JPH02192048A - Magneto-optical recording medium - Google Patents
Magneto-optical recording mediumInfo
- Publication number
- JPH02192048A JPH02192048A JP1269309A JP26930989A JPH02192048A JP H02192048 A JPH02192048 A JP H02192048A JP 1269309 A JP1269309 A JP 1269309A JP 26930989 A JP26930989 A JP 26930989A JP H02192048 A JPH02192048 A JP H02192048A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- magneto
- optical recording
- atomic
- alloy
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 30
- 229910000808 amorphous metal alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 claims abstract description 10
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 7
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 106
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 32
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052775 Thulium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 abstract description 17
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 abstract description 17
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 5
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 39
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 29
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 29
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 25
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 19
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 19
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 18
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 17
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 15
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 14
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 11
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 10
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 9
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 description 8
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 7
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 7
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910000640 Fe alloy Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 6
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000010301 surface-oxidation reaction Methods 0.000 description 5
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 4
- 229910001256 stainless steel alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 4
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052689 Holmium Inorganic materials 0.000 description 3
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910000978 Pb alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 3
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052692 Dysprosium Inorganic materials 0.000 description 2
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 description 2
- 229910017061 Fe Co Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 2
- 230000008033 biological extinction Effects 0.000 description 2
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 2
- 230000005381 magnetic domain Effects 0.000 description 2
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 2
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 2
- -1 polyethersulfophones Polymers 0.000 description 2
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001152 Bi alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000531 Co alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000599 Cr alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910019589 Cr—Fe Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002482 Cu–Ni Inorganic materials 0.000 description 1
- 102100026810 Cyclin-dependent kinase 7 Human genes 0.000 description 1
- VTLYFUHAOXGGBS-UHFFFAOYSA-N Fe3+ Chemical compound [Fe+3] VTLYFUHAOXGGBS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910017112 Fe—C Inorganic materials 0.000 description 1
- 101000911952 Homo sapiens Cyclin-dependent kinase 7 Proteins 0.000 description 1
- 229910001182 Mo alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018054 Ni-Cu Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018481 Ni—Cu Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- 229910052777 Praseodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002837 PtCo Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001215 Te alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007792 addition Methods 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000000921 elemental analysis Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N gadolinium atom Chemical compound [Gd] UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- MHIGBKBJSQVXNH-IWVLMIASSA-N methacycline Chemical compound C=C([C@H]1[C@@H]2O)C3=CC=CC(O)=C3C(=O)C1=C(O)[C@@]1(O)[C@@H]2[C@H](N(C)C)C(O)=C(C(N)=O)C1=O MHIGBKBJSQVXNH-IWVLMIASSA-N 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 229910052699 polonium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 229920002492 poly(sulfone) Polymers 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920001601 polyetherimide Polymers 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 229910052702 rhenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000013077 target material Substances 0.000 description 1
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 description 1
- GZCRRIHWUXGPOV-UHFFFAOYSA-N terbium atom Chemical compound [Tb] GZCRRIHWUXGPOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XBFJAVXCNXDMBH-UHFFFAOYSA-N tetracyclo[6.2.1.1(3,6).0(2,7)]dodec-4-ene Chemical compound C1C(C23)C=CC1C3C1CC2CC1 XBFJAVXCNXDMBH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
発明の技術分野
本発明は、光磁気記録媒体に関し、さらに詳しくは、優
れた耐酸化性を有するとともに、エンハンス膜を薄く形
成することが可能であって、基板に反りが生じたり、膜
剥離が生じたりすることがなく、生産性に優れた光磁気
記録媒体に関する。Detailed Description of the Invention Technical Field of the Invention The present invention relates to a magneto-optical recording medium, and more particularly, it has excellent oxidation resistance, can form an enhancement film thinly, and is capable of preventing warpage on a substrate. The present invention relates to a magneto-optical recording medium that does not cause cracking or film peeling and has excellent productivity.
発明の技術的背景
鉄、コバルトなどの遷移金属と、テルビウム（Ｔｂ）、
ガドリニウム（Ｇｄ）などの希土類元素との合金からな
る非晶質薄膜は、膜面と垂直な方向に磁化容易軸を有し
、一方向に全面磁化された膜面にこの全面磁化方向とは
逆向きの小−さな反転磁区を形成することができること
が知られている。Technical background of the invention Transition metals such as iron and cobalt, terbium (Tb),
An amorphous thin film made of an alloy with rare earth elements such as gadolinium (Gd) has an axis of easy magnetization perpendicular to the film surface, and a film surface that is entirely magnetized in one direction has an axis of easy magnetization that is opposite to this direction of magnetization. It is known that it is possible to form magnetic domains with small orientation reversals.
この反転磁区の有無を「１」、「０」に対応させること
によって、上記のような非晶質薄膜にデジタル信号を記
録させることが可能となる。By associating the presence or absence of this inverted magnetic domain with "1" and "0", it becomes possible to record digital signals on the amorphous thin film as described above.
このような光磁気記録媒体として用いられる遷移金属と
希土類元素とからなる非晶質薄膜としては、たとえば特
公昭５７−２０６９１号公報に１５〜３０原子％のＴｂ
を含むＴ ｂ−Ｆ ｅ系合金非晶質薄膜が開示されてい
る。またＴ ｂ−Ｆ ｅに第３の金属を添加してなる合
金非晶質薄膜も光磁気記録媒体として用いられている。For example, Japanese Patent Publication No. 57-20691 discloses an amorphous thin film made of a transition metal and a rare earth element used as such a magneto-optical recording medium.
An amorphous thin film of a Tb-Fe based alloy is disclosed. Also, an alloy amorphous thin film made by adding a third metal to Tb-Fe is also used as a magneto-optical recording medium.
さらにＴｂ−Ｃｏ系、Ｔ ｂ−Ｆ ｅ−Ｃｏ系などの光
磁気記録媒体も知られている。Furthermore, magneto-optical recording media such as Tb-Co and Tb-Fe-Co are also known.
これらの合金非晶質薄膜からなる光磁気記録媒体は、優
れた記録再生特性を有しているが、使用時にこの非晶質
薄膜は酸化を受けてその特性が経時的に変化してしまう
という実用上の大きな問題点があった。Magneto-optical recording media made of these alloy amorphous thin films have excellent recording and reproducing properties, but during use, these amorphous thin films undergo oxidation and their properties change over time. There were major practical problems.
このような遷移金属と希土類元素とを含む合金非晶質薄
膜からなる光磁気記録媒体の酸化劣化のメカニズムは、
たとえば日本応用磁気学会誌第９巻、Ｎｏ、２、第９３
〜９６頁で検討されており、以下のような３つのタイプ
があることが報告されている。The mechanism of oxidative deterioration of magneto-optical recording media made of alloyed amorphous thin films containing transition metals and rare earth elements is as follows.
For example, Journal of the Japanese Society of Applied Magnetics, Vol. 9, No. 2, No. 93.
It has been discussed on pages 96 to 96, and it has been reported that there are three types as shown below.
イ）孔食
孔食とは合金非晶質薄膜にピンホールが発生することを
意味するが、この腐食は、主として高湿雰囲気下で進行
し、たとえばＴ ｂ−Ｆ ｅ系、ＴｂＣｏ系などで著し
く進行する。b) Pitting Pitting corrosion refers to the formation of pinholes in an amorphous thin film of an alloy. This corrosion mainly progresses in a high humidity atmosphere, and for example, in Tb-Fe, TbCo, etc. progresses significantly.
口）表面酸化
合金非晶質薄膜に表面酸化層が形成され、カー回転角θ
ｋが経時的に変化し、ついにはカー回転角θｋが減少し
てしまう。) A surface oxidation layer is formed on the amorphous thin film of the surface oxidation alloy, and the Kerr rotation angle θ
k changes over time, and the Kerr rotation angle θk eventually decreases.
ハ）希土類金属の選択酸化
合金非晶質薄膜中の希土類金属が選択的に酸化され、保
磁力Ｈｃが経時的に大きく変化してしまう。c) Selective oxidation of rare earth metal The rare earth metal in the alloy amorphous thin film is selectively oxidized, and the coercive force Hc changes significantly over time.
上記のような合金非晶質薄膜の酸化劣化を防止するため
、従来、種々の方法が試みられている。In order to prevent the oxidative deterioration of alloy amorphous thin films as described above, various methods have been tried in the past.
たとえば、合金非晶質薄膜上に、５１３Ｎ４、ＳｉＯ，
ＳｉＯｓＡｊ＋Ｎなどの酸化防止保護膜を設けてなる光
磁気記録媒体が検討されている。For example, 513N4, SiO,
Magneto-optical recording media provided with an oxidation-preventing protective film such as SiOsAj+N are being considered.
