JPH0217300B2 - - Google Patents
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- JPH0217300B2 JPH0217300B2 JP60005787A JP578785A JPH0217300B2 JP H0217300 B2 JPH0217300 B2 JP H0217300B2 JP 60005787 A JP60005787 A JP 60005787A JP 578785 A JP578785 A JP 578785A JP H0217300 B2 JPH0217300 B2 JP H0217300B2
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 45
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 36
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 26
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 11
- 239000011148 porous material Substances 0.000 claims description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 3
- 230000003068 static effect Effects 0.000 claims description 3
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 41
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
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Landscapes
- Jigs For Machine Tools (AREA)
- Constituent Portions Of Griding Lathes, Driving, Sensing And Control (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明は研削盤等のチヤツク機構において、該
チヤツク機構から脆性で極薄の半導体ウエハを取
外す方法に関するものである。
チヤツク機構から脆性で極薄の半導体ウエハを取
外す方法に関するものである。
本発明に係るこの種の半導体ウエハにおいて
は、コンピユータ等の電子関連機器、所謂OA機
器等の集積回路に使用されており、その開発は
日々進歩しており機器そのものの小型化に伴う、
より極薄で、より超高精度の質性と、作業性の観
点からより一層の拡径化が要求されてきている。
は、コンピユータ等の電子関連機器、所謂OA機
器等の集積回路に使用されており、その開発は
日々進歩しており機器そのものの小型化に伴う、
より極薄で、より超高精度の質性と、作業性の観
点からより一層の拡径化が要求されてきている。
従来の研削盤等のバキユーム吸着機能を有する
チヤツク機構においては、先ず、半導体ウエハを
バキユーム吸着し研削加工を施して、研削加工後
にバキユーム吸着を開放し、エアーを逆送して半
導体ウエハを浮上さるようにして吸着パツトで吸
着し移送アームを上昇させることによつて剥がし
ているが、エアーの噴流のみでは乗載台等の上面
に付着する研削屑等の微粒異物は充分に除去でき
ず、乗載台の上面に残留したままであり、通常の
厚みの半導体ウエハであれば多少の微粒異物が残
留したままバキユーム吸着させても半導体ウエハ
の上面が歪んだり破損したりする等の問題点は殆
ど発生しなかつた。
チヤツク機構においては、先ず、半導体ウエハを
バキユーム吸着し研削加工を施して、研削加工後
にバキユーム吸着を開放し、エアーを逆送して半
導体ウエハを浮上さるようにして吸着パツトで吸
着し移送アームを上昇させることによつて剥がし
ているが、エアーの噴流のみでは乗載台等の上面
に付着する研削屑等の微粒異物は充分に除去でき
