JPS63262446A - Thin amorphous-alloy film - Google Patents
Thin amorphous-alloy filmInfo
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
発明の技術分野
本発明は、優れた耐酸化性を有する非晶質合金薄膜に関
し、ざらに詳しくは、膜面に垂直な方向に磁化容易軸を
有し、優れた耐酸化性を有する非晶質合金薄膜に関する
。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION Technical Field of the Invention The present invention relates to an amorphous alloy thin film having excellent oxidation resistance. The present invention relates to an amorphous alloy thin film having oxidation resistance.
明の技術的背景ならびにその問題、１、鉄、コバルトな
どの遷移金属と、テルビウム（ＴＩ））、カドリニウム
（Ｇｄ）などの希土類元素との合金からなる非晶質薄膜
は、膜面と垂直な方向に磁化容易軸を有し、一方向に全
面磁化された膜面にこの全面磁化方向とは逆向きの小ざ
な反転磁区を形成することができることが知られている
。1. Amorphous thin films made of alloys of transition metals such as iron and cobalt and rare earth elements such as terbium (TI) and cadrinium (Gd) have a tendency to It is known that it is possible to form small reversal magnetic domains in a direction opposite to the direction of magnetization on a film surface that has an axis of easy magnetization in one direction and is entirely magnetized in one direction.
この反転磁区の有無を１１」、ｒＯＪに対応させること
によって、上記のような非晶質薄膜にデジタル信号を記
録させることが可能となる。By making the presence or absence of this inverted magnetic domain correspond to 11'' and rOJ, it becomes possible to record digital signals in the amorphous thin film as described above.
このような光磁気記録媒体として用いられる遷移金属と
希土類元素とからなる非晶質薄膜としては、たとえば特
公昭５７−２０６９１号公報に１５〜３０原子％のＴｂ
を含むＴｂ−Ｆｅ系合金非晶質薄膜が開示されている。For example, Japanese Patent Publication No. 57-20691 discloses an amorphous thin film made of a transition metal and a rare earth element used as such a magneto-optical recording medium.
A Tb-Fe based alloy amorphous thin film containing the following is disclosed.
またＴｂ−Ｆｅに第３の金属を添加してなる合金非晶質
薄膜も光磁気記録媒体として用いられている。ざらに１
ｂ−Ｃｏ系、Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏ系などの光磁気記録媒体
も知られている。Also, an alloy amorphous thin film made by adding a third metal to Tb-Fe is also used as a magneto-optical recording medium. Zarani 1
Magneto-optical recording media such as b-Co and Tb-Fe-Co are also known.
これらの合金非晶質薄膜からなる光磁気記録媒体は、優
れた記録再生特性を有しているが、使用時にこの非晶質
薄膜は酸化を受けてその特性が経時的に変化してしまう
という実用上の大きな問題点があった。Magneto-optical recording media made of these alloy amorphous thin films have excellent recording and reproducing properties, but during use, these amorphous thin films undergo oxidation and their properties change over time. There were major practical problems.
このような遷移金属と希土類元素とを含む合金非晶質薄
膜からなる光磁気記録媒体の酸化劣化のメカニズムは、
たとえば日本応用磁気学会誌第９巻、ＮＯ，２、第９３
〜９６頁で検討されており、以下のような３つのタイプ
があることが報告されている。The mechanism of oxidative deterioration of magneto-optical recording media made of alloyed amorphous thin films containing transition metals and rare earth elements is as follows.
For example, Journal of the Japanese Society of Applied Magnetics, Vol. 9, No. 2, No. 93.
It has been discussed on pages 96 to 96, and it has been reported that there are three types as shown below.
イ）孔食
孔食とは合金非晶質薄膜にピンホールが発生することを
意味するが、この腐食は、主として高湿雰囲気下で進行
し、たとえばＴ ｂ−Ｆ ｅ系、Ｔｂ−Ｃ０系などで著
しく進行する。b) Pitting corrosion Pitting corrosion refers to the formation of pinholes in the amorphous thin film of the alloy, but this corrosion mainly progresses in a high humidity atmosphere. It progresses markedly.
口）表面酸化
合金非晶質薄膜に表面酸化層が形成され、カー回転角θ
ｋが経時的に変化し、ついにはカー回転角θｋが減少し
てしまう。) A surface oxidation layer is formed on the amorphous thin film of the surface oxidation alloy, and the Kerr rotation angle θ
k changes over time, and the Kerr rotation angle θk eventually decreases.
ハ〉希土類金属の選択酸化
合金非晶質薄膜中の希土類金属が選択的に酸化され、保
磁カドＩＣが経時的に大きく変化してしまう。C) Selective oxidation of rare earth metal The rare earth metal in the amorphous thin film is selectively oxidized, and the coercive quadrature IC changes significantly over time.
上記のような合金非晶質薄膜の酸化劣化を防止するため
、従来、種々の方法が試みられている。In order to prevent the oxidative deterioration of alloy amorphous thin films as described above, various methods have been tried in the past.
たとえば、合金非晶質薄膜を、Ｓｉ３Ｎ４．５ｉＯ１ｓ
ｔｏ、、Ａ＋Ｎなどの酸化防止保護膜でサンドイッチし
たような３層溝造にする方法が検討されている。ところ
がこの酸化防止保護膜は高価であるとともに形成するの
に手間がかかり、またこの保護膜を形成しても必ずしも
合金非晶質薄膜の酸化劣化を充分には防止することがで
きないという問題点があった。For example, an alloy amorphous thin film is made of Si3N4.5iO1s
A method of creating a three-layer groove structure sandwiched between oxidation-preventing protective films such as TO, A+N, etc. is being considered. However, this oxidation-preventing protective film is expensive and time-consuming to form, and even if this protective film is formed, it is not always possible to sufficiently prevent oxidative deterioration of the amorphous alloy thin film. there were.
また、Ｔ ｂ−Ｆ ｅ系、Ｔｂ−Ｃｏ系などの合金非晶
質薄膜中に、この薄膜の耐酸化性を向上させるために、
第３の金属を添加する方法が種々試みられている。In addition, in order to improve the oxidation resistance of the thin film in an alloy amorphous thin film such as Tb-Fe system or Tb-Co system,
Various methods of adding a third metal have been attempted.