ところがこの酸化防止保護膜は高価であるとともに形成
するのに手間がかかり、またこの保護膜を形成しても必
ずしも合金非晶質薄膜の酸化劣化を充分には防止するこ
とができないという問題点があった。However, this oxidation-preventing protective film is expensive and time-consuming to form, and even if this protective film is formed, it is not always possible to sufficiently prevent oxidative deterioration of the amorphous alloy thin film. there were.
また、Ｔｂ−Ｆｅ系、Ｔｂ−Ｃｏ系などの合金非晶質薄
膜中に、この薄膜の耐酸化性を向上させるために、第３
の金属を添加する方法が種々試みられている。In addition, in order to improve the oxidation resistance of the thin film, a third layer is added to the amorphous thin film of alloys such as Tb-Fe and Tb-Co.
Various methods of adding metals have been attempted.
たとえば上述した日本応用磁気学会誌では、Ｔｂ−Ｆｅ
あるいはＴｂ−Ｃｏに、Ｃｏ −、Ｎ ｉ Ｎ Ｐ ｌ
。For example, in the journal of the Japanese Society of Applied Magnetics mentioned above, Tb-Fe
Or Tb-Co, Co −, N i N P l
.
ＡＩ、Ｃｒ 、Ｔｉなどの第３金属を３．５原子％まで
の量で添加することによって、Ｔｂ−Ｆｅ系あるいはＴ
ｂ−Ｃｏ系の合金非晶質薄膜の耐酸化性を向上させる
試みがなされている。そしてＴｂ−ＦｅあるいはＴｂ−
ＣｏにＣｏ 、Ｎｉ ＰＩを少量添加した場合には、
表面酸化の防止および孔食の防止には有効であるが、こ
の合金非晶質薄膜中の布上類金属であるＴｂの選択酸化
の防止には効果がないと報告されている。このことは、
Ｔｂ−ＦｅあるいはＴｂ−Ｃｏに少量のＣ０１Ｎｉ、％
Ｐｔを添加した場合には、得られる合金非晶質薄膜では
、Ｔｂが選択酸化されてしまい、保磁力Ｈｃが経時的に
大きく変化してしまうことを意味している。したかって
Ｔｂ−ＦｅあるいはＴｂ−Ｃｏに３．５原子％までの少
量のＣｏ、Ｎｉ、Ｐｊを添加しても、得られる合金非晶
質薄膜の耐酸化性は充分には改善されていない。By adding a third metal such as AI, Cr, Ti in an amount up to 3.5 at%, Tb-Fe system or T
Attempts have been made to improve the oxidation resistance of b-Co alloy amorphous thin films. and Tb-Fe or Tb-
When a small amount of Co and Ni PI are added to Co,
Although it is effective in preventing surface oxidation and pitting corrosion, it is reported that it is not effective in preventing selective oxidation of Tb, which is a metal on the fabric, in the amorphous thin film of this alloy. This means that
A small amount of C01Ni,% in Tb-Fe or Tb-Co
When Pt is added, Tb is selectively oxidized in the resulting amorphous alloy thin film, which means that the coercive force Hc changes significantly over time. Therefore, even if a small amount of up to 3.5 atomic % of Co, Ni, or Pj is added to Tb--Fe or Tb--Co, the oxidation resistance of the resulting alloy amorphous thin film is not sufficiently improved.
また第９回日本応用磁気学会学術講演概要集（１９８５
年１１月）の第２０９頁には、やはり合金非晶質薄膜の
耐酸化性を向上させる目的で、Ｔｂ−ＦｅあるいはＴ
ｂ−Ｆ ｅ−Ｃｏに、ＰＩＳＡＡ。Also, the 9th Academic Lecture Summary of the Japanese Society of Applied Magnetics (1985)
(November 2012), page 209, there is a study of Tb-Fe or T
PISAA to b-F e-Co.
Ｃｔ、Ｔｉを１０原子％までの量で添加してなる合金非
晶質薄膜が教示されている。ところがＴｂ−Ｆｅあるい
はＴ ｂ−Ｆ ｅ−Ｃｏに１０原子％までの量のＰｔ
、ＡＡ、Ｃｒ ＳＴｉを添加しても、表面酸化および孔
食はかなり効果的に防止できるものの、得られる合金非
晶質薄膜中のＴｂの選択酸化に対する酸化防止性は充分
ではなく、やはり時間の経過とともに保磁力Ｈｃが大き
く変化し、ついには保磁力Ｈｃが大きく低下してしまう
という問題点は依然としてあった。Alloy amorphous thin films with additions of Ct and Ti in amounts up to 10 atomic percent have been taught. However, if up to 10 atomic % of Pt is added to Tb-Fe or Tb-Fe-Co,
, AA, Cr Although surface oxidation and pitting corrosion can be prevented quite effectively by adding STi, the oxidation prevention property against selective oxidation of Tb in the resulting alloy amorphous thin film is not sufficient, and it still takes time. There still remained the problem that the coercive force Hc changed greatly over time, and eventually the coercive force Hc significantly decreased.
さらにまた、特開昭５８−７８０６号公報には、Ｐｔ
Ｃｏなる組成を有し、Ｐｔが１０〜３ｏ原子％の量で含
まれている多結晶薄膜からなる磁気薄膜材料が開示され
ている。Furthermore, in JP-A-58-7806, Pt
A magnetic thin film material comprising a polycrystalline thin film having a composition of Co and containing Pt in an amount of 10 to 30 at.% is disclosed.
ところがこのＰｔ Ｃｏなる組成を有する多結晶薄膜は
、多結晶であるため、成膜後にアニール処理などの熱処
理が必要であり、また結晶間の粒界部分がノイズ信号と
して発生することがあり、さらにこの多結晶薄膜はキュ
リー点が高いという問題点があった。However, since this polycrystalline thin film with a composition of PtCo is polycrystalline, it requires heat treatment such as annealing after film formation, and the grain boundaries between crystals may generate noise signals. This polycrystalline thin film had a problem in that it had a high Curie point.
このような問題点を解決するため、本発明者らは、特願
昭６２−９４７９９号において、（ｉ）ＦｅまたはＧｏ
などの３ｄ遷移金属から選ばれる少なくとも１種と、（
ｉｉ）ＰｔまたはＰｄなどの耐腐食性金属と、（ｉｉｉ
）希土類から選ばれる少なくとも１種の元素とからな
る、膜面に垂直な磁化容易軸を有する非晶質合金薄膜を
提案した。In order to solve these problems, the present inventors proposed (i) Fe or Go in Japanese Patent Application No. 62-94799.
At least one kind selected from 3d transition metals such as (
ii) a corrosion-resistant metal such as Pt or Pd; and (iii
) proposed an amorphous alloy thin film having an axis of easy magnetization perpendicular to the film surface, which is composed of at least one element selected from rare earths.
この非晶質合金薄膜は、耐酸化性に優れているため、膜
厚を薄くすることができ、反りあるいは膜割れが生じに
くい光磁気記録媒体を得ることができる。Since this amorphous alloy thin film has excellent oxidation resistance, the film thickness can be reduced, and a magneto-optical recording medium that is less likely to warp or crack can be obtained.
ところで上記のような耐酸化性に優れ、膜厚を薄くする
ことができる非晶質合金薄膜からなる光磁気記録膜と、
基板との間に従来公知の５１３Ｎ４などのエンハンス膜
を設けて光磁気記録媒体は、充分なエンハンス効果を得
るためには、エンハンス膜を８５０Å以上の膜厚で設け
なければならず、このため基板に反りが生じたり、膜剥
離が生じたりしやすく、また生産性の面で劣ってしまう
という問題点があることが、本発明者らによって見出さ
れた。By the way, a magneto-optical recording film made of an amorphous alloy thin film that has excellent oxidation resistance and can be made thin as described above,
In magneto-optical recording media in which a conventionally known enhancement film such as 513N4 is provided between the substrate and the substrate, in order to obtain a sufficient enhancement effect, the enhancement film must be provided with a thickness of 850 Å or more. The present inventors have discovered that there are problems in that the film tends to warp or peel, and the productivity is poor.
本発明者らは、上記のような点に鑑みて鋭意研究したと
ころ、基板と光磁気記録媒体との間に特定の組成を有す
る窒化ケイ素からなるエンハンス膜を設ければ、上記の
問題点が一挙に解決することを見出して本発明を完成す
るに至った。In view of the above points, the present inventors conducted intensive research and found that the above problems can be solved by providing an enhancement film made of silicon nitride having a specific composition between the substrate and the magneto-optical recording medium. The present invention was completed by finding a solution to the problem at once.
