JPH0217198A - ２’−デオキシ−β−シチジン誘導体およびその塩の製造法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は一般式（１） （式中、 Ｘは水素原子、 ハロゲン原子もしくは ハロゲン原子により７１換されることもあるアルキル基
またはアルケニル基を表わす）で示される２′−デオキ
シ−θ−シチジン誘導体（以下、β−シチジン誘導体（
１）と称する）およびその塩の製造法に関する。

このβ−シチジン誘導体（１３は、抗ウィルス作用、制
がん作用等の医薬１の有用な性質を有する化合物であり
、またＡＩＤＳ　（後天性免疫不全症候群）の治療薬と
して知られる２’、３’　−ジデオキシシチジンの原料
として有用な化合物である。

〔従来の技術〕

従来、β−シチジン誘導体〔１〕の製造法としては、２
′−デオキシ−β−シチジンを天然に存在するＤＮＡ　
（デオキシリボ核酸）より酵素分解により得る方法が知
られている。また、化学合成法としては、３，５−ビス
（パラクロロベンゾイルオキシ）２−デオキシ−Ｄ−リ
ボシルクロリドとＮ−アシルシトシン水銀塩を縮合して
α一体／β一体＝１／］の混合物を得、次いでβ一体を
分離後脱保護して２′−デオキシ−β−シチジンを得る
方法（ジャーナル・オブ・ジ・アメリカン・ケミカル・
ソサイエテイ（Ｊｏｕｒｎａｌ　ｏｒ　ｔｈｅ　Ａｍｅ
ｒｉｃａｎＣｈｅ＋５ｉｃａｌ　　５ｏｃｉｅｔｙ）第
８３巻、第４０６６頁（１９（１１年）〕、または、ソ
チジンを原料として２′−位の水酸基を脱オキシ反応し
て２′　−デオキシ−β−シチジンを得る方法（特開昭
５７−１６４８２号公報およびジャーナル・オブ・ジ・
アメリカン・ケミカル・ソサイエテイ（Ｊｏｕｒｎａｌ
　ｏｆ　ｔｈｅ　Ａｍｅｒｉｃａｎ　Ｃｈｅｍｉｃａｌ
Ｓｏｃｉｅｔｙ）　　第１０５巻、第４ｏｓ９Ｈ（１９
８３年）〕等が知られている。

〔発明が解決しようとする課題］ 前記のβ−シチジン誘導体（１）の製造法のうち、天然
ＤＮＡを酵素分解する方法は、原ｒ１の入手に制約があ
り大量生産には不向きである。また、化学合成法のうち
前者の方法は有害な水銀を用いており、又α一体／β一
体＝１／１の混合物しか得られず収率が悪（、後者の方
法は脱すキシ反応のさい、取り扱い上危険な水素ガスを
用いたり、高価な触媒を必要とする、あるいは有害なス
ズ化合物を使用するなど工業的な製造法として適切な方
法とはいえない。

〔課題を解決するための手段〕

本発明者らは前記の如き欠点を除き、β−シチジン誘導
体およびその塩を、β一体選択率よく、かつ高収率で工
業的に容易に製造する方法について検討を重ねた結果、
リボース誘導体とリボース誘導体に対して２当量以」二
のシトシン誘導体とを無触媒下に非プロトン性溶媒中で
縮合反応させる、あるいは、リボース誘導体とシトシン
誘導体とをアミン類の存在下に非プロトン性溶媒中で縮
合反応させることにより、９０％以Ｊ二のβ一体選ｔＲ
率で置換−β−シチジン誘導体を得、精製後置換−β−
シチジン誘導体の脱保護反応により、高収率でβ−シチ
ジン誘導体が得られることを見い出し、更に必要に応し
てβ−シチジン誘導体の生理的に許容される塩とする本
発明を完成したものである。