たとえば上述した日本応用磁気学会誌では、Ｔ ｂ−Ｆ
ｅあるいはＴｂ−Ｃｏに、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｐｔ１Ａｌ
、Ｃｒ、Ｔｉなどの第３金属を３．５原子％までの量で
添加することによって、Ｔ ｂ−Ｆ ｅ系あるいはＴｂ
−Ｃｏ系の合金非晶質薄膜の耐酸化性を向上させる試み
がなされている。そしてＴ ｂ−Ｆ ｅあるいはＴｂ−
ＣｏにＣｏ、Ｎｉ５Ｐｔを受口添加した場合には、表面
酸化の防止および孔食の防止には有効であるが、この合
金非晶質薄膜中の希土類金属であるＴｂの選択酸化の防
止には効果がないと報告されている。このことは、Ｔｂ
−ＦｅあるいはＴｂ−Ｃｏに受担のＣｏ、Ｎｉ、Ｐｔを
添加した場合には、１ｄられる合金非晶質薄膜では、Ｔ
ｂが選択酸化されてしまい、保磁力Ｈｃが経時的に大き
く変化してしまうことを意味している。したがってＴｂ
−ＦｅあるいはＴｂ−Ｇｏに３．５原子％までの受爪の
ｃｏ、Ｎｉ、ｐｔを添加しても、得られる合金非晶質薄
膜の耐酸化性は充分には改善されていない。For example, in the above-mentioned Journal of the Japanese Society of Applied Magnetics, T b-F
e or Tb-Co, Co, Ni, Pt1Al
By adding a third metal such as , Cr, or Ti in an amount up to 3.5 at%, Tb-Fe system or Tb
Attempts have been made to improve the oxidation resistance of -Co alloy amorphous thin films. and T b-F e or Tb-
When Co and Ni5Pt are added to Co, it is effective in preventing surface oxidation and pitting corrosion, but it is effective in preventing selective oxidation of Tb, a rare earth metal, in this alloy amorphous thin film. Reported to be ineffective. This means that Tb
-When Co, Ni, or Pt is added to -Fe or Tb-Co, the alloy amorphous thin film with 1d has T
This means that b is selectively oxidized and the coercive force Hc changes greatly over time. Therefore Tb
Even if up to 3.5 at % of co, Ni, or pt is added to -Fe or Tb-Go, the oxidation resistance of the resulting alloy amorphous thin film is not sufficiently improved.
また第９回日本応用磁気学会学術講演概要集（１９８５
年１１月）の第２０９頁には、やはり合金非晶質薄膜の
耐酸化性を向上させる目的で、Ｔ ｂ−Ｆ ｅあるいは
Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏに、Ｐｔ１Ａｌ、Ｃｒ、Ｔｉを１０原
子％までのｍで添加してなる合金非晶質薄膜が教示され
ている。ところがＴｂ−ＦｅあるいはＴｂ−Ｆｅ−Ｃｏ
に１０原子％までの但のＰｔ 、ＡＩ 、Ｃｒ５Ｔｉを
添加シテも、表面酸化および孔食はかなり効果に防止で
きるものの、゛ 得られる合金非晶質薄膜中のＴｂの選
択酸化に対する酸化防止性は充分ではなく、やはり時間
の経過とともに保磁力Ｈｃが大きく変化し、ついには保
磁カドＩＣが大きく低下してしまうという問題点は依然
としてあった。Also, the 9th Academic Lecture Summary of the Japanese Society of Applied Magnetics (1985)
(November 2013), page 209 of the publication also states that Pt1Al, Cr, and Ti are added up to 10 at. An alloy amorphous thin film is taught with the addition of m. However, Tb-Fe or Tb-Fe-Co
Adding up to 10 atomic % of Pt, AI, or Cr5Ti to the material can fairly effectively prevent surface oxidation and pitting corrosion. However, there still remained the problem that the coercive force Hc changed greatly with the passage of time, and eventually the coercive quadrature IC decreased significantly.
そ°してこれらの公知文献は、本発明の構成の非晶質合
金薄膜を開示していない。Furthermore, these known documents do not disclose the amorphous alloy thin film having the structure of the present invention.
さらに、Ｊ、ｏｆ ）ｌａｇｎｅｔｉｓｍ ＆ ）ｌａ
ｃ＋ｅｔｉｃ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ４１、（１９８４）
、 １２８〜１３０頁および１２５〜１２７頁には、Ｆ
ｅ−Ｂ系非晶質合金に、Ｃｏ、Ｃｒ 、ｐｔを約３原子
％までの但で添加してなるＦｅ−Ｂ系非晶質合金が開示
されている。この非晶質合金は、２５〜３０μｍの厚み
のリボン状に形成されておりその磁歪が検討されている
が、いずれも非晶質合金の耐酸化性は充分には改善され
ていないという問題点があった。Moreover, J, of ) lagnetism & ) la
c+etic Materials41, (1984)
, pages 128-130 and 125-127, F.
An Fe-B based amorphous alloy is disclosed, which is formed by adding Co, Cr, and pt up to about 3 atomic % to an e-B based amorphous alloy. This amorphous alloy is formed into a ribbon shape with a thickness of 25 to 30 μm, and its magnetostriction has been studied, but the problem is that the oxidation resistance of the amorphous alloy has not been sufficiently improved. was there.
しかも、この文献に開示されているようなメルトスピニ
ング法やスプラットクーリング法にＪ：って得られる非
晶質合金リボンは面内磁化膜であって垂直磁化膜ではな
く、垂直磁化膜になりうることも想定していない。Moreover, the amorphous alloy ribbon obtained by the melt spinning method or the splat cooling method disclosed in this document is an in-plane magnetized film, and can be a perpendicularly magnetized film instead of a perpendicularly magnetized film. I didn't even imagine that.
ざらにまた、特開昭５８−７８０６号公報には、ｐｔ
ｃｏなる組成を有し、Ｐｔが１０〜３０原子％の量で含
まれている多結晶薄膜からなる磁気薄膜材料が開示され
ている。Furthermore, in Japanese Unexamined Patent Publication No. 58-7806, pt.
A magnetic thin film material comprising a polycrystalline thin film having a composition of Co and containing Pt in an amount of 10 to 30 at.% is disclosed.
ところがこのｐｔ Ｃｏなる組成を有する多結晶薄膜は
、多結晶であるため、成膜後にアニール処理などの熱処
理が必要であり、・また結晶間の粒界部分がノイズ信号
として発生することがあり、ざらにこの多結晶薄膜はキ
ュリ一点が高いという問題点があった。However, since this polycrystalline thin film with a composition of ptCo is polycrystalline, heat treatment such as annealing is required after film formation, and the grain boundaries between crystals may generate noise signals. Generally speaking, this polycrystalline thin film had a problem in that it had a high Curie point.
発明の目的
本発明は、上記のような従来技術に伴なう問題点を解決
しようとするものであって、保磁力が大きくかつカー回
転角やファラデー回転角が大きいなどの優れた光磁気光
学特性を有し、しかも耐酸化性に優れて、経時的に保磁
力が変化したりあるいはカー回転角が変化することがな
く、ざらに反射率も高いような非晶質合金薄膜を提供す
ることを目的としている。Purpose of the Invention The present invention seeks to solve the problems associated with the prior art as described above, and is directed to an excellent magneto-optical optical system having a large coercive force and a large Kerr rotation angle and a large Faraday rotation angle. To provide an amorphous alloy thin film which has the following characteristics, has excellent oxidation resistance, does not change its coercive force or Kerr rotation angle over time, and has a high reflectance. It is an object.