発明の目的
本発明は、上記のような点に鑑みて完成されたものであ
って、耐酸化性に優れた光磁気記録膜を有するとともに
、エンハンス膜を薄く形成することが可能であって、基
板に反りが生じたり、膜剥離が生じたりすることがなく
、生産性に優れた光磁気記録媒体を提供することを目的
としている。Purpose of the Invention The present invention has been completed in view of the above points, and has a magneto-optical recording film with excellent oxidation resistance, and is capable of forming a thin enhancement film. It is an object of the present invention to provide a magneto-optical recording medium that does not cause warping of the substrate or peeling of the film and has excellent productivity.
発明の概要
本発明に係る光磁気記録媒体は、基板上に、少なくとも
（Ｉ）エンハンス膜と（ＩＩ）光磁気記録膜とを有する
光磁気記録媒体において、（Ｉ）エンハンス膜は、屈折
率ｎが１．９以上であるＳｉＮ （ただしＱ＜ｘ＜１
．３３）で表わされる窒化ケイ素膜からなり、
（ＩＩ）光磁気記録膜は、
［Ｐｄ ＰＩ ］ ［ＲＥ ＴＭ ］
ａ ｌａ ｙ Ｘ ＬＸ １−ｙ（
式中、ＲＥは少なくとも５０原子％以上がＴｂおよび／
またはＤ！であり、残部がＮｄ 、 Ｇｄ 。Summary of the Invention A magneto-optical recording medium according to the present invention has at least (I) an enhancement film and (II) a magneto-optical recording film on a substrate, wherein the (I) enhancement film has a refractive index n. is 1.9 or more (however, Q<x<1
．． (II) The magneto-optical recording film is composed of a silicon nitride film represented by [33] [Pd PI ] [RE TM ]
a la y X LX 1-y(
In the formula, RE is at least 50 atomic % or more of Tb and/or
Or D! and the remainder is Nd and Gd.
Ｃｅ Ｅｕ、Ｐｒ、ＨＯＴｍ５５ｍであり、ＴＭはＦ
ｅおよび／またはＣｏであり、０≦ａ≦１．０．２＜ｘ
＜０．７．０．０５≦ｙ≦０．３である）で表わされる
膜面に垂直な磁化容易軸を有する非晶質合金薄膜からな
ることを特徴としている。Ce Eu, Pr, HOTm55m, TM is F
e and/or Co, and 0≦a≦1.0.2<x
<0.7.
本発明に係る光磁気記録媒体は、基板上に、少なくとも
（Ｉ）エンハンス膜と（ＩＩ）光磁気記録膜とを有し、
この（Ｉ）エンハンス膜は特定組成の窒化ケイ素からな
り、また（ＩＩ）光磁気記録膜も特定の組成を有してい
るので、耐酸化性に優れた光磁気記録膜を有するととも
に、エンハンス膜を薄く形成することが可能であって、
基板に反りが生じたり、膜剥離が生じたりすることがな
く、生産性に優れている。The magneto-optical recording medium according to the present invention has at least (I) an enhancement film and (II) a magneto-optical recording film on a substrate,
This (I) enhancement film is made of silicon nitride with a specific composition, and (II) the magneto-optical recording film also has a specific composition. It is possible to form a thin layer,
There is no warping of the substrate or peeling of the film, and the productivity is excellent.
発明の詳細な説明
以下本発明に係る光磁気記録媒体について具体的に説明
する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The magneto-optical recording medium according to the present invention will be specifically described below.
本発明に係る光磁気記録媒体１は、第１図に断面図を示
すように、透明基板などの基板２上に、エンハンス膜３
と光磁気記録膜４とがこの順序で積層された構成を有し
ている。As shown in the cross-sectional view of FIG. 1, the magneto-optical recording medium 1 according to the present invention has an enhancement film 3 on a substrate 2 such as a transparent substrate.
and magneto-optical recording film 4 are laminated in this order.
また第２図に示すように、光磁気記録膜４上に、反射膜
５が設けられた構造を有していてもよい。Further, as shown in FIG. 2, a structure may be provided in which a reflective film 5 is provided on the magneto-optical recording film 4.
基板２は、透明基板であることが好ましく、具体的には
ガラスやアルミニウム等の無機材料の他に、ポリメチル
メタクリレート、ポリカーボネート、ポリカーボネート
とポリスチレンのポリマーアロイ、米国特許第４６１４
７７８号明細書に示されるような非晶質ポリオレフィン
、ポリ４−メチル−１−ペンテン、エポキシ樹脂、ポリ
エーテルサルホフォン、ポリサルフォン、ポリエーテル
イミド、エチレン・テトラシクロドデセン共重合体等の
有機材料を使用できる。The substrate 2 is preferably a transparent substrate, and specifically, in addition to inorganic materials such as glass and aluminum, polymethyl methacrylate, polycarbonate, a polymer alloy of polycarbonate and polystyrene, and US Pat. No. 4614
Organic materials such as amorphous polyolefins, poly4-methyl-1-pentene, epoxy resins, polyethersulfophones, polysulfones, polyetherimides, and ethylene-tetracyclododecene copolymers as shown in No. 778 can be used.
このような基板２上に、エンハンス膜３が設けられてい
る。An enhancement film 3 is provided on such a substrate 2.
このエンハンス膜は、ＳｉＮ （ただし０＜ｘ＜１．
３３好ましくは０．５＜ｘ＜１．３３さらに好ましくは
０．７＜ｘ＜１．３）なる組成を有しており、その屈折
率ｎは１．９以上好ましくは２．０〜３．６であり、さ
らに好ましくは２．１〜３．０であり、特に好ましくは
２．２〜２．７である。このＸ値はＥＳＣ’Ａで元素分
析することにより求めた。エンハンス膜３の屈折率ｎが
１．９以上であると、エンハンス膜の膜厚を薄くでき、
このため基板に反りや膜剥離が生じないだけでなく、ま
た生産性もあるため好ましい。This enhancement film is made of SiN (where 0<x<1.
33, preferably 0.5<x<1.33, more preferably 0.7<x<1.3), and its refractive index n is 1.9 or more, preferably 2.0-3. 6, more preferably 2.1 to 3.0, particularly preferably 2.2 to 2.7. This X value was determined by elemental analysis using ESC'A. When the refractive index n of the enhancement film 3 is 1.9 or more, the thickness of the enhancement film can be reduced,
This is preferable because not only does the substrate not warp or peel off, but it also improves productivity.
上記のようなエンハンス膜３の膜厚は、８００人未満好
ましくは７００人未満さらに好ましくは６５０人未満特
に好ましくは３００〜６５０人であることが望ましい。The thickness of the enhancement film 3 as described above is preferably less than 800, preferably less than 700, more preferably less than 650, particularly preferably 300 to 650.
このようなエンハンス膜３は、ターゲットとしてＳｉ３
Ｎ４およびＳｌを用い、この両者を同時にスパッタリン
グすることにより、基板２上に成膜することができる。Such an enhancement film 3 uses Si3 as a target.
A film can be formed on the substrate 2 by using N4 and Sl and sputtering both at the same time.
本発明に係る光磁気記録媒体１は、上記のようなＳｉ
Ｎ （０＜ｘ＜１．３３）なる組成を有し、屈折率が
１．９以上であるエンハンス膜３を有しているため、エ
ンハンス膜を薄（形成することができ、このため基板に
反りが生じたり、膜剥離が生じたりすることがなく、し
たがって生産性にも優れている。The magneto-optical recording medium 1 according to the present invention is made of Si as described above.
Since the enhancement film 3 has a composition of There is no warpage or film peeling, and therefore productivity is excellent.
本発明に係る光磁気記録媒体１は、上記のようなエンハ
ンス膜３上に、膜面に垂直な磁化容易軸を有する光磁気
記録膜４を有している。The magneto-optical recording medium 1 according to the present invention has a magneto-optical recording film 4 having an axis of easy magnetization perpendicular to the film surface on the enhancement film 3 as described above.
この光磁気記録膜４は、
［Ｐｄ Ｐｔ ］ ［ＲＥ ＴＭ ］ａ
ｌａ ｙ Ｘ ｌ−ｘ １−ｙ・
・・［１］
（式中、ＲＥは少なくとも５０原子％以上がＴｂおよび
／またはＤＹであり、残部がＮｄ 、 Ｇｄ 。This magneto-optical recording film 4 is made of [Pd Pt ] [RE TM ] a
la y X l-x 1-y・
... [1] (In the formula, at least 50 atomic % or more of RE is Tb and/or DY, and the remainder is Nd or Gd.