すなわち、本発明は、−形式（Ｉｌｌ）（式中、Ｒ１お
よびＲ２は保護基を有する水酸基を、Ｙはハロゲン原子
を、それぞれ表わす）で示されるｌ−α−ハロゲノ−２
−デオキシリボース誘導体（以下、リボース誘導体〔頂
〕と称する）と、該リボース誘導体［［［１）に対して
２当量以との一般式（ｒＶ） （式中、Ｒ３は水酸基の保護基を、Ｒ４はアミノ基の保
護基を、Ｘは水素原子、ハロゲン原子もしくはハロゲン
原子によりｆｆｆｌｊ＋されることもあるアルキル基ま
たはアルケニル基を、それぞれ表わす） で示されるシトシン誘導体（以下、シトシン誘導体（Ｉ
Ｖ）と称する）とを縮合反応させて、−形式（式中、ｐ
＋、　Ｒ１，Ｒ４およびＸは前記と同一の意味を表わす
） で示される３’　、　５’　−ジ置換−２’　−デオキ
シ−β−シチジン誘導体（以下、置換−β−シチジン誘
導体〔■）と称する）とする、あるいは、リボース誘導
体（ＩＩＩ）とシトシン誘導体（ＩＶ）とを、アミン類
の存在下に縮合反応させて置換−β−シチジン誘導体（
ＩＩ）とし、次いでこの置換−β−シチジン誘導体（Ｉ
Ｉ）の保！！基の脱離反応によりβ−シチジン誘導体（
１）を得、更に必要に応じて生理的に許容される塩とす
ることからなるβシチジン誘導体［１）およびその塩の
新規な製造法を提供するものである。

本反応の原料であるリボース誘導体（ｔｉｔ）のＲ１お
よびＲ１は保護基を存する水酸基であり、保護基として
は一般に＃Ｎ類の保！Ｗ基として用いられるものが使用
できる０通常は脱保護のさい温和な条件下で容易にａｍ
する保３９基が用いられ、ベンジル基、トリチル基等の
アラルキル基、アセチル基。

プロピオニル基、ピバロイル基、ベンゾイル基等のアシ
ル基、エトキシカルボニル基等のアルキルカルボニル基
、フェノキシカルボニル基等のアリールカルボニル基等
が例示されるが、これらに限定されるものではない、こ
のさいこれらの保護基がフェニル基を有するときは、置
換基としてノ１０ゲン原子、アルキル基、ニトロ基、ア
ルコキシ基等を有するフェニル基であってもよい、Ｙは
塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等のハロゲン原子であ
る。また、シトシン誘導体〔■〕のＲ３およびＲ４はア
ミノ基または水酸基の保！を基であり、ベンジル基、ト
リチル基等のアラルキル基、アセチル基。

プロピオニル基、ピバロイル基、ベンゾイル基等のアシ
ル基、エトキシカルボニル基等のアルキルカルボニル基
、フェノキシカルボニル基等のアリールカルボニル基、
トリメチルシリル基、Ｌ−ブチルジメチルシリル基、フ
ェニルジメチルシリル基等のトリオルガノシリル基等が
例示されるが、これらに限定されるものではない。Ｘは
水素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等のハロゲ
ン原子もしくはハロゲン原子によりｌｔｍされることも
あるアルキル基またはアルケニル基である。また、本反
応の反応溶媒である非プロトン性溶媒としては、ジエチ
ルエーテル、イソプロピルエーテル。

テトラヒドロフラン等のエーテル類、ｎ−ペンタン、ｎ
−ヘキサン、シクロヘキサン、ベンゼントルエン等の炭
化水素系溶媒、ジクロロメタン。

クロロホルム、ジクロロエタン等のハロゲン系炭化水素
系溶媒またはアセトニトリル等が用いられるが、特にク
ロロホルム、１１２−ジクロロエタン。

アセトニトリルが好適である。

本発明のリボース誘導体ｔｉｌｌ）とシトシン誘導体（
ＩＶ）との縮合反応は、無触媒下に非プロトン性を６媒
中で行う、このさいシトシン誘導体（ＴＶ）はリボース
誘導体（Ｉ［［）に対して２当量以上、好ましくは３〜
５当量用いることによりβ一体の選択率が著しく向上し
、９０％以上のβ一体選択率でＷｔｌＳ−β−シチジン
誘導体（ＩＩ）が得られる。