ず、乗載台の上面に残留したままであり、通常の
厚みの半導体ウエハであれば多少の微粒異物が残
留したままバキユーム吸着させても半導体ウエハ
の上面が歪んだり破損したりする等の問題点は殆
ど発生しなかつた。
然し乍ら、昨今要求されている極薄の半導体ウ
エハではチヤツク機構の乗載台の上面に研削屑等
の微粒異物が僅かに残留していてもバキユーム吸
着すると脆性で極薄の半導体ウエハは折損した
り、半導体ウエハそのものが微粒異物によつて歪
んで研削加工する上面の平坦精度がでなかつた
り、又、研削後の鏡面仕上された半導体ウエハの
上面を吸着パツトで吸着しチヤツク機構の上面か
ら剥がす場合もチヤツク機構の上面に付着してい
る液体の表面張力による吸着作用によつて、半導
体ウエハの損傷が頻繁に発生し、しかも高速度回
転で研削加工するので摩擦熱による半導体ウエハ
へのダメージが引き起こされる等の諸問題が出て
きている。
エハではチヤツク機構の乗載台の上面に研削屑等
の微粒異物が僅かに残留していてもバキユーム吸
着すると脆性で極薄の半導体ウエハは折損した
り、半導体ウエハそのものが微粒異物によつて歪
んで研削加工する上面の平坦精度がでなかつた
り、又、研削後の鏡面仕上された半導体ウエハの
上面を吸着パツトで吸着しチヤツク機構の上面か
ら剥がす場合もチヤツク機構の上面に付着してい
る液体の表面張力による吸着作用によつて、半導
体ウエハの損傷が頻繁に発生し、しかも高速度回
転で研削加工するので摩擦熱による半導体ウエハ
へのダメージが引き起こされる等の諸問題が出て
きている。
その為に研削加工後にその都度別の洗浄装置で
洗浄する方法も取られているが時間的なロスが大
きいものであつた。
洗浄する方法も取られているが時間的なロスが大
きいものであつた。
本発明は上記の事由に鑑みて鋭意研鑚の結果、
これらのチヤツク機構の間〓部へ一時的に噴流す
る水を滞溜させ、静止状態の水の表面張力を破壊
する水量の水を有孔物質から成る乗載台を浸透さ
せ上面に噴流させて、半導体ウエハの下面全体を
均等に浮上させながら、移送アームの先端部に備
えた吸着パツトで吸着させ移送アームを水平方向
へ若干ずらせて上昇させ取外す方法を提供する目
的である。
これらのチヤツク機構の間〓部へ一時的に噴流す
る水を滞溜させ、静止状態の水の表面張力を破壊
する水量の水を有孔物質から成る乗載台を浸透さ
せ上面に噴流させて、半導体ウエハの下面全体を
均等に浮上させながら、移送アームの先端部に備
えた吸着パツトで吸着させ移送アームを水平方向
へ若干ずらせて上昇させ取外す方法を提供する目
的である。
斯る目的を達成した本発明の研削盤等のチヤツ
ク機構における半導体ウエハの取外し方法の実施
例を以下図面を用いて説明する。
ク機構における半導体ウエハの取外し方法の実施
例を以下図面を用いて説明する。
第１図は本発明の実施による研削盤等のチヤツ
ク機構本体の一部分を構成要部を現した概要説明
図であつて、第２図は水流によつて半導体ウエハ
の浮上させた状態を現した概要説明図であり、第
３図は移送アームの吸着パツトで吸着させた状態
の説明図であり、第４図は移送アームによつて水
平方向へ若干ずらした説明図である。
ク機構本体の一部分を構成要部を現した概要説明
図であつて、第２図は水流によつて半導体ウエハ
の浮上させた状態を現した概要説明図であり、第
３図は移送アームの吸着パツトで吸着させた状態
の説明図であり、第４図は移送アームによつて水
平方向へ若干ずらした説明図である。
本発明は研削盤等のチヤツク機構１において、
該チヤツク機構１から脆性で極薄の半導体ウエハ
Ａを取外す方法に関して、チヤツク機構１の上方
辺へ先端部７に吸着パツト８を備え水平方向へ回
動且つ進退可能な移送アーム６を昇降自在に設け
ると共に、該チヤツク機構１へは円筒状の陥部２
を形設し、該陥部２の底面に間〓部５を設けて有
孔物質から成る円盤状の乗載台４を回転自在に軸
承固定し、該軸の中心部を貫通する排気口兼注水
口３を設けた極薄の半導体ウエハＡを研削加工す
るためにバキユーム吸着機能を有するチヤツク機
構１を用いて、前記乗載台４へ載置された研削加
工後の極薄の半導体ウエハＡのバキユーム吸着を
解除すると同時に前記注水口４より水を噴流させ
て間〓部５へ一時的に滞溜させ、該乗載台４の上
