JPH02170969A - ターゲット材の製造方法 - Google Patents
ターゲット材の製造方法Info
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- 239000013077 target material Substances 0.000 title claims abstract description 19
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 29
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims abstract description 23
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 16
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims abstract description 13
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims abstract description 13
- PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N tellurium atom Chemical compound [Te] PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 12
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- 229910001370 Se alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- 239000011669 selenium Substances 0.000 claims abstract description 10
- 229910001215 Te alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims abstract description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 16
- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims description 5
- 238000007873 sieving Methods 0.000 claims description 4
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims description 3
- 238000010298 pulverizing process Methods 0.000 claims description 3
- 238000007731 hot pressing Methods 0.000 abstract description 3
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 10
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 10
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 9
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 8
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 8
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 6
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 6
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 5
- 239000011362 coarse particle Substances 0.000 description 4
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 3
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 238000005275 alloying Methods 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000007872 degassing Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000001513 hot isostatic pressing Methods 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010301 surface-oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- -1 their alloys Chemical compound 0.000 description 1
Landscapes
- Powder Metallurgy (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
「産業上の利用分野」
本発明は、テルル、テルル合金、セレンまたはセレン合
金の薄膜層をスパッタリング法により形成する場合に使
用されるテルル、テルル合金、セレンまたはセレン合金
からなるターゲット材の装造方法に関するものである。
金の薄膜層をスパッタリング法により形成する場合に使
用されるテルル、テルル合金、セレンまたはセレン合金
からなるターゲット材の装造方法に関するものである。
「従来の技術」