２当量未満ではα一体の生成が多くなり、β一体選択率
が低下するので好ましくない、縮合反応の反応温度は使
用する溶媒によっても異なるが０〜１００℃、特に０〜
５０℃が好適である０反応時間は使用する溶媒や反応温
度によっても異なるが−ａに３０分〜２０時間を要する
。また、本発明のリボース誘導体（ＩＩＩ）とシトシン
誘導体（ｒＶ）との縮合反応は、アミン類の存在下に非
プロトン性溶媒中で行っても所期の目的を達成する。こ
のさい用いるアミン類は一般式（Ｖ） Ｒ，ＮＨ＋ｓ−−＋　　　　　　（Ｖ）で示され、ＷＨ
ＩＲ’はメチル基、エチル基、ブチル基等のアルキル基
またはトリメチルシリル基等のトリオルガノシリル基で
あり、ｎは口ないし３の整数を表わすもので、アンモニ
ア、トリエチルアミン、ヘキサメチルジシラザン等が例
示されるが、これらに限定されるものではない、シトシ
ン誘導体（ＩＶＩはリボース誘導体（Ｉｌｌ）に対して
１当量以上、好ましくは１．１〜１．５当量、アミン類
はシトシン誘導体（ｒＶ）に対して、０．１〜１．５当
量、好ましくは０．５〜１．５当量用いることによりβ
一体選択率が著しく向上し、９０％以上のβ−体選択率
で置換−β−シチジン誘導体〔■〕が得られる。縮合反
応の反応温度は使用する溶媒やアミン類によっても異な
るが０〜１００℃、特に０〜５０℃が好適であり、反応
時間は使用する溶媒。

アミン類および反応温度によっても異なるが一般には３
０分〜２０時間を要する。縮合反応によって得られる若
干のα一体を含む置換−β−シチジン誘導体（１１）を
、再結晶等の精製手段によりβ体のみとしたのち、保護
基の脱離反応を行うことにより、リボース誘導体口１に
対して７５％以上の高収率でβ−シチジン誘導体（１）
を得るもので、更に必要に応じて生理的に許容される塩
とするものである。ここでβ−シチジン誘導体（１）の
塩としては、塩酸、臭化水素酸、リン酸。

硫酸等の無機酸、修酸、マレインＭ、　フマル酸。

乳酸、酒石酸、りんご酸、クエン酸、安息香酸等の有機
酸が例示される。

〔実施例］ 以下、実施例と比較例とを挙げて本発明を説明する。

実施例１ 窒素置換した１２三つロフラスコに、ビストリメチルシ
リルシトシン２５．５ｇ（１００ミリモル）およびクロ
ロホルム３００ｄを仕込み、撹拌下に３００ｄのクロロ
ホルムに溶解した０３・５−ビス−（４−クロロベンゾ
イル）−２−デオキシ−α−Ｄ−リボフラノシルクロリ
ド８．５９ｇ（２０ミリモル）を加え、室温で１時間線
合反応を行った。

反応終了後、水２００ｄを加えて過剰のシトシンを分離
・回収したのち、分液した有機層を濃縮してｔＩｌＯコ
°・５°−ビス−（４−クロロベンゾイル）２′−デオ
キシシチジン１０．５　ｇを得た。このもののα一体と
β一体の比は高速液体クロマトグラフィー（逆相カラム
、溶離液０．０５　Ｍ　ＮａＨｔＰＯ４，ＵＶ２７０ｎ
−で検出、以下の実施例および比較例においても同条件
）で分析した結果、９／９１であった。

この粗生成物をエタノールによる再結晶を行い、α一体
ヲ含まない０３’　、　Ｓｏ−ビス＝（４−クロロベン
ゾイル）−２′−デオキシ−β−シチジン８、５７　ｇ
を得た。収率８５％（対０コ・５−ビス（４−クロロベ
ンゾイル）−２−デオキシ−α−Ｄ−リボフラノシルク
ロリド）。