Ｃｅ５Ｅｕ、Ｐｒ、Ｈｏ、Ｓｍであり、ＴＭはＦｅおよ
び／またはＣＯであり、０≦ａ≦１．０．２＜ｘ＜０．
７．０．０５≦ｙ≦０．３である）で表わされる。Ce5Eu, Pr, Ho, Sm, TM is Fe and/or CO, 0≦a≦1.0.2<x<0.
7.0.05≦y≦0.3).
さらに本発明で用いられる特に好ましい膜面に垂直な磁
化容易軸を有する光磁気記録膜は、上記式において０．
２５＜ｘ＜０．６であり、ＲＥの少なくとも８０原子％
以上好ましくは９ｏ原子％以上がＴｂであり、残部がＤ
Ｖ 、 Ｎｄ 、 Ｇｄ 。Furthermore, a particularly preferable magneto-optical recording film used in the present invention having an axis of easy magnetization perpendicular to the film surface is 0.
25<x<0.6 and at least 80 atom % of RE
Preferably, 90 atomic % or more is Tb, and the remainder is D.
V, Nd, Gd.
Ｃｅ −Ｉ Ｅ ｕ ％ Ｐ ｔ ％ ＨｏまたはＳｍ
である光磁気記録膜である。Ce -I E u % P t % Ho or Sm
This is a magneto-optical recording film.
次にこのような好ましい光磁気記録膜について具体的に
説明する。Next, such a preferable magneto-optical recording film will be specifically explained.
（ｉ）上記式においてＴＭは、ＦｅまたはＣｏあるいは
この両者である。このようなＴＭは、光磁気記録膜を上
記式［Ｉ］で表わした場合に、ＩＸ（ただし０．２＜ｘ
＜０．７、好ましくは０．２５＜ｘ＜Ｑ、５である）で
示されるような量で存在している。(i) In the above formula, TM is Fe or Co or both. In such a TM, when the magneto-optical recording film is expressed by the above formula [I], IX (however, 0.2<x
<0.7, preferably 0.25<x<Q, 5).
ＴＭとしては、ＦｅとＣｏとがともに存在していること
が好ましく、とくにこのＴＭとしては、Ｆｅが１００〜
３５原子％の量で、そしてＣｏがＯ〜６５原子％の量で
存在していることが好ましい。さらに好ましくはＦｅが
１００〜７ｏ原子％の量で、そしてＣｏがＯ〜３ｏ原子
％の量で存在している。As a TM, it is preferable that both Fe and Co exist, and especially as this TM, Fe is
Preferably, Co is present in an amount of 35 atom % and Co in an amount of O to 65 atom %. More preferably Fe is present in an amount of 100 to 70 at.% and Co in an amount of O to 30 at.%.
なおＴＭとして、５原子％以下好ましくは３原子％以下
のＮｉを含んでいてもよい。Note that the TM may contain 5 at % or less, preferably 3 at % or less of Ni.
（ｉｔ ）本発明で用いられる光磁気記録膜は、Ｐｄあ
るいはＰｌまたはＰｄとＰ（との両者を含んでいる。(it) The magneto-optical recording film used in the present invention contains Pd, Pl, or both Pd and P.
ＰｄあるいはＰＩまたはＰｄとＰＩとの両者は、光磁気
記録膜中に５〜３０原子％好ましくは１０原子％を超え
、３０原子％の量で存在している。Pd or PI or both Pd and PI are present in the magneto-optical recording film in an amount of 5 to 30 atomic %, preferably more than 10 atomic %, and 30 atomic %.
またＰｄとＰＩ とは、これらの含有割合をＰ［ｌ
Ｐｉ で表わした場合に、０≦ａ≦１でａ
ｌ−ａ
あり、Ｐｄの含有割合が０．２＜ａ≦１であると、経済
性に優れた光磁気記録膜が得られる。In addition, the content ratio of Pd and PI is expressed as P[l
When expressed as Pi, 0≦a≦1 and a
When the Pd content is 0.2<a≦1, a magneto-optical recording film with excellent economical efficiency can be obtained.
このＰｄあるいはＰＩまたはＰｄとＰＩの両者の含有量
が５以下％〜３０原子％、特に１０原子％を超え、３０
原子％の範囲で存在すると得られる光磁気記録膜の耐酸
化性が優れ、経時的に保磁力Ｈｃが大きく変化せず、ま
た小さなバイアス磁界で充分に高いＣ／Ｎ比が得られる
という利点がある。The content of Pd or PI or both Pd and PI is 5 or less to 30 at%, especially more than 10 at%, and 30
When present in the atomic % range, the resulting magneto-optical recording film has excellent oxidation resistance, the coercive force Hc does not change significantly over time, and a sufficiently high C/N ratio can be obtained with a small bias magnetic field. be.
（ｉｉｉ ）本発明で用いられる光磁気記録膜は、上記
（ｉ）および（ｉｉ ）に加えて、少なくとも１種の希
土類元素（ＲＥ）を含んで構成されている。(iii) The magneto-optical recording film used in the present invention contains at least one kind of rare earth element (RE) in addition to the above (i) and (ii).
このＲＥとしては、その５０原子％以上がＴｂおよび／
またはＤｙであり、残部がＮｄ 、 Ｇｄ 。As for this RE, 50 atomic % or more of it is Tb and/or
Or Dy, with the remainder being Nd and Gd.
Ｃｅ、Ｅｕ５Ｐｒ、ＨｏまたはＳｍである。好ましくは
ＲＥの８０原子％以上がＴｂであり、残部がＤｙ、Ｎｄ
ｓ Ｇｄ、Ｃｅ、Ｅｕ、Ｐｒ、ＨｏまたはＳｍである。Ce, Eu5Pr, Ho or Sm. Preferably, 80 atomic % or more of RE is Tb, and the remainder is Dy and Nd.
s Gd, Ce, Eu, Pr, Ho or Sm.
さらに好ましくは、ＲＥの９０原子％以上特に好ましく
は９５以下％以上がＴｂであり、残部がＤｙ、Ｎｄ、Ｇ
ｄ、Ｃｅ、ＳＥｕ。More preferably, 90 atomic % or more of RE is Tb, particularly preferably 95 atomic % or more, and the remainder is Dy, Nd, G
d, Ce, SEu.
Ｐ＋Ｓ’ＨｏまたはＳｍである。P+S'Ho or Sm.
上記のような希土類元素ＲＥは、光磁気記録膜を上記式
［Ｉ］で表わした場合に、０．２＜ｘ＜０．７好ましく
は０．２５＜ｘ＜０．６であるような量で存在している
。The above rare earth element RE is used in an amount such that 0.2<x<0.7, preferably 0.25<x<0.6 when the magneto-optical recording film is represented by the above formula [I]. It exists in
そして膜厚は２００〜５０００人好ましくは２００〜３
０００人程度であり、Ｘ値は０．２より大きく、そして
良好な角形ループを示し、保磁力がＩ ＫＯｅ以上とな
るために、好ましくは０．２５よりも大きいことが望ま
しく、また０、６以下であることが望ましい。And the film thickness is 200-5000 people, preferably 200-3
000, the X value is larger than 0.2, and in order to show a good square loop and have a coercive force of IKOe or more, it is preferably larger than 0.25, and 0.6 The following is desirable.
上記のような組成を有する光磁気記録膜は、膜面に垂直
な磁化容易軸を有し、多くはカー・ヒステリシスが良好
な角形ループを示す垂直磁気および光磁気記録可能な光
磁気記録膜となることがＶＳＭ測定（振動試料型磁力計
）などにより確かめられる。A magneto-optical recording film having the above composition has an axis of easy magnetization perpendicular to the film surface, and most exhibit a rectangular loop with good Kerr hysteresis and are capable of perpendicular magnetic and magneto-optical recording. This can be confirmed by VSM measurement (vibrating sample magnetometer).
ここでｘ＜０．２．０．７＜ｘであると、カーヒステリ
シスが良好な角形ループを示さなくなる傾向がある。Here, if x<0.2.0.7<x, Kerr hysteresis tends not to show a good square loop.
なお本明細書において、カー・ヒステリシスが良好な角
形ループを示すとは、最大外部磁場におけるカー回転角
である飽和カー回転角（θに、）と外部磁場ゼロにおけ
るカー回転角である残留カー回転角（θｋ ）との比θ
に２／θｋｌが０．８以上であることを意味している。In this specification, a square loop with good Kerr hysteresis means the saturated Kerr rotation angle (in θ), which is the Kerr rotation angle at the maximum external magnetic field, and the residual Kerr rotation, which is the Kerr rotation angle at zero external magnetic field. The ratio θ to the angle (θk)
This means that 2/θkl is 0.8 or more.