発明の概要
すなわち本発明は、（ｉ）Ｆｅ、Ｃｏから選ばれる少な
くとも１種と、（ｉ）Ｐｔ、Ｐｄから選ばれる少なくと
も１種と、（ｉｉｉ ＞下記の群（ａ）〜（ｈ）から選
ばれる少なくとも１種の元素とからなり、膜面に垂直な
磁化容易軸を有する非晶質合金薄膜からなることを特徴
とている。Summary of the Invention That is, the present invention comprises (i) at least one selected from Fe and Co; (i) at least one selected from Pt and Pd; and (iii) from the following groups (a) to (h). It is characterized by being composed of an amorphous alloy thin film made of at least one selected element and having an axis of easy magnetization perpendicular to the film surface.
（ａ）：Ｆｅ 、Ｃｏ以外の３ｄ遷移元素（ｂ）：Ｐｄ
以外の４ｄ遷移元素
（ｃ）：Ｐｔ以外の５ｄ遷移元素
（ｄ）：軽希土類元素
（ｅ） ： ｍ Ｂ族元素
（ｆ）：ＩＶＢ族元素
（０）：ＶＢ族元素
（ｈ）：ＶＩＢ族元素
本発明に係る非晶質合金薄膜は、・（ｉ）Ｆｅ。(a): 3d transition elements other than Fe and Co (b): Pd
4d transition elements other than Pt (c): 5d transition elements other than Pt (d): Light rare earth elements (e): m Group B elements (f): Group IVB elements (0): Group VB elements (h): Group VIB Elements The amorphous alloy thin film according to the present invention includes: (i) Fe.
Ｃｏから選ばれる少なくとも１種と、（ｉｉ）ｐｊ。and (ii) pj.
ｐｄから選ばれる少なくとも１種と、（ｉｉｉ ）上記
の群から選ばれる少なくとも１種の元素とからなるため
、保磁力が大きくかつカー回転角やファラデー回転角が
大きいなどの優れた光磁気記録特性を有し、しかも耐酸
化性に優れて、経時的に保磁力が変化したりあるいはカ
ー回転角が変化したりすることがないという優れた特性
を有している。and (iii) at least one element selected from the above group, it has excellent magneto-optical recording properties such as a large coercive force and a large Kerr rotation angle and Faraday rotation angle. Furthermore, it has excellent oxidation resistance, and has excellent properties such as no change in coercive force or Kerr rotation angle over time.
ざらに、反射率も高いのでＣ／Ｎ比が向上して再生特性
に優れるという特性も有している。Furthermore, since the reflectance is high, the C/N ratio is improved and the reproduction characteristics are excellent.
発明の詳細な説明
以下本発明に係る非晶質合金薄膜について具体的に説明
する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The amorphous alloy thin film according to the present invention will be specifically described below.
本発明に係る非晶質合金薄膜は、（ｉ ）ＦｅおよびＣ
ｏから選ばれる少なくとも１種と、（ｉｉ ）Ｐｔ 、
Ｐｄから選ばれる少なくとも１種と、（ｉｉｉ ＞後記
（ａ）〜（ｈ）から選ばれる少なくとも１種の元素とか
らなり、膜面に垂直な磁化容易軸を有する非晶質合金薄
膜からなっている。The amorphous alloy thin film according to the present invention includes (i) Fe and C
(ii) Pt,
An amorphous alloy thin film consisting of at least one element selected from Pd and at least one element selected from (iii) (a) to (h) below, and having an axis of easy magnetization perpendicular to the film surface. There is.
（ｉ ）ＦｅまたはＣｏあるいはこの両者は、非晶質合
金薄膜中に好ましくは２〜９５原子％の母で存在してい
る。(i) Fe and/or Co are present in the amorphous alloy thin film preferably in an amount of 2 to 95 atomic %.
また（、ｉｉ）の群から選ばれる元素のうち半分（５０
原子％）以上を軽希土類元素が占める場合には、好まし
くは５〜８４原子％、とくに好ましくは１０〜７５原子
％の量で存在したほうがよい。Also, half (50
When the light rare earth element occupies more than 5 atomic %, it is preferably present in an amount of 5 to 84 atomic %, particularly preferably 10 to 75 atomic %.
また（ ｉｉｉ ＞の群から選ばれる元素のうち半分（
５０原子％）以上を軽希土類以外の元素が占める場合に
は、好ましくは５〜９４原子％、ざらに好ましくは１０
〜８９原子％、とくには１０〜８０原子％の量で存在し
たほうがよい。Also, half of the elements selected from the group (iii >
When elements other than light rare earths account for 50 atomic % or more, it is preferably 5 to 94 atomic %, more preferably 10 atomic % or more.
It is preferably present in an amount of ~89 at.%, especially 10-80 at.%.
（ｉｉ）ＰｔまたはＰｄあるいはこの両者は、上述のよ
うに非晶質合金薄膜中にＯ原子％を越えて存在しておれ
ばよく、好ましくはＯを越えて９４原子％以下の範囲の
量で存在したほうがよい。(ii) Pt or Pd, or both, need only be present in the amorphous alloy thin film in an amount exceeding O atomic %, preferably in an amount exceeding O but not exceeding 94 atomic %. It's better to exist.
また（ ｉｉ ＞の群から選ばれる元素のうち半分（５
０原子％）以上を軽希土類元素が占める場合には、好ま
しくは１５〜９４原子％、とくに好ましくは１５〜８０
原子％の伍で存在したほうがよい。Also, half (5
When the light rare earth element accounts for 0 atomic % or more, it is preferably 15 to 94 atomic %, particularly preferably 15 to 80 atomic %.
It is better to exist in 5 atomic percent.
また（ｉｉ）の群から選ばれる元素のうち半分（５０原
子％）以上を軽希土類元素が占める場合には、好ましく
はＯを越え９０原子％、さらに好ましくはＯを越え８０
原子％以下、とくには１０〜８０原子％の量で存在した
ほうがよい。In addition, when light rare earth elements account for half (50 atomic%) or more of the elements selected from the group (ii), preferably it exceeds O and 90 atomic%, and more preferably exceeds O and 80 atomic%.
It is preferably present in an amount of at most 10 to 80 atom %.
Ｐｔおよび／またはＰｄが存在することは、以下のよう
な利点が得られる。The presence of Pt and/or Pd provides the following advantages.
■軽希土類元素系では、従来垂直磁化膜化するために必
要とされた重希土類が共存しなくても垂直磁化膜となる
ことが可能で、孔食や表面酸化に対する耐性があってカ
ー回転角の経時変化がない。■With light rare earth elements, it is possible to form a perpendicularly magnetized film even without the coexistence of heavy rare earths, which were conventionally required to form a perpendicularly magnetized film, and it is resistant to pitting corrosion and surface oxidation, making it possible to increase the Kerr rotation angle. There is no change over time.