次に、この０３°゛５゛−ビス−（４−クロロベンゾイ
ル）−２′−デオキシ−β−シチジンをアンモニア性メ
タノールで処理して、保護基である４−クロロベンゾイ
ル基を脱離させたのち、濃塩酸を加えて粗２′−デオキ
シーβ−シチジン塩酸塩とし、水−メタノールにより再
結晶して、２′−デオキシ−β−シチジン塩酸塩４．３
２　ｇを得た。収率８２％（対０３°５−ビス−（４−
クロロベンゾイル）−２−デオキシ−α−Ｄ−リボフラ
ノシルクロリド）。

融点　１６１〜１６４℃ 赤外吸収スペクトル（ＫＢｒ）　ｃｔｓ−’３３８０、
２９４０．１７２０．１６６０．１２７０．１０８５．
１０５０．８４０．７７０１１−核磁気共鳴スペクトル
（２００ＭＨｚ、　Ｄ！０）δ、ｐ、＝２．４０（２８
，ｓ、２’　−Ｉｔ）３．７７（２Ｈ，ｍ、５’　　−
８） ４．０５（ＩＩＩ、ｓ、４’　−Ｈ） ４．４０（ＩＩＬ糟、３’　−Ｈ） ６．２０（２１１，ｍ、ｌ’　−１ｔ、５−８）８．０
７（１８，ｄ、Ｊ＝８Ｈｚ、６−１１）旋光度〔α〕。

＋５７°（ｄ・６．３．）Ｉｔｓ）実施例２ 窒素置換した１ｆｆｉ三つロフラスコに、ビストリメチ
ルシリルシトシン６．６４ｇ（２６ミリモル）、ヘキサ
メチルジシラザン３．２３ｇ（２０ミリモル）およびク
ロロホルム３００ｍを仕込み、撹拌下に３００ｄのクロ
ロホルムに溶解した０１°ゝ−ビス（４−クロロベンゾ
イル）−２−デオキシ−αＤ−リボフラノシルクロリド
８．５９ｇ（２０ミリモル）を加え、室温で１時間線合
反応を行った。

反応終了後、実施例１と同様の処理を行い、粗０コ°・
５°−ビス−（４−クロロベンゾイル）−２′−デオキ
シシチジンＩ　Ｏ，Ｏｇを得た。このもののα一体とβ
一体の比は高速液体クロマトグラフィーで分析した結果
、８／９２であった。この粗生成物を実施例１と同様に
精製して、α一体を含まない０３°゛５°−ビス−（４
−クロロベンゾイル）−２′−デオキシ−β−シチジン
８．８１ｇを得た。

（１８７％（対０３゛ゝ−ビス−（４−クロロベンゾイ
ル）−２−デオキシ−α−Ｄ−リボフラノシルクロリド
）。

次に、このＱ！’＋５’−ビス−（４−クロロベンゾイ
ル）−２′−デオキシ−β−シチジンをアンモニア性メ
タノールで処理して、保護基である４−クロロベンゾイ
ル基を脱離させたのち、濃塩酸を加えて粗２′−デオキ
シーβ−シチジン塩酸塩とし、水−メタノールにより再
結晶して、２′−デオキシ−β−シチジン塩酸塩４．３
８　ｇを得た。収率８３％（対０３・５−ビス−（４−
クロロベンゾイル）−２−デオキシ−α−Ｄ−リボフラ
ノシルクロリド）。