面へ静止状態でできる水層の表面張力を破壊する
水量の水を有孔物質から成る乗載台４を浸透さ
せ、該乗載台４の上面に噴流して半導体ウエハＡ
の下面全体を均等に浮上させながら、移送アーム
６の先端部７に備えた吸着パツト８で吸着させ移
送アーム６を水平方向に若干ずらせて上昇させて
半導体ウエハＡを取外す方法である。
該チヤツク機構１から脆性で極薄の半導体ウエハ
Ａを取外す方法に関して、チヤツク機構１の上方
辺へ先端部７に吸着パツト８を備え水平方向へ回
動且つ進退可能な移送アーム６を昇降自在に設け
ると共に、該チヤツク機構１へは円筒状の陥部２
を形設し、該陥部２の底面に間〓部５を設けて有
孔物質から成る円盤状の乗載台４を回転自在に軸
承固定し、該軸の中心部を貫通する排気口兼注水
口３を設けた極薄の半導体ウエハＡを研削加工す
るためにバキユーム吸着機能を有するチヤツク機
構１を用いて、前記乗載台４へ載置された研削加
工後の極薄の半導体ウエハＡのバキユーム吸着を
解除すると同時に前記注水口４より水を噴流させ
て間〓部５へ一時的に滞溜させ、該乗載台４の上
面へ静止状態でできる水層の表面張力を破壊する
水量の水を有孔物質から成る乗載台４を浸透さ
せ、該乗載台４の上面に噴流して半導体ウエハＡ
の下面全体を均等に浮上させながら、移送アーム
６の先端部７に備えた吸着パツト８で吸着させ移
送アーム６を水平方向に若干ずらせて上昇させて
半導体ウエハＡを取外す方法である。
即ち、本発明を実施する装置は、第１図に図示
の如く、研削盤等のチヤツク機構本体１へは円筒
状で平坦な底面を有する陥部２を形設し、該陥部
２の底面とポーラス状セラミツク等の有孔物質か
ら成る円盤状の乗載台４の下面との間に適宜な容
積を有する間〓部５を設けて乗載台４を段部を形
成する手段等によつて回転自在に軸承固定し、該
軸の中心部を貫通する排気口兼注水口３を設け、
該排気口兼注水口３はチヤツク機構１を貫いて真
空ポンプ及び送水ポンプと接続されているもの
で、真空ポンプを可動させて負荷をかけ極薄の半
導体ウエハＡをバキユーム吸着機能を有するチヤ
ツク機構１と、該チヤツク機構１の上方辺へ先端
部７に吸着パツト８を備えた水平方向へ回動且つ
進退可能な移送アーム６を昇降自在に設けた装置
を用いて実施するものである。
の如く、研削盤等のチヤツク機構本体１へは円筒
状で平坦な底面を有する陥部２を形設し、該陥部
２の底面とポーラス状セラミツク等の有孔物質か
ら成る円盤状の乗載台４の下面との間に適宜な容
積を有する間〓部５を設けて乗載台４を段部を形
成する手段等によつて回転自在に軸承固定し、該
軸の中心部を貫通する排気口兼注水口３を設け、
該排気口兼注水口３はチヤツク機構１を貫いて真
空ポンプ及び送水ポンプと接続されているもの
で、真空ポンプを可動させて負荷をかけ極薄の半
導体ウエハＡをバキユーム吸着機能を有するチヤ
ツク機構１と、該チヤツク機構１の上方辺へ先端
部７に吸着パツト８を備えた水平方向へ回動且つ
進退可能な移送アーム６を昇降自在に設けた装置
を用いて実施するものである。
前記乗載台４へ載置された研削加工後の極薄の
半導体ウエハＡのバキユーム吸着を解除すると同
時に、前記排気口兼注水口３より送水ポンプを可
動させて水を噴流させると、水は容積を有する間
〓部５へ一時的に滞溜するものであり、更に送水
を続けると水は該間〓部５を満たし一気に多量の
水がポーラス状セラミツク等の有孔物質から成る
乗載台４を浸透させ上面に噴流させるもので、該
乗載台４の上面へ静止状態でできる水層の表面張
力を破壊させるに充分な水量を噴流させるもので
あり、半導体ウエハＡの下面全体を該水量によつ
て均等に浮上させながら、加えて、移送アーム６
の先端部７に備えた吸着パツト８で吸着させ水平
方向に若干ずらせて移送アーム６を上昇させるこ
とによつて、更に、表面張力による吸着作用を弱
めて取外すもので、該極薄の半導体ウエハＡの破
損を無く取外せると共に、半導体ウエハＡの下面
と乗載台４等のチヤツク機構１の上面とを水量に
よつて洗い流し洗浄すると同時に研削による摩擦
熱を冷却させるものである。
半導体ウエハＡのバキユーム吸着を解除すると同
時に、前記排気口兼注水口３より送水ポンプを可
動させて水を噴流させると、水は容積を有する間
〓部５へ一時的に滞溜するものであり、更に送水