また上記のような本発明で用いられる光磁気記録膜は、
優れた耐酸化性を有し、第３図に示すようにＰ Ｉ ２
０Ｔ ｂ ３５Ｆ ｅ ２５Ｃ０２０なる組成を有する
光磁気記録膜は、たとえば８５℃、相対湿度８５％の環
境下に２４０時間以上保持しても、その保磁力はほとん
ど変化しない。またＰ ｄ １ｏＰ ｔ ｔ。Furthermore, the magneto-optical recording film used in the present invention as described above is
It has excellent oxidation resistance, and as shown in Figure 3, P I 2
Even if a magneto-optical recording film having a composition of 0T b 35F e 25C020 is kept in an environment of 85° C. and 85% relative humidity for 240 hours or more, its coercive force hardly changes. Also P d 1oP t t.
Ｔ ｂ ３ｓＦ ｅ ２５．Ｃ０２０なる組成を有する
光磁気記録膜も８５℃、相対湿度８５％の環境下に２４
０時間以上保持しても同様にその保磁力はほとんど変化
しない。これに対して、ＰｄあるいはＰＩまたはＰｄと
ＰＩとの両者を含まないＴ ｂ ２５ Ｃ０７５あるい
はＴ ｂ ２５Ｆ ｅ ６６ＣＯ９なる組成を有する光
磁気記録膜は、８５℃、相対湿度８５％の環境下に保持
すると、その保磁力は経時的に大きく変化してしまう。T b 3sF e 25. A magneto-optical recording film having a composition of C020 was also stored for 24 hours in an environment of 85°C and 85% relative humidity.
Similarly, the coercive force hardly changes even if it is held for 0 hours or more. On the other hand, a magneto-optical recording film having a composition of T b 25 C075 or T b 25F e 66CO9, which does not contain Pd, PI, or both Pd and PI, can be maintained in an environment of 85° C. and 85% relative humidity. As a result, the coercive force changes significantly over time.
さらにこの環境試験を１０００時間続けても、Ｐｄある
いはＰＩまたはＰｄとＰｌとの両者を含有する系はやは
りその保磁力がほとんど変化しない。これらのことより
、ＰｄあるいはＰｔまたはＰｄとＰｉとの両者を含む系
は、希土類の選択酸化を抑制することがわかる。Furthermore, even if this environmental test is continued for 1000 hours, the coercive force of the system containing Pd, PI, or both Pd and Pl remains almost unchanged. These results indicate that a system containing Pd, Pt, or both Pd and Pi suppresses selective oxidation of rare earth elements.
また、環境試験後におけるθにの変化も小さいことから
表面酸化が防止されていること、ならびに、顕微鏡によ
る膜表面の観察から孔食の発生も抑制されていることが
わかる。Furthermore, the change in θ after the environmental test was small, indicating that surface oxidation was prevented, and observation of the film surface using a microscope revealed that pitting corrosion was also suppressed.
このように本発明で用いられる光磁気記録膜は、耐酸化
性に著しく優れており、したがってこの光磁気記録膜を
使用する際に、必ずしも酸化防止保護膜を光磁気記録膜
上に設ける必要はないという優れた特性を有している。As described above, the magneto-optical recording film used in the present invention has excellent oxidation resistance, and therefore, when using this magneto-optical recording film, it is not necessarily necessary to provide an oxidation-preventing protective film on the magneto-optical recording film. It has the excellent property of not being
上記のような本発明で用いられる光磁気記録膜の別の特
長は、反射率Ｒが大きいことである。Another feature of the magneto-optical recording film used in the present invention as described above is that it has a large reflectance R.
般に、光磁気記録膜を光磁気記録に利用する場合、非晶
質であるので結晶粒界による媒体雑音を考慮する必要が
なく、光検出器のショット雑音が問題となる。この場合
、Ｃ／ＮｏＣＲθにの関係を有することがらＣ／Ｎを向
上するには、Ｒまたはθにの少なくともいずれか一方の
値を向上すればよい。Generally, when a magneto-optical recording film is used for magneto-optical recording, since it is amorphous, there is no need to consider medium noise due to crystal grain boundaries, and shot noise of a photodetector becomes a problem. In this case, since there is a relationship between C/NoCRθ, in order to improve the C/N, it is sufficient to improve the value of at least one of R and θ.
したがって、本発明で用いられる光磁気記録膜のＲが大
きいということは、光磁気記録におけるＣ／Ｎを向上せ
しめる利点を有する。Therefore, the fact that the R of the magneto-optical recording film used in the present invention is large has the advantage of improving the C/N in magneto-optical recording.
本発明で用いられる光磁気記録膜では、その他に種々の
元素を添加して、キュリー温度や補償温度あるいはＨｃ
やθにの改善あるいは低コスト化を計ってもよい。これ
らの元素は、希土類元素に対してたとえば５０原子％未
満の割合で置換可能である。In the magneto-optical recording film used in the present invention, various other elements are added to adjust the Curie temperature, compensation temperature, or Hc.
It is also possible to improve the value of θ or θ or to reduce the cost. These elements can be substituted, for example, at a rate of less than 50 atomic % with respect to the rare earth element.
併用できる他の元素の例としては、
（Ｉ）Ｆｅ 、ＣＯ以外の３ｄ遷移元素具体的には、Ｓ
ｃ、Ｔｉ Ｖ、Ｃ＋ＭｎＮｉ Ｃｕ 、Ｚｎが用
いられる。Examples of other elements that can be used in combination include (I) Fe, 3d transition elements other than CO, specifically S
c, TiV, C+MnNiCu, and Zn.
これらのうち、Ｔ＋ ｚ Ｎ＋ ％ Ｃｕ Ｎ Ｚｎな
どが好ましく用いられる。Among these, T+ z N+ % Cu N Zn and the like are preferably used.
（ＩＩ）４ｄ遷移元素 具体的には、ＹＸＺｒ、Ｎｂ、Ｍｏ Ｔｃ。(II) 4d transition element Specifically, YXZr, Nb, MoTc.
Ｒｕ 、％Ｒｈ 、Ａｇ Ｎ Ｃｄが用いられる。Ru, %Rh, Ag, N, and Cd are used.
このうちｚ「、Ｎｂが好ましく用いられる。Among these, z'' and Nb are preferably used.
（Ｉ［Ｉ）ＰＩ以外の５ｄ遷移元素
具体的には、Ｈｆ Ｔａ、Ｗ、Ｒｅ ０ｓＩｒ、Ａ
ｕ、Ｈｇが用いられる。(I[I) 5d transition elements other than PI Specifically, Hf Ta, W, Re 0sIr, A
u, Hg are used.
このうちＴ８が好ましく用いられる。Among these, T8 is preferably used.
（ＩＶ）ＩＩＩＢ族元素
具体的には、Ｂ、 ＡＩ！、Ｇａ 、 ）ｎ 、 Ｔ
ｌ！が用いられる。(IV) Group IIIB elements Specifically, B, AI! , Ga, )n, T
l! is used.
このうちＢ、ＡＡ 、Ｇａが好ましく用いられる。Among these, B, AA, and Ga are preferably used.
（Ｖ）ＩＶＢＶＢ族
元素的には、Ｃ，Ｓｉ Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂが用いられ
る。(V) IVBVB group elements include C, Si Ge, Sn, and Pb.
このうち、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂが好ましく用いられ
る。Among these, Si, Ge, Sn, and Pb are preferably used.
（ＶＩ）ＶＢ族元素 具体的には、Ｎ、Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｂｉが用いられる。(VI) VB group element Specifically, N, P, As, Sb, and Bi are used.
このうちｓｂが好ましく用いられる。Among these, sb is preferably used.
（■）ＶＩＢ族元素 具体的には、Ｓ、Ｓｅ 、Ｔｃ、Ｐｏが用いられる。(■) VIB group elements Specifically, S, Se, Tc, and Po are used.
このうちＴｅが好ましく用いられる。Among these, Te is preferably used.
本発明に係る光磁気記録媒体１では、上記のような光磁
気記録膜４上に、反射膜５が設けられていてもよい。In the magneto-optical recording medium 1 according to the present invention, a reflective film 5 may be provided on the magneto-optical recording film 4 as described above.
この反射膜５は、反射率が５０％以上好ましくは７０％
以上であり、熱伝導率が２ Ｊ ７ｃｍ−ｓｅｃ・Ｋ以
下好ましくは１１７０ｍ−８ｅｃ−に以下であるニッケ
ル合金、鉄合金、銅合金、鉛合金、ステンレス系合金か
ら構成されていることが好ましい。This reflective film 5 has a reflectance of 50% or more, preferably 70%.