融点　１６１〜１６４℃ 赤外吸収スペクトル（ＫＢｒ）　ｃｍ−’３３Ｂ０，２
９４０．１７２０．１６６０．１２７０．１０８５．１
０５０．８４０．７７０１１−核磁気共鳴スペクトル（
２００ＭＩＩＺ、　ＤｚＯ）δｐ−＝２．４０（２Ｈ，
ｍ、２’　−Ｈ）３．７７（２１１，ｍ、５’　　−Ｉ
ｔ）４．０５（ＩＨｌＩＩ、４’　−Ｈ） ４．４０（ＩＨ，■、３’　−Ｈ） ６．２０（２ｔ１．ｗ、１’　−）１．５　−Ｉｔ）８
．０７（１８，ｄ、Ｊ＝８１１ｚ、６−Ｈ）旋光度〔α
〕、モ５７°（ｄ・６．３．１１２０）実施例３ 実施例２の仕込組成のうちへキサメチルジシラザンの代
りにトリエチルアミン１．１２ｇ（１２ミリモル）を用
いたほかは、実施例２と同様の反応と後処理を行い、粗
０３°″°−ビス−（４−クロロベンゾイル）−２′−
デオキシシチジン１１．０ｇをｌ）だ、このもののα一
体とβ一体の比は高速液体クロマトグラフィーで分析し
た結果、９／９１であった。この粗生成物を実施例２と
同様に精製して、α一体を含まない０３°ｓ＋−ビス＝
（４−クロロベンゾイル）−２′−デオキシ−β〜シチ
ジン８．５７　ｇを得た。収率８５％（対Ｑ２ｒ５−ビ
ス〜（４−クロロベンゾイル）−２−デオキシ−α〜Ｄ
−リボフラノシルクロリド）。

次に、このＯ！’＋５’−ビス−（４−クロロベンゾイ
ル）−２′−デオキシ−β−シチジンの保護基を実施例
２と同様に処理して脱離させ、さらに塩酸塩としたのち
精製して、２′−デオキシ−β−シチジン塩酸塩４．２
４ｇを得た。収率８ｏ％（対０ゴ°５−ビス−（４−ク
ロロベンゾイル）−２デオキシ−α−Ｄ−リボフラノシ
ルクロリド）。

融点　１６１〜１６４°Ｃ 赤外吸収スペクトル（Ｋｌｉｒ）Ｃ＋５−３３８０．２
９４０．１７２０．１６６０．　＋２７０．１０８５．
１０５０．８４０７７０１１１−核磁気共鳴スペクトル
（２００ＭＩＩｚ、Ｄ、Ｏ）δ２□−２，４０（２ｔｌ
、ｍ、２’　−Ｉｔ）３．７７（２１１，霧、５’　−
Ｈ） ４．０５（１１１，１１，４’−〇 ４．４０（］ｌＩ、ｍ、３’　−Ｈ） ６．２０（２８，ｓ＋、１’　−１１，５−１４）８．
０７（１１１，ｄ、Ｊ＝８１１ｚ、６−１ｆ）峰光度（
αＬ＋ｓ７°（ｄ＝６．３．１１２０）比較例］ 実施例Ｉの仕込組成のうちビストリメチルシリルシトシ
ンの使用量を６．６４ｇ（２６ミリモル）としたばかは
、実施例Ｉと同様の反応と後処理を行い、ｆｌｌＱｆｆ
’＋５°−ビス−（４−クロロベンゾイル）−２′−デ
オキシシチジン９．７ｇを得た。このもののα一体とβ
一体の比は高速液体クロマトグラフィーで分析した結果
、４１１５９であった。

実施例４ 実施例１の仕込組成のうちビストリメチルシリルシトシ
ンの代りにＮ４−ベンゾイル−ｔｐ−）リメチルシリル
シトシン２２．９ｇ　（８０ミリモル）を用いたほかは
、実施例１と同様の反応と後処理を行い、粗０１′″５
゛−ビス−（４−クロロベンゾイル）−Ｎ’−ベンゾイ
ル−２′−デオキシシチジン１２゜７ｇを得た。このも
ののα一体とβ一体の比は高速液体クロマトグラフィー
で分析した結果、１０／９０であった。この粗生成物を
実施例１と同様に精製して、α一体を含まない０３″・
５′−ビス〜（４−クロロベンゾイル）−Ｉｌ１４−ベ
ンゾイル−２１−デオキシ−β−シチジン９．８５　Ｂ
を得た。収率８１％（対ｏ３°５−ビス−（４−クロロ
ベンゾイル）　　　２−チオ−ｔ−’ｙ　−ｔｒ　−Ｄ
−リボフラノシルクロリド）。