周知のように、テルル、テルル合金、セレンまたはセレ
ン合金は、光ディスクの記録媒体薄11q f3に好適
な材料として実用化されており、同薄膜層は、一般にス
パッタリング法により製造されている。このスパッタリ
ング法に用いられるターゲットは、円形または角形板状
のテルル、テルル合金、セレン、セレン合金のターゲッ
ト材(以下、単に;−タープ・ノド材」という)とそれ
にロウ付けされたバッキングプレート(冷却板)とから
なっている。
ン合金は、光ディスクの記録媒体薄11q f3に好適
な材料として実用化されており、同薄膜層は、一般にス
パッタリング法により製造されている。このスパッタリ
ング法に用いられるターゲットは、円形または角形板状
のテルル、テルル合金、セレン、セレン合金のターゲッ
ト材(以下、単に;−タープ・ノド材」という)とそれ
にロウ付けされたバッキングプレート(冷却板)とから
なっている。
従来、このようなスパッタリング用のタープ。
ト材の製造方法としては、溶解鋳造法または粉末焼結法
が採用されている。
が採用されている。
[発明が解決しようとする課題]
上記従来の製造方法のうち、溶解鋳造法においては、周
知のようにテルルおよびセレンが合金も含めて非常に脆
く、展延性がないため、圧延等の塑性加工は困難であり
、また鋳塊をそのまま加工する場合でも、例えば角形製
品で1oon++nX100mmXIOmmを超えるよ
うな大型の物の機械加工も困難である。そのため、上記
ターゲット材を製造する場合、通常は粉末焼結法が採ら
れている。
知のようにテルルおよびセレンが合金も含めて非常に脆
く、展延性がないため、圧延等の塑性加工は困難であり
、また鋳塊をそのまま加工する場合でも、例えば角形製
品で1oon++nX100mmXIOmmを超えるよ
うな大型の物の機械加工も困難である。そのため、上記
ターゲット材を製造する場合、通常は粉末焼結法が採ら
れている。
具体的には、HI P (熱間静水圧プレス)法、C■
P(冷間静水圧プレス)法、ポットプレス法等があげら
れる。
P(冷間静水圧プレス)法、ポットプレス法等があげら
れる。
ところが、これらの粉末焼結法により得られたターゲッ
ト材を使用してスパッタリングを行う場合、ターゲット
材の密度が低いので、ターゲット材が脆く、熱伝導が悪
くまた熱1膨張係数が大きいため、高出力に上げると、
ターゲット材の溶融、クラックの発生等の異常が発生す
るという問題があった。そのため、生産性を上げること
ができなかった。
ト材を使用してスパッタリングを行う場合、ターゲット
材の密度が低いので、ターゲット材が脆く、熱伝導が悪
くまた熱1膨張係数が大きいため、高出力に上げると、
ターゲット材の溶融、クラックの発生等の異常が発生す
るという問題があった。そのため、生産性を上げること
ができなかった。
本発明は、上記事情に鑑みなされたもので、ターゲット
材を高密度化することにより、機械的強度の増大、熱伝
導度の向上等を図り、高出力で効率良くスパッタリング
を行うことができるようにして、生産性を向上させるこ
とを目的とするものである。
材を高密度化することにより、機械的強度の増大、熱伝
導度の向上等を図り、高出力で効率良くスパッタリング
を行うことができるようにして、生産性を向上させるこ
とを目的とするものである。
「課題を解決するための手段」
上記目的を達成するために、この発明のターゲット材の
製造方法は、テルル、テルル合金、セレンまたはセレン
合金を粉砕する工程と、篩分けする工程と、混合する工
程と、加圧成形する工程と、焼結する工程とを有するタ
ーゲット材の製造方法において、上記各工程を、非酸化
性の環境下で行うとともに、上記粉末をその粒度分布が
、BO〜100メソシュー 40:!: 10重11
1%100〜200メツシユ … 30±10重量%2
00〜400メツシュ … 20± 5重量%400メ
ツシユ以下 … 10± 5重量%になるように混合し
、ホットプレス法により上記加圧成形および焼結を行う
ことを特徴とするものである。
製造方法は、テルル、テルル合金、セレンまたはセレン
合金を粉砕する工程と、篩分けする工程と、混合する工
程と、加圧成形する工程と、焼結する工程とを有するタ
ーゲット材の製造方法において、上記各工程を、非酸化
性の環境下で行うとともに、上記粉末をその粒度分布が
、BO〜100メソシュー 40:!: 10重11
1%100〜200メツシユ … 30±10重量%2
00〜400メツシュ … 20± 5重量%400メ
ツシユ以下 … 10± 5重量%になるように混合し
、ホットプレス法により上記加圧成形および焼結を行う
ことを特徴とするものである。
である。
さらに本発明の詳細な説明する。まず、本発明係るター
ゲット材の原料は、予め適当な処理をして酸素含有量を
少なくした材料を使用する。すなわち、テルルまたはセ
レン合金を溶製する場合であれば、不活性雰囲気下でこ
れを行い、また素材が酸素を含有している場合は、再溶
解後に脱ガス処理等を施し、溶装または合金化を行う。
ゲット材の原料は、予め適当な処理をして酸素含有量を
少なくした材料を使用する。すなわち、テルルまたはセ
レン合金を溶製する場合であれば、不活性雰囲気下でこ
れを行い、また素材が酸素を含有している場合は、再溶
解後に脱ガス処理等を施し、溶装または合金化を行う。
このようにして得られた素材の貯蔵や運搬も不活性雰囲
気下で行うことは言うまでもない。
気下で行うことは言うまでもない。
次に、これらテルル単体、セレン単体、テルル含金また
はセレン合金の魂の粉砕、篩分け、混合の各工程を、還
元ガス雰囲気、不活性ガス雰囲気または真空の非酸化性
の環境下で行う。
はセレン合金の魂の粉砕、篩分け、混合の各工程を、還
元ガス雰囲気、不活性ガス雰囲気または真空の非酸化性
の環境下で行う。
ここで、上記粉末の混合工程では、上記の粉末の粒度分
布になるように調整する。これは、この粒度分布より微
粒が多いものでは、粒の表面積増大により表面酸化が進
行して成形性が悪くなり、逆に粗粒が多すぎると、成形
後、粗粒間の空隙が残り、高密度化が実現されないから
であり、上記粒度分布にすることにより、適当に粗粒子
と微粒子とが混合され、粗粒子間の空隙に微粒子が入り