It is preferably made of a nickel alloy, iron alloy, copper alloy, lead alloy, or stainless steel alloy having a thermal conductivity of 2 J 7 cm-sec·K or less, preferably 1170 m-8 ec- or less.
（ａＪ ニッケル合金
ニッケル合金は、ニッケルを主成分とし、かつシリコン
、モリブデン、鉄、クロムおよび銅からなる群から選択
される少なくとも１種を含有している。このようなニッ
ケル合金では、ニッケルは３０〜９９原子％好ましくは
５０〜９０原子％の量で存在している。(aJ Nickel alloy Nickel alloy has nickel as its main component and also contains at least one member selected from the group consisting of silicon, molybdenum, iron, chromium, and copper. In such a nickel alloy, nickel contains 30% It is present in an amount of from 50 to 90 atom %, preferably from 50 to 90 atom %.
上記のような反射膜を構成するニッケル合金としては、
具体的には下記のような合金を用いることができる。The nickel alloy that makes up the above reflective film is as follows:
Specifically, the following alloys can be used.
Ｎ ｉ−３ｉ系合金（８５原子％Ｎｉ、ＩＱ原子％Ｓ１
．３原子％Ｃｕ、２原子％Ａｌ）
Ｎ ｉ−Ｃｕ系合金（６３原子％Ｎｉ２９〜３０原子％
Ｃｕ１０．９〜２原子％Ｆｅ 、０．１〜４原子％Ｓｉ
Ｏ〜２．７５原子％ＡＡ）Ｎｉ−Ｍｏ−Ｆｅ系合金
（６０〜６５原子％Ｎｉ２５〜３５原子％ＭＯ１５原子
％Ｆｅ）Ｎ ｉ−Ｍ ｏ−Ｆ ｅ−Ｃｒ系合金（５５〜
６０原子％Ｎｉ １５〜２０原子％ＭＯ１６原子％Ｆ
ｅ。Ni-3i alloy (85 atomic% Ni, IQ atomic% S1
．． 3 atomic% Cu, 2 atomic% Al) Ni-Cu based alloy (63 atomic% Ni 29-30 atomic%
Cu10.9~2 at%Fe, 0.1~4 at%Si
O~2.75 at% AA) Ni-Mo-Fe alloy (60~65 at% Ni25~35 at% MO15 at% Fe) Ni-Mo-Fe e-Cr alloy (55~65 at%
60 atomic% Ni 15-20 atomic% MO 16 atomic% F
e.
１２〜１６原子％Ｃｒ、５原子％Ｗ）
Ｎ ｉ−Ｍ ｏ−Ｆ ｅ−Ｃｒ−Ｃｕ系合金（６０原子
％Ｎ【、５原子％Ｍｏ、８原子％Ｆｅ、２１原子％Ｃ１
゜３原子％Ｃｕ １原子％Ｓｉ ｌ原子％Ｍｎ。12 to 16 atomic% Cr, 5 atomic% W) Ni-Mo-Fe-Cr-Cu alloy (60 atomic% N[, 5 atomic% Mo, 8 atomic% Fe, 21 atomic% C1
゜3 atomic % Cu 1 atomic % Si 1 atomic % Mn.
１原子％Ｗ１あるいは４４〜４７原子％Ｎｉ５．５〜７
．５原子％Ｍｏ１２１〜２３原子％Ｃｒ、０．１５原子
％Ｃｕ、ｌ原子％５ｉ１１〜２原子％Ｍｎ、２．５原子
％Ｃｏ、ｌ原子％Ｗ１１．７〜２．５原子％Ｎｂ、残部
Ｆｅ）Ｎ ｉ−Ｃｒ−Ｃｕ−Ｍ ｏ系合金（５６〜５７
原子％Ｎｉ２３〜２４原子％Ｃｒ、８原子％Ｃｕ、４原
子％Ｍｏ、２原子％Ｗ、１原子％ＳｉまたはＭｎ）
Ｎ ｉ−Ｃｒ−Ｆ ｅ系合金（７９，５原子％Ｎｉ１３
原子％Ｃｕ、６．５原子％Ｆｅ、０．２原子％Ｃｕ、あ
るいは３０〜３４原子％Ｎｉ、１９〜２２原子％Ｃ＋０
．５原子％Ｃｕ ｌ原子％Ｓｉ１．５原子％Ｍｎ、残
部Ｆｅ）
（ｂ）鉄合金
鉄合金は、鉄を主成分とし、かつ銅、クロム、モリブデ
ン、シリコンおよびニッケルからなる群から選択される
少なくとも１種を含有している。1 atom% W1 or 44-47 atom% Ni5.5-7
．． 5 at.%Mo121-23 at.%Cr, 0.15 at.%Cu, l at.%5i11-2 at.%Mn, 2.5 at.%Co, l at.%W11.7-2.5 at.%Nb, balance Fe ) Ni-Cr-Cu-Mo alloy (56-57
Ni-Cr-Fe alloy (79,5 at% Ni13
atomic% Cu, 6.5 atomic% Fe, 0.2 atomic% Cu, or 30-34 atomic% Ni, 19-22 atomic% C+0
．． (b) Iron alloy The iron alloy has iron as a main component and at least one selected from the group consisting of copper, chromium, molybdenum, silicon and nickel. Contains one type.
このような反射膜を構成する鉄合金としては、具体的に
は下記のような鉄合金を用いることができる。Specifically, the following iron alloys can be used as the iron alloy constituting such a reflective film.
Ｆ ｅ−Ｃｒ−Ｎ ｉ系合金（１９〜２０原子％Ｃｒ。Fe-Cr-Ni-based alloy (19-20 atomic% Cr.
２２〜２４原子％Ｎｉ ２〜３原子％ＭＯ１１〜１．
７５原子％Ｃｕ、１〜３．２５原子％５Ｏ６０７原子％
Ｃ１残部Ｆｅ、あるいは２０原子％Ｃ＋、２９原子％Ｎ
ｉ ２原子％Ｍｏ、４原子％Ｃｕ、ｌ原子％ｓ＋、ｏ
、ｏ７７原子Ｃ１残部Ｆｅ、もしくは２５原子％Ｃ「、
３５原子％Ｎｉ。22-24 atom% Ni 2-3 atom% MO11-1.
75 at% Cu, 1 to 3.25 at% 5O607 at%
C1 balance Fe, or 20 atom% C+, 29 atom% N
i 2 atomic% Mo, 4 atomic% Cu, 1 atomic% s+, o
, o77 atom C1 balance Fe, or 25 atom% C'',
35 atom% Ni.
５原子％ＭＯ１０，２〜０．５原子％Ｃ１残部Ｆｅ）
Ｆ ｅ−Ｃを系合金（４〜１０原子％Ｃ＋、０．５〜１
．５原子％ＭＯ１残部Ｆｅ）
（Ｃ）銅合金
銅合金は、銅を主成分とし、かつアルミニウム、シリコ
ン、スズ、亜鉛およびニッケルからなる群から選択され
る少なくとも１種を含有している。5 atomic% MO10, 2-0.5 atomic% C1 balance Fe) Fe-C based alloy (4-10 atomic% C+, 0.5-1
．． 5 atomic % MO1 balance Fe) (C) Copper alloy The copper alloy has copper as its main component and contains at least one member selected from the group consisting of aluminum, silicon, tin, zinc, and nickel.
このような反射膜を構成する銅合金としては、具体的に
は下記のような銅合金を用いることができる。Specifically, the following copper alloys can be used as the copper alloy constituting such a reflective film.
Ｃｕ−Ａ Ａｆｉ系合金８．５〜１１１１原子Ａ、０〜
４原子％Ｆｅ、残部Ｃｕ）
Ｃｕ−８ｉ系合金（１〜４原子％Ｓｉ Ｏ〜１原原
子４Ｍｎ、０〜１．７５原子％Ｓｎ、０．１原子％Ｚｎ
、残部Ｃｕ）
Ｃｕ−８ｎ系合金（４〜１２原子％５ｎＯ１２５原子％
以下のＰｂまたはＺｎ、残部Ｃｕ）Ｃｕ−３ｎ−Ｚ ｎ
系合金（２０原子％以下Ｓｎ。Cu-A Afi alloy 8.5~1111 atoms A, 0~
4 atomic% Fe, balance Cu) Cu-8i alloy (1 to 4 atomic% Si O to 1 atomic % 4Mn, 0 to 1.75 atomic% Sn, 0.1 atomic% Zn
, balance Cu) Cu-8n alloy (4 to 12 atomic% 5nO125 atomic%
The following Pb or Zn, balance Cu)Cu-3n-Zn
system alloy (20 atomic% or less Sn.