を続けると水は該間〓部５を満たし一気に多量の
水がポーラス状セラミツク等の有孔物質から成る
乗載台４を浸透させ上面に噴流させるもので、該
乗載台４の上面へ静止状態でできる水層の表面張
力を破壊させるに充分な水量を噴流させるもので
あり、半導体ウエハＡの下面全体を該水量によつ
て均等に浮上させながら、加えて、移送アーム６
の先端部７に備えた吸着パツト８で吸着させ水平
方向に若干ずらせて移送アーム６を上昇させるこ
とによつて、更に、表面張力による吸着作用を弱
めて取外すもので、該極薄の半導体ウエハＡの破
損を無く取外せると共に、半導体ウエハＡの下面
と乗載台４等のチヤツク機構１の上面とを水量に
よつて洗い流し洗浄すると同時に研削による摩擦
熱を冷却させるものである。
この様にして静止状態でできる水層の表面張力
を破壊させるに充分な水量を噴流させることと、
移送アーム６によつて水平方向へ若干ずらせて取
外すのことにより液体による吸着作用の影響を殆
ど受けず、安全確実に半導体ウエハＡを取外すこ
とができ、且つ、時間的なロスをすることがな
く、加えて、水流によつて洗浄され、更に、研削
することにより引き起こされる摩擦熱を蓄えるこ
となく冷却させる取外し方法であつて、取外した
半導体ウエハＡを別のシステム装置へ移送した
後、次の未研削の半導体ウエハＡは効率よく充分
に洗浄され、摩擦熱も解除されたチヤツク機構１
の上面へバキユーム吸着され、順次研削すること
ができるものである。
を破壊させるに充分な水量を噴流させることと、
移送アーム６によつて水平方向へ若干ずらせて取
外すのことにより液体による吸着作用の影響を殆
ど受けず、安全確実に半導体ウエハＡを取外すこ
とができ、且つ、時間的なロスをすることがな
く、加えて、水流によつて洗浄され、更に、研削
することにより引き起こされる摩擦熱を蓄えるこ
となく冷却させる取外し方法であつて、取外した
半導体ウエハＡを別のシステム装置へ移送した
後、次の未研削の半導体ウエハＡは効率よく充分
に洗浄され、摩擦熱も解除されたチヤツク機構１
の上面へバキユーム吸着され、順次研削すること
ができるものである。
以上の如く、本発明は時間的ロスをすることな
く研削後の半導体ウエハ鏡面に何等障害を及ぼさ
ずに取外しができるだけでなく、半導体ウエハの
下面及びチヤツク機構の上面の洗浄を行い、合わ
せて研削による摩擦熱を冷却できるものであつ
て、其の貢献性は計り知れないものがあり、極め
て有意義な効果を奏するものである。
く研削後の半導体ウエハ鏡面に何等障害を及ぼさ
ずに取外しができるだけでなく、半導体ウエハの
下面及びチヤツク機構の上面の洗浄を行い、合わ
せて研削による摩擦熱を冷却できるものであつ
て、其の貢献性は計り知れないものがあり、極め
て有意義な効果を奏するものである。
第１図は本発明の実施による研削盤等のチヤツ
ク機構本体の一部分の構成要部を現した概要説明
図である。第２図は水流によつて半導体ウエハの
浮上させた状態を現した概要説明図である。第３
図は移送アームの吸着パツトで吸着させた状態の
説明図である。第４図は移送アームによつて若干
水平方向へずらした説明図である。 Ａ…半導体ウエハ。１…チヤツク機構、２…陥
部、３…排気口兼注水口、４…乗載台、５…間〓
部、６…移送アーム、７…先端部、８…吸着パツ
ト。
ク機構本体の一部分の構成要部を現した概要説明
図である。第２図は水流によつて半導体ウエハの
浮上させた状態を現した概要説明図である。第３
図は移送アームの吸着パツトで吸着させた状態の
説明図である。第４図は移送アームによつて若干
水平方向へずらした説明図である。 Ａ…半導体ウエハ。１…チヤツク機構、２…陥
部、３…排気口兼注水口、４…乗載台、５…間〓
部、６…移送アーム、７…先端部、８…吸着パツ
ト。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ チヤツク機構の上方辺へ先端部に吸着パツト
を備え水平方向へ回動且つ進退可能な移送アーム
を昇降自在に設けると共に、該チヤツク機構へは
円筒状の陥部を形設し、該陥部の底面に間〓部を
設けて有孔物質から成る円盤状の乗載台を回転自
在に軸承固定し、該軸の中心部を貫通する排気口
兼注水口を設けた極薄の半導体ウエハを研削加工