とくにＰｔおよび／またはＰｄが１５原子％以上存在す
ると、軽希土類の選択酸化が抑えられて保磁力の経時変
化もなくなり、膜面における反射率も向上される。In particular, when Pt and/or Pd is present in an amount of 15 atomic % or more, selective oxidation of light rare earth elements is suppressed, there is no change in coercive force over time, and the reflectance on the film surface is also improved.
■軽希土類元素以外の系では、孔食ヤ表面酸化が抑えら
れてカー回転角の経時変化のない非晶質の垂直磁化膜を
提供でき、とくに１５原子％以上のＰｔおよび／または
Ｐｄを含む系では反射率も向上される。■For systems other than light rare earth elements, it is possible to suppress pitting corrosion and surface oxidation and provide an amorphous perpendicularly magnetized film with no change in Kerr rotation angle over time, especially containing 15 at% or more of Pt and/or Pd. The reflectance is also improved in the system.
（ｉｉｉ ＞本発明に係る非晶質合金薄膜は、上記（ｉ
）および（ｉｉ ＞に加えて、下記の群（ａ）〜（ｈ）
から選ばれる少なくとも１種の元素を含んで構成されて
いる。(iii>The amorphous alloy thin film according to the present invention has the above-mentioned (i)
) and (ii>, in addition to the following groups (a) to (h)
It is composed of at least one element selected from:
（ａ）Ｆｅ 、Ｇｏ以外の３ｄ遷移元素具体的には、Ｓ
ｃ 、Ｔｉ 、Ｖ、Ｃｒ 、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎが
用イラレル。(a) 3d transition elements other than Fe and Go, specifically, S
c, Ti, V, Cr, Mn, Ni, Cu, and Zn are used.
これらのうち、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎなどが ′好
ましく用いられる。Among these, Ti, Ni, Cu, Zn, etc. are preferably used.
（ｂ） Ｐ ｄ以外の４ｄ遷移元素 具体的には、Ｙ、Ｚｒ 、Ｎｂ 、Ｍｏ 、Ｔｃ 。(b) 4d transition elements other than Pd Specifically, Y, Zr, Nb, Mo, Tc.
Ｒｕ 、Ｒｈ １Ａ９ 、Ｃｄが用いられる。Ru, Rh 1A9, and Cd are used.
このうちＺｒまたはＮｂが好ましく用いられる。Among these, Zr or Nb is preferably used.
（ｃ）Ｐｔ以外の５ｄ遷移元素 具体的には、１−１ｆ、Ｔａ５Ｗ、Ｒｅ、Ｏｓ。(c) 5d transition elements other than Pt Specifically, 1-1f, Ta5W, Re, Os.
Ｉｒ、ＡＵ、ＨＤが用いられる。Ir, AU, and HD are used.
このうちＴａが好ましく用いられる。Among these, Ta is preferably used.
（ｄ）軽希土類元素
具体的には、Ｌａ ＳＣｅ 、Ｐｒ 、Ｎｄ 、Ｐｍ
。(d) Light rare earth elements, specifically La SCe, Pr, Nd, Pm
.
Ｓｍ 、ＥＬＩが用いられる。Sm, ELI are used.
このうちＮｄ 、３ｍ 、Ｐｒが好ましく用いられる。Among these, Nd, 3m, and Pr are preferably used.
（ｅ）ＢＩＢ族元素
具体的には、Ｂ、ＡＩ 、Ｇａ、Ｉｎ、ＴＩが用いられ
る。(e) BIB group element Specifically, B, AI, Ga, In, and TI are used.
このうちＢ、ＡＩ 、Ｇａが好ましく用いられる。Among these, B, AI, and Ga are preferably used.
げ）ＩＶＢ族元素
具体的に、は、Ｃ，Ｓｉ 、Ｇｅ 、Ｓｎ 、Ｐｂが用
いられる。g) For the IVB group elements, specifically, C, Si, Ge, Sn, and Pb are used.
このうち、３ｉ 、Ｓｎ 、Ｐｂ 、Ｑｅが好ましく用
いられる。Among these, 3i, Sn, Pb, and Qe are preferably used.
（！；１）ＶＢ族元素
具体的には、Ｎ、Ｐ、Ａｓ 、Ｓｂ 、Ｂｉが用いられ
る。(!;1) VB group element Specifically, N, P, As, Sb, and Bi are used.
このうらｓｂが好ましく用いられる。The latter sb is preferably used.
（ｈ）ＶＩＢ族元素 具体的には、Ｓ、Ｓｅ 、Ｔｅ 、ＰＯが用いられる。(h) VIB group element Specifically, S, Se, Te, and PO are used.
このうちＴｅが好ましく用いられる。Among these, Te is preferably used.
上記のような（ａ）〜（ｈ）からなる群から選ばれる少
なくとも１種の元素は、非晶質合金薄膜中に、好ましく
は２〜９５原子％の母で存在している。At least one element selected from the group consisting of (a) to (h) as described above is present in the amorphous alloy thin film, preferably in an amount of 2 to 95 atomic %.
また（ｉｆ）の群から選ばれる元素のうち半分（５０原
子％）以上を軽希土類元素が占める場合には、好ましく
は１〜８０原子％、より好ましくは１０〜７０原子％、
とくに好ましくは１０〜５０原子％の但で存在したほう
がよい。In addition, when light rare earth elements account for half (50 at%) or more of the elements selected from the group (if), preferably 1 to 80 at%, more preferably 10 to 70 at%,
Particularly preferably, it is present in an amount of 10 to 50 atom %.
また（ ｉｉｉ ＞の群から選ばれる元素のうち半分（
５０原子％）以上を軽希土類以外の元素が占める場合に
は、好ましくは５〜９４原子％、より好ましくは１０〜
８９原子％、とくに好ましくは１０〜８０原子％の串で
存在したほうがよい。Also, half of the elements selected from the group (iii >
When elements other than light rare earths account for 50 at % or more, preferably 5 to 94 at %, more preferably 10 to 94 at %
It is preferable that the amount is 89 atom %, particularly preferably 10 to 80 atom %.
上記のような組成を有する合金薄膜は、膜面に垂直な磁
化容易軸を有し、カー・ヒステリシスが良好な角形ルー
プを示す垂直磁気記録可能なものも存在する非晶質薄膜
となることが広角Ｘ線回折などにより確かめられる。An alloy thin film having the above composition can be an amorphous thin film that has an axis of easy magnetization perpendicular to the film surface and exhibits a rectangular loop with good Kerr hysteresis and is capable of perpendicular magnetic recording. This can be confirmed by wide-angle X-ray diffraction.
