Ｗ２は０．０７ミ
クロンであった（工程（ｃ））。続いてこの記録表面に
対して気相中で触刻・堆積を行った。ここでは装置に高
周波グロー放電装置ＣＳＥ−１１１０（日本真空技術
（株）製）を用い、チャンバーのカソード電極に設置し
た後、真空に排気した。続いて触刻性と堆積性を兼ね備
えたガスとしてＣＨＦ３を５ｓｃｃｍ流し、全ガス圧が
５ｍｔｏｒｒとなるように排気量を調節した。続いて１
３．５６ＭＨｚの高周波を印加して、グロー放電を行っ
た。この結果被触刻部材１上に触刻と、エネルギー線感
応層２上に堆積が開始された。０．２分の処理の後にそ
れぞれの反応結果を測定した。触刻深さＥは２５ｎｍで
あり、堆積層４の厚みは５０ｎｍ（０．０５０ミクロ
ン）であった。続いて寸法の計測を行い、開口部の幅Ｗ
３は０．０７ミクロン、底部の幅Ｗ４は０．０６ミクロ
ンであった。これらはエネルギー線感応層２上の微細寸
法Ｗ１、Ｗ２を下回っており、微細化ができていた。ま
たＷ３とＷ２はほぼ同じであり、またＷ４＝Ｗ２−２Ｄ
の関係を満足していた（工程（ｄ））。言い換えれば図
３のモデルに従って、反応が進行したことが確認でき
た。最後に酸素ガスプラズマによるアッシングを行っ
て、堆積層４とエネルギー線感応層２を同時に剥離し、
基体Ｃを完成させた。被触刻部材１に微細パターン３０
が刻まれており、寸法Ｗ３，Ｗ４も工程（ｄ）と同じで
あることを確認した。

【００６１】以上の如く、本発明なる触刻と同時に堆積
を行う加工方法では、いずれも記録した微細パターン
（開口部の幅Ｗ１，底部の幅Ｗ２）を下回る加工寸法で
底部の幅Ｗ４が出来上がっており、本発明の効果が明瞭
であった。

【００６２】以上、本発明の情報記録担体用基体を用い
た情報記録担体複製用原盤及びこれらから形成される情
報記録担体について縷々説明を行ってきた。本発明はこ
れら実施例に記載した内容に限定されるものではなく、
本発明の要点を損なわないものであれば、種々改変が可
能である。例えば各構成材料や寸法は、必要に応じ随時
変更することができる。

【００６３】例えば情報記録担体Ａの形状はディスク状
に限らず、カード状やテープ状であってもよい。また情
報記録担体用基体Ｂ、Ｃにはピットやグルーブ以外に、
認証マーク、ホログラム画像、バーコードなどが刻まれ
てあってもよい。

【００６４】次に使用する材料について補足する。記録
層５は再生専用型の場合、アルミニウム、金、銀、タン
タル、チタン以外に、銅、クロム、ニッケル、シリコ
ン、モリブデン、鉄、亜鉛、ガリウム、砒素、硫黄など
の金属又はその合金（合金とは酸化物、窒化物、炭化物
の例を含む）を用いることができる。屈折率の異なる膜
を複数積層して干渉効果を持たせて使用してもよいもの
である。

【００６５】また記録型の場合、これら記録層は公知の
記録材料に置き換えることができる。例えば繰り返し書
き換え可能な光磁気記録としては、テルビウム、コバル
ト、鉄、ガドリニウム以外に、ネオジム、ジスプロシウ
ム、ビスマス、パラジウム、サマリウム、ホルミウム、
プロセオジム、パラジウム、エルビウム、イッテルビウ
ム、ルテチウム、錫、マンガン、チタン、クロムなどの
合金（合金とは酸化物、窒化物、炭化物の例を含む）を
用いることができ、特に遷移金属と希土類の合金で構成
するのが好適である。またコバルトと白金の交互積層膜
を用いて光磁気記録層としてもよい。

【００６６】また、繰り返し書き換え可能な相変化記録
としては、ゲルマニウム、アンチモン、テルル以外にイ
ンジウム、セレン、白金、金、銀、銅、錫、硫黄、砒
素、ガリウムなどの合金（合金とは酸化物、窒化物、炭
化物の例を含む）を用いることができる。インジウム合
金とテルル合金の積層膜を用いて相変化記録層としても
よい。

【００６７】更に、１回のみ書き込める追記型相変化記
録としては、テルル、ビスマスなどの低融点金属や合金
（合金とは酸化物、窒化物、炭化物の例を含む）を用い
ることができる。