１７原子％以下Ｚｎ （Ｚｎ ＜Ｓｎ ） 、少量の
ｐｂ。Up to 17 atomic % Zn (Zn<Sn), a small amount of PB.
残部Ｃｕ）
Ｃｕ−Ｚ ｎ系合金（１７原子％以下Ｚｎ、残部Ｃｏ）
Ｃｕ−Ｎ ｉ系合金（８０原子％Ｃｕ、２０原子％Ｎｉ
あるいは７５原子％Ｃｕ、２０原子％Ｎｉ。balance Cu) Cu-Z n-based alloy (17 atomic% or less Zn, balance Co) Cu-Ni-based alloy (80 atomic% Cu, 20 atomic% Ni
Or 75 atom% Cu and 20 atom% Ni.
５原子％Ｚｎ、あるいは７０原子％Ｃｉ＋、３０原子％
Ｎｉ） Ｘ
（ｄ）鉛合金
鉛合金は、鉛を主成分とし、かつ銅、ビスマス、テルル
およびスズからなる群から選択される少なくとも１種を
含有している。5 atom% Zn, or 70 atom% Ci+, 30 atom%
Ni)
このような反射膜を構成する鉛合金としては、具体的に
は下記のような鉛合金を用いることができる。Specifically, the following lead alloys can be used as the lead alloy constituting such a reflective film.
Ｐ ｂ−Ｃｕ−Ｂ ｉ−Ｔ ｅ系合金（９９，８５原子
％ｐｂ、最高０．０８５原子％までのＣｕ、最高０．０
０５原子％までのＢｉ ０１０５原子％Ｔｅ）
Ｐ ｂ−Ｃｕ−Ｂ ｉ系合金（９９原子％Ｐｂ、最高０
．０８原子％までのＣｕ、最高０．００５原子％までの
Ｂｉ）
Ｐｂ−３ｎ系合金（４〜１０原子％Ｓｎ、残部ｐｂ）
（ｅ）ステンレス系合金
ステンレス系合金は、鉄を主成分とし、かつクロム、ニ
ッケル、モリブデンおよび炭素からなる群から選択され
る少なくとも１種を含有している。Pb-Cu-B i-Te alloy (99.85 at% PB, up to 0.085 at% Cu, up to 0.0
05 at.% Bi 0105 at.% Te) P b-Cu-Bi alloy (99 at.% Pb, up to 0
．． Cu up to 0.08 atomic %, Bi up to 0.005 atomic %) Pb-3n alloy (4 to 10 atomic % Sn, balance PB) (e) Stainless steel alloy Stainless alloy has iron as its main component, And it contains at least one member selected from the group consisting of chromium, nickel, molybdenum, and carbon.
このような反射膜を構成するステンレス系合金としては
、具体的には下記のようなステンレス系合金を用いるこ
とができる。Specifically, the following stainless steel alloys can be used as the stainless steel alloy constituting such a reflective film.
（ｉ）Ｃｒ ： １６〜２０原子％、Ｎｉ：１０〜１
６原子％、
Ｍｏ：２〜４原子％、
Ｃ：０．１原子％、残部Ｆｅ
（ｉｉ） Ｃｒ ： １０〜１６原子％、Ｎｉ：１７
〜１９原子％、
Ｍｏ ： １．２〜２．７５原子％、Ｃｕ ： １
．Ｏ〜２．５原子％、
Ｃ：０．０８原子％、残部Ｆｅ
（ｉｉｉ）Ｃ＋：２２〜２４原子％、
Ｎｉ：１２〜１５原子％、
ｃ：ｏ、ｉ原子％、残部Ｆｅ
（ｉｖ）Ｃｒ ：２４〜２６原子％、
Ｎｉ：１９〜２２原子％、
Ｃ：０．１原子％、残部Ｆｅ
このようなニッケル合金からなる反射膜４を有する光磁
気記録媒体は、アルミニウム、金などからなる反射膜を
有する光磁気記録媒体と比較して、優れたＣ／Ｎ比を有
している。(i) Cr: 16-20 atomic%, Ni: 10-1
6 at%, Mo: 2 to 4 at%, C: 0.1 at%, balance Fe (ii) Cr: 10 to 16 at%, Ni: 17
~19 at%, Mo: 1.2-2.75 at%, Cu: 1
．． O ~ 2.5 atomic%, C: 0.08 atomic%, balance Fe (iii) C+: 22-24 atomic%, Ni: 12-15 atomic%, c: o, i atomic%, balance Fe (iv) Cr: 24 to 26 atomic%, Ni: 19 to 22 atomic%, C: 0.1 atomic%, balance Fe A magneto-optical recording medium having a reflective film 4 made of such a nickel alloy is made of aluminum, gold, etc. It has an excellent C/N ratio compared to a magneto-optical recording medium having a reflective film.
このような反射膜５の膜厚は、１００〜４０００人好ま
しくは２００〜２０００人程度である。The thickness of such a reflective film 5 is about 100 to 4000, preferably about 200 to 2000.
次に、本発明に係る光磁気記録媒体の製造方法について
説明する。Next, a method for manufacturing a magneto-optical recording medium according to the present invention will be explained.
基板温度を室温程度に保ち、非晶質合金薄膜を構成する
各元素からなるチップを所定割合で配置した複合ターゲ
ット、または所定割合の組成を有する合金ターゲットを
用い、スパッタリング法あるいは電子ビーム蒸着法など
の従来公知の成膜条件を採用して、この基板（基板は固
定していてもよく、また自転していてもよい）上に所定
組成の非晶質合金薄膜を被着させ、次いでこの上に反射
膜を上記と同様にして被着させることによって、本発明
に係る光磁気記録媒体を製造することができる。The substrate temperature is maintained at about room temperature, and a composite target in which chips made of each element constituting an amorphous alloy thin film are arranged in a predetermined ratio, or an alloy target with a predetermined composition ratio is used, and the sputtering method or electron beam evaporation method is used. An amorphous alloy thin film of a predetermined composition is deposited on this substrate (the substrate may be fixed or rotating) using conventionally known film-forming conditions, and then The magneto-optical recording medium according to the present invention can be manufactured by depositing a reflective film on the substrate in the same manner as described above.
このように本発明に係る光磁気記録媒体は、常温での成
膜が可能であり、膜面に垂直な磁化容易軸を持たせるた
めに成膜後にアニール処理などの熱処理をする必要がな
い。As described above, the magneto-optical recording medium according to the present invention allows film formation at room temperature, and does not require heat treatment such as annealing treatment after film formation in order to have an axis of easy magnetization perpendicular to the film surface.
なお必要に応じては、基板温度を５０〜６００℃に加熱
しながらまたは一５０℃まで冷却しながら、基板上に非
晶質合金薄膜を形成することもできる。Note that, if necessary, the amorphous alloy thin film can be formed on the substrate while heating the substrate temperature to 50 to 600°C or cooling it to -50°C.
またスパッタリング時に、基板を負電位になるようにバ
イアスすることもできる。このようにすると、電界で加
速されたアルゴンなどの不活性ガスイオンはターゲット
物質ばかりでなく成膜されつつある垂直磁化膜をもたた
くことになり、優れた特性を有する垂直磁化膜が得られ
ることがある。Further, during sputtering, the substrate can be biased to a negative potential. In this way, ions of an inert gas such as argon accelerated by an electric field will strike not only the target material but also the perpendicularly magnetized film being formed, resulting in a perpendicularly magnetized film with excellent properties. There is.
発明の効果
本発明に係る光磁気記録媒体は、基板上に、少なくとも
（Ｉ）エンハンス膜と（ＩＩ）光磁気記録膜とを有し、
この（Ｉ）エンハンス膜は特定組成の窒化ケイ素からな
り、また（ＩＩ）光磁気記録膜も特定の組成を有してい
るので、耐酸化性に優れた光磁気記録膜を有するととも
に、エンハンス膜を薄く形成することが可能であって、
基板に反りが生じたり、膜剥離が生じたりすることがな
く、生産性に優れている。Effects of the Invention The magneto-optical recording medium according to the present invention has at least (I) an enhancement film and (II) a magneto-optical recording film on a substrate,
This (I) enhancement film is made of silicon nitride with a specific composition, and (II) the magneto-optical recording film also has a specific composition. It is possible to form a thin layer,
There is no warping of the substrate or peeling of the film, and the productivity is excellent.
以下本発明を実施例によって説明するが、本発明は、こ
れら実施例に限定されるものではない。EXAMPLES The present invention will be explained below with reference to Examples, but the present invention is not limited to these Examples.