なお本明細書において、カー・ヒステリシスが良好な角
形ループを示すとは、最大外部磁場におけるカー回転角
である飽和カー回転角（θに１）と外部磁場ゼロにおけ
るカー回転角である残留カー回転角（θｋ ）との比θ
に２／θに１が０．８以上であることを意味している。In this specification, a square loop with good Kerr hysteresis means the saturated Kerr rotation angle (1 for θ), which is the Kerr rotation angle at the maximum external magnetic field, and the residual Kerr rotation, which is the Kerr rotation angle at zero external magnetic field. The ratio θ to the angle (θk)
This means that 1 in 2/θ is 0.8 or more.
また前述したように本発明の場合、１５原子％以上のＰ
ｔおよび／またはＰｄを含有する系は反射率ＲがＰｔ
（Ｐｄ）を含有しないものに比べて大きいという特長
を有する。一般に非晶質合金薄膜を光磁気記録に利用す
る場合、非晶質であるので結晶粒界による媒体雑音を考
慮する必要がなく、光検出器のショット雑音が問題とな
る。この場合、Ｃ／ＮｏｃＲθにの関係を有することが
らＣ／Ｎを向上するにはＲまたはθにの少なくともいず
れか一方の値を向上すればよい。Further, as mentioned above, in the case of the present invention, P of 15 atomic % or more
For systems containing t and/or Pd, the reflectance R is Pt.
It has the feature that it is larger than those that do not contain (Pd). Generally, when an amorphous alloy thin film is used for magneto-optical recording, since it is amorphous, there is no need to consider medium noise due to grain boundaries, and shot noise of the photodetector becomes a problem. In this case, since there is a relationship between C/NocRθ, in order to improve the C/N, it is sufficient to improve the value of at least one of R and θ.
したがって、本発明の非晶質合金薄膜のＲが大きいとい
うことは、光磁気記録におけるＣ／Ｎを向上せしめる利
点を有する。Therefore, the large R of the amorphous alloy thin film of the present invention has the advantage of improving the C/N in magneto-optical recording.
本発明においては、その他に種々の元素を添加して、キ
ュリ一温度や補償温度あるいはト１ｃやθにの改善ある
いは低コスト化を計ってもよい。In the present invention, various other elements may be added to improve the Curie temperature, compensation temperature, t1c and θ, or to reduce costs.
これらの元素は、（ｉｉ）の各種元素の総組に対してた
とえば５０原子％未渦の割合で置換可能である。These elements can be substituted, for example, at a ratio of 50 atomic % to the total set of various elements in (ii).
併用できる他の元素の例としては、
Ｇｄ 、Ｔｂ 、ｏｙ 、Ｈｏ 、Ｅｒ 、Ｔｍ 、Ｙ
ｂ、１−ｕといった重希土類元素がある。このような重
希土類元素を添加する場合には、選択酸化の問題がある
ため、とくにはＰｔおよび／またはＰｄの含有伍を１５
原子％以上とするのが好ましい。Examples of other elements that can be used in combination include Gd, Tb, oy, Ho, Er, Tm, Y
There are heavy rare earth elements such as b and 1-u. When adding such heavy rare earth elements, there is a problem of selective oxidation, so in particular, the content of Pt and/or Pd should be reduced to 15
It is preferable that the amount is at least atomic %.
次に、本発明に係る非晶質合金薄膜の製造方法について
説明する。Next, a method for manufacturing an amorphous alloy thin film according to the present invention will be explained.
基板温度を室温程度に保ち、本発明に係る非晶質合金薄
膜を構成する各元素からなるチップを所定割合で配置し
た複合ターゲットまたは所定割合の組成からなる合金タ
ーゲットを用い、スパッタリング法あるいは電子ビーム
蒸着法などの従来公知の成膜条件を採用してこの基板（
基板は固定していてもよく、また自転していてもよい）
上に所定組成の非晶質合金薄膜を被着させることにより
、本発明に係る非晶質合金薄膜を形成することができる
。The substrate temperature is kept at about room temperature, and a sputtering method or an electron beam is used using a composite target in which chips made of each element constituting the amorphous alloy thin film according to the present invention are arranged in a predetermined ratio or an alloy target with a predetermined composition. This substrate (
(The substrate may be fixed or rotating)
By depositing an amorphous alloy thin film of a predetermined composition thereon, the amorphous alloy thin film according to the present invention can be formed.
このように本発明に係る非晶質合金薄膜は、常温での成
膜が可能であり、膜面に垂直な磁化容易軸を持たせるた
めに成膜後にアニール処理などの熱処理をする必要がな
い。As described above, the amorphous alloy thin film according to the present invention can be formed at room temperature, and there is no need to perform heat treatment such as annealing after film formation in order to have an axis of easy magnetization perpendicular to the film surface. .
なお必要に応じては、基板温度を５０〜６００℃に加熱
しながらまたは一５０’Ｃまで冷却しながら、基板上に
非晶質合金薄膜を形成することもできる。Note that, if necessary, the amorphous alloy thin film can be formed on the substrate while heating the substrate temperature to 50 to 600°C or cooling it to -50'C.
またスパッタリング時に、基板を負電位になるようにバ
イアスすることもできる。このようにすると、電界で加
速されたアルゴンなどの不活性ガスイオンはターゲット
物質ばかりでなく成膜されつつある垂直磁化膜をもたた
くことになり、優れた特性を有する垂直磁化膜が得られ
ることがある。Further, during sputtering, the substrate can be biased to a negative potential. In this way, ions of an inert gas such as argon accelerated by an electric field will strike not only the target material but also the perpendicularly magnetized film being formed, resulting in a perpendicularly magnetized film with excellent properties. There is.
このようにして得られる本発明の非晶質合金薄膜の膜厚
は、２０〜５ｏｏｏｏ人好ましくは１００〜５０００人
である。The thickness of the amorphous alloy thin film of the present invention thus obtained is 20 to 5000 mm, preferably 100 to 5000 mm.
本発明の非晶質合金薄膜は、膜面に垂直な磁化容易軸を
有しているので、垂直磁気記録膜、磁気バブルメモリー
あるいは光磁気記録膜といった磁気記録材料分野、磁気
光学効果を利用した光変調器といった各種の分野に応用
できる。Since the amorphous alloy thin film of the present invention has an axis of easy magnetization perpendicular to the film surface, it can be used in the field of magnetic recording materials, such as perpendicular magnetic recording films, magnetic bubble memories, or magneto-optical recording films, using the magneto-optic effect. It can be applied to various fields such as optical modulators.
たとえば垂直磁気記録分野では、垂直フレキシブルディ
スクの記録膜、リジット磁気ディスク用の記録膜への利
用が期待できるし、光磁気記録にはカー回転角またはフ
ァラデー回転角を利用して情報信号あるいは静止画像や
動画像を記録再生する光磁気ディスク、光磁気カード、
光磁気テープへの利用が期待できる。また、外部磁場の
コントロールによりカー回転角やファラデー回転角を制
御し、反射光や透過光の光量変化によって光電池を作動
させる光変調器への利用も期待できる。For example, in the field of perpendicular magnetic recording, it is expected to be used in the recording films of vertical flexible disks and rigid magnetic disks, and in magneto-optical recording, the Kerr rotation angle or Faraday rotation angle is used to generate information signals or still images. magneto-optical disks, magneto-optical cards,
It is expected to be used in magneto-optical tapes. It is also expected to be used in optical modulators that control the Kerr rotation angle and Faraday rotation angle by controlling an external magnetic field, and activate photovoltaic cells by changing the amount of reflected light and transmitted light.