するためにバキユーム吸着機能を有するチヤツク
機構を用いて、 前記乗載台へ載置された研削加工後の極薄の半
導体ウエハのバキユーム吸着を解除すると同時に
前記注水口より水を噴流させて間〓部へ一時的に
滞溜させ、該乗載台の上面へ静止状態でできる水
層の表面張力を破壊する水量の水を有孔物質から
成る乗載台を浸透させ、該乗載台の上面に噴流し
て半導体ウエハの下面全体を均等に浮上させなが
ら、前記移送アームの先端部に備えた吸着パツト
で吸着させ移送アームを水平方向に若干ずらせて
上昇させ取外すことを特徴とするチヤツク機構に
おける半導体ウエハの取外し方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60005787A JPS61168438A (ja) | 1985-01-18 | 1985-01-18 | チヤツク機構における半導体ウエハの取外し方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60005787A JPS61168438A (ja) | 1985-01-18 | 1985-01-18 | チヤツク機構における半導体ウエハの取外し方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61168438A JPS61168438A (ja) | 1986-07-30 |
| JPH0217300B2 true JPH0217300B2 (ja) | 1990-04-20 |
Family
ID=11620809
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60005787A Granted JPS61168438A (ja) | 1985-01-18 | 1985-01-18 | チヤツク機構における半導体ウエハの取外し方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61168438A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005059173A (ja) * | 2003-08-18 | 2005-03-10 | Yoshioka Seiko:Kk | 吸着装置及びチャックテーブル |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI759595B (zh) * | 2018-05-11 | 2022-04-01 | 日商東京威力科創股份有限公司 | 基板處理系統及基板處理方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5840338B2 (ja) * | 1976-03-19 | 1983-09-05 | 松下電器産業株式会社 | 半導体装置の製造法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5840338U (ja) * | 1981-09-11 | 1983-03-16 | 日立精工株式会社 | ウエハ研削盤用真空吸着装置 |
-
1985
- 1985-01-18 JP JP60005787A patent/JPS61168438A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5840338B2 (ja) * | 1976-03-19 | 1983-09-05 | 松下電器産業株式会社 | 半導体装置の製造法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005059173A (ja) * | 2003-08-18 | 2005-03-10 | Yoshioka Seiko:Kk | 吸着装置及びチャックテーブル |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61168438A (ja) | 1986-07-30 |
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