実施例１
エチレン・テトラシクロドデセン共重合体（エチレン含
量６０モル％、テトラシクロドデセン含量４０モル％）
製ディスク基板上に、スパッタ法によってエンハンス層
として７００人のＳｉＮｘ（１，０＜ｘ＜１．３、屈折
率ｎ＝２．３、ｋ（消衰係数） −〇ｙ０１４） 、光
磁気記録層として３００人のＰＩ Ｔｂ Ｆｅ Ｃ０１
反射層として７００人のＮ Ｉ ８０ Ｃｔ ２０を逐
次積層形成し、光磁気ディスクを作成した。Example 1 Ethylene/tetracyclododecene copolymer (ethylene content 60 mol%, tetracyclododecene content 40 mol%)
700 SiNx (1,0<x<1.3, refractive index n=2.3, k (extinction coefficient) -〇y014), magneto-optical recording layer as an enhancement layer on a manufactured disk substrate by sputtering. as 300 PI Tb Fe C01
A magneto-optical disk was prepared by sequentially laminating 700 pieces of N I 80 Ct 20 as a reflective layer.
このディスクの記録再生特性を記録周波数ＩＭＨｚ
（Ｄｕｔｙ比５０％）、線速５．４ｍ／ｓにて評価した
。The recording and playback characteristics of this disc are as follows:
(Duty ratio 50%) and a linear velocity of 5.4 m/s.
その結果、最適記録レーザパワーは３．５ｍＷであり、
Ｃ／Ｎは５’０ｄＢ（再生レーザパワーは１．０ｍＷ）
であった。また、８０℃、８５％高温高湿条件下、２０
００時間放置後のＣ／Ｎ変化量△Ｃ／Ｎも０であった。As a result, the optimal recording laser power was 3.5 mW,
C/N is 5'0dB (playback laser power is 1.0mW)
Met. In addition, under 80℃, 85% high temperature and high humidity conditions, 20
The amount of C/N change ΔC/N after standing for 00 hours was also 0.
実施例２〜７
実施例１と同様にして、基板上にエンハンス層として７
００人のＳ ｉ Ｎｘ （１，０＜ｘ＜１．３、屈折率
ｎ＝２．３、ｋ（消衰係数）＝０．０１４）、光磁気記
録層および反射層として表１に示すような組成および構
造を有する光磁気ディスクを作成し、評価を行なった。Examples 2 to 7 In the same manner as in Example 1, 7 was applied as an enhancement layer on the substrate.
00 Si Nx (1,0<x<1.3, refractive index n=2.3, k (extinction coefficient)=0.014), as shown in Table 1 as the magneto-optical recording layer and reflective layer. A magneto-optical disk with a composition and structure was fabricated and evaluated.
結果を表１に示す。The results are shown in Table 1.
第１図および第２図は、本発明に係る光磁気記録媒体の
断面図である。
また第３図は、本発明に係る（ Ｐ ｌ ２０Ｔ ｂ
３５Ｆ ｅ ２５ＣＯ２Ｇ）の保磁力の変化および比較
例に係るＴｂ Ｃｏ およびＴ ｂ ２５Ｆ ｅ
６６ＣＯ９の保磁力の変化を示す図である。
１・・・光磁気記録媒体 ２・・・基板３・・・エ
ンハンス膜 ４・・・光磁気記録膜５・・・反射
膜1 and 2 are cross-sectional views of a magneto-optical recording medium according to the present invention. Further, FIG. 3 shows the (P l 20T b
Changes in coercive force of 35F e 25CO2G) and comparative examples of Tb Co and T b 25F e
FIG. 6 is a diagram showing changes in coercive force of 66CO9. 1... Magneto-optical recording medium 2... Substrate 3... Enhancement film 4... Magneto-optical recording film 5... Reflective film
Claims (1)
）光磁気記録膜とを有する光磁気記録媒体において、 （ I ）エンハンス膜は、屈折率ｎが１．９以上である
ＳｉＮ＿ｘ（ただし０＜ｘ＜１．３３）で表わされる窒
化ケイ素膜からなり、 （II）光磁気記録膜は、 ［Ｐｄ＿ａＰｔ＿１＿−＿ａ］＿ｙ［ＲＥ＿ｘＴＭ＿１
＿−＿ｘ］＿１＿−＿ｙ（式中、ＲＥは少なくとも５０
原子％以上がＴｂおよび／またはＤｙであり、残部がＮ
ｄ、Ｇｄ、Ｃｅ、Ｅｕ、Ｐｒ、Ｈｏ、Ｔｍ、Ｓｍであり
、ＴＭはＦｅおよび／またはＣｏであり、０≦ａ≦１、
０．２＜ｘ＜０．７、０．０５≦ｙ≦０．３である）で
表わされる膜面に垂直な磁化容易軸を有する非晶質合金
薄膜からなることを特徴とする光磁気記録媒体。 ２、（ I ）エンハンス膜は、屈折率が２．１〜３．０
であり、ＳｉＮ＿ｘ（ただし０．７＜ｘ＜１．３）であ
る請求項第１項に記載の光磁気記録媒体。 ３、（ I ）エンハンス膜の膜厚が８００Å未満である
請求項第１項に記載の光磁気記録媒体。[Claims] 1. At least (I) an enhancement film and (II) an enhancement film on a substrate.
) In a magneto-optical recording medium having a magneto-optical recording film, (I) the enhancement film is made of a silicon nitride film represented by SiN_x (where 0<x<1.33) with a refractive index n of 1.9 or more; , (II) The magneto-optical recording film is [Pd_aPt_1_-_a]_y[RE_xTM_1
_−_x]_1_−_y (where RE is at least 50
At least atomic % is Tb and/or Dy, and the remainder is N
d, Gd, Ce, Eu, Pr, Ho, Tm, Sm, TM is Fe and/or Co, 0≦a≦1,
0.2<x<0.7, 0.05≦y≦0.3) Magneto-optical recording comprising an amorphous alloy thin film having an axis of easy magnetization perpendicular to the film surface. Medium. 2. (I) Enhancement film has a refractive index of 2.1 to 3.0
The magneto-optical recording medium according to claim 1, wherein SiN_x (0.7<x<1.3). 3. (I) The magneto-optical recording medium according to claim 1, wherein the enhancement film has a thickness of less than 800 Å.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1269309A JPH02192048A (en) | 1988-10-17 | 1989-10-17 | Magneto-optical recording medium |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26077888 | 1988-10-17 | ||
| JP63-260778 | 1988-10-17 | ||
| JP1269309A JPH02192048A (en) | 1988-10-17 | 1989-10-17 | Magneto-optical recording medium |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02192048A true JPH02192048A (en) | 1990-07-27 |
Family
ID=26544751
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1269309A Pending JPH02192048A (en) | 1988-10-17 | 1989-10-17 | Magneto-optical recording medium |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02192048A (en) |
-
1989
- 1989-10-17 JP JP1269309A patent/JPH02192048A/en active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0168046A2 (en) | Magneto-optical recording material | |
| JPS59103314A (en) | Photomagnetic recording medium | |
| US4925742A (en) | Thin-film having large Kerr rotation angle and production process thereof | |
| EP0310680A1 (en) | Photomagnetic recording membrane | |
| US5958575A (en) | Magneto-optical recording medium | |
| JP2504946B2 (en) | Magneto-optical recording medium | |
| KR920007319B1 (en) | Magneto-optical recording media | |
| JPH02192048A (en) | Magneto-optical recording medium | |
| JPH02107749A (en) | Thin amorphous alloy film | |
| JPS63262446A (en) | Thin amorphous-alloy film | |
| JPH0418023B2 (en) | ||
| JPH02108256A (en) | Magneto-optical recording medium | |
| JPH02192047A (en) | Magneto-optical recording medium | |
| JP2507592B2 (en) | Optical recording medium | |
| JPH01154334A (en) | Magneto-optical recording medium | |
| JPH01162257A (en) | Magneto-optical recording medium | |
| JPH01136947A (en) | Amorphous alloy thin film | |
| JPH01118244A (en) | Magneto-optical recording film | |
| JPH01179241A (en) | Magneto-optical recording medium | |
| JPS61243976A (en) | Photomagnetic recording medium | |
| JPH0660452A (en) | Magneto-optical recording medium | |
| JPH02107748A (en) | Thin amorphous alloy film | |
| JP2653520B2 (en) | Magneto-optical recording medium | |
| JPH0823943B2 (en) | Magneto-optical recording element | |
| JPH01102757A (en) | Magneto-optical recording medium |