本発明の非晶質合金薄膜を光磁気ディスクの記録膜とし
て応用した場合について以下に説明する。A case where the amorphous alloy thin film of the present invention is applied as a recording film of a magneto-optical disk will be described below.
本発明の非晶質合金薄膜は、膜面に垂直な磁化容易軸を
有する垂直磁化膜であり、とくにカー・ヒステリシス・
ループが角形性を有しているものを選ぶと、外部磁場の
ない状態下でのθｋが最大外部磁場での飽和カー回転角
θにとほぼ同一であり、保磁力ＨＣも大きいので、光磁
気記録膜として好適である。また、θｋが良好であるこ
とは、θｆも良好であることを意味し、よってカー効果
利用型、ファラデー効果利用型のいずれの方式に利用す
ることができる。The amorphous alloy thin film of the present invention is a perpendicularly magnetized film having an axis of easy magnetization perpendicular to the film surface, and is particularly characterized by Kerr hysteresis.
If a loop with squareness is selected, θk in the absence of an external magnetic field is almost the same as the saturation Kerr rotation angle θ at the maximum external magnetic field, and the coercive force HC is large, so it is magneto-optical. It is suitable as a recording film. Furthermore, a good value of θk means a good value of θf, and therefore it can be used in either the Kerr effect type or the Faraday effect type.
また、本発明の非晶質合金薄膜は、耐酸化性に優れるた
め、従来のＴｂ−Ｆｅ 、Ｔｂ−Ｆｅ−Ｇｏ等の重希土
類−３ｄ遷移金属合金薄膜の場合のような酸化防止のた
めの保護膜を用いる必要はない。Furthermore, since the amorphous alloy thin film of the present invention has excellent oxidation resistance, it is not suitable for oxidation prevention as in the case of conventional heavy rare earth-3d transition metal alloy thin films such as Tb-Fe and Tb-Fe-Go. There is no need to use a protective film.
また、記録膜に接する基板や他の機能性膜（たとえばエ
ンハンス膜、反射膜）あるいは貼合せのための接着層等
にも酸化防止性の材料を用いなくてもよい。Furthermore, it is not necessary to use anti-oxidation materials for the substrate in contact with the recording film, other functional films (for example, enhancement film, reflective film), or adhesive layers for bonding.
さらに、エンハンス膜、反射膜等を成膜するに際しても
、真空蒸着やスパッタリングなどの乾式成膜法の他に、
従来では行えなかったスピンコード法やスプレー法など
の湿式成膜を行ってもよいことになる。Furthermore, when forming enhancement films, reflective films, etc., in addition to dry film formation methods such as vacuum evaporation and sputtering,
This means that wet film formation such as a spin code method or a spray method, which could not be performed conventionally, may be performed.
したがって、本発明の非晶質合金薄膜を記録膜とした光
磁気ディスクの構造としては、（ｉ）基板／記録膜
（ｉｉ ＞基板／エンハンス膜／記録膜（ｉｉ ）基板
／記録膜／反射膜
（ｉｖ＞基板／エンハンス膜／記録膜／反射膜（Ｖ＞基
板／エンハンス膜／記録膜／エンハンス膜／反射膜
あるいはこれらの記録膜側の最外層に耐傷性のみを付与
するための保護コートや保護ラベルを形成したような構
造のものが可能となる。Therefore, the structure of a magneto-optical disk using the amorphous alloy thin film of the present invention as a recording film is as follows: (i) substrate/recording film (ii) substrate/enhancement film/recording film (ii) substrate/recording film/reflection film (iv>Substrate/enhancement film/recording film/reflection film (V>substrate/enhancement film/recording film/enhancement film/reflection film or a protective coat for imparting only scratch resistance to the outermost layer on the side of these recording films) It becomes possible to create a structure that resembles a protective label.
そして、ここでエンハンス膜としてはその屈折率が基板
の屈折率よりも大ぎいものであればよく、有はあるいは
無機のいずれの材料であってもよい。Here, the enhancement film may be made of any material, organic or inorganic, as long as its refractive index is greater than the refractive index of the substrate.
エンハンス膜の具体例としては、ＴｉＯ２、Ｓ！ Ｏ，
Ｔ！ ０１ＺｎＯ，ＩＴｏ、ｚｒ０２、Ｔａ Ｏ、Ｎ
ｂ２Ｏ５、ＣｅＯ２，５ｎ０２、ＴａＯ２等の酸化物、
Ｓｉ ３ Ｎ４ 、ＡＩ Ｎ、 ＢＮ等の窒化物、Ｚｎ
Ｓ、Ｃｄ Ｓ等の硫化物、Ｚｎ５ｅ 、ｓ＋ ｃ、ｓ
；などがある。また、コバルトフェライトに代表される
フェライト類、Ｂ！１ｔｄｌガーネットに代表されるガ
ーネット類等のファラデー効果を有する透明材料をエン
ハンス膜として使用してもよい。基板もガラスやアルミ
ニウム等の無機材料の他に、ポリメチルメタクリレート
、ポリカーボネート、ポリカーボネートとポリスチレン
のポリマーアロイ、ＬＪＳＰ４６１４７７８で示される
ような非晶質ポリオレフィン、ポリ４−メチル−１−ペ
ンテン、エポキシ樹脂、ポリエーテルサルフオン、ポリ
サルフォン、ポリエーテルイミド等の有機月利も使用で
きる。Specific examples of enhancement films include TiO2, S! O,
T! 01ZnO, ITo, zr02, TaO, N
Oxides such as b2O5, CeO2, 5n02, TaO2,
Nitride such as Si3N4, AIN, BN, Zn
S, Cd S and other sulfides, Zn5e, s+ c, s
;and so on. In addition, ferrites represented by cobalt ferrite, B! A transparent material having a Faraday effect such as garnets such as 1tdl garnet may be used as the enhancement film. In addition to inorganic materials such as glass and aluminum, substrates can also be made of polymethyl methacrylate, polycarbonate, polymer alloys of polycarbonate and polystyrene, amorphous polyolefins as shown in LJSP4614778, poly4-methyl-1-pentene, epoxy resins, and polycarbonate. Organic compounds such as ethersulfones, polysulfones, polyetherimides, etc. can also be used.
ざらに、光磁気ディスクの構成は、前述の（ｉ）〜（）
の構成にのみ限定されるものではなく、必要に応じて下
地層あるいは高透磁率軟磁性膜の積層などを行ってもよ
く、単板のほか貼合せて使用することも可能である。Roughly speaking, the configuration of the magneto-optical disk is as described in (i) to () above.