込み、空隙を埋めることによって、高密度化が実現でき
ると考えたからである。
布になるように調整する。これは、この粒度分布より微
粒が多いものでは、粒の表面積増大により表面酸化が進
行して成形性が悪くなり、逆に粗粒が多すぎると、成形
後、粗粒間の空隙が残り、高密度化が実現されないから
であり、上記粒度分布にすることにより、適当に粗粒子
と微粒子とが混合され、粗粒子間の空隙に微粒子が入り
込み、空隙を埋めることによって、高密度化が実現でき
ると考えたからである。
次に、これらの粉末を、ホットプレス法により、還元ガ
ス雰囲気、不活性ガス雰囲気または真空下で、加圧成形
および焼結する。ホットプレス法を用いたのは次の理由
による。すなわち、ターゲ。
ス雰囲気、不活性ガス雰囲気または真空下で、加圧成形
および焼結する。ホットプレス法を用いたのは次の理由
による。すなわち、ターゲ。
ト材を高密度化するためには、一般的な成形法の中で、
温度と圧力が同時に作用するH I P法もしくはホッ
トプレス法が有効である。しかし、テルル、テルル合金
、セレンまたはセレン合金は、般的に低融点のため、H
IP法では、同法の加圧の原理である気体の温度上昇に
伴う圧力上昇が期待できず、また低温での変形抵抗の小
さい缶材の選定および缶から取り出す作業(脱化)の困
難等の問題点があるからである。
温度と圧力が同時に作用するH I P法もしくはホッ
トプレス法が有効である。しかし、テルル、テルル合金
、セレンまたはセレン合金は、般的に低融点のため、H
IP法では、同法の加圧の原理である気体の温度上昇に
伴う圧力上昇が期待できず、また低温での変形抵抗の小
さい缶材の選定および缶から取り出す作業(脱化)の困
難等の問題点があるからである。
また、上記各工程を還元ガス雰囲気、不活性カス雰囲気
または真空下で行ったのは、上記原料粉末が酸化し易い
からである。すなわち、粉砕時、篩分は時、混合時、成
形時および焼結時に酸化が進行すると、粒子間の結合が
不完全となり、その成形性が芹しく低下してしまうので
ある。
または真空下で行ったのは、上記原料粉末が酸化し易い
からである。すなわち、粉砕時、篩分は時、混合時、成
形時および焼結時に酸化が進行すると、粒子間の結合が
不完全となり、その成形性が芹しく低下してしまうので
ある。
「作用」
上記本発明方法によれば、上記各工程を還元ガス雰囲気
、不活性ガス雰囲気または真空下で行うので、酸化が防
止され成形性か向上する。
、不活性ガス雰囲気または真空下で行うので、酸化が防
止され成形性か向上する。
さらに、粉末の粒度分布を上記のように調整することに
より、粉末の酸化の抑制および10粒子間の空隙の減少
が図られ、成形体が高密度化する。
より、粉末の酸化の抑制および10粒子間の空隙の減少
が図られ、成形体が高密度化する。
さらには、温度と圧力が同時に作用するホットプレス法
により成形および焼結を行うので、成形体が高密度化す
る。
により成形および焼結を行うので、成形体が高密度化す
る。
このようにして得た高密度なターゲット材を用いたター
ゲットでは、高出力でスパッタリングを行っても、溶融
やクラックが発生しない。
ゲットでは、高出力でスパッタリングを行っても、溶融
やクラックが発生しない。
「実施例」
まず、真空蒸留により精製されたT e(0、含有ff
i 10 ppm以下)とS e(Oを含有ffi l
Oppm以下)を、80Te−20Se(原子%)の
比率で、石英ガラス容器を用いI 0−3Torrまで
真空排気後、Arガス雰囲気下で500 ’Cまで加熱
し合金化を行った。
i 10 ppm以下)とS e(Oを含有ffi l
Oppm以下)を、80Te−20Se(原子%)の
比率で、石英ガラス容器を用いI 0−3Torrまで
真空排気後、Arガス雰囲気下で500 ’Cまで加熱
し合金化を行った。
次に、A「ガス雰囲気下にて、ボールミルをII+いて
粉砕し、さらに同雰囲気下にて、60メノンユ100メ
ツシユ、200メツシユ、400メツシユの篩分けを行
った。
粉砕し、さらに同雰囲気下にて、60メノンユ100メ
ツシユ、200メツシユ、400メツシユの篩分けを行
った。
次に、得られた粉体をその粒度分布が、60〜100メ
ソシユ ・・ 41重M%100〜200メツシユ …
30市m%200〜400メ ノシュ ・・ 1
8重量%400メツシユ以下 … 11重量% になるように混合し、I O”’Torrまで真空排気
後、ホットプレス法により、Ar千2%If 、ガス雰
囲気下にて、350°CX 500kg/cm”X I
Ilrの加圧焼結を行った。得られた成形体を直径1
50mmφ。
ソシユ ・・ 41重M%100〜200メツシユ …
30市m%200〜400メ ノシュ ・・ 1
8重量%400メツシユ以下 … 11重量% になるように混合し、I O”’Torrまで真空排気
後、ホットプレス法により、Ar千2%If 、ガス雰
囲気下にて、350°CX 500kg/cm”X I
Ilrの加圧焼結を行った。得られた成形体を直径1
50mmφ。
厚さ6111ffiの円形板に機械加工した後、銅製冷
却仮にはんだを用いてロウ付けし、スパッタリング川T
e−3e合金ターゲットを得た。
却仮にはんだを用いてロウ付けし、スパッタリング川T
e−3e合金ターゲットを得た。
素材および粉末の粒度分布を変えて、上記同様にして得
られた本発明に係るターゲット(本発明ターゲット)と
、粉末の粒度分布あるいは雰囲気を変えて、上記同様に
して得られた従来のターゲ。
られた本発明に係るターゲット(本発明ターゲット)と
、粉末の粒度分布あるいは雰囲気を変えて、上記同様に
して得られた従来のターゲ。
ト(従来ターゲット)の比較を第1表に示す。
(以下余白)
第1表から明らかなように、本発明方法により得られた
ターゲ・1ト材の密度比は、従来のターゲット材の密度
比よりも高(、本発明に係るターゲット材を用いて、ス
パッタリングを600〜1000Wの高出力で行っても
、溶融およびクラックの発生はなかった。一方、従来の
方法により得たターゲットでは、450〜950Wの出
力によるスパッタリングで、溶融あるいはクラ、りが発
生した。