【００６８】更にまた、１回のみ書き込める追記型色素
記録としては、シアニン色素、フタロシアニン色素、ナ
フタロシアニン色素、アゾ色素、ナフトキノン色素、フ
ルギド色素、ポリメチン色素、アクリジン色素などを用
いることができる。

【００６９】なお、これら光磁気記録層、相変化記録
層、追記型相変化記録層、追記型色素記録層に再生出力
向上の目的で、光学干渉膜（ＳｉＮ、ＳｉＯ、ＺｎＳ、
ＺｎＳＳｉＯ、ＡｌＯ、ＭｇＦ、ＩｎＯ、ＺｒＯなど）
や光反射膜（アルミニウム、金など）を併用して積層し
てもよい。また、高密度記録再生を行うために、公知の
超解像マスク膜やコントラスト増強膜を併用して積層し
ても良い。

【００７０】保護層６としては紫外線硬化樹脂やアクリ
ルシートを使用したが、これに限定されず、可視光を含
む各種放射線硬化樹脂や電子線硬化樹脂、熱硬化樹脂、
湿気硬化樹脂、複数液混合硬化樹脂、アセテートシー
ト、ポリカーボネートシートなどを用いてもよい。また
必要に応じ保護層６の上に印刷やシール等による内容表
示を施してもよい。

【００７１】

【発明の効果】以上説明したように本発明は、触刻と同
時に堆積を行う加工方法を提供し、エネルギー線感応層
上の微細トラックパターンのトラック幅よりも狭いトラ
ック幅のトラックパターンを被触刻部材上に形成するこ
とができる。また、これにより形成された情報記録担体
用基体を用いることによって、情報記録担体の高密度、
大容量化を行うことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の情報記録担体用基体の製造方法を説明
するための図である。

【図２】本発明の情報記録担体用基体の製造方法を説明
するための図である。

【図３】本発明の情報記録担体用基体の製造方法の要部
である、触刻及び堆積工程を説明するための図である。

【図４】本発明の情報記録担体用基体の製造方法の要部
である、触刻及び堆積工程を説明するための図である。

【図５】従来の情報記録担体用基体の製造方法を説明す
るための図である。

【図６】情報記録担体の積層構造を説明するための図で
ある。

【符号の説明】

１被触刻部材１ａ，２ａ露光部分２エネルギー線感応層４堆積層３０トラックパターンＤ厚さＥ深さＷ１〜Ｗ４幅

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】被触刻部材上に形成したエネルギー線感
応層上に、エネルギー線を照射して、所定の微細トラッ
クパターンに応じて、前記エネルギー線感応層を露光す
る第１工程と、次に、露光部分又は未露光部分の前記エネルギー線感応
層を除去して、下層に位置する前記被触刻部材を、前記
微細トラックパターンのトラック幅で露出する第２工程
と、次に、前記被触刻部材の露出部分を所定の深さに触刻す
ると同時に、前記エネルギー線感応層上に所定の厚さの
堆積層を形成する第３工程と、次に、前記エネルギー線感応層及び前記堆積層を除去す
る第４工程とを備え、前記第３工程における触刻速度と堆積速度との比を調整
して、前記被触刻部材上に、前記所定の微細トラックパ
ターンのトラック幅よりも狭いトラック幅のトラックパ
ターンを形成することを特徴とする情報記録担体用基体
の製造方法。
【請求項２】前記第３工程が、真空装置中で特定の反応
環境条件の下、特定の反応材料中でグロー放電すること
によって、触刻と同時に堆積を行う工程であることを特
徴とする請求項１に記載の情報記録担体用基体の製造方
法。
【請求項３】前記特定の反応環境条件が、１〜５００ｍ
ｔｏｒｒのガス圧であることを特徴とする請求項２に記
載の情報記録担体用基体の製造方法。
【請求項４】前記特定の反応材料が、フッ素または塩素
または臭素を含むガスと水素を含むガスを混合又は化合
したガスとしたことを特徴とする請求項２又は請求項３
に記載の情報記録担体用基体の製造方法。
【請求項５】請求項１乃至請求項４いずれかに記載の情
報記録担体用基体の製造方法によって製造された情報記
録担体用基体であって、前記被触刻部材上に形成されている前記トラックパター
ンは、前記所定の微細トラックパターンのトラック幅よ
りも狭いトラック幅を有することを特徴とする情報記録
担体用基体。