The structure is not limited to the above structure, but a base layer or a high permeability soft magnetic film may be laminated as necessary, and it is also possible to use a laminated structure in addition to a single plate.
発明の効果 本発明に係る非晶質合金薄膜は、（ｉ ） Ｆｅ 。Effect of the invention The amorphous alloy thin film according to the present invention is (i) Fe.
Ｃｏから選ばれる少なくとも１種と、（ｉ）Ｐｔ、Ｐｄ
から選ばれる少なくとも１種と、（ｉｉ ）上記（ａ）
〜（【１）から選ばれる少なくとも１種の元素とからな
り、Ｐｔおよび／またはＰｄ含有量が１５原子％以上で
あるため、膜面に垂直な磁化容易軸を有し、保磁力が大
きくかつカー回転角が大きいなどの優れた光磁気記録特
性を有し、しかも耐酸化性に優れて、経時的に保磁力が
変化したりあるいはカー回転角が変化したりすることが
なく、さらに反射率も大きいという優れた特性を有して
いる。また本発明に係る非晶質合金薄膜を基板上に形成
するに際して、室温での成膜が可能でおり、成膜後に熱
処理をする必要もない。At least one species selected from Co and (i) Pt, Pd
(ii) at least one species selected from (a) above;
~([1)] Since the Pt and/or Pd content is 15 at% or more, it has an axis of easy magnetization perpendicular to the film surface, has a large coercive force, and It has excellent magneto-optical recording characteristics such as a large Kerr rotation angle, has excellent oxidation resistance, does not change coercive force or Kerr rotation angle over time, and has excellent reflectance. It also has the excellent property of being large. Furthermore, when forming the amorphous alloy thin film according to the present invention on a substrate, it is possible to form the film at room temperature, and there is no need for heat treatment after film formation.
以下本発明を実施例により説明するが、本発明はこれら
実施例に限定されるものではない。EXAMPLES The present invention will be explained below with reference to Examples, but the present invention is not limited to these Examples.
実験例１〜２１
ターゲットとして、Ｃｏターゲット上にｐｔおよび各種
元素のチップを所定割合で配置した複合ターゲットを用
いて、ガラス基板上に、基板を水冷により２０〜３０℃
の常温付近にコントロールしながらＤＣマグネトロンス
パッタリングにより非晶質合金薄膜を成膜した。成膜条
件は、Ａｒ圧５ｍＴｏｒｒ 、Ａｒ流１３ ｓｅｃｍ、
真空到達度５Ｘ１０−６ＴＯｒｒ以下であり、Ｄ Ｃｉ
ｍｆｆｆ （Ａ ＞ 、Ｌにびスパッタ時間（秒）は第
１表に示すような条件で行った。Experimental Examples 1 to 21 Using a composite target in which chips of PT and various elements were arranged at a predetermined ratio on a Co target, the substrate was placed on a glass substrate at 20 to 30°C by water cooling.
An amorphous alloy thin film was formed by DC magnetron sputtering while controlling the temperature around room temperature. The film forming conditions were: Ar pressure 5 mTorr, Ar flow 13 sec,
The degree of vacuum attainment is 5X10-6 TOrr or less, and D Ci
The sputtering time (seconds) was as shown in Table 1.
（ｑられた合金薄膜は、広角Ｘ線回折法により結晶状態
を測定するとともに、組成をＩＣＰ発光分光分析によっ
て求めた。(The crystalline state of the q-treated alloy thin film was measured by wide-angle X-ray diffraction, and the composition was determined by ICP emission spectrometry.
また、カー回転角はガラス基板側から測定した外部磁場
ゼロでの残留カー回転角を斜入射法（λ＝６３３ｎｍ＞
で測定した。斜入射法の具体的測定法および装置は、山
川相部監修「磁性材料の測定技術」 （昭和６０年１２
月２５日トリケッブス株式会社発行）第２６１頁〜２６
３頁に記載されている。In addition, the Kerr rotation angle is the residual Kerr rotation angle measured from the glass substrate side with zero external magnetic field using the oblique incidence method (λ = 633 nm>
It was measured with Specific measurement methods and equipment for the oblique incidence method are available in "Measurement Techniques for Magnetic Materials" (December 1985) supervised by Aibe Yamakawa.
Published by Trikebbs Co., Ltd. on March 25th) pp. 261-26
It is described on page 3.
また、反射率は、ガラス基板上に形成されたＡＩ蒸着膜
を標準試料として、λ−７８０ｎｍで求めた。Further, the reflectance was determined at λ-780 nm using an AI vapor deposited film formed on a glass substrate as a standard sample.
ざらに、本発明の非晶質合金薄膜の耐酸化性を確認する
ため、ガラス基板上に成膜された状態そのままを８５℃
、８５％ＲＨの高温高湿条件のオーブン中に放置する環
境試験を行い、４５０時間経過後のカー回転角（θｋ）
、反射率（Ｒ）、保磁７Ｊ（ＨＣ）を測定し、それぞれ
の試験前の初期値θｋｏ、 ＲＯ、ＨＣｏと比較した。In order to roughly confirm the oxidation resistance of the amorphous alloy thin film of the present invention, the film was deposited on a glass substrate at 85°C.
An environmental test was conducted in which the car was left in an oven under high temperature and high humidity conditions at 85% RH, and the Kerr rotation angle (θk) after 450 hours.
, reflectance (R), and coercivity 7J (HC) were measured and compared with the respective initial values θko, RO, and HCo before the test.
これらの結果を第１表に示す。These results are shown in Table 1.
実験例２２および２３
Ｔｂ−Ｃｏ系をＣｏターゲット上にＴｂのチップを配置
した複合ターゲットにより、またｐｔ−ｃ。Experimental Examples 22 and 23 Tb-Co system was used with a composite target in which a Tb chip was placed on a Co target, and pt-c.
系をＣｏターゲット上にｐｔのチップを配置した複合タ
ーゲットにより、前記実験例と同様にして成膜し、評価
した。結果を第１表に示す。The system was evaluated by forming a film using a composite target in which a PT chip was placed on a Co target in the same manner as in the above experimental example. The results are shown in Table 1.
乳υ…潰
大簾叢２４
Ｃｏターゲット上にＰｄ 、Ｎｄ 、Ｇｏの各チップを
配置した複合ターゲットを用いて、Ａｒ圧５ＭＴＯｒｒ
、Ａｒ流１１３ ｓｅｃｍ、真空到達度５Ｘ１０’Ｔ
Ｏｒｒ以下、ＤＣ電流値０．２０Ａ、スパッタ時間９０
秒の条件でＤＣマグネトロンスパッタ法（よってガラス
基板上にＰｄ−Ｎｄ−Ｃｏ系の合金薄膜を成膜した。こ
の合金薄膜は、広角Ｘ線回折法により非晶質であること
が確認され、かつ、カー回転角がＩ２８Ｉ１１されたこ
とにより垂直磁化膜であることも確認された。Breast υ... Collapsed plexus 24 Using a composite target with Pd, Nd, and Go chips arranged on a Co target, the Ar pressure was 5 MTOrr.