ターゲ・1ト材の密度比は、従来のターゲット材の密度
比よりも高(、本発明に係るターゲット材を用いて、ス
パッタリングを600〜1000Wの高出力で行っても
、溶融およびクラックの発生はなかった。一方、従来の
方法により得たターゲットでは、450〜950Wの出
力によるスパッタリングで、溶融あるいはクラ、りが発
生した。
「発明の効果J
以上説明したように、本発明方法によれば、各工程を還
元ガス雰囲気、不活性ガス雰囲気または真空下で行うこ
とにより、酸化を防+l: して成形性を向上させるこ
とができ、さらに粉末の粒度分布を調整することにより
、粉末の酸化の抑制およびt口粒子間の空隙の減少する
ことができ、成形体の高密度化が図れ、さらには温度と
圧力が同時に作用するホ、ドブレス法により成形および
焼結を行うことにより、成形体の高密度化が図れる。
元ガス雰囲気、不活性ガス雰囲気または真空下で行うこ
とにより、酸化を防+l: して成形性を向上させるこ
とができ、さらに粉末の粒度分布を調整することにより
、粉末の酸化の抑制およびt口粒子間の空隙の減少する
ことができ、成形体の高密度化が図れ、さらには温度と
圧力が同時に作用するホ、ドブレス法により成形および
焼結を行うことにより、成形体の高密度化が図れる。
このようにして得た高密度なターゲット材を用いたター
ゲットでは、高出力でスパッタリングを行っても、溶融
、クラックの発生がなく、よって生産性を向上させるこ
とができる。
ゲットでは、高出力でスパッタリングを行っても、溶融
、クラックの発生がなく、よって生産性を向上させるこ
とができる。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 テルル、テルル合金、セレンまたはセレン合金を粉砕す
る工程と、篩分けする工程と、混合する工程と、加圧成
形する工程と、焼結する工程とを有するターゲット材の
製造方法において、 上記各工程を、非酸化性の環境下で行うとともに、上記
粉末をその粒度分布が、 60〜100メッシュ…40±10重量% 100〜200メッシュ…30±10重量%200〜4
00メッシュ…20±5重量% 400メッシュ以下…10±5重量% となるように混合し、ホットプレス法により上記加圧成
形および焼結を行うことを特徴とするターゲット材の製
造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63325600A JP2725331B2 (ja) | 1988-12-23 | 1988-12-23 | ターゲット材の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63325600A JP2725331B2 (ja) | 1988-12-23 | 1988-12-23 | ターゲット材の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02170969A true JPH02170969A (ja) | 1990-07-02 |
JP2725331B2 JP2725331B2 (ja) | 1998-03-11 |
Family
ID=18178691
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63325600A Expired - Lifetime JP2725331B2 (ja) | 1988-12-23 | 1988-12-23 | ターゲット材の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2725331B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004346357A (ja) * | 2003-05-21 | 2004-12-09 | Mitsubishi Materials Corp | 強度および耐スパッタ割れ性に優れた酸化チタンターゲットの製造方法 |
JP2009287092A (ja) * | 2008-05-30 | 2009-12-10 | Mitsubishi Materials Corp | カルコパイライト型半導体膜成膜用スパッタリングターゲットの製造方法 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60131963A (ja) * | 1983-12-21 | 1985-07-13 | Nippon Mining Co Ltd | スパツタリング用タ−ゲツト板 |
JPS621146A (ja) * | 1985-06-27 | 1987-01-07 | Toyo Soda Mfg Co Ltd | 光記録用スパツタリングタ−ゲツト及びその製造方法 |
-
1988
- 1988-12-23 JP JP63325600A patent/JP2725331B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60131963A (ja) * | 1983-12-21 | 1985-07-13 | Nippon Mining Co Ltd | スパツタリング用タ−ゲツト板 |
JPS621146A (ja) * | 1985-06-27 | 1987-01-07 | Toyo Soda Mfg Co Ltd | 光記録用スパツタリングタ−ゲツト及びその製造方法 |
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JP2009287092A (ja) * | 2008-05-30 | 2009-12-10 | Mitsubishi Materials Corp | カルコパイライト型半導体膜成膜用スパッタリングターゲットの製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2725331B2 (ja) | 1998-03-11 |
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