次に、この０１°″５°−ビス−（４−クロロベンゾイ
ル）−Ｎ４−ベンゾイル−２１−デオキシ−βシチジン
をアンモニア性メタノールで処理して、保護基であるベ
ンゾイル基および４−クロロベンゾイル基を脱離させた
のち、４塩酸を加えて相２′−デオキシーβ−シチジン
塩酸塩とし、水−メタノールにより再結晶して、２′−
デオキシ−θ−シチジン塩酸塩４．０５ｇを得た。収率
７７％（対Ｏｊ″−ビス−（４−クロロベンゾイル）−
２−デオキシ−α−Ｄ−リボフラノシルクロリド）、。

融点　１６１〜１６４℃ 赤外吸収スペクトル（ＫＢｒ）　ｃｍ−’３３８０．２
９４０．１？２０．１６６０．１２７０．１０８５．１
０５０．８４０７７０Ｊ（−核磁気共鳴スヘ’）　）　
／Ｉ／　（２００ＭＩｌｚ、［ｌｔＯ）δ□、　＝　２
．４０　（２１＋　、鍋、２’　　−ＩＩ）３．７７（
２Ｌｍ、５’　　−Ｉｔ） ４．０５（Ｉｆｆ、ｍ、４’　　−ＩＩ＞４．４０（＋
１１．ｍ、３’　　−Ｈ）６．２０（２Ｈ，ｓ＋、Ｉ’
　　−Ｉｆ、５−ＩＩ）８．０７（Ｉｌｌ、ｄ、Ｊ＝８
１１ｚ、６−ｔｌ）旋光度〔α）ａ＋５７°（ｄ・６．
３．　Ｈ，Ｏ）実施例５ 実施例２の仕込組成のうちビストリメチルシリルントシ
ンの代りにＮ′−ベンゾイル−０！−トリメチルシリル
シトシン７．４６ｇ（２６ミリモル）を用いたほかは、
実施例２と同様の反応と後処理を行い、ｔＴ１０３°°
５°−ビス（４−クロロベンゾイル）Ｎ′−ベンゾイル
−２′−デオキシシチジン１２．５ｇを得た。このもの
のα一体とβ一体の比は高速液体クロマトグラフィーで
分析した結果、１０／９０であった。この粗生成物を実
施例２と同様に精製して、α一体を含まない０２’−５
°−ビス−（４−クロロベンゾイル）　　ｓ４−ベンゾ
イル−２′デオキシ−β−シチジン１０．１　ｇを得た
。収率８３％（対０１％−ビス−（４−クロロベンゾイ
ル）−２−デオキシ−α−Ｄ−リボフラノシルクロリド
）。

次に、この０１’　、　Ｓ’−ビス−（４−クロロベン
ソイル）　　Ｎ４−ヘンジイル−２′−デオキシーβソ
チジンの保護基を実施例４と同様に処理して脱離させ、
さらに塩酸塩としたのち精製して、２′デオキシ−β−
シチジン塩酸塩４．１６　ｆｌを得た。

収率７９％（対０３°５−ビス−（４−クロロベンゾイ
ル）−２−デオキシ−α−Ｄ−リボフラノシルクロリド
）。

融点　１６１〜１６４°Ｃ 赤外吸収スペクトル（ＫＢｒ）　ｃｌｌ−直３３８０．
２９４０．　＋７２０．１６６０．１２７０．１ＯＦ１
５．　＋０５０，８４０，７７０’ＩＩ−核磁気共鳴ス
ペクトル（２００ＭＩ＋２．０２０）δＰ□＝２．４０
（２＋１．購、２’　−ＩＩ）３．７７（２ｔ１．＊、
５’　−ｔｌ）４．０５（ＩＩ、ｓ、４’　−Ｉｔ） ４．４０（１Ｂ、■、３’　−１１＞ ６．２０（２１１，ｍ、　Ｉ’　−１１，５−１１）８
．０７（］］１１．ｄ、Ｊ＝８Ｈｚ、６−１１旋光度（
ａ　）　、　＋　５７　’　（ｄ＝６．３．ＬＯ）比較
例２ 実施例４の仕込組成のうちＮ４−ベンゾイル−０！トリ
メチルシリルシトシンの使用叶を７．４６　ｇ（２６ミ
リモル）としたほかは、実施例４と同様の反応と後処理
を行い、１ｌＩｏ　３　’・５″−ビス（４−クロロベ
ンゾイル）　　ｓ４−ベンゾイル−２′−デオキシシチ
ジン１２．　Ｉ　ｇを得た。このもののα一体とβ一体
の比は高速液体クロマトグラフィーで分析した結果、５
３／４７であった。