, Ar flow 113 sec, vacuum attainment 5X10'T
Orr or less, DC current value 0.20A, sputtering time 90
A Pd-Nd-Co alloy thin film was formed on a glass substrate using DC magnetron sputtering under conditions of 1.5 seconds. This alloy thin film was confirmed to be amorphous by wide-angle X-ray diffraction, and It was also confirmed that the film was perpendicularly magnetized because the Kerr rotation angle was I28I11.
亙脹叢ｌ二
Ｃｏターゲット上にＳｂ 、Ｐｄの各チップを配置した
複合ターゲットを用いて、Ａ「圧５ＩＮＲＴＯｒｒ 、
Ａｒ流１３，５ＣＣ１１、真空到達度５Ｘ１０−６Ｔ
ｏｒｒ以下、ＤＣ電流値０．２０Ａ、スパッタ時間９
０秒の条件でＤＣマグネトロンスパッタ法によってガラ
ス基板上にＰｄ−８ｂ−Ｃｏ系の合金薄膜を成膜した。Using a composite target in which Sb and Pd chips are placed on a Co target,
Ar flow 13.5CC11, vacuum attainment 5X10-6T
orr or less, DC current value 0.20A, sputtering time 9
A Pd-8b-Co alloy thin film was formed on a glass substrate by DC magnetron sputtering under conditions of 0 seconds.
この合金ｉｓ膜は、広角Ｘ線回折法により非晶質である
ことが確認され、かつ、カー回転角が観測されたことに
より垂直磁化膜であることも確認された。This alloy IS film was confirmed to be amorphous by wide-angle X-ray diffraction, and was also confirmed to be a perpendicular magnetization film by observing the Kerr rotation angle.
Claims (1)
（ｉｉ）Ｐｔ、Ｐｄから選ばれる少なくとも１種と、（
ｉｉｉ）下記の群（ａ）〜（ｈ）から選ばれる少なくと
も１種の元素とからなり、膜面に垂直な磁化容易軸を有
する非晶質合金薄膜。 （ａ）：Ｆｅ、Ｃｏ以外の３ｄ遷移元素 （ｂ）：Ｐｄ以外の４ｄ遷移元素 （ｃ）：Ｐｔ以外の５ｄ遷移元素 （ｄ）：軽希土類元素 （ｅ）：IIIＢ族元素 （ｆ）：IVＢ族元素 （ｇ）：ＶＢ族元素 （ｈ）：VIＢ族元素 ２）Ｆｅ、Ｃｏ以外の３ｄ遷移元素がＴｉ、Ｎｉ、Ｃｕ
またはＺｎである特許請求の範囲第１項に記載の非晶質
合金薄膜。 ３）Ｐｄ以外の４ｄ遷移元素がＺｒ、Ｎｂである特許請
求の範囲第１項に記載の非晶質合金薄膜。 ４）Ｐｔ以外の５ｄ遷移元素がＴａである特許請求の範
囲第１項に記載の非晶質合金薄膜。 ５）軽希土類がＮｄ、Ｓｍ、Ｐｒである特許請求の範囲
第１項に記載の非晶質合金薄膜。 ６）IIIＢ族元素がＢ、Ａｌ、Ｇａである特許請求の範
囲第１項に記載の非晶質合金薄膜。 ７）IVＢ族元素がＳｉ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｇｅである特許請
求の範囲第１項に記載の非晶質合金薄膜。 ８）ＶＢ族元素がＳｂである特許請求の範囲第１項に記
載の非晶質合金薄膜。 ９）VIＢ族元素がＴｅである特許請求の範囲第１項に記
載の非晶質合金薄膜。 １０）膜厚が２０〜５００００Åである特許請求の範囲
第１項ないし第９項のいずれかに記載の非晶質合金薄膜
。 １１）光磁気記録用に用いられる特許請求の範囲第１項
ないし第１０項のいずれかに記載の非晶質合金薄膜。 １２）垂直磁気記録用に用いられる特許請求の範囲第１
項ないし第１０項のいずれかに記載の非晶質合金薄膜。 １３）光変調器用に用いられる特許請求の範囲第１項な
いし第１０項のいずれかに記載の非晶質合金薄膜。[Claims] 1) (i) at least one selected from Fe and Co;
(ii) at least one species selected from Pt and Pd;
iii) An amorphous alloy thin film comprising at least one element selected from the following groups (a) to (h) and having an axis of easy magnetization perpendicular to the film surface. (a): 3d transition elements other than Fe and Co (b): 4d transition elements other than Pd (c): 5d transition elements other than Pt (d): Light rare earth elements (e): Group IIIB elements (f): IVB group element (g): VB group element (h): VIB group element 2) 3d transition elements other than Fe and Co are Ti, Ni, and Cu.
or Zn, the amorphous alloy thin film according to claim 1. 3) The amorphous alloy thin film according to claim 1, wherein the 4d transition element other than Pd is Zr or Nb. 4) The amorphous alloy thin film according to claim 1, wherein the 5d transition element other than Pt is Ta. 5) The amorphous alloy thin film according to claim 1, wherein the light rare earth is Nd, Sm, or Pr. 6) The amorphous alloy thin film according to claim 1, wherein the IIIB group element is B, Al, or Ga. 7) The amorphous alloy thin film according to claim 1, wherein the IVB group element is Si, Sn, Pb, or Ge. 8) The amorphous alloy thin film according to claim 1, wherein the VB group element is Sb. 9) The amorphous alloy thin film according to claim 1, wherein the VIB group element is Te. 10) The amorphous alloy thin film according to any one of claims 1 to 9, having a film thickness of 20 to 50,000 Å. 11) An amorphous alloy thin film according to any one of claims 1 to 10, which is used for magneto-optical recording. 12) Claim 1 used for perpendicular magnetic recording
The amorphous alloy thin film according to any one of items 1 to 10. 13) An amorphous alloy thin film according to any one of claims 1 to 10, which is used for an optical modulator.
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9480087A JPS63262446A (en) | 1987-04-17 | 1987-04-17 | Thin amorphous-alloy film |
| EP19880903378 EP0310680A4 (en) | 1987-04-17 | 1988-04-15 | Photomagnetic recording membrane |
| PCT/JP1988/000379 WO1988008192A1 (en) | 1987-04-17 | 1988-04-15 | Photomagnetic recording membrane |
| KR1019880701679A KR890700898A (en) | 1987-04-17 | 1988-12-16 | Magneto-optical recording film |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| JP9480087A JPS63262446A (en) | 1987-04-17 | 1987-04-17 | Thin amorphous-alloy film |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63262446A true JPS63262446A (en) | 1988-10-28 |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63262446A (en) |
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