〔発明の効果） 本発明のβ−シチジン誘導体〔１］およびその塩の製造
法は、原料としてリボース誘導体（［）とシトシン誘導
体（ｒＶ）を選択し、かつリボース誘導体（Ｉｌｌ）と
シトシン誘導体（ｒＶ）との縮合反応を、リボース誘導
体（Ｉｌｌ）に対して２当量以上のシトシン誘導体〔■
〕を反応させるか、あるいは、リボース誘導体（ｌｉｔ
）とシトシン誘導体（ＩＶ）とをアミン類の存在下に行
うことにより、β一体選択率がきわめて高く、かつ高収
率でβ−シチジン誘導体を得るとともに、反応にさいし
高価な触媒や取り扱い、Ｅ危険な薬品の使用を必要とせ
ず、工業的に容易に製造できる。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １　一般式〔III〕 ▲数式、化学式、表等があります▼〔III〕 （式中、Ｒ＾１およびＲ＾２は保護基を有する水酸基を
   、Ｙはハロゲン原子を、それぞれ表わす） で示される１−α−ハロゲノ−２−デオキシリボース誘
   導体と、１−α−ハロゲノ−２−デオキシリボース誘導
   体に対して２当量以上の一般式〔IV〕▲数式、化学式、
   表等があります▼〔IV〕 （式中、Ｒ＾３は水酸基の保護基を、Ｒ＾４はアミノ基
   の保護基を、Ｘは水素原子、ハロゲン原子もしくはハロ
   ゲン原子により置換されることもあるアルキル基または
   アルケニル基を、それぞれ表わす） で示されるシトシン誘導体とを縮合反応させて、一般式
   〔II〕 ▲数式、化学式、表等があります▼〔II〕 （式中、Ｒ＾１、Ｒ＾２、Ｒ＾４およびＸは前記と同一
   の意味を表わす） で示される３′，５′−ジ置換−２′−デオキシ−β−
   シチジン誘導体とし、次いで保護基の脱離反応を行うこ
   とを特徴とする一般式〔 I 〕 ▲数式、化学式、表等があります▼〔 I 〕 （式中、Ｘは前記と同一の意味を表わす） で示される２′−デオキシ−β−シチジン誘導体および
   その塩の製造法。 ２　一般式〔III〕 ▲数式、化学式、表等があります▼〔III〕 （式中、Ｒ＾１およびＲ＾２は保護基を有する水酸基を
   、Ｙはハロゲン原子を、それぞれ表わす） で示される１−α−ハロゲノ−２−デオキシリボース誘
   導体と、一般式〔IV〕 ▲数式、化学式、表等があります▼〔IV〕 （式中、Ｒ＾３は水酸基の保護基を、Ｒ＾４はアミノ基
   の保護基を、Ｘは水素原子、ハロゲン原子もしくはハロ
   ゲン原子により置換されることもあるアルキル基または
   アルケニル基を、それぞれ表わす） で示されるシトシン誘導体とをアミン類の存在下に縮合
   反応させて、一般式〔II〕 ▲数式、化学式、表等があります▼〔II〕 （式中、Ｒ＾１、Ｒ＾２、Ｒ＾４およびＸは前記と同一
   の意味を表わす） で示される３′，５′−ジ置換−２′−デオキシ−β−
   シチジン誘導体とし、次いで保護基の脱離反応を行うこ
   とを特徴とする一般式〔 I 〕 ▲数式、化学式、表等があります▼〔 I 〕 （式中、Ｘは前記と同一の意味を表わす） で示される２′−デオキシ−β−シチジン誘導体および
   その塩